JPS60253227A - 連続スパツタ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体や通信用デバイス等の素子。

基板を真空中でスパッタリングする装置の改良。

に関する。

〔発明の背景〕

半導体や通信用デバイス吟の素子基板のスノくツ゛タリ
ング処理は、通常法の工程により行われる。

即ち真空中において、先ず素子基板を加熱して素子基板
の表面に付着している不純ガスを除去するベーク処理工
程、次に素子基板表面にＡｒ’イオンを衝撃して下地表
面層を除去するスノ（ツ・タエツチング処理工程、次に
このようにして表・面処理された素子基板の表面に薄膜
を形成するトスバッタ処理工程により行われる。

これらの各処理工程において、各工程の処理。

の良否は、処理工程中に発生する不純ガス及び、。

各処理工程における圧力により大きく左右され。

る。

従って、スパッタ装置にあっては、各処理工。

程で発生する不純ガスの排出及び各工程に適し。

た圧力雰囲気の調整機能が要求される。

第１図はこの種の公知の装置の一例を示す正。

面図である。第２図は第１図のＡ−０−Ａ断面図である
。両図に示すごとく、薄い円筒状の真。

空容器ｌにガス配管２．真空パルプ３．可変パルプ４．
及び真空ポンプ５が接続されている。

６ａは前壁、６ｂは後壁である。

真空容器１の前壁６ａには、中心から同一半径上に複数
個の開ロアが設けられ、第１図に示すごとくこれらの開
ロアに順次にローディンゲス゛チージョン８．第２処！
ステージ田ン９．第３゜処理ステーション１０．第４処
理ステージａン１１゜及び第５処理ステーシヨン１２が
設けられている。ロローデイングステーション８にはド
ア１３カ設・けられ、このドアを開くと第２図に示すよ
うに・爪２３が現われ、基板１４を着脱することができ
る。・上記の基板保持用の爪２３は、前壁６ａに接して
・設けられた円形の搬送プレート１５０基板保持孔ｌ。

２２の周囲に設置されている。

真空容器１の後壁６ｂには、ローディングステー。

ジョンに対応する位置にエアシリンダ２０を設置。

し圧力プレート１９を搬送プレート１５に向けて押。

圧し得るようになっている。

また、後壁６ｂの中央部には、搬送プレート１５を前後
に駆動するエアシリンダ２１が設置されて。

いる。

搬送プレート１５には各開ロアと同じ半径上に。

等間隔に前述の基板保持孔２２が穿たれている。

上記の搬送プレート１５は、圧力プレート１９による抑
圧を受けていない状態において、前壁６ａ’に設置され
たモータ２４．ギア２５．チェーン２６に。

より回転させられる。搬送プレート１５の中心軸。

上の前後に取付けられた軸２７は真空容器１の壁１・６
．７と真空シールされている。

また真空容器１内にはエアシリンダ２０により・て前後
動させられる圧力プレート１９があり、ド。

ア１３．ローディングステージ目ン８の開ロア、・搬送
プレート１５の基板保持穴２２および圧力ブレー１ト１
９と協調して真空予備室２８を形成する。また。

圧力プレート１９には、前壁６ａの第２〜第５ステー。

シ側ン９〜１２に対応した位置に開口２９が設けら。

れている。

各処理ステーション９〜１２には、基板への成膜処理の
ためのユニット、若しくは盲蓋１６が取。

付られている。

標準的な構成としては、第２処理ステーシヨ。

ン９でベーク処理を行い、第３処理ステーシヨ。

ン１０でスパッタエッチ処理を行い、　第４　、第５−
処理ステーション１１　、１２でスパッタ処理を行うが
、いずれの処理ステーションでどのような処゛理を行う
かは任意に設定し得る。

次に第３図を用いて、例えば第３処理ステー・ジョン１
０のスパッタエッチ機構を説明する。　Ｉ（第３図は第
１図のＯＤ断面図である。　・前壁６ａＫ絶縁物１０１
を介してエツチング電極・１０２が取付けられている。

エツチング電極１０２・の表面近くに、搬送プレー）１
５より爪２３を介し。

て基板１４が設置される。エツチング電極１０２ＫＩ−
はケーブル１０３を通して高周波電力が印加され。

る。またエツチング電極１０２と真空容器１間で。

放電が起きないようにシールド１０４が設置され。

ている。

以上の如く構成された従来の連続スパッタ装。

・　４　・ 置は欠配のように作動する。

真空ポンプ５によりあらかじめ真空室ｌを高。

真空排気した後真空パルプ３を開き、ガス配管゛２より
Ａｒガスを真空室ｌに導入し、可変パルプ４を適宜に調
節することにより、真空室１内を適宜の低圧雰囲気に保
つ。エアシリンダ２１により、搬送プレート１５を真空
室１の前壁６ａＫ押付。

け、さらにエアシリンダ２０により圧力プレート１９を
搬送プレート１５に押しつけ、ローディング。

ステージ側ン８に真空予備室２８を作る。リーク１１手
段（図示せず）により真空予備室２８を大気圧にした後
ドア１３を開き、搬送手段（図示せず）・によりスパッ
タ処理ずみ基板１４を取り出した後・未処理基板１４を
、搬送プレート１５０基板保持孔・２２内の爪２３に装
着する。次にドア１３を閉じ、粗１−引き排気手段（図
示せず）により真空予備室２８４を粗引き排気する。次
にエアシリンダ２０　、２１に。

より、圧力グレート１９．搬送プレート１５及び前。

壁６ａを相互に離間させる。次にモータ２４．ギア。

２５、チェーン２６により搬送プレート１５を１ステ−
ジョン分回転させた後、再びエアシリング２０．“２１
により前壁６ａ、搬送プレート１５．圧力ブレー゛ト１
９を密着させる。ローディングステーション８は前述の
動作をくり返し、第２処理ステージ習。

ン９乃至第５処理ステーシヨン１２では各所定の一処理
を基板１４に施す。

以上の動作をくり返すことにより、基板１４に一枚ずつ
連続してスパッタ処理を行う。　“また各処理ステーシ
ヨンで行う処理には、真゛空中で基板１４を加熱し、基
板１４表面に付着した１１不純物ガスを除去するベーク
処理、基板１４０表面にＡｒイオンを衝撃させ下地表面
層を除去する・スパッタエッチ処理、薄膜を形成するス
パッタ・処理、などがある。

この内例えば第３処理ステーシヨン１０のスパン１−タ
エツチ処理は次の様に行われる。

前述したようにエツチング電極１０２０表面近。

くに基板１４を設置した後ケーブル１０３を通して。

高周波電力が印加されると、エツチング電極１０２、表
面に放電が起き、　Ａｒイオンが基板１４を衝撃し、２
基板１４０表面のスパッタクリーニングを行う。

以上に説明した従来の連続スパッタ装置には。

次のような不具合が有る。

第２〜第５処理ステーシヨンは同一の真空雰囲気になる
が、最適動作圧の異なるスパッタ処理とスパッタエッチ
処理を同一圧力下で処理しなげればならず、各々を最適
動作圧で処理する゛場合に比べて処理速度、膜質が低下
する。また゛ベーク処理ステーション、スパッタエッチ
処理。

ステーションから発生するガスがスパッタ処理トステー
ションに達し、膜質を低下させる。

また処理ユニツ）１Ｂの内、スパッタ処理ユニツ・トは
成膜材料源であるターゲット（図示せず）・が消耗する
ため定期的に交換しなげればならな。

いが、その際真空容器１内が全て大気圧になる。

ため、ターゲット交換後真空容器１内を再び清。

浄な高真空に排気するまでに長時間必要とし、。

その結実装置の稼働率が低下し、実効的生産能。

力を低下させる。

また、基板１４は真空容器ｌ内を鉛直面内で回゛　７　
゛ 動するため、基板１４が下部にある時上方より落。

下してきた異物が基板１４に付着し、歩留りを低゛下さ
せる。

〔発明の目的〕

本発明は、上記従来の不具合な点を解決し、−各スパッ
タ処理工程における適正な圧力調整及び不純ガスの排出
を行い、基板に形成される薄゛膜の品質を向上させると
共に、実行的生産能力。

をも向上した連続スパッタ装置を提供せんとす゛るもの
である。

〔発明の概要〕

即ち本発明は、各スパッタリング処理工程に・対応して
独立した副真空室を設け、処理工程Ｋ・適した圧力の調
節と、処理工程中に発生する不・純ガスの排出を確実に
行えるようにしたもので１・あって、１個の主真空室を
設け、この主真空室。

に連通ずるように、各スバツタ工程に対応した。

独立の副真空室を設け、被処理基板を基板ホル。

ダに保持し各スパッタ処理工１！に搬送すると共。

に主真空室と副真空室との間の連通部を基板ホルダによ
って密封する機能を有する搬送機構及゛び基板ホルダを
設け、副真空室に排気口および。

ガス導管を設けて副真空室内の圧力を調節し、゛副真空
室のそれぞれにエツチング電極を設けた゛ことを特徴と
する。

〔発明の実施例〕

次に、本発明の１実施例を第４〜７図に示し。

説明する。第４図は垂直断面図である。第５図。

は第４図に示すＣ−０面による水平断面図であ。

す、同図のＢ−Ｂ断面図が第４図である。

五角形の真空容器３０と中央に円柱状の凹みを・有する
蓋３１により主真空室３２を構成する。真空・容器３０
の壁面３８には、はぼ同一水平面に中心軸・をもつ開口
３３が等角度間隔にあけられ、Ｊｌにロー・ディングス
テーシロン８．第２〜第５ステージ１１１−ン９〜１２
を形成する。またローディングステー。

ジョン８の大気側圧はローディング室５１および。

取入・取出室５２が取り付けられ、第２〜第５処。

環ステージ９ンの開口３３の外側には副真空室３４゜が
形成されている。第４図に示す如く副真空室。

３４と主真空室３２とは開口３３の他に排気口３５によ
゛り真空的に連通可能である。排気口３５はエアシ。

リンダ３６で駆動されるパルプ３７により開閉され“る
。

第５図に示すごとく真空容器３０と蓋３１との間″には
、真空容器３０の壁面３８とほぼ平行な複数の゛平面４
０を有するドラム３９がある。十゛ラム３９は蓋。

３１の底面の中心で回転自在に支持されており、。

モータ２４．ギア２５．チェーン２６により回転させ。

られる。

またドラム３９の各々の平面４０には、各々１組の板ば
ね４１により平面４０とほぼ平行な状態のま・ま前後動
可能な基板ホルダ４２が取り付けられて・いて、ブツシ
ャ４３により、真空容器３０の壁面３８・と基板ホルダ
４２が密着できる。蓋３１の凹み内のＩ・中心にあるエ
アシリンダ４４（第４図）により円。

錐カム４５が下降すると、ブツシャ４３は中心から。

外方に向けて力を受け、ガイド４６によりガイド。

されながら全ステーションで同時に基板ホルダ。

４２を壁面３８に押付ける。円錐カム４５が上昇する。

と、圧縮ばね４７により、ブツシャ４３は中心方向に力
を受け、ブツシャ４３の先端は蓋３１の凹みの外周面ま
で後退し、基板ホルダ４２は板ばね４１（第５図）によ
り壁３８から離れてドラム３９に接近する。

第５図において、第２処理ステーシヨン９゜第３処理ス
テーシヨン１０、および第５処理ステーシヨン１２につ
いてはブツシャ４３．ガイド４６．基板ホルダ４２．板
ばね４７の図示を省略しである。

第４図に示すごとく、少なくとも一つの副真、。

空室３４には処理ユニット１８．ガス配管２．真空パル
プ３．可変パルプ４を設ける。これらの構成部材は第２
図に示した従来装置におけると同様乃至は類似の構成部
材である。

また主真空室３２は、配管４８により真空ポンプ５に接
続され、高真空排気される。

また、第５図に示す如くローディングステージ箇ン８０
大気側にはローディングｇ５１．サラにその大気側に取
入・取出室５２が設置されている。取入・取出室５２内
には２組の搬送手段５３゜・　１１・ ５４が、またローディング室５１内には１組の搬送手段
５５が設置されている。

取入Φ取出室５２の両側にはゲートパルプ５６゜５７が
設置されている。ゲートパルプ５６　、５７が開いてい
る時に基板１４は大気中の搬送手段（図示。

せず）Ｋより取入・取出室５２に搬入され、搬送手段５
３　、５５　、５４によりローディング室５１を経て再
び大気側に搬出されることができる。

また取入・取出室５２は第４図に示すように真空配管５
８．真空パルプ５９を経由して補助真空ボ１．１ンブ６
０に、またリーク配管６１．リークパルプ６２を経由し
てリークガス源（図示せず）に接続されている。

ローディング室５１はバイパス配管６３．配管４８を経
由して真空ポンプ５に接続されている。

またローディング室５１内のローディング位置６４（第
５図）Ｋ基板１４がある時、第４図に示したエレベータ
６５により基板１４は持ちあげられ、アーム６６（第４
図）にチャックされる（チャック機構は図示省略）。ア
ーム６６は（中心線にて示す）軸６７の回りで回転駆動
され、基板１４は基板ホルダ４２に移しかえられる。

なおエレベータ６５は例えばエアシリンダ６８により、
またアーム６６の軸６７はモータ（図示省略）により駆
動される。

次に例えば第３処理ステージ冒ン１０に、設置されるエ
ツチング電極について第６図、第７図に基づいて説明す
る。

第６図は第５図のＯＥ断面図、第７図は第６図のＦ−Ｆ
断面図である。　１゜ 基板ホルダ４２の内側に絶縁物１２１を介してエツチン
グ電極１０２が取り付けられている。エツチング電極１
０２の下部には高周波電力を受電する受電棒１２２が周
囲を絶縁物１２３に包まれて立上っている。基板１４の
裏面のエツチング電極１０２と同一面上には石英板１２
４が配設され、イオン衝撃による基板１４への重金属汚
染を防止する。

この場合石英板１２４は基板１４の裏側全面に配設され
ていてもよい。基板１４に対向する側には対向電極１２
５がある。また対向電極１２５の下部からは、対向電極
１２５とは絶縁物１２６により絶縁され、周囲を絶縁物
１２７に包まれた給電棒１２８が取り付けられ、ケーブ
ル１０３．給電棒１２８゜受電棒１２２を通して、エツ
チング電極１０２に高周波電力が印加される。

また基板１４は爪１２９により取り付けられる。

爪１２９は、第７図にも示す通りベース１３０にシャフ
ト１３１を介して取り付けられる。ネジリコイルバネ１
３２により爪１２９の先端は基板１４に押付けられ基板
１４をエツチング電極１０２に押付ける。。

ベース１３０は絶縁物１２３を介してエツチング電極１
０２とは電気的に絶縁されて象り付けられている。

また副真空室３４内は、ガス配管２より供給されるＡｒ
ガス量と、排気口３５からの排気速度とから定まる所定
の圧力に保たれる。

次に、以上のように構成した連続スパッタ装置の作用に
つい【述べる。

エアシリンダ４４により円錐カム４５を下降させ各ステ
ージ日ンで基板ホルダ４２を、真空容器３０の壁面３８
に押付けておく。エアシリンダ３６によりパルプ３７を
開いた状態で、真空ポンプ５を動作させるとともに、真
空パルプ３．可変パルプ４を協調させてガス配管２より
Ａｒガスを少なくともひとつの副真空室３４に導入し、
副真空室３４および主真空室３２を各々所定の低圧雰囲
気に保つ。副真空室３４内の圧力は可変パルプ４の開度
、および排気口３５の流通面積を変えることＫより調節
する。

また取入・取出室５２では両側のゲートパルプ５６　、
５７および真空パルプ５９を閉じた状態で、リークパル
プ６２を開き、リーク配管６２よりり一りガスを導入し
、取入・取出室５２内を大気圧にしておく。

ローディング室５１ではエレベータ６５を下降の状態に
しておくとともにバイパス配管６３により例えば１（ｒ
’Ｔｏｒｒ台に真空排気しておく。

以上の状態から運転サイクルを開始する。

取入・取出室５２のゲートバルブ５６を開いた後、大気
側搬送手段（図示せず）と搬送手段５３との５ 協調により基板１４を搬入位置６９に搬入した後ゲート
パルプ５６を閉じる。

次に補助真空ポンプ６０を作動させ、真空パルプ５９を
開き、取入・取出室５２内を例えば０．１ＴｏｒｒＫ排
気した後、ゲートバルブ５７を開く。搬送子。

段５３　、５５の協調により、基板１４をローディング
位置６４に搬送した後、エレベータ６５．アーム６６の
協調により、基板１４を基板ホルダ４２に装着する。

次にエアシリンダ４４により円錐カム４５を上昇１．。

させると、グツシャ４３は圧縮ばね４７により基板ホル
ダ４２は板ばね４１により、それぞれ中心方向に移動す
る。次にモータ２４．ギア２５．チェーン２６により、
ドラム３９を１ステ一ジ曹ン分回転させた後、エアシリ
ンダ４４．円錐カム４５．ブツシャ１４３により、再び
基板ホルダ４２を真空容器３０の壁面３８に押付ける。

ローディングステージ鱈ン８では基板ホルダ４２に装着
されている処理ずみ基板１４を、アーム６６、エレベー
タ６５の協調により、搬送手段５５上に移しかえる。ゲ
ートバルブ５７を開いた後、搬送手段５５　、５４の協
調により基板１４を取入・取出室５２内の搬出位置７０
に搬送するとともに、未処理の基板１４を搬入位置６９
からローディング位置６４に搬送した後、ゲートバルブ
５７を閉じる。

前述のごとく取入・取出室内を大気圧にし、ゲートバル
ブ５６を開いた後、次に処理する未処理基板１４の搬入
と、搬出位置７０にある処理ずみ基板１４の搬出とを同
時罠行う。

以上のローディングステージ理ン８での取入・取出し処
理と並行して、第２〜第５ステーシヨンでは基板１４に
各々所定の処理を施す。

なお、第２〜第５処理ステージ薗ンでは、ウェーハ表面
に吸着した汚染ガスを除去するウェーハベーク処理、ス
パッタ前のウェーハ表面の酸化物層を除去するスパッタ
エッチ処理、あるいは薄膜を形成するスパッタ処理を任
意に組み合わせて処理を行うが、標準的には第２ステー
ジ厘ンテウエーハベーク処理、第３ステージ扇ンでスパ
ッタエッチ処３１．第４．第５ステーションでスパッタ
処理を行う。その場合、各ステーションの処理ユニット
１８は、第２ステーシヨンはウェーハベークユニット、
第３ステージ厘ンはスパッタエツチング処理ツ）、　第
４　、第５ステージＢンはスパッタ処理ユニットである
。

次に例えば第３処理ステーシヨンＩＯに設置さレタスバ
ッタエツチングユニットの動作上述へる。

前述したように第６図のＧ、Ｈ位置間を前後動可能に、
ドラム３９に支持された基板ホルダ４２．、。

がＧ位置に後退した状態で、ドラム３９が回転し、スパ
ッタエツチング処理を行う基板１４を第３処理ステーシ
ヨンに搬送する。第４図に示したブツシャ４３により押
圧され、Ｈ位置まで基板ホルダ４２が前進すると、副真
空３４と基板ホルダ４２とＫより主真空室３２とは実質
的に独立した真空室が形成されるとともに、給電棒１２
８と受電棒１２２とが接触する。

副真空室３４内を所定のＡｒガス圧力に保った後、ケー
ブル１０３．給電棒１２８．受電棒１２２を通してエツ
チング電極１０２　Ｋ高周波電力を印加するとエツチン
グ電極の表面に放電が起き、Ａｒイオンが基板１４を衝
撃し、基板１４０表面をクリーニングする。

なおウェーハベークユニット、スパッタ処理。

ユニットの動作については周知であるので記述を省略す
る。

本実施例における各室の標準的な圧力は次の如くである
。

主真空室：ｌミリメートル、 第２処理ステージ薦ンの副真空室：１ミリメートル、第
３処理ステーシヨンの副真空室：８ミリメートル、第４
．第５処理ステーシヨンの副真空室：２ミリメートル。

前述の作動を繰り返すことにより、多数の基板１４がそ
れぞれ連続的にスパッタ処理を施される。

また消耗品であるスパッタ処理ユニットのターゲットの
交換は以下のように行う。

エアシリンダ４４９円錐カム４５．プ′ツシャ４３の協
調により基板ホルダ５コを壁面３８に押付けさらにター
ゲット交換を行うステーションのエアシリンダ３６によ
りそのステーションのパルプ３７゜を閉めることにより
該副真空室３４と主真空室３２とを真空シールする。次
にその副真空室３４のＩＪ−１り手段（図示せず）によ
り、副真空室３４を大気圧にした後、そのステージ９ン
圧取り付けられている処理ユニット１８のスパッタ電極
を外してターゲットを交換する。再びスパッタ電極を組
み付けた後、該当する副真空室３４を粗引き排気１．。

手段（図示せず）により粗引き排気する。次に基板ホル
ダを後退させ、副真空室３４内を高真空排気する。

以上のようにターゲット交換を行う場合には、主真空室
３２を高真空排気したまま、ターゲットの交換を行うス
テーションの副真空室のみを大気にすればよい。

上述の実施例においてはローディングステージ暦ン１個
と処理ステー７６７４個と、計５個のステーションを設
けたが、本発明を実施する場合、設置するステーション
の個数は任意に設定し得る。

また本実施例ではローディングステーション８Ｖｃロー
デイング室５１と、取入・取出室５２とを設けたが、こ
れに限らずローディング室５１を省略し、取入・取出室
５２を主真空室３２に直接に取り付け、さらに取入・取
出室５２内にエレベータ６５、ローディング用のアーム
６６を設けることによっても同様の効果が得られる。

またスパッタエツチング処理の効果により、スパッタ成
膜前の基板表面の酸化物層を除去できるため、下地材料
と成膜材料との電気的接触が改善される。

第８図は、各ステーションが直線上に配列された他の実
施例である。図において、真空容器１の上側には、等間
隔に取り入れステーション２０１　、　基板加熱ステー
ション２０２．スパッタエッチングステーシ」ン２０３
．スパッタステーション２０４、及び取り出しステーシ
ョン２０５が配設されている。基板加熱ステーション２
０２からスバッタステージ厘ン２０４までの配列順序及
び数は任意である。

取り入れステージ通ン２０１と取り出しステーション２
０５は、ドア２３５と２３６及び基板ホルダ４２とによ
り、独立した副真空室２２７　、２３１を形成している
。又基板加熱ステーション２０２．スパツタエツチング
ステーシヨン２０３．スノぐツタステーション２０４は
、基板ホルダ４２によって、それぞれ独立した副真空室
３４を形成している。

取り入れステーション２０１と取り出しステー１．。

シ舊ン２０５は真空配管２０６　、２０７と真空バルブ
２０８を通して真空ポンプ６０に接続され、また基板加
熱ステーション２０２．スバツタエツチングステーシ日
ン２０３１スパッタステージ曹ン２０４および真空容器
１内は真空配管２１０〜２１４およ１゜び真空バルブ２
１５〜２１８を通して真空ポンプ５に接続され各々真空
排気される。

サラニスパツタエッチングステ−シｗａ　：／　２０３
とスパッタステーション２０４　Ｋは、　カｘｌｉｌ管
２２０゜２２１および真空バルブ２２２　、２２３を通
してＡｒガスが供給され各々所定の圧力に保たれる。

なお基板が熱ステーション２０２には基板加熱ユニット
２２４　、スパツタエッチングステーシ日ｙ２０３Ｋ）
！エツチングユニット２２５　、スパッタステージ■ン
２０４にはスパッタ処理ユニット２２６が取り付けられ
ている。なお基板ホルダ４２とエツチングユニット２２
５は前記した実施例と同じ構成である。ただし本実施例
の場合には、第６図に示した爪１２９は必要ではなく省
略することもできる。　１゜ 基板ホルダ４２は、各ステーションに設置されたエレベ
ータ２３２　Ｋより上下させるとともに搬送バー２３３
により第８図の右方ヘーステーシ田ンずつ搬送される。

搬送バー２３３は第８図に実線で書かれた位置から一点
鎖線で書いた位置の間を往復移動する。また取り出しス
テーション２０５まで行った基板ホルダ４２はエレベー
タ２３２によす搬送ベルト２３３上にのせられた後、搬
送ベルト２３３の回転により取り入れステーション２０
１の下まで移動し、再びエレベータ２３２によ３ り上昇されることＫより順次釜ステーション間を回動す
る。

以上のように構成されたスパッタ装置は次のように動作
する。

取り入れステー７１ン２０１のエレベータ２３２、Ｋよ
り基板ホルダ４２を上昇させた後、真空室２２７゜にガ
ス配管（図示せず）によりチッ素ガス等を導入し大気圧
にする。ドア２３５を開き基板１４を。

基板ホルダ４２に載置する。真空配管２０６を通して真
空室２２７を真空排気する。次にエレベータ１，１２３
２を下降させ、基板ホルダ４２を搬送バー２３３に載せ
る。搬送バー２３３を第８図の右方へ移動。

させ基板ホルダ４２を次のステーションの下に移す。再
びエレベータ２３２を上昇させ、基板加熱ステーション
２０２に基板１４を移動させた後基板１゜１４に加熱処
理を施す。以下順次基板ホルダ４２を移動させて行き、
スパッタエッチ処ｌ！、スノくツタ処理を行った後、取
り出しステージ胃ン２０５より基板１４を取り出す。取
り出しステーシーン２０５では基板のなくなった基板ホ
ルダ４２は搬送バー２３３が図の左方にある時に、エレ
ベータ２３２により搬送ベルト２３４上に載せられる。

搬送ベルト２３４により図のＪの位置に移される。取り
入れステーション２０１にあった基板ホルダ４２は、次
のステーションに移動しエレベータ２３２カ搬送ベルト
２３４の下まで下降した後、再び搬送ベルト２３４によ
りＪ位置にある基板ホルダ４２を取り入れ、ステーショ
ン２０１の下に移し、エレベータ２３２を上昇して真空
室２２７を形成する。

以上の動作をくり返し、基板Ｋ１１１Ｍ次スパッタ１処
理を行う。この実施例の場合も、主真空室１とは別に、
各ステージ薯ンに対し独立した副真空室２２７　、２２
８　、２２９　、２３０　、２３１を有しており、それ
ぞれの独立した副真空室は、個別に圧力調節されると共
に、導管２１３によって不純ガスが排除される。

〔発明の効果〕

以上詳述した通り本発明に係る連続スパッタ装置によれ
ば、主真空室とは別Ｋ、各スパッタ処理工程に対応して
それぞれ副真空室を設けこの副真空室に排気口又は、ガ
ス導入管を設けたので、各副真空室の圧力を処理条件に
合わせて独立に調節することができ、処理速度の向上及
び基板上に形成される薄膜の品質を向上することができ
た。

又、副真空室に設けた排気口により、処理工程中に発生
する不純ガスを排出すると共に、独立して設けられてい
る副真空室への不純ガスの侵入がなく、上記圧力調節と
の相別効果によって、更に一層基板上に形成された薄膜
の品質を１．１向上することができた。

又上記した処理速度の向上とあいまって、ターゲットの
取り替えは、副真空室の真空を破るのみであるので短時
間で行うことができ、実効的生産能力を向上することか
でき優れた実用的効果を有する。

更にまた主真空室内では基板は水平面内を回動するため
、基板の上方から異物が落下し基板に異物が付着するこ
とを防止できること、又主真空室内の機構は大気にふれ
ることがないため、ベーク処理ステージ日ンで高温にさ
れる基板ホルダなどが常温の大気により冷却されず、加
熱と冷却のくり返しにより基板ホルダに付着した膜材料
のはがれを防止できるとともに、スパッタ処理に好まし
くない大気中のガスが主真空室へ入りこむのを低減でき
ることなど、装置機能としても優れた効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は従来例の連続スパッタ装置あり、第
１図は平面図、第２図は第１図のＡ−１，。 ０−Ａ線での縦断面図、第３図は第１図の〇−り線で断
面した部分拡大縦断面図である。 第４図乃至第８図は本発明の一実施例であり、第４図は
、連続スパッタ装置の縦断面図、第５図は第４図のＣ−
Ｃ＠における横断面図、第６図は第５図におけるＯ−Ｅ
線における縦断面図、第７図は、第６図におけるＦ−Ｆ
線の縦断面図である。 第８図は、他の実施例の縦断面図である。 ２・・・ガス配管（ガス導入管） ７ ５・・・真空ポンプ、　１４・・・基板１８・・・処理
ユニツ）、２４・・・モータ３２・・・主真空室、　３
４・・・副真空室３５・・・排気口、　３６・・・エア
シリンダ３７・・・バルブ、３９・・・ドラム ４２・・・基板ホルダ、４３・・・ブツシャ４４・・・
エアシリンダ、６０・・・補助真空ポンプ。 代理人弁理士　高　橋　明　夫 第　１　因 第２０ 第　３　園 第　６に 第１ く ３１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 真空容器内において、基板に対しベーク処理Ｊスパッタ
   エツチング処理及びスパッタ処理等の５一連のスパッタ
   処理の一部もしくは全てを連続的に行う連続スパッタ処
   理において、１個の主“真空室を設け、該主真空室に連
   通し上記各スパン。 り工程に対応して設けられた独立の副真空室と、・被処
   理基板を基板ホルダに保持しスパッタ処理１１工程に搬
   送すると共に主真空室と副真空室との・間の連通部を基
   板ホルダによって密封する搬送・機構及び基板ホルダと
   、上記副真空室内の圧力・を調節するための排気口およ
   びガス導入管と、。 副真空室の少なくとも１＠に設けられたエッチ！・ング
   電極とから成る連続スパッタ装置。