JPS5986224A - レジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去方法Info
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- JPS5986224A JPS5986224A JP19647282A JP19647282A JPS5986224A JP S5986224 A JPS5986224 A JP S5986224A JP 19647282 A JP19647282 A JP 19647282A JP 19647282 A JP19647282 A JP 19647282A JP S5986224 A JPS5986224 A JP S5986224A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
Φ≠一方法に関するものである。
ス単体のプラズマによシレジストのアラシンフカなされ
ていた。すなわちレジストは炭素Ｃと水素Ｈを主成分と
するが、これにプラズマにより活性化された酸素ラジカ
ルが反応して、Ｃ０２とＨ２Ｏの反応生成物を生成し、
レジストを除去していた。
ていた。すなわちレジストは炭素Ｃと水素Ｈを主成分と
するが、これにプラズマにより活性化された酸素ラジカ
ルが反応して、Ｃ０２とＨ２Ｏの反応生成物を生成し、
レジストを除去していた。
しかしながら、半導体の製造工程において、電極配線用
のＡｔ膜形成後のレジスト除去工程においては次のよう
な問題があった。
のＡｔ膜形成後のレジスト除去工程においては次のよう
な問題があった。
第１は電極配線用のＡｔ膜のエツチング後のレジストア
ッシング、第２は電極配線後の表面保護膜に外部電極を
取り出すための電極窓あけ用の表面保護膜のエツチング
後のレジストアッシングにおいては、Ａｔ膜表面が酸素
ラジカルと反応してＡｔの酸化膜を生成し、これがため
に後工程のワイヤボンデング工程においてボンデング不
良を生ずるという欠点を有していた。
ッシング、第２は電極配線後の表面保護膜に外部電極を
取り出すための電極窓あけ用の表面保護膜のエツチング
後のレジストアッシングにおいては、Ａｔ膜表面が酸素
ラジカルと反応してＡｔの酸化膜を生成し、これがため
に後工程のワイヤボンデング工程においてボンデング不
良を生ずるという欠点を有していた。
発明の目的
本発明は上記欠点に鑑み、レジストアッシングを酸素ガ
スのみでなく、還元性のガスを混合した混合ガスのプラ
ズマを用いることによって、Ａｔ表面の酸化物が生成す
るこ表を防止するレジストアッシング方法を提供するも
のである。
スのみでなく、還元性のガスを混合した混合ガスのプラ
ズマを用いることによって、Ａｔ表面の酸化物が生成す
るこ表を防止するレジストアッシング方法を提供するも
のである。
発明の構成
本発明は、半導体基板上のレジストをアッシングするレ
ジストアッシングにおいて酸素ガスに還元性ガスを混合
しれ混合ガスのプラズマを用いることを特徴とするもの
であり混合ガスとしては、例えば、水素ガスや、アンモ
ニアのように水素を含むガス、あるのは−酸化炭素ガス
を混合した混合ガスを用いることによって、従来の欠点
であった半導体基板上のＡ７表面に酸化物が生成するこ
とを防止するという特有の効果を有する。
ジストアッシングにおいて酸素ガスに還元性ガスを混合
しれ混合ガスのプラズマを用いることを特徴とするもの
であり混合ガスとしては、例えば、水素ガスや、アンモ
ニアのように水素を含むガス、あるのは−酸化炭素ガス
を混合した混合ガスを用いることによって、従来の欠点
であった半導体基板上のＡ７表面に酸化物が生成するこ
とを防止するという特有の効果を有する。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明を実施するために最適な装置構成を示す
ものである。第１図において、１は真空容器、２はウェ
ハーの取入取出用の開閉扉、３は真空排気管で真空排気
装置４に接続されている。
ものである。第１図において、１は真空容器、２はウェ
ハーの取入取出用の開閉扉、３は真空排気管で真空排気
装置４に接続されている。
５はガス供給管、６は酸素ガス容器、７は還元性ガス容
器、ｓａ、ｓｂはガス供給用のバルブ、９ａ。
器、ｓａ、ｓｂはガス供給用のバルブ、９ａ。
９ｂは流量計である。１０ａ 、 １ｏｂはＲＦ電極で
ＲＦＪｉ源１１に心気的に接続されている。１２はレジ
ストアッシングすべきウェハーである。
ＲＦＪｉ源１１に心気的に接続されている。１２はレジ
ストアッシングすべきウェハーである。
以上のように構成されたプラズマアッシング族、 置に
ついて、以下その動作を説明する。１ず、文空排気装置
４により真空容器１内を真空排気する。
ついて、以下その動作を説明する。１ず、文空排気装置
４により真空容器１内を真空排気する。
次にバルブ８ａ、８ｂを開いて酸素ガスおよび還元性ガ
スを真空容器１内に導入し、ＲＦ電源１１を投入しＲＦ
電極１０ ａ 、 １０ ｂに印加する。この時も真空
排気装置は動作を続ける。導入された酸素ガスはグロー
放電により活性な酸素ラジカルとなり、前記の如くレジ
ストをアッシングする。
スを真空容器１内に導入し、ＲＦ電源１１を投入しＲＦ
電極１０ ａ 、 １０ ｂに印加する。この時も真空
排気装置は動作を続ける。導入された酸素ガスはグロー
放電により活性な酸素ラジカルとなり、前記の如くレジ
ストをアッシングする。
この時、還元性ガスはウェハー表面のＡｔ膜が酸素ラジ
カルと反応してＡｔ酸化膜の生成を防止する作用をもた
らす。
カルと反応してＡｔ酸化膜の生成を防止する作用をもた
らす。
以上のように本実施例によれば、レジストのプラズマア
ッシングにおいて、酸素ガスに還元性ガスを混合した混
合ガスを用いることにより、Ａｔ酸化膜の生成を防止す
ることができる。
ッシングにおいて、酸素ガスに還元性ガスを混合した混
合ガスを用いることにより、Ａｔ酸化膜の生成を防止す
ることができる。
発明の効果
以」二のように本発明はレジストアッシングにおいて、
酸素ガス単体の場合にはＡｔ酸化膜を生成し、そのため
、後工程のワイヤボンデング不良の原因となっていた問
題を還元性ガスとの混合ガスを用いることによってＡｔ
酸化膜の生成を防止することかでき、その実用的効果は
大なるものがある。
酸素ガス単体の場合にはＡｔ酸化膜を生成し、そのため
、後工程のワイヤボンデング不良の原因となっていた問
題を還元性ガスとの混合ガスを用いることによってＡｔ
酸化膜の生成を防止することかでき、その実用的効果は
大なるものがある。
く−
図は本発明の実施例における装置の概要図である。
１・・・・・・真空容器、４・・・・・・真空排気装置
、６・川・・ガス供給管、６・・・・・・酸素ガス容器
、７・・・・・・還元性ガス容器、１ｏａ、１０ｂ・・
・・・・ＲＦｔ極、１１・・・・・・ＲＦ電源。
、６・川・・ガス供給管、６・・・・・・酸素ガス容器
、７・・・・・・還元性ガス容器、１ｏａ、１０ｂ・・
・・・・ＲＦｔ極、１１・・・・・・ＲＦ電源。
Claims (1)
- 酸素ガスに還元性ガスを混合した混合ガスのプ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19647282A JPS5986224A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | レジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19647282A JPS5986224A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | レジスト除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5986224A true JPS5986224A (ja) | 1984-05-18 |
Family
ID=16358367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19647282A Pending JPS5986224A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | レジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5986224A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01280316A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-10 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
| JPH02263436A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 活性化学種発生方法及び電子部材の製造方法 |
| JPH04164321A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5310703A (en) * | 1987-12-01 | 1994-05-10 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device, in which photoresist on a silicon oxide layer on a semiconductor substrate is stripped using an oxygen plasma afterglow and a biased substrate |
| US6647994B1 (en) * | 2002-01-02 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of resist stripping over low-k dielectric material |
-
1982
- 1982-11-09 JP JP19647282A patent/JPS5986224A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5310703A (en) * | 1987-12-01 | 1994-05-10 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device, in which photoresist on a silicon oxide layer on a semiconductor substrate is stripped using an oxygen plasma afterglow and a biased substrate |
| JPH01280316A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-10 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
| JPH02263436A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 活性化学種発生方法及び電子部材の製造方法 |
| JPH04164321A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6647994B1 (en) * | 2002-01-02 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of resist stripping over low-k dielectric material |
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