JPS5834926A - 半導体の酸化膜形成方法 - Google Patents
半導体の酸化膜形成方法Info
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- JPS5834926A JPS5834926A JP56133669A JP13366981A JPS5834926A JP S5834926 A JPS5834926 A JP S5834926A JP 56133669 A JP56133669 A JP 56133669A JP 13366981 A JP13366981 A JP 13366981A JP S5834926 A JPS5834926 A JP S5834926A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 70
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- LOUDNWOAODNDEJ-UHFFFAOYSA-N lead;oxotin Chemical compound [Pb].[Sn]=O LOUDNWOAODNDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011118 potassium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- DGJPPCSCQOIWCP-UHFFFAOYSA-N cadmium mercury Chemical compound [Cd].[Hg] DGJPPCSCQOIWCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
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- H01L21/469—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After-treatment of these layers
- H01L21/471—Inorganic layers
- H01L21/473—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体、特に化合物半導体基板上に形成する酸
化膜の形成方法の改良に関するものである。
化膜の形成方法の改良に関するものである。
一般に鉛を含む化合物半導体例えばテμル化錫鉛（Ｐｂ
ｌ−ｘｓｎｘＴｅ） や、水銀を含む化合物半導体例え
ば水銀・カドミクム・テ１Ｖｆｉ／ （Ｈｇ１−ＸＣａ
ＸＴｅ）の結晶は、そのエネμギーギャップが狭いので
、赤外線Ｖ−ザ素子や赤外線検知素子の材料として用い
られる。
ｌ−ｘｓｎｘＴｅ） や、水銀を含む化合物半導体例え
ば水銀・カドミクム・テ１Ｖｆｉ／ （Ｈｇ１−ＸＣａ
ＸＴｅ）の結晶は、そのエネμギーギャップが狭いので
、赤外線Ｖ−ザ素子や赤外線検知素子の材料として用い
られる。
ここで前記Ｅｇｌ−ｘ ＣｄｘＴθの材料を用いて赤外
線上ンｆ−を形成する場合、第１図に示すようにＨｇ１
−ｘ ＣｃＬｘＴｅの基板１をカセイカリ（ＫＯＨ）と
エチレングリコ−ＮＣｇＨ＊ （ｏｎ）ｇと水（Ｈ２Ｏ
）との混合液の電解液中に浸し基板を陽極、白金板を陰
極として該基板１上に基板の組成を含む陽極酸化膜２を
被着形成する。その後補助絶縁膜として該基板上に蒸着
によって硫化亜鉛（ＺｎＳ）の絶縁膜８を蒸着によって
所定の寸法に分厚く形成する。
線上ンｆ−を形成する場合、第１図に示すようにＨｇ１
−ｘ ＣｃＬｘＴｅの基板１をカセイカリ（ＫＯＨ）と
エチレングリコ−ＮＣｇＨ＊ （ｏｎ）ｇと水（Ｈ２Ｏ
）との混合液の電解液中に浸し基板を陽極、白金板を陰
極として該基板１上に基板の組成を含む陽極酸化膜２を
被着形成する。その後補助絶縁膜として該基板上に蒸着
によって硫化亜鉛（ＺｎＳ）の絶縁膜８を蒸着によって
所定の寸法に分厚く形成する。
その後該基板上にニッケμ（Ｎｉ ）またはクロム（Ｏ
ｒ）の透明な金属電極をゲート電極４として蒸着および
写真蝕刻法を用いて形成し、赤外線センサーを得ていた
。
ｒ）の透明な金属電極をゲート電極４として蒸着および
写真蝕刻法を用いて形成し、赤外線センサーを得ていた
。
ここで基板上に酸化膜２を形成するのは基板と絶縁膜の
間の界面特性を良くして赤外線センサーの特性が良好と
なるようにするためである。
間の界面特性を良くして赤外線センサーの特性が良好と
なるようにするためである。
ところが前記した電解法で陽極酸化膜を形成する場合、
基板を電解液に浸さねばならず基板が電解液中の水分を
含んだり、あるいは電解液中に含有されている不純物を
含んだ）するため基板とその上に形成される陽極酸化膜
との界面が清浄な状！１に保たれずそのため形成される
赤外線センサーのような半導体装置の特性が劣化する不
都合を生じていた。
基板を電解液に浸さねばならず基板が電解液中の水分を
含んだり、あるいは電解液中に含有されている不純物を
含んだ）するため基板とその上に形成される陽極酸化膜
との界面が清浄な状！１に保たれずそのため形成される
赤外線センサーのような半導体装置の特性が劣化する不
都合を生じていた。
本発明は上述した欠点を除去し、清浄な状態で半導体基
板に酸化膜を形成する方法の提供を目的とするものであ
る。
板に酸化膜を形成する方法の提供を目的とするものであ
る。
かかる目的を達成するための半導体の酸化膜の形成方法
は、半導体基板を設置する基板ホμダーを反応室に導入
し、該反応室内を真空排気したのち、該基板に酸素ガス
プラズマｉ１Ｎ Ｌ、半導体基板上に該基板の酸化膜を
形成する半導体の酸化膜形成方法において、前記基板に
電圧を印加しない状態で該基板に酸素ガスプラズマを照
射して基板をエツチングしてから、前記基板に電圧を印
加した状態で該基板に酸素ガスプラズマを照射して基板
に酸化膜を形成することを特徴とするものである。
は、半導体基板を設置する基板ホμダーを反応室に導入
し、該反応室内を真空排気したのち、該基板に酸素ガス
プラズマｉ１Ｎ Ｌ、半導体基板上に該基板の酸化膜を
形成する半導体の酸化膜形成方法において、前記基板に
電圧を印加しない状態で該基板に酸素ガスプラズマを照
射して基板をエツチングしてから、前記基板に電圧を印
加した状態で該基板に酸素ガスプラズマを照射して基板
に酸化膜を形成することを特徴とするものである。
以下図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に説
明する。
明する。
第２図は本発明の方法を実施する場合に用いる装置の概
略図で、図示するように銅（Ｃｕ）等の金属製の基板支
持台１１上に、例えばＨｇ１−ｘｃｄｘＴｅの基板１２
が設置され該基板支持台１１が石英製の反応室１８内に
導入されるようになっている。
略図で、図示するように銅（Ｃｕ）等の金属製の基板支
持台１１上に、例えばＨｇ１−ｘｃｄｘＴｅの基板１２
が設置され該基板支持台１１が石英製の反応室１８内に
導入されるようになっている。
ここで前記基板支持台は基板を載置する部分と直流電源
１４と接続する部分以外はテフロン等でコートされ該支
持台を構成する金属材料よシネ鈍物が反応室内に入らな
いようにし、また金属材料が酸素プラズマと反応しない
ようにしている。
１４と接続する部分以外はテフロン等でコートされ該支
持台を構成する金属材料よシネ鈍物が反応室内に入らな
いようにし、また金属材料が酸素プラズマと反応しない
ようにしている。
一方反応家には家内を真空に排気するための排気口１５
と酸素ガスプラズマを導入する導入口１６が設けられて
おり、該導み口１６には石英よシなる酸素ガスプフズマ
発生家１７よル発生した酸素ガスプラズマが送シ込まれ
るようになっている。
と酸素ガスプラズマを導入する導入口１６が設けられて
おり、該導み口１６には石英よシなる酸素ガスプフズマ
発生家１７よル発生した酸素ガスプラズマが送シ込まれ
るようになっている。
また前記プラズマ発生室１７には近接して周波数２．４
５ＧＨｚで出力が２−８ ＫＷのマイクロ波発振器が設
置されているものとする。
５ＧＨｚで出力が２−８ ＫＷのマイクロ波発振器が設
置されているものとする。
このような状態で、まずＨｇ１−ｘｃｄｘＴｅよシなる
基板１２を基板設置台１．１に載置して反応室１８内に
導入後該反応室１８内を排気口１５に連なる真空ポンプ
（図示せず）を用いて１Ｇ−３Ｔｏｒｒ程度に真空に排
気する。
基板１２を基板設置台１．１に載置して反応室１８内に
導入後該反応室１８内を排気口１５に連なる真空ポンプ
（図示せず）を用いて１Ｇ−３Ｔｏｒｒ程度に真空に排
気する。
その後プラズマ発生室に連なるガス供給管１８より酸素
（ＯＲ）ガスを１０ ”Ｔｏｒｒの圧力にな゛るまで導
入する。この時プラズマ発生室１７に近接して設置され
ているマイクロ波発振器を稼動させて前記マイクロ波を
プラズマ発生室に照射させ発生室内に導入された○虐ガ
スを励起して酸素ガスプラズマを発生したのち該酸素ガ
スプラズマを反応室１８内に導入する。このときスイッ
チ等を用いて基板支持台に連なる直流電源の電圧が基板
支持台に印加されないような状態にすると酸素ガスプラ
ズマが基板表面をたたくようになって基板表面をエツチ
ングして清浄にする。その後スイッチ尋を用いて基板支
持台に連なる直流電源の電圧が８０〜１００ボ〃ト程度
基板支持台に印加されるような状態にする。すると酸素
ガスプラズマが基板表面に吸引されるようになって基板
表面が酸化されるようはなる このような現象は実験的
に本発明者等が確かめた。
（ＯＲ）ガスを１０ ”Ｔｏｒｒの圧力にな゛るまで導
入する。この時プラズマ発生室１７に近接して設置され
ているマイクロ波発振器を稼動させて前記マイクロ波を
プラズマ発生室に照射させ発生室内に導入された○虐ガ
スを励起して酸素ガスプラズマを発生したのち該酸素ガ
スプラズマを反応室１８内に導入する。このときスイッ
チ等を用いて基板支持台に連なる直流電源の電圧が基板
支持台に印加されないような状態にすると酸素ガスプラ
ズマが基板表面をたたくようになって基板表面をエツチ
ングして清浄にする。その後スイッチ尋を用いて基板支
持台に連なる直流電源の電圧が８０〜１００ボ〃ト程度
基板支持台に印加されるような状態にする。すると酸素
ガスプラズマが基板表面に吸引されるようになって基板
表面が酸化されるようはなる このような現象は実験的
に本発明者等が確かめた。
このように基板に電圧を印加しないで該基板上に酸素ガ
スプラズマを照射すると基板がエツチングされるのでと
の状態を所定時間保って基板表面を清浄にしてから次に
基板に電圧を印加して該基板上に酸素ガスプラズマを照
射して基板表面を酸化する。このようにしてこの操作を
数回繰り返すことで基板表面を清浄にクリーニングした
状態でその上に基板の成分を有する酸化膜が形成される
。
スプラズマを照射すると基板がエツチングされるのでと
の状態を所定時間保って基板表面を清浄にしてから次に
基板に電圧を印加して該基板上に酸素ガスプラズマを照
射して基板表面を酸化する。このようにしてこの操作を
数回繰り返すことで基板表面を清浄にクリーニングした
状態でその上に基板の成分を有する酸化膜が形成される
。
その後更にＺ’ｎＳ膜を蒸着によって形成後ゲート電極
を形成して素子を完成する。
を形成して素子を完成する。
このようにすれば従来の陽極酸化膜を形成するときＫみ
られるように酸化膜中に不純物が含有されたり、また水
分が含有されたりするのが除去できる。また基板のエツ
チング工程と酸化工程とが同一反応室内で実施されるの
で基板と該基板上に形成される酸化膜との界面が清浄に
保たれ、このようにして酸化膜を形成した材料を半導体
装置の形成に用いれば形成される半導体装置の歩留が向
上する利点を生じる。
られるように酸化膜中に不純物が含有されたり、また水
分が含有されたりするのが除去できる。また基板のエツ
チング工程と酸化工程とが同一反応室内で実施されるの
で基板と該基板上に形成される酸化膜との界面が清浄に
保たれ、このようにして酸化膜を形成した材料を半導体
装置の形成に用いれば形成される半導体装置の歩留が向
上する利点を生じる。
またこのような酸化膜の形成方法はＨｇ１−ＸＣ！ｄｘ
Ｔｅの材料のみでなく、鉛を含む化合物半導体例えばテ
〃μ化錫鉛（Ｐｂｓ −ｘ ５ｎＸＴθ）やシリコン（
Ｓｊ−）等の半導体材料にも適用可能であることは勿論
である。゛
Ｔｅの材料のみでなく、鉛を含む化合物半導体例えばテ
〃μ化錫鉛（Ｐｂｓ −ｘ ５ｎＸＴθ）やシリコン（
Ｓｊ−）等の半導体材料にも適用可能であることは勿論
である。゛
第１図は赤外線センサーの断面図、第２図は本発明の方
法を実施するための装置の概略図である。 図においてり、１２はＨｇ ｔ −ｘ ＣｄｘＴｅ基板
、２は陽極酸化膜、８はＺｎＳＭｔ、４はゲート電極、
１１は基板支持台、１８は反応室、１４は電源、１５は
排気口、１６はガスブフズマ導入口、１７はプラズマ発
生室、１８はＯＢガス供給管を示す。 第１図 第２図
法を実施するための装置の概略図である。 図においてり、１２はＨｇ ｔ −ｘ ＣｄｘＴｅ基板
、２は陽極酸化膜、８はＺｎＳＭｔ、４はゲート電極、
１１は基板支持台、１８は反応室、１４は電源、１５は
排気口、１６はガスブフズマ導入口、１７はプラズマ発
生室、１８はＯＢガス供給管を示す。 第１図 第２図
Claims (1)
- 半導体基板を設置する基板ホルダーを反応室内に導入し
、該反応室内を真空排気したのち、該基板に酸素ガスプ
ラズマを照射し、半導体基板上に該基板の酸化膜を形成
する半導体の酸化膜形成方法において、前記基板に電圧
を印加しない状態で該基板に酸素ガスプフメマを照射し
て基板をエツチングしてから前記基板に電圧を印加した
状態で該基板に酸素ガスデフズマを照射して基板に酸化
膜を形成することを特徴とする半導体の酸化膜形成方法
２
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133669A JPS5834926A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | 半導体の酸化膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133669A JPS5834926A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | 半導体の酸化膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834926A true JPS5834926A (ja) | 1983-03-01 |
Family
ID=15110135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56133669A Pending JPS5834926A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | 半導体の酸化膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5834926A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61172341A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-08-04 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | テルル化水銀カドミウム基板をパツシベ−シヨンする方法 |
| JPS6329601U (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-26 |
-
1981
- 1981-08-25 JP JP56133669A patent/JPS5834926A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61172341A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-08-04 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | テルル化水銀カドミウム基板をパツシベ−シヨンする方法 |
| JPS6329601U (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-26 | ||
| JPH0450961Y2 (ja) * | 1986-08-11 | 1992-12-01 |
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