JPH0770495B2 - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JPH0770495B2 JPH0770495B2 JP61275825A JP27582586A JPH0770495B2 JP H0770495 B2 JPH0770495 B2 JP H0770495B2 JP 61275825 A JP61275825 A JP 61275825A JP 27582586 A JP27582586 A JP 27582586A JP H0770495 B2 JPH0770495 B2 JP H0770495B2
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- JP
- Japan
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- heat treatment
- furnace
- substrate
- processed
- treatment furnace
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体ウエハ等の被処理基板の不純物の拡
散、酸化膜の形成、CVD膜の形成等を行なう熱処理装置
に係わり、特に縦型の熱処理炉を備えた熱処理装置に関
する。
散、酸化膜の形成、CVD膜の形成等を行なう熱処理装置
に係わり、特に縦型の熱処理炉を備えた熱処理装置に関
する。
（従来の技術） 一般に熱処理装置は、半導体デバイスの製造工程等にお
いて、半導体ウエハ等の被処理基板の不純物の拡散、酸
化膜の形成、CVD膜の形成等に用いられる。
いて、半導体ウエハ等の被処理基板の不純物の拡散、酸
化膜の形成、CVD膜の形成等に用いられる。
第４図は、このような熱処理装置の例として、縦型の熱
処理炉を備えた熱処理装置を示すもので、熱処理装置本
体１内には、例えば中空円筒状の石英管、石英管の周囲
に配置されたヒータ、断熱材等から構成され、下端に炉
口2aを備えた熱処理炉２が立設されている。炉口2aの下
部には、多数の半導体ウエハ３が上下方向に平行するよ
うに一列に配置されたウエハボート４が載置される載置
台5aが配置されており、この載置台5aは、駆動装置5bに
よって上下に移動され、ウエハボート４に配置された半
導体ウエハ３を高温の熱処理炉２内へロードおよび熱処
理炉２外へアンロードする搬送機構が構成されている。
処理炉を備えた熱処理装置を示すもので、熱処理装置本
体１内には、例えば中空円筒状の石英管、石英管の周囲
に配置されたヒータ、断熱材等から構成され、下端に炉
口2aを備えた熱処理炉２が立設されている。炉口2aの下
部には、多数の半導体ウエハ３が上下方向に平行するよ
うに一列に配置されたウエハボート４が載置される載置
台5aが配置されており、この載置台5aは、駆動装置5bに
よって上下に移動され、ウエハボート４に配置された半
導体ウエハ３を高温の熱処理炉２内へロードおよび熱処
理炉２外へアンロードする搬送機構が構成されている。
なお、熱処理炉２には、図示しないガス導入口、ガス排
出口等が設けられており、所定の反応ガスおよびパージ
ガス等を上から下へ向けて流通するよう構成されてい
る。
出口等が設けられており、所定の反応ガスおよびパージ
ガス等を上から下へ向けて流通するよう構成されてい
る。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上述の従来の熱処理装置では、処理が済
んだ後、熱処理炉内からアンロードされた高温の被処理
基板と外気とが接触するため、例えばポリシリコン膜等
の被処理基板表面に形成された膜が酸化されるという問
題がある。
んだ後、熱処理炉内からアンロードされた高温の被処理
基板と外気とが接触するため、例えばポリシリコン膜等
の被処理基板表面に形成された膜が酸化されるという問
題がある。
また、このような問題を解決するために従来は、例えば
熱処理炉の開口部付近のヒータに気体を吹き付けて冷却
し、被処理基板を冷却した後にアンロードすることが行
なわれているが、高温のヒータに例えば常温の気体を吹
き付けて冷却するため、ヒータ寿命の低下を招くという
問題と、冷却に時間を要するため、スループットの低下
を招くという問題がある。
熱処理炉の開口部付近のヒータに気体を吹き付けて冷却
し、被処理基板を冷却した後にアンロードすることが行
なわれているが、高温のヒータに例えば常温の気体を吹
き付けて冷却するため、ヒータ寿命の低下を招くという
問題と、冷却に時間を要するため、スループットの低下
を招くという問題がある。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、半導体ウエハ等の被処理基板と外気との接触を防止
することができ、ポリシリコン膜等の被処理基板表面に
形成された膜の酸化の防止、スループットの向上、ヒー
タ寿命の長期化等を図ることのできる熱処理装置を提供
しようとするものである。
で、半導体ウエハ等の被処理基板と外気との接触を防止
することができ、ポリシリコン膜等の被処理基板表面に
形成された膜の酸化の防止、スループットの向上、ヒー
タ寿命の長期化等を図ることのできる熱処理装置を提供
しようとするものである。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） すなわち本発明は、中空円筒状の熱処理炉と、被処理基
板を炉口から前記熱処理炉内にロード、アンロードする
搬送機構とを備えた熱処理装置において、 前記熱処理炉外部の前記炉口までの搬送路の周囲を囲
み、前記被処理基板と外気との接触を防止する伸縮自在
な筒状部材であって、上部から下部に向かって徐々に径
大となる裾広がり形状の蛇腹状部材からなり、前記搬送
機構による前記被処理基板のロード、アンロード動作に
応じて伸縮可能とされた筒状部材を配置したことを特徴
とする。
板を炉口から前記熱処理炉内にロード、アンロードする
搬送機構とを備えた熱処理装置において、 前記熱処理炉外部の前記炉口までの搬送路の周囲を囲
み、前記被処理基板と外気との接触を防止する伸縮自在
な筒状部材であって、上部から下部に向かって徐々に径
大となる裾広がり形状の蛇腹状部材からなり、前記搬送
機構による前記被処理基板のロード、アンロード動作に
応じて伸縮可能とされた筒状部材を配置したことを特徴
とする。
（作 用） 本発明の熱処理装置では、熱処理炉外部の被処理基板が
搬送される搬送路が、被処理基板と外気との接触を防止
する筒状部材によって覆われており、この筒状部材内を
例えば窒素ガス等の不活性ガス雰囲気とすることによ
り、例えば熱処理炉内で高温に加熱された被処理基板を
処理終了後直ちに熱処理炉の外へアンロードしても、被
処理基板が外気、特に空気中の酸素に触れて、例えばポ
リシリコン膜等の被処理基板表面に形成された膜等が酸
化されることを防止することができる。また、ヒータお
よび被処理基板の冷却等を必要とせず、スループットの
向上、ヒータ寿命の長期化等を図ることができる。
搬送される搬送路が、被処理基板と外気との接触を防止
する筒状部材によって覆われており、この筒状部材内を
例えば窒素ガス等の不活性ガス雰囲気とすることによ
り、例えば熱処理炉内で高温に加熱された被処理基板を
処理終了後直ちに熱処理炉の外へアンロードしても、被
処理基板が外気、特に空気中の酸素に触れて、例えばポ
リシリコン膜等の被処理基板表面に形成された膜等が酸
化されることを防止することができる。また、ヒータお
よび被処理基板の冷却等を必要とせず、スループットの
向上、ヒータ寿命の長期化等を図ることができる。
（実施例） 以下本発明の熱処理装置を半導体ウエハの熱処理装置に
適用した一実施例を図面を参照して説明する。
適用した一実施例を図面を参照して説明する。
熱処理装置本体11内には、例えば中空円筒状の石英管、
石英管の周囲に配置されたヒータ、断熱材等から構成さ
れ、下部に炉口12aを備えた熱処理炉12が立設されてい
る。
石英管の周囲に配置されたヒータ、断熱材等から構成さ
れ、下部に炉口12aを備えた熱処理炉12が立設されてい
る。
なお、熱処理炉12には、図示しないガス導入口、ガス排
出口等が設けられており、所定の反応ガスおよびパージ
ガス等が上から下へ向けて流通するよう構成されてお
り、炉口12aにはこの炉口12aを閉塞する図示しないシャ
ッターが配置されている。
出口等が設けられており、所定の反応ガスおよびパージ
ガス等が上から下へ向けて流通するよう構成されてお
り、炉口12aにはこの炉口12aを閉塞する図示しないシャ
ッターが配置されている。
炉口12aの下部には、多数の半導体ウエハ13が上下方向
に平行するように一列に配置されたウエハボート14が載
置される載置台15aが配置されており、この載置台15a
は、駆動装置15bによって上下に移動され、ウエハボー
ト14に配置された半導体ウエハ13を高温の熱処理炉12内
へロードおよび熱処理炉12外へアンロードする搬送機構
が構成されている。
に平行するように一列に配置されたウエハボート14が載
置される載置台15aが配置されており、この載置台15a
は、駆動装置15bによって上下に移動され、ウエハボー
ト14に配置された半導体ウエハ13を高温の熱処理炉12内
へロードおよび熱処理炉12外へアンロードする搬送機構
が構成されている。
また、炉口12aの下部には、例えば石英ガラス繊維、ア
ルミニウム箔等300℃程度以上の耐熱性を有し、発塵の
少ない物質によって構成され、伸縮自在に蛇腹状に形成
された筒状部材16が配置されている。
ルミニウム箔等300℃程度以上の耐熱性を有し、発塵の
少ない物質によって構成され、伸縮自在に蛇腹状に形成
された筒状部材16が配置されている。
この筒状部材16は、上部から下部へ向かって徐々に径大
となるよう形成されており、蛇腹内壁に塵がたまらない
よう、また収納時の全長が短くなるよう構成されてい
る。そして上側端部は、例えば磁石等によって炉口12a
の外周部に脱着自在に固定され、側方に配置された駆動
装置17aによって上下動されるアーム17bによって上下に
移動される。
となるよう形成されており、蛇腹内壁に塵がたまらない
よう、また収納時の全長が短くなるよう構成されてい
る。そして上側端部は、例えば磁石等によって炉口12a
の外周部に脱着自在に固定され、側方に配置された駆動
装置17aによって上下動されるアーム17bによって上下に
移動される。
下側端部は、載置台15aの下方で例えば駆動装置15bのア
ーム15cの折曲部付近まで伸びており、この底部は、解
放状態または密閉状態とされている。
ーム15cの折曲部付近まで伸びており、この底部は、解
放状態または密閉状態とされている。
上記構成のこの実施例の熱処理装置では、例えば熱処理
炉12内が600℃〜650℃程度に加熱され、載置台15a上に
半導体ウエハ13が多数配置されたウエハボート14が配置
されて、駆動装置17aに接続されたアーム17bによって筒
状部材16が上昇し、ウエハボート14の周囲および炉口12
aまでの搬送路が覆われる。
炉12内が600℃〜650℃程度に加熱され、載置台15a上に
半導体ウエハ13が多数配置されたウエハボート14が配置
されて、駆動装置17aに接続されたアーム17bによって筒
状部材16が上昇し、ウエハボート14の周囲および炉口12
aまでの搬送路が覆われる。
この後、第２図にも示すように、駆動装置15bによって
載置台15aが上昇し、炉口12aから熱処理炉12内へ半導体
ウエハ13およびウエハボート14が配置される。なお、こ
の時、熱処理炉12上方から、下方へ向けて例えば窒素ガ
ス等の不活性ガスがパージガスとして流通される。ま
た、筒状部材16は、載置台15aの上昇に従い、収縮す
る。
載置台15aが上昇し、炉口12aから熱処理炉12内へ半導体
ウエハ13およびウエハボート14が配置される。なお、こ
の時、熱処理炉12上方から、下方へ向けて例えば窒素ガ
ス等の不活性ガスがパージガスとして流通される。ま
た、筒状部材16は、載置台15aの上昇に従い、収縮す
る。
載置台15aが最上部まで上昇し、載置台15aの底部によっ
て炉口12aが閉塞されると、例えばモノシランガス等の
反応ガスが熱処理炉12内に流通され、半導体ウエハ13表
面にポリシリコン膜等が形成される。
て炉口12aが閉塞されると、例えばモノシランガス等の
反応ガスが熱処理炉12内に流通され、半導体ウエハ13表
面にポリシリコン膜等が形成される。
処理が終了すると、反応ガスが前述のパージガスに切り
換えられ、載置台15aが駆動装置15bによって下降され、
半導体ウエハ13およびウエハボート14が熱処理炉12外へ
アンロードされ、炉口12aは図示しないシヤッターによ
って閉塞される。この時、筒状部材16は、載置台15aの
下降に従って伸長し、半導体ウエハ13およびウエハボー
ト14は、この筒状部材16内で外気と隔離された状態とさ
れる。この状態で、例えば20分程度保持され、半導体ウ
エハ13が冷却され、半導体ウエハ13に形成された膜等が
酸化されない程度の温度となると、第３図にも示すよう
に駆動装置17bによって筒状部材16の上端部が下降し、
半導体ウエハ13およびウエハボート14周囲の筒状部材16
が除かれて、載置台15aから半導体ウエハ13およびウエ
ハボート14が取り出される。
換えられ、載置台15aが駆動装置15bによって下降され、
半導体ウエハ13およびウエハボート14が熱処理炉12外へ
アンロードされ、炉口12aは図示しないシヤッターによ
って閉塞される。この時、筒状部材16は、載置台15aの
下降に従って伸長し、半導体ウエハ13およびウエハボー
ト14は、この筒状部材16内で外気と隔離された状態とさ
れる。この状態で、例えば20分程度保持され、半導体ウ
エハ13が冷却され、半導体ウエハ13に形成された膜等が
酸化されない程度の温度となると、第３図にも示すよう
に駆動装置17bによって筒状部材16の上端部が下降し、
半導体ウエハ13およびウエハボート14周囲の筒状部材16
が除かれて、載置台15aから半導体ウエハ13およびウエ
ハボート14が取り出される。
すなわち、上述のこの実施例の熱処理装置では、熱処理
炉12外部の搬送路が、半導体ウエハ13と外気との接触を
防止する筒状部材16によって覆われており、この筒状部
材16内が例えば窒素ガス等の不活性ガス雰囲気とされて
いる。従って例えば熱処理炉12内で高温に加熱された半
導体ウエハ13を処理終了後直ちに熱処理炉12の外へアン
ロードしても、半導体ウエハ13が外気、特に空気中の酸
素に触れて、例えばポリシリコン膜等の膜等が酸化され
ることを防止することができる。また、ヒータおよび半
導体ウエハ13の冷却等を必要とせず、スループットの向
上、ヒータ寿命の長期化等を図ることができる。
炉12外部の搬送路が、半導体ウエハ13と外気との接触を
防止する筒状部材16によって覆われており、この筒状部
材16内が例えば窒素ガス等の不活性ガス雰囲気とされて
いる。従って例えば熱処理炉12内で高温に加熱された半
導体ウエハ13を処理終了後直ちに熱処理炉12の外へアン
ロードしても、半導体ウエハ13が外気、特に空気中の酸
素に触れて、例えばポリシリコン膜等の膜等が酸化され
ることを防止することができる。また、ヒータおよび半
導体ウエハ13の冷却等を必要とせず、スループットの向
上、ヒータ寿命の長期化等を図ることができる。
なお、上記実施例では筒状部材16を伸縮自在な蛇腹状に
構成したが、筒状部材16は、伸縮しない構造の筒状部材
とし、駆動装置の載置台下方の直線部分の全長を筒状部
材の全長よりも長く構成してもよい。この場合ウエハボ
ートの取り出しは、筒状部材を上下方向にスライドさせ
るか、左右に分割する等の方法で行なうことができる。
構成したが、筒状部材16は、伸縮しない構造の筒状部材
とし、駆動装置の載置台下方の直線部分の全長を筒状部
材の全長よりも長く構成してもよい。この場合ウエハボ
ートの取り出しは、筒状部材を上下方向にスライドさせ
るか、左右に分割する等の方法で行なうことができる。
なお、上記実施例では、炉口が熱処理炉の下部に配置さ
れた熱処理装置について説明したが、本発明は、炉口が
上部に配置され、上方から被処理基板を熱処理炉内に挿
入する熱処理装置についても同様にして適用することが
できる。
れた熱処理装置について説明したが、本発明は、炉口が
上部に配置され、上方から被処理基板を熱処理炉内に挿
入する熱処理装置についても同様にして適用することが
できる。
［発明の効果］ 上記説明のように、本発明の熱処理装置では、半導体ウ
エハ等の被処理基板と外気との接触を防止することがで
き、ポリシリコン膜等の被処理基板表面に形成された膜
の酸化の防止、スループットの向上、ヒータ寿命の長期
化等を図ることができ、また、装置の小型化を図ること
ができる。
エハ等の被処理基板と外気との接触を防止することがで
き、ポリシリコン膜等の被処理基板表面に形成された膜
の酸化の防止、スループットの向上、ヒータ寿命の長期
化等を図ることができ、また、装置の小型化を図ること
ができる。
第１図ないし第３図は本発明の一実施例の熱処理装置を
示す正面図、第４図は従来の熱処理装置を示す正面図で
ある。 12……熱処理炉、12……炉口、13……半導体ウエハ、15
a……載置台、15b……駆動装置、16……筒状部材。
示す正面図、第４図は従来の熱処理装置を示す正面図で
ある。 12……熱処理炉、12……炉口、13……半導体ウエハ、15
a……載置台、15b……駆動装置、16……筒状部材。
Claims (1)
- 【請求項１】中空円筒状の熱処理炉と、被処理基板を炉
口から前期熱処理炉内にロード、アンロードする搬送機
構とを備えた熱処理装置において、 前記熱処理炉外部の前記炉口までの搬送路の周囲を囲
み、前記被処理基板と外気との接触を防止する伸縮自在
な筒状部材であって、上部から下部に向かって徐々に径
大となる裾広がり形状の蛇腹状部材からなり、前記搬送
機構による前記被処理基板のロード、アンロード動作に
応じて伸縮可能とされた筒状部材を配置したことを特徴
とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61275825A JPH0770495B2 (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61275825A JPH0770495B2 (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63128711A JPS63128711A (ja) | 1988-06-01 |
| JPH0770495B2 true JPH0770495B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=17560949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61275825A Expired - Lifetime JPH0770495B2 (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770495B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2593869B2 (ja) * | 1987-05-19 | 1997-03-26 | 松下電工株式会社 | 送受信装置 |
| US4955590A (en) * | 1988-12-08 | 1990-09-11 | Tokyo Electron Limited | Plate-like member receiving apparatus |
| US5065495A (en) * | 1987-06-10 | 1991-11-19 | Tokyo Electron Limited | Method for holding a plate-like member |
| JP2664216B2 (ja) * | 1988-08-31 | 1997-10-15 | 株式会社日立製作所 | 真空処理装置の制御方法 |
| JP2548062B2 (ja) * | 1992-11-13 | 1996-10-30 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 縦型熱処理装置用ロードロックチャンバー |
| JP5338702B2 (ja) * | 2010-02-12 | 2013-11-13 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0727875B2 (ja) * | 1986-02-27 | 1995-03-29 | 株式会社ディスコ | 縦型半導体熱処理装置への半導体基板の搬入出方法および外気混入防止装置 |
| JPS6379314A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-09 | Hitachi Ltd | 加熱処理装置 |
-
1986
- 1986-11-19 JP JP61275825A patent/JPH0770495B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63128711A (ja) | 1988-06-01 |
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