JP4810651B2 - 炭化ケイ素への電極形成方法、およびその電極を備えた半導体素子 - Google Patents
炭化ケイ素への電極形成方法、およびその電極を備えた半導体素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4810651B2 JP4810651B2 JP2004184161A JP2004184161A JP4810651B2 JP 4810651 B2 JP4810651 B2 JP 4810651B2 JP 2004184161 A JP2004184161 A JP 2004184161A JP 2004184161 A JP2004184161 A JP 2004184161A JP 4810651 B2 JP4810651 B2 JP 4810651B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- electrode
- carbide substrate
- nickel
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 107
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 93
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 85
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 70
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 26
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 8
- PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N nickel silicon Chemical compound [Si].[Ni] PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- -1 hydroxide ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229940075397 calomel Drugs 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L dimercury dichloride Chemical compound Cl[Hg][Hg]Cl ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
λ(nm)=1240/Eg(eV)・・・式(1)
(ただし、λは波長、Egはバンドギャップを表す)
で示される。この式より、上述した炭化ケイ素のバンドギャップより大きいエネルギーを持つ光としては、4H−SiCでは約387nm以下、6H−SiCでは約413nm以下、3C−SiCでは約563nm以下の波長を持つ光が使用できる。
が望ましい。
次に本発明の第1実施形態について図1を参照しつつ、詳細に説明する。
1)電極形成装置の構成
本実施形態の電極形成装置1を図1に示す。電極形成装置1の容器2は、例えば後述する水銀ランプから発せられる光を透過可能なガラスにより、有底の角筒状に形成されており、その内部に電解液3を貯留可能とされている。電解液3は水に硫酸ニッケル50mM、硫酸ナトリウム0.5M、ホウ酸0.25Mを溶解させたものである。この電解液はpH4.0付近であった。このとき、電解液3はヒーター14により、60℃以上の温度に保たれている。
導線11の他端部はポテンシオスタット15の対向電極側端子17に接続されている。さらに、参照電極7には対向電極側導線12の一端部が接続され、この対向電極側導線12の他端部はポテンシオスタット15の対向電極側端子18に接続されている。
2)電極形成装置1を用いた電極形成方法
次に、上記のように構成された電極形成装置1を使用して炭化ケイ素基板4上にニッケル電極を形成する方法について説明する。
[実施例]
・ 電極形成装置1による炭化ケイ素基板上へのニッケル電極の形成
炭化ケイ素基板4として、n型の4H−SiC bulk基板で(0001)on-axis、Si面研磨のものを用いた。
参照電極7に対して−2.0Vの電圧(−2.0V vs SCE)を印加し、一分間のメッキを行った。
・ 結果と考察
図2にはメッキされたニッケル電極に対するオージェ電子分光法によるスペクトルを示した。ニッケルによるピークが800eV付近に現れていた。これによりニッケルのメッキが確認された。
このように、本発明により、理想的なニッケル−炭化ケイ素接触に近いニッケル電極が得られた。
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について、図3を参照しつつ、詳細に説明する。本実施形態では、本発明の電極形成方法を、半導体素子19の製造におけるショットキー電極、及びオーミック電極の形成に適用する。
その後、炭化ケイ素基板20において表面の全域に、例えば周知のCVD(化学蒸着)法を用いて二酸化ケイ素の膜を形成させる。次に、この二酸化ケイ素膜上に所定のパターンのフォトレジスト膜を形成する。そしてこのフォトレジストをマスクとして、例えばプラズマを用いたドライエッチングにより、電極形成領域23の二酸化ケイ素膜を選択的に除去する。その後、フォトレジスト膜を除去する。このようにして、電極形成領域23が開口された素子間分離膜22を形成させる。(図3B)
次いで、露出された電極形成領域23の表面に、ニッケル電極24を形成させる。ニッケル電極24の形成は、例えば上記した実施形態の電極形成装置1を用いて、メッキ法に
より行う。具体的には、容器2中に満たされた電解液3の中に、この炭化ケイ素基板20を貼り付けた支持板6と、対向電極5と、参照電極7とをセットする。そして、炭化ケイ素基板20の電極形成領域23に、水銀ランプ13により光を照射しつつ、ポテンシオスタット15により、陽極電圧を印加する。一定時間経過後、ポテンシオスタット15により炭化ケイ素基板20に陰極電圧を印加する。これにより、汚染の少ないニッケル−炭化ケイ素界面を持つニッケル電極24を形成することができる。(図3C)このようにしてニッケルショットキー電極を持つ半導体素子19が製造される。
・ 第1実施形態においては、オーミック電極9はアルミニウムにより形成されているが、本発明によればオーミック電極の材質は本実施形態の限りではなく、例えばニッケルにより形成されていても良い。
・ 第1実施形態によれば、容器2は角筒状であるが、本発明によれば容器の形状は本実施形態の限りではなく、例えば円筒状など、電極形成を行う炭化ケイ素基板の形状に合わせて様々な形状のものを使用できる。
・ 第1実施形態によれば、電源としてポテンシオスタット15を用い、参照電極7に対しての電圧で炭化ケイ素基板4の電位を制御しているが、電位を制御できるのであれば、参照電極7、及びポテンシオスタット15を用いずとも、例えば単なる直流電圧源を用いることで電極形成ができる。
・ 第2実施形態における半導体素子の作製においては、素子間分離膜22を二酸化ケイ素膜により形成させているが、本発明によれば素子間分離膜の組成は本実施形態の限りではなく、例えばチッ化ケイ素膜により形成されていてもよい。
2…容器
3…電解液
4、20…炭化ケイ素基板
5…対向電極
6…支持板
7…参照電極
8…シリコーン樹脂
9、21…オーミック電極
10…作用電極側導線
11…対向電極側導線
12…参照電極側導線
13…水銀ランプ(光源)
14…ヒーター
15…ポテンシオスタット(電源)
16…作用電極側端子
17…対向電極側端子
18…参照電極側端子
19…半導体素子
22…素子間分離膜
23…電極形成領域
24…ニッケル電極
Claims (3)
- ニッケルイオンを含む電解液中に、炭化ケイ素基板からなる電極と、それに対をなす電極とを設け、両電極間に炭化ケイ素が陰極となるよう電位差を与えて炭化ケイ素基板の表面にニッケル電極を形成する方法であって、ニッケル電極を形成する前に、炭化ケイ素基板に炭化ケイ素のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有する波長領域の光を照射しつつ、炭化ケイ素基板が陽極になるように電位差を与えて、前記電解液を60℃以上の温度にして炭化ケイ素基板に付着する酸化物をエッチングすることを特徴とする炭化ケイ素基板へのニッケル電極形成方法。
- 前記光が電解液における吸収端の波長よりも長い波長の光であることを特徴とする請求項1のニッケル電極形成方法。
- 請求項1または2に記載のニッケル電極形成方法により形成されたニッケル電極を備えた半導体素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004184161A JP4810651B2 (ja) | 2004-06-22 | 2004-06-22 | 炭化ケイ素への電極形成方法、およびその電極を備えた半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004184161A JP4810651B2 (ja) | 2004-06-22 | 2004-06-22 | 炭化ケイ素への電極形成方法、およびその電極を備えた半導体素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006012922A JP2006012922A (ja) | 2006-01-12 |
JP4810651B2 true JP4810651B2 (ja) | 2011-11-09 |
Family
ID=35779825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004184161A Expired - Lifetime JP4810651B2 (ja) | 2004-06-22 | 2004-06-22 | 炭化ケイ素への電極形成方法、およびその電極を備えた半導体素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4810651B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4972137A (ja) * | 1972-11-11 | 1974-07-12 | ||
JPS63283014A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-18 | Sharp Corp | 炭化珪素半導体素子 |
-
2004
- 2004-06-22 JP JP2004184161A patent/JP4810651B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006012922A (ja) | 2006-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5895223A (en) | Method for etching nitride | |
EP2584594A1 (en) | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and apparatus for manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
US6034001A (en) | Method for etching of silicon carbide semiconductor using selective etching of different conductivity types | |
TW201137175A (en) | Etching method, method for manufacturing microstructure, and etching apparatus | |
Mukherjee et al. | Physicochemical and electrochemical properties of etched GaP (111) a and GaP (111) B surfaces | |
JP4810651B2 (ja) | 炭化ケイ素への電極形成方法、およびその電極を備えた半導体素子 | |
Thornton et al. | An s/xps study of hydrogen terminated, ordered silicon (100) and (111) surfaces prepared by chemical etching | |
JP6497590B2 (ja) | 水の分解方法、水分解装置および酸素生成用のアノード電極 | |
JP2003133308A (ja) | 炭化ケイ素の酸化膜製造方法、酸化膜製造装置、および酸化膜を用いた半導体素子の製造方法 | |
Vermaak et al. | On the growth of Au on clean and contaminated GaAs (001) surfaces | |
EP1797010B1 (en) | Electrochemical device | |
Dare-Edwards et al. | A novel surface preparation for single-crystal TiO2 and its characterisation by photocurrent-voltage measurements | |
Wang et al. | Nonaqueous organic electrolyte for photoelectrochemical etching of gallium nitride surface | |
Diaz et al. | An improved fabrication technique for porous silicon | |
JP3112456B1 (ja) | 電界放射型電子源およびその製造方法およびディスプレイ | |
Tuccio et al. | Effect of the initial treatment on the structure of thin anodic films on aluminum | |
Zeng et al. | Formation of uniform and square nanopore arrays on (100) InP surfaces by a two-step etching method | |
JPH05198557A (ja) | 陽極化成装置 | |
WO2013105154A1 (ja) | 二酸化炭素を還元する方法 | |
CN101532177B (zh) | 用模板法制备硫化锌量子线的方法 | |
JP2000068608A (ja) | 窒化ガリウム系半導体素子の製造方法 | |
WO2023080173A1 (ja) | ダイヤモンド積層体 | |
Muthuvel et al. | Surface chemistry of InP (100) after wet and electrochemical etching: Is digital etching possible? | |
Lim et al. | Spectral Shifts of Electroluminescence from Porous n‐Si under Cathodic Bias | |
JP2003124185A (ja) | 半導体基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070530 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110517 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110531 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110726 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |