JPS63232336A - 二層配線膜のエツチング方法 - Google Patents
二層配線膜のエツチング方法Info
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- JPS63232336A JPS63232336A JP6393187A JP6393187A JPS63232336A JP S63232336 A JPS63232336 A JP S63232336A JP 6393187 A JP6393187 A JP 6393187A JP 6393187 A JP6393187 A JP 6393187A JP S63232336 A JPS63232336 A JP S63232336A
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- Japan
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- chamber
- etching
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- etched
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は二層配線膜のエツチング方法に関するものであ
る。
る。
従来は、特開昭６０−３３３６７号に記載のように二層
配線膜のエツチングを行う場合、上部のアルミニウム合
金膜のエツチングに続けて同一チャンバ内で下層金属層
（ＴｉＷ膜層）をエツチングしていた。
配線膜のエツチングを行う場合、上部のアルミニウム合
金膜のエツチングに続けて同一チャンバ内で下層金属層
（ＴｉＷ膜層）をエツチングしていた。
上記従来技術はＡｌ合金膜とその下層膜を同一チャンバ
で処理するようになっているため、異なるガスの混在に
対する配慮がされておらず、チャンバ内の汚染およびエ
ツチング性能への問題があった・ 本発明の目的は、上記の問題を解決し、エツチング速度
の低下がなく、１１１食のない二層配線膜のエツチング
を行うことのできる二層配線膜のエツチング方法を提供
することにある。
で処理するようになっているため、異なるガスの混在に
対する配慮がされておらず、チャンバ内の汚染およびエ
ツチング性能への問題があった・ 本発明の目的は、上記の問題を解決し、エツチング速度
の低下がなく、１１１食のない二層配線膜のエツチング
を行うことのできる二層配線膜のエツチング方法を提供
することにある。
上記目的は、ＡｆＬ合金膜と異種の金属ＩＩＩとから成
る半導体の配線材料のエツチング方法において、配線材
料の処理工程ごとに処理室を換えることにより、達成さ
れる。
る半導体の配線材料のエツチング方法において、配線材
料の処理工程ごとに処理室を換えることにより、達成さ
れる。
処理されるウニへはチャンバに配設されてＡ１合金膜の
部分のエツチングが行われ、次にウェハは真空中に保持
されたまま、別のチャンバに配設され、下層膜（ＴｉＷ
膜）部分のエツチングが行われる。その後、ウェハは退
避室を経て大気中に排出される。なお、ＴｉＷのモッチ
ングが実行されている間、最初のチャンバでは次のウェ
ハにＡｌ合金膜のエツチングが実行されている。これに
より、１１合金膜エツチングに用いるガス（塩素系）と
ＴｉＷ膜エツチングに用いるガス（フッ素系、硫黄、系
）とが同一チャンバ内で混在することがないので、ウェ
ハ処理枚数を重ねるにつれ、ガスの混在によるエツチン
グ性能への影響、特に人文合金膜エツチングの速度の低
下が防止でき、又、Ｔ ｉ Ｗ膜を処理するチャンバに
塩素系ガスが混入しないのでウェハを大気中に搬出した
後の腐食を防ぐことができる。
部分のエツチングが行われ、次にウェハは真空中に保持
されたまま、別のチャンバに配設され、下層膜（ＴｉＷ
膜）部分のエツチングが行われる。その後、ウェハは退
避室を経て大気中に排出される。なお、ＴｉＷのモッチ
ングが実行されている間、最初のチャンバでは次のウェ
ハにＡｌ合金膜のエツチングが実行されている。これに
より、１１合金膜エツチングに用いるガス（塩素系）と
ＴｉＷ膜エツチングに用いるガス（フッ素系、硫黄、系
）とが同一チャンバ内で混在することがないので、ウェ
ハ処理枚数を重ねるにつれ、ガスの混在によるエツチン
グ性能への影響、特に人文合金膜エツチングの速度の低
下が防止でき、又、Ｔ ｉ Ｗ膜を処理するチャンバに
塩素系ガスが混入しないのでウェハを大気中に搬出した
後の腐食を防ぐことができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
ロードロック室１、チャンバ２、ロードロック室３、チ
ャンバ４、ロードロック室５を順次連結して成り、それ
ぞれは真空引きされていて、ロードロック室１．５は大
気開放が可能となっている。
ャンバ４、ロードロック室５を順次連結して成り、それ
ぞれは真空引きされていて、ロードロック室１．５は大
気開放が可能となっている。
処理室であるチャンバ２．４には図示しない別々のガス
供給手段がつながれ、図示しない別々の排気装置により
所定圧力に減圧排気されている。また、チャンバ２．４
には処理ガスをプラズマ化させる放電手段、この場合は
、高周波電力が印加される平行平板型電極が設けられ、
さらに処理の終点を判定する終点判定手段が設けられて
いる。ロードロック室１，３．５にはそれぞれ大気中と
チャンバ２との間、チャンバ２と４との間およびチャン
バ４と大気中との間でウェハを搬送するアームまたはベ
ルト等の搬送手段が設けである。
供給手段がつながれ、図示しない別々の排気装置により
所定圧力に減圧排気されている。また、チャンバ２．４
には処理ガスをプラズマ化させる放電手段、この場合は
、高周波電力が印加される平行平板型電極が設けられ、
さらに処理の終点を判定する終点判定手段が設けられて
いる。ロードロック室１，３．５にはそれぞれ大気中と
チャンバ２との間、チャンバ２と４との間およびチャン
バ４と大気中との間でウェハを搬送するアームまたはベ
ルト等の搬送手段が設けである。
上記構成の装置により、ウェハ６はロードロック室１を
経てチャンバ２の電極上に配置され、Ａｌ合金膜部分の
みエツチングされる。ＡｆＬ合金膜部分のエツチングの
終了は終点判定手段により発光スペクトルをモニタする
ことにより判断される。
経てチャンバ２の電極上に配置され、Ａｌ合金膜部分の
みエツチングされる。ＡｆＬ合金膜部分のエツチングの
終了は終点判定手段により発光スペクトルをモニタする
ことにより判断される。
次にウェハは搬送手段によりロードロック室３を経由し
て真空状態に保持されたままチャンバ４の電極上に配置
され、ＴｉＷ膜のエツチングを行う。
て真空状態に保持されたままチャンバ４の電極上に配置
され、ＴｉＷ膜のエツチングを行う。
このエツチングの終了も終点判定手段により発光スペク
トルをモニタすることにより判断される。
トルをモニタすることにより判断される。
エツチングを終了したつ゛エバ６はロードロック室５を
経由して、大気中に搬出される。
経由して、大気中に搬出される。
チャンバ２でＡ４ｕ合金膜がエツチングされている間、
チャンバ４では他のウェハのＴｉＷ膜がエツチングされ
、また、チャンバ４でＴｉＷ膜のエツチングが行われて
いる間、チャンバ２では新しいウェハのＡ１合金膜がエ
ツチング処理されている。このように、チャンバ２では
塩素系のガスを用いてＡ１合金膜のエツチングだけを行
い、チャンバ４ではフッ素系、硫黄系のガスによりＴＩ
Ｗ１１！（７）エツチングだけを行う。
チャンバ４では他のウェハのＴｉＷ膜がエツチングされ
、また、チャンバ４でＴｉＷ膜のエツチングが行われて
いる間、チャンバ２では新しいウェハのＡ１合金膜がエ
ツチング処理されている。このように、チャンバ２では
塩素系のガスを用いてＡ１合金膜のエツチングだけを行
い、チャンバ４ではフッ素系、硫黄系のガスによりＴＩ
Ｗ１１！（７）エツチングだけを行う。
以上、本−実施例によれば、従来のように塩素系めガス
とフッ素系または硫黄系のガスとが混在することがない
ので、ウェハの処理枚数を重ねるにつれて、ガスの混在
によるエツチング性能への影響、特にＡ１合金膜のエツ
チング速度の低下が防止できるとともに、ＴＩＷ膜をエ
ツチング処理するチャンバ内に塩素系ガスが混入しない
のでウェハを大気中に搬出した後の腐食を防ぐことがで
きる。
とフッ素系または硫黄系のガスとが混在することがない
ので、ウェハの処理枚数を重ねるにつれて、ガスの混在
によるエツチング性能への影響、特にＡ１合金膜のエツ
チング速度の低下が防止できるとともに、ＴＩＷ膜をエ
ツチング処理するチャンバ内に塩素系ガスが混入しない
のでウェハを大気中に搬出した後の腐食を防ぐことがで
きる。
本発明によれば、Ａｌ合金膜と異種の合金膜とを別々の
チャンバで処理するので、各々に使用するガスの混在に
よるエツチング速度の低下およびエツチング後の腐食を
防止することができるという効果がある。
チャンバで処理するので、各々に使用するガスの混在に
よるエツチング速度の低下およびエツチング後の腐食を
防止することができるという効果がある。
第１図は本発明の二層配線膜のエツチング方法を実施す
るための装置の一実施例を示す構成図である。
るための装置の一実施例を示す構成図である。
Claims (1)
- １、Ａｌ合金膜と異種の金属膜とから成る半導体の配線
材料のエッチング方法において、配線材料の処理工程ご
とに処理室を換えることを特徴とする二層配線膜のエッ
チング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6393187A JPS63232336A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 二層配線膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6393187A JPS63232336A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 二層配線膜のエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63232336A true JPS63232336A (ja) | 1988-09-28 |
Family
ID=13243588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6393187A Pending JPS63232336A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 二層配線膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63232336A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0456135A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-24 | Nec Corp | 積層構造の金属層を有する半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6258636A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ドライエツチング方法および装置 |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP6393187A patent/JPS63232336A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6258636A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ドライエツチング方法および装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0456135A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-24 | Nec Corp | 積層構造の金属層を有する半導体装置の製造方法 |
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