JPS61125020A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
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- JPS61125020A JPS61125020A JP24692584A JP24692584A JPS61125020A JP S61125020 A JPS61125020 A JP S61125020A JP 24692584 A JP24692584 A JP 24692584A JP 24692584 A JP24692584 A JP 24692584A JP S61125020 A JPS61125020 A JP S61125020A
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- JP
- Japan
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- wafer
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- chamber
- atmosphere
- plasma etching
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- Pending
Links
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- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 19
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマエツチング装置、特にアルミプラズマ
エツチング装置に関するものである。
エツチング装置に関するものである。
従来、アルミプラズマエツチング方法に於いてはアルミ
・ぐターンをエツチングする際に塩素系のガスを使って
いるが、エツチング中に塩素系のガスがアルミ配線部分
を覆っているレノスト中に含まれてしまい、エツチング
が終了してもレノスト中には塩素分が残留する。
・ぐターンをエツチングする際に塩素系のガスを使って
いるが、エツチング中に塩素系のガスがアルミ配線部分
を覆っているレノスト中に含まれてしまい、エツチング
が終了してもレノスト中には塩素分が残留する。
その残留した塩素分は大気中に取り出す際、大気中の水
分と化学反応を起こし、レジスト下のアルミを腐食させ
、アルミ配線を断線してしまうという問題がある。しか
るに、従来のプラズマエツチング装置においては、真空
予備室よりラニーハースを取シ出す際は大気解放となっ
ておシ、大気中の水分の影響を受は上記の問題を引き起
こしている。
分と化学反応を起こし、レジスト下のアルミを腐食させ
、アルミ配線を断線してしまうという問題がある。しか
るに、従来のプラズマエツチング装置においては、真空
予備室よりラニーハースを取シ出す際は大気解放となっ
ておシ、大気中の水分の影響を受は上記の問題を引き起
こしている。
本発明は前記問題点を解消するもので、大気中の水分と
触れることがなく、処理を行なうことができる装置を提
供するものである。
触れることがなく、処理を行なうことができる装置を提
供するものである。
本発明はプラズマエツチングするウェーハース処理室と
、ウェーハースを前記処理室へ搬入搬出する真空予備室
と、前記真空予備室ヘラニーハースを搬入搬出する機構
を有するプラズマエツチング装置において、前記真空予
備室を通してウェーハース処理室より搬出される処理済
ウェーハースに有機材を付着し：該つェー・・−スのレ
ノスト中に含まれる塩素分を大気中の水分と隔絶する化
学処理を行う有機処略機構を備えたことを特徴とするプ
ラズマエツチング装置である。
、ウェーハースを前記処理室へ搬入搬出する真空予備室
と、前記真空予備室ヘラニーハースを搬入搬出する機構
を有するプラズマエツチング装置において、前記真空予
備室を通してウェーハース処理室より搬出される処理済
ウェーハースに有機材を付着し：該つェー・・−スのレ
ノスト中に含まれる塩素分を大気中の水分と隔絶する化
学処理を行う有機処略機構を備えたことを特徴とするプ
ラズマエツチング装置である。
以下本発明の一実施例を図面によって説明する。
第１図（ａ） 、 （ｂ）に示すように本発明装置はウ
ェーパースをプラズマエツチングする処理室１と、供給
側の真空予備室２と、収納側の真空予備室３を、前記各
室２，３にウェーパースを搬入・搬出する搬送ベルト９
を備え、それぞれの室はパルプ４゜５及び６，７で区切
られておシ、供給キャリア１１ａ内の未処理のウェーハ
ース３．ａはバルブ４を通シ、供給側の真空予備室２へ
運ばれ、処理室１でプラズマエツチングされ、収納側の
真空予備室３へ運ばれ、パルプ７を通シ、搬送ベルト９
にて搬出される。
ェーパースをプラズマエツチングする処理室１と、供給
側の真空予備室２と、収納側の真空予備室３を、前記各
室２，３にウェーパースを搬入・搬出する搬送ベルト９
を備え、それぞれの室はパルプ４゜５及び６，７で区切
られておシ、供給キャリア１１ａ内の未処理のウェーハ
ース３．ａはバルブ４を通シ、供給側の真空予備室２へ
運ばれ、処理室１でプラズマエツチングされ、収納側の
真空予備室３へ運ばれ、パルプ７を通シ、搬送ベルト９
にて搬出される。
ここで、搬送ベルト９にて収納側の真空予備室３から収
納キャリア１１に至る途中で、処理済ウェーハース８ｂ
のレジスト中に残留する塩素分が大気中の水分と接触し
て化学変化を起こすこととなる。
納キャリア１１に至る途中で、処理済ウェーハース８ｂ
のレジスト中に残留する塩素分が大気中の水分と接触し
て化学変化を起こすこととなる。
そこで、本発明は真空予備室３のウェーノ・−ス搬出側
に有機処理室１０を気密に接続し、該室１０内に有機液
１２をセットし、その室内を有機液１２の蒸気による雰
囲気とし、ベルト９にて搬出されるウェーパース８ｂの
表面に有機液１２の蒸気を接触させて有機質で覆うこと
によりレジスト中の塩素分と大気中の水分とを隔絶する
化学処理を行なうようにしたものである。
に有機処理室１０を気密に接続し、該室１０内に有機液
１２をセットし、その室内を有機液１２の蒸気による雰
囲気とし、ベルト９にて搬出されるウェーパース８ｂの
表面に有機液１２の蒸気を接触させて有機質で覆うこと
によりレジスト中の塩素分と大気中の水分とを隔絶する
化学処理を行なうようにしたものである。
第２図は本発明の他の実施例である。前実施例は真空予
備室３の室外で処理剤ウェーノ・−ス８ｂに化学処理を
行うようにしたが、本実施例では収納側の真空予備室３
にペントする際に、窒素に代えて有機剤をバルブ１３に
通して真空予備室３内に送シ込み、該室３内を有機剤に
よる雰囲気にして化学処理を行なうようにしたものであ
る。
備室３の室外で処理剤ウェーノ・−ス８ｂに化学処理を
行うようにしたが、本実施例では収納側の真空予備室３
にペントする際に、窒素に代えて有機剤をバルブ１３に
通して真空予備室３内に送シ込み、該室３内を有機剤に
よる雰囲気にして化学処理を行なうようにしたものであ
る。
本発明は以上説明したように、処理剤ウェーノ・−スの
レジスト中に残留する塩素分と大気中の水分とを隔絶す
る化学処理を行なうようにしたので、処理剤ウェーハー
スを大気中に取シ出した際に、レジスト中の塩素分が大
気中の水分と化学変化するのを防止でき、したがってレ
ジスト下のアルミ配線が断線する事故をなくすことがで
きる効果を有するものである。
レジスト中に残留する塩素分と大気中の水分とを隔絶す
る化学処理を行なうようにしたので、処理剤ウェーハー
スを大気中に取シ出した際に、レジスト中の塩素分が大
気中の水分と化学変化するのを防止でき、したがってレ
ジスト下のアルミ配線が断線する事故をなくすことがで
きる効果を有するものである。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例を示す構成図、第
１図（ｂ）は第１図（、）のＡ −Ａ’線断面図、第２
図は本発明の第２の実施例を示す構成図である。 １・・・ウェーハース処理室、２・・・供給側の真空予
備室、３・・・収納側の真空予備室、４，５，６，７・
・・区切シバルブ、１０・・・有機処理室、１２・・・
有機液。 第１図 （ｂ）
１図（ｂ）は第１図（、）のＡ −Ａ’線断面図、第２
図は本発明の第２の実施例を示す構成図である。 １・・・ウェーハース処理室、２・・・供給側の真空予
備室、３・・・収納側の真空予備室、４，５，６，７・
・・区切シバルブ、１０・・・有機処理室、１２・・・
有機液。 第１図 （ｂ）
Claims (1)
- （１）プラズマエッチングするウェーハース処理室と、
ウェーハースを前記処理室へ搬入搬出する真空予備室と
、前記真空予備室へ大気の下でウェーハースを搬入搬出
する機構を有するプラズマエッチング装置において、前
記真空予備室を通してウェーハース処理室より搬出され
る処理済ウェーハースに有機材を付着し、該ウェーハー
スのレジスト中に含まれる塩素分を大気中の水分と隔絶
する化学処理を行なう有機処理機構を備えたことを特徴
とするプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24692584A JPS61125020A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24692584A JPS61125020A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61125020A true JPS61125020A (ja) | 1986-06-12 |
Family
ID=17155794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24692584A Pending JPS61125020A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61125020A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63193427A (ja) * | 1987-02-05 | 1988-08-10 | 株式会社高見澤電機製作所 | 有極形電磁石装置 |
-
1984
- 1984-11-21 JP JP24692584A patent/JPS61125020A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63193427A (ja) * | 1987-02-05 | 1988-08-10 | 株式会社高見澤電機製作所 | 有極形電磁石装置 |
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