JP2845663B2 - 反応性イオンエッチング装置 - Google Patents
反応性イオンエッチング装置Info
- Publication number
- JP2845663B2 JP2845663B2 JP4083261A JP8326192A JP2845663B2 JP 2845663 B2 JP2845663 B2 JP 2845663B2 JP 4083261 A JP4083261 A JP 4083261A JP 8326192 A JP8326192 A JP 8326192A JP 2845663 B2 JP2845663 B2 JP 2845663B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- chamber
- semiconductor substrate
- inspection device
- reactive ion
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体処理装置に関し、
特に反応性イオンによる半導体基板のエッチング装置に
関する。
特に反応性イオンによる半導体基板のエッチング装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の反応性イオンエッチング
装置においては、図２に示すように、高周波で励起され
た反応ガスによるエッチングが終了した半導体基板４
は、エッチングの進行状態を検査するため、検査装置に
セットされている。ここで、検査装置５にセットされる
前には半導体基板４は大気に触れるようシステムが構成
されていた。この場合、半導体基板表面にエッチングさ
れずに残ったアルミニウムが存在すると、そのアルミニ
ウムと大気中の酸素とが反応して酸化アルミニウム（Ａ
ｌ2Ｏ3 ）が生成され、再度、エッチングを行っても酸
化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3）を除去できない。
装置においては、図２に示すように、高周波で励起され
た反応ガスによるエッチングが終了した半導体基板４
は、エッチングの進行状態を検査するため、検査装置に
セットされている。ここで、検査装置５にセットされる
前には半導体基板４は大気に触れるようシステムが構成
されていた。この場合、半導体基板表面にエッチングさ
れずに残ったアルミニウムが存在すると、そのアルミニ
ウムと大気中の酸素とが反応して酸化アルミニウム（Ａ
ｌ2Ｏ3 ）が生成され、再度、エッチングを行っても酸
化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3）を除去できない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
は、残留したアルミニウムが大気中の酸素と反応して酸
化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）が生成される点である。
は、残留したアルミニウムが大気中の酸素と反応して酸
化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）が生成される点である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明による反応性イオンエッチング装置は、半導体
基板に対して反応性イオンエッチングを行うエッチング
チャンバと、前記エッチングチャンバに直結され、エッ
チングすべき半導体基板がロードされ、高真空状態で前
記ロードされた半導体基板を前記エッチングチャンバに
搬送させるロードロックチャンバと、 前記エッチングチ
ャンバに直結され、前記エッチングチャンバ内での前記
半導体基板のエッチングの終了の後に、真空中を搬送さ
れてきた前記半導体基板のエッチングの進行状況を検査
する検査装置と、 前記検査装置に直結され、前記検査装
置で検査された半導体基板のエッチングにおいて残留ア
ルミニウムが存在しないとき、この半導体基板を受け入
れるアンロードロックチャンバと、 前記検査装置と前記
ロードロックチャンバとの搬送を行う搬送機構とを備
え、 前記検査装置により検査した結果、エッチングにお
いて残留アルミニウムの存在することが判明したときに
は再度、前記搬送機構により真空中を通り、前記ロード
ロックチャンバを介して前記エッチングチャンバに前記
半導体基板を搬送するように構成してある。 上記構成に
よれば、エッチングの終了した半導体基板を大気にふれ
させることなく検査装置にセットすることができ、検査
の結果、エッチングに残留アルミニウムが存在する場合
には、真空状態で何度でも繰り返しロードロックチャン
バよりエッチングチャンバに搬送してエッチングでき
る。
に本発明による反応性イオンエッチング装置は、半導体
基板に対して反応性イオンエッチングを行うエッチング
チャンバと、前記エッチングチャンバに直結され、エッ
チングすべき半導体基板がロードされ、高真空状態で前
記ロードされた半導体基板を前記エッチングチャンバに
搬送させるロードロックチャンバと、 前記エッチングチ
ャンバに直結され、前記エッチングチャンバ内での前記
半導体基板のエッチングの終了の後に、真空中を搬送さ
れてきた前記半導体基板のエッチングの進行状況を検査
する検査装置と、 前記検査装置に直結され、前記検査装
置で検査された半導体基板のエッチングにおいて残留ア
ルミニウムが存在しないとき、この半導体基板を受け入
れるアンロードロックチャンバと、 前記検査装置と前記
ロードロックチャンバとの搬送を行う搬送機構とを備
え、 前記検査装置により検査した結果、エッチングにお
いて残留アルミニウムの存在することが判明したときに
は再度、前記搬送機構により真空中を通り、前記ロード
ロックチャンバを介して前記エッチングチャンバに前記
半導体基板を搬送するように構成してある。 上記構成に
よれば、エッチングの終了した半導体基板を大気にふれ
させることなく検査装置にセットすることができ、検査
の結果、エッチングに残留アルミニウムが存在する場合
には、真空状態で何度でも繰り返しロードロックチャン
バよりエッチングチャンバに搬送してエッチングでき
る。
【０００５】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は、本発明による反応性イオンエッチング装置
の実施例を示す概略図である。図１において、１はエッ
チングチャンバ，２はロードロックチャンバと，３はア
ンロードロックチャンバ，４は半導体基板，５は検査装
置，６は搬送機構である。図１から明らかなようにロー
ドロックチャンバ２および検査装置５はエッチングチャ
ンバ１にそれぞれ直接接続され、さらに検査装置５はア
ンロードロックチャンバ３に直接接続されている。検査
装置５とロードロックチャンバ２は搬送機構６を通じて
接続されている。エッチングチャンバ１の内部は高真空
に保たれ、高周波電圧の印加によって、導入された反応
ガスを励起してプラズマを発生させ、半導体基板４の表
面のアルミニウムをエッチングする。
る。図１は、本発明による反応性イオンエッチング装置
の実施例を示す概略図である。図１において、１はエッ
チングチャンバ，２はロードロックチャンバと，３はア
ンロードロックチャンバ，４は半導体基板，５は検査装
置，６は搬送機構である。図１から明らかなようにロー
ドロックチャンバ２および検査装置５はエッチングチャ
ンバ１にそれぞれ直接接続され、さらに検査装置５はア
ンロードロックチャンバ３に直接接続されている。検査
装置５とロードロックチャンバ２は搬送機構６を通じて
接続されている。エッチングチャンバ１の内部は高真空
に保たれ、高周波電圧の印加によって、導入された反応
ガスを励起してプラズマを発生させ、半導体基板４の表
面のアルミニウムをエッチングする。
【０００６】エッチング前の半導体基板４をロードロッ
クチャンバ２に置き、ロードロックチャンバ２が高真空
になってから、エッチングチャンバ１の内部へ半導体基
板４を搬送する。エッチングが終了した半導体基板４
は、高真空に保たれた検査装置５に入り、エッチングさ
れずに残ったアルミニウムの有無を検査する。エッチン
グされた残ったアルミニウムが存在しない半導体基板４
は、アンロードロックチャンバ３に入る。一方、エッチ
ングされずに残ったアルミニウムが存在する半導体基板
４は、高真空に保たれた搬送機構６を通って、高真空に
保たれたロードロックチャンバ２に入り、再度、エッチ
ングチャンバ１に搬送されてエッチングされる。
クチャンバ２に置き、ロードロックチャンバ２が高真空
になってから、エッチングチャンバ１の内部へ半導体基
板４を搬送する。エッチングが終了した半導体基板４
は、高真空に保たれた検査装置５に入り、エッチングさ
れずに残ったアルミニウムの有無を検査する。エッチン
グされた残ったアルミニウムが存在しない半導体基板４
は、アンロードロックチャンバ３に入る。一方、エッチ
ングされずに残ったアルミニウムが存在する半導体基板
４は、高真空に保たれた搬送機構６を通って、高真空に
保たれたロードロックチャンバ２に入り、再度、エッチ
ングチャンバ１に搬送されてエッチングされる。
【０００７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、エッチン
グの終了した半導体基板は大気に触れる前に真空中で検
査できるので、半導体基板の表面にエッチングされずに
残ったアルミニウムが存在する場合でも、大気中の酸素
と反応して酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）が生成され
ることなく、再度、残留アルミニウムをエッチングでき
る利点がある。
グの終了した半導体基板は大気に触れる前に真空中で検
査できるので、半導体基板の表面にエッチングされずに
残ったアルミニウムが存在する場合でも、大気中の酸素
と反応して酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）が生成され
ることなく、再度、残留アルミニウムをエッチングでき
る利点がある。
【図１】本発明による反応性イオンエッチング装置の一
実施例を示す概略図である。
実施例を示す概略図である。
【図２】従来技術による反応性イオンエッチング装置の
一例を示す概略図である。
一例を示す概略図である。
１ エッチングチャンバ ２ ロードロックチャンバ ３ アンロードロックチャンバ ４ 半導体基板 ５ 検査装置 ６ 搬送機構
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板に対して反応性イオンエッチ
ングを行うエッチングチャンバと、前記エッチングチャンバに直結され、エッチングすべき
半導体基板がロードされ、高真空状態で前記ロードされ
た半導体基板を前記エッチングチャンバに搬送させるロ
ードロックチャンバと、 前記エッチングチャンバに直結され、前記エッチングチ
ャンバ内での前記半導体基板のエッチングの終了の後
に、真空中を搬送されてきた前記半導体基板のエッチン
グの進行状況を検査する検査装置と、 前記検査装置に直結され、前記検査装置で検査された半
導体基板のエッチングにおいて残留アルミニウムが存在
しないとき、この半導体基板を受け入れるアンロードロ
ックチャンバと、 前記検査装置と前記ロードロックチャンバとの搬送を行
う搬送機構とを備え、 前記検査装置により検査した結果、エッチングにおいて
残留アルミニウムの存在することが判明したときには再
度、前記搬送機構により真空中を通り、前記ロードロッ
クチャンバを介して前記エッチングチャンバに前記半導
体基板を搬送するように構成したことを特徴とする 反応
性イオンエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4083261A JP2845663B2 (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 反応性イオンエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4083261A JP2845663B2 (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 反応性イオンエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251392A JPH05251392A (ja) | 1993-09-28 |
| JP2845663B2 true JP2845663B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=13797410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4083261A Expired - Lifetime JP2845663B2 (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 反応性イオンエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2845663B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100508749B1 (ko) * | 1998-06-01 | 2005-11-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 식각설비 및 이를 이용한 식각방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5885533A (ja) * | 1981-11-17 | 1983-05-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04107821A (ja) * | 1990-08-28 | 1992-04-09 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
-
1992
- 1992-03-05 JP JP4083261A patent/JP2845663B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05251392A (ja) | 1993-09-28 |
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