JPH02159025A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH02159025A JPH02159025A JP31413888A JP31413888A JPH02159025A JP H02159025 A JPH02159025 A JP H02159025A JP 31413888 A JP31413888 A JP 31413888A JP 31413888 A JP31413888 A JP 31413888A JP H02159025 A JPH02159025 A JP H02159025A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造装置に関し、特に高融点金属
膜の形成装置に関する。
膜の形成装置に関する。
従来の半導体装置の製造工程における高融点金属膜の形
成は、半導体基板の前処理と膜形成処理とにより行なわ
れる。
成は、半導体基板の前処理と膜形成処理とにより行なわ
れる。
ウェットエツチングによる前処理としては次のような方
法が用いられている。すなわち、キャリアを用いて半導
体基板をエツチング液に浸して表面をエツチングし、次
で純水で洗浄したのち乾燥装置により乾燥させる。
法が用いられている。すなわち、キャリアを用いて半導
体基板をエツチング液に浸して表面をエツチングし、次
で純水で洗浄したのち乾燥装置により乾燥させる。
このように前処理により清浄とされた半導体基板は、例
えばスパッタ装置内に移され、３００℃程度に加熱され
たのち、高融点金属ターゲットを用いるスパッタ法によ
り、表面に高融点金属膜が形成される。
えばスパッタ装置内に移され、３００℃程度に加熱され
たのち、高融点金属ターゲットを用いるスパッタ法によ
り、表面に高融点金属膜が形成される。
しかしながら上述した従来のウェットエツチング前処理
を含む高融点金属膜の形成方法には次のような問題があ
る。
を含む高融点金属膜の形成方法には次のような問題があ
る。
半導体基板上に、例えばポリシリコン膜が形成されてい
る場合、高融点金属膜形成前にウェットエツチング前処
理を行なうと、ポリシリコン膜が疏水性である事から水
滴が残りやすく、半導体基板を乾燥した後にこの水滴中
に凝集した微粒子が残りバリア膜を形成する。従ってこ
の上に高融点金属膜を形成したのちフォトレジストを用
いてドライエツチング法によりパターンニングを行なう
と、このバリア膜によ・リエッチング残査が発生するた
め、パターンショートが生じ半導体デバイスの歩留りを
低下させるという欠点がある。
る場合、高融点金属膜形成前にウェットエツチング前処
理を行なうと、ポリシリコン膜が疏水性である事から水
滴が残りやすく、半導体基板を乾燥した後にこの水滴中
に凝集した微粒子が残りバリア膜を形成する。従ってこ
の上に高融点金属膜を形成したのちフォトレジストを用
いてドライエツチング法によりパターンニングを行なう
と、このバリア膜によ・リエッチング残査が発生するた
め、パターンショートが生じ半導体デバイスの歩留りを
低下させるという欠点がある。
更に、ウェットエツチング前処理を行なってから高融点
金属膜形成までの放置時間が長いと、ポリシリコン膜表
面が酸化される為、許容放置時間に制約を受け、作業性
が低下するという欠点がある。
金属膜形成までの放置時間が長いと、ポリシリコン膜表
面が酸化される為、許容放置時間に制約を受け、作業性
が低下するという欠点がある。
本発明の目的は１歩留り及び作業性の向上する、半導体
装置の製造装置を提供することにある。
装置の製造装置を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造装置は、半導体基板表面をエ
ツチングするための高周波エツチング装置が設けられた
第１のチャンバーと、前記第１のチャンバーとゲートバ
ルブを介して接続され内部に薄膜形成装置が設けられた
第２のチャンバーとを含んで構成される。
ツチングするための高周波エツチング装置が設けられた
第１のチャンバーと、前記第１のチャンバーとゲートバ
ルブを介して接続され内部に薄膜形成装置が設けられた
第２のチャンバーとを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例の構成図である。
第１図において、クライオポンプ８により真空にされる
第１のチャンバー４内には、ヒーター１と上部電極２Ａ
と下部電極２Ｂと高周波（ＲＦ）電極２Ｃとから構成さ
れるＲＦエツチング装置が設けられている。そして、こ
の第１のチャンバー４にゲートバルブ６Ｂを介して接続
する第２のチャンバー５内には、タングステンシリサイ
ドからなるターゲット７を有するスパッタ装置が設けら
れている。尚９Ａ、９ＢはＡｒガスの導入管である。
第１のチャンバー４内には、ヒーター１と上部電極２Ａ
と下部電極２Ｂと高周波（ＲＦ）電極２Ｃとから構成さ
れるＲＦエツチング装置が設けられている。そして、こ
の第１のチャンバー４にゲートバルブ６Ｂを介して接続
する第２のチャンバー５内には、タングステンシリサイ
ドからなるターゲット７を有するスパッタ装置が設けら
れている。尚９Ａ、９ＢはＡｒガスの導入管である。
次にこのように構成された第１の実施例の操作方法を説
明する。
明する。
まず第１のチャンバー４のゲートバルブ６Ａから半導体
基板３をウェーハアーム等を用いて第１のチャンバー４
の中に入れ、ヒーター１により半導体基板３を３００℃
程度に加熱する。加熱終了後ＲＦエツチング装置を用い
て半導体基板３上の、例えばポリシリコン膜の表面をＡ
ｒ＋イオンによりエツチングする０、エツチング終了後
半導体基板３をゲートバルブ６Ｂから第２のチャンバー
５に入れ、タングステンシリサイドからなるターゲット
７を用いて、半導体基板３の表面にタングステンシリサ
イド膜を付着させる。タングステンシリサイド膜形成後
、半導体基板３をゲートバルブ６Ｂ、６Ａから取り出す
。
基板３をウェーハアーム等を用いて第１のチャンバー４
の中に入れ、ヒーター１により半導体基板３を３００℃
程度に加熱する。加熱終了後ＲＦエツチング装置を用い
て半導体基板３上の、例えばポリシリコン膜の表面をＡ
ｒ＋イオンによりエツチングする０、エツチング終了後
半導体基板３をゲートバルブ６Ｂから第２のチャンバー
５に入れ、タングステンシリサイドからなるターゲット
７を用いて、半導体基板３の表面にタングステンシリサ
イド膜を付着させる。タングステンシリサイド膜形成後
、半導体基板３をゲートバルブ６Ｂ、６Ａから取り出す
。
このように第１の実施例によれば、ポリシリコン表面に
水滴を発生させる事なく、エツチングの前処理及びタン
グステンシリサイド膜の形成を真空中で連続して行うこ
とが出来るため、従来のようにパターンショートが生じ
たり、ポリシリコン膜表面が酸化されることはなくなる
。
水滴を発生させる事なく、エツチングの前処理及びタン
グステンシリサイド膜の形成を真空中で連続して行うこ
とが出来るため、従来のようにパターンショートが生じ
たり、ポリシリコン膜表面が酸化されることはなくなる
。
第２図は本発明の第２の実施例の構成図であり、第１の
チャンバー４ＡにＲＦエツチング装置を、そして第２の
チャンバー５Ａ内にプラズマＣＶＤ装置を設けた場合を
示す。以下その操作方法と共に説明する。
チャンバー４ＡにＲＦエツチング装置を、そして第２の
チャンバー５Ａ内にプラズマＣＶＤ装置を設けた場合を
示す。以下その操作方法と共に説明する。
まず、半導体基板３を第１のチャンバー４Ａのゲートバ
ルブ６Ａから入れ、ＲＦエツチング装置を用いて半導体
基板３のポリシリコン表面をＡｒ”イオンによりエツチ
ングを行なう。次に、半導体基板３を第２のチャンバー
５Ａにゲートバルブ６Ｂから入れ、ＲＦステージ１０に
のせる。そして半導体基板３をヒーターＩＡにより６０
０℃程度に加熱する。その後ガス導入管１１Ａ〜１１Ｃ
よりＷＦ６ 、５ｉＨ２Ｃｆ ２及び＾「ガスを導入し
、高周波によりプラズマを発生させ、プラズマＣＶＤ法
によりタングステンシリサイド膜を半導体基板３上に形
成する。
ルブ６Ａから入れ、ＲＦエツチング装置を用いて半導体
基板３のポリシリコン表面をＡｒ”イオンによりエツチ
ングを行なう。次に、半導体基板３を第２のチャンバー
５Ａにゲートバルブ６Ｂから入れ、ＲＦステージ１０に
のせる。そして半導体基板３をヒーターＩＡにより６０
０℃程度に加熱する。その後ガス導入管１１Ａ〜１１Ｃ
よりＷＦ６ 、５ｉＨ２Ｃｆ ２及び＾「ガスを導入し
、高周波によりプラズマを発生させ、プラズマＣＶＤ法
によりタングステンシリサイド膜を半導体基板３上に形
成する。
この第２の実施例によっても、プラズマＣＶＤ法により
タングステンシリサイド膜をポリシリコン膜表面上に形
成する場合、ポリシリコン膜表面に水滴を発生させるこ
とがないので、安定した歩留りで半導体デバイスが得ら
れるという利点がある。
タングステンシリサイド膜をポリシリコン膜表面上に形
成する場合、ポリシリコン膜表面に水滴を発生させるこ
とがないので、安定した歩留りで半導体デバイスが得ら
れるという利点がある。
尚、上記実施例においては、高融点金属膜としてタング
ステンシリサイド膜を用いた場合について説明したが、
Ｗ Ｒ？Ｍ ｏ等の高融点金属膜であってもよいことは
勿論である。
ステンシリサイド膜を用いた場合について説明したが、
Ｗ Ｒ？Ｍ ｏ等の高融点金属膜であってもよいことは
勿論である。
以上説明したように本発明は、半導体装置の製造装置を
、高周波エツチング装置が設けられた第１のチャンバー
と、この第１のチャンバーにゲートバルブを介して接続
され内部に薄膜形成装置が設けられた第２のチャンバー
とから構成することにより、水滴によるバリア膜の形成
がなくなるため、高融点金属膜からなるパターンを有す
る半導体装置を歩留り及び作業性よく形成できるという
効果がある。
、高周波エツチング装置が設けられた第１のチャンバー
と、この第１のチャンバーにゲートバルブを介して接続
され内部に薄膜形成装置が設けられた第２のチャンバー
とから構成することにより、水滴によるバリア膜の形成
がなくなるため、高融点金属膜からなるパターンを有す
る半導体装置を歩留り及び作業性よく形成できるという
効果がある。
バー、６Ａ、６Ｂ・・・ゲートバルブ、７・・・ターゲ
ット、８・・・クライオポンプ、９・・・＾「導入管、
１０・・・ＲＦステージ、ＩＩＡ、ＩＩＢ、ＩＩＣ・・
・ガス導入管、１２・・・ターボモレキュラーポンプ。
ット、８・・・クライオポンプ、９・・・＾「導入管、
１０・・・ＲＦステージ、ＩＩＡ、ＩＩＢ、ＩＩＣ・・
・ガス導入管、１２・・・ターボモレキュラーポンプ。
Claims (1)
- 半導体基板表面をエッチングするための高周波エッチン
グ装置が設けられた第１のチャンバーと、前記第１のチ
ャンバーとゲートバルブを介して接続され内部に薄膜形
成装置が設けられた第２のチャンバーとを含むことを特
徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31413888A JPH02159025A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31413888A JPH02159025A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02159025A true JPH02159025A (ja) | 1990-06-19 |
Family
ID=18049689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31413888A Pending JPH02159025A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02159025A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050162A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-19 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
-
1988
- 1988-12-12 JP JP31413888A patent/JPH02159025A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050162A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-19 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
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