201214608 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種例如搬送半導體晶圓等被處理基板 的搬送裝置、及保持被處理物之保持裝置。 【先前技術】 搬送半導體等基板的基板搬送裝置使用於半導體製造 之領域。藉由此基板搬送裝置，例如在成膜室或蝕刻 (Etching)室等處理室間搬送基板，並在各處理室對基板進 行各種的加工處理。為提升產能（ThroUghpUt)而尋求可以 高速搬送基板，惟因此必須防止因加諸於被搬送的基板之 加速度等因素而造成基板滑動。 例如在專利文獻1中，記載有一種於供載放基板的手 柄（Hand)部之上表面裝設有例如由橡膠（Rubber)組成之止 滑墊（Pad)的基板搬送裝置。藉此防止載放於手柄部之基板 於搬送中滑動。 另外於專利文獻2中所s己載之晶圓搬送承載片（blade) 中’在供載放基板之晶圓承載片之整體上表面裝設有由陶 瓷（Ceramics)所構成之靜電夾盤（Eiectrostatic chuck) ’藉此抑制半導體晶圓之背面的滑動。（參考專利文 獻2的第4頁左攔第7行炱同頁右欄第2行、第2圖、第 3圖）。 (先前技術文獻） (專利文獻） 專利文獻1 :日本特開2002-353291號公報 4 323365 201214608 專利文獻2 :日本特公平5-66G22號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之課題） 然而，專利文獻1所記載之橡膠製的止滑墊係於300 至500°C左右的高溫狀態中，會產生變質或變形，無法適 當地抑制所搬送基板之滑動。另外在200°C以下的狀態下， 也有因橡膠製的止滑墊之黏著性而使基板貼附於止滑墊之 問題。因此’於在處理室間之基板的收授之際，會發生基 板未能搬送至適當的位置或基板損壞之情事。 另外在專利文獻2所記載之晶圓搬送承載片中，藉由 裝設於承載片上之靜電夾盤，來支樓所搬送基板之整體背 面。如此一來，在因處理步驟中的溫度等之影響使基板產 生翹曲的情況時’承載片保持基板的力量將會降低。 鑑於以上原因，本發明之目的在於提供一種即使在被 處理基板產生翹曲的情況下，也能不受處理溫度之影響， 而充分保持被處理基板的基板搬送裝置、及保持裝置。 (解決課題的手段） 為達成別述目的，關於本發明之一形態的基板搬送裝 置係具備支撐面、與靜電夾盤。 :述支撐面，係以面向被處理基板的方式構成。 刖述靜電失盤，係為了接觸包括前述被處理基板之中 、的中央鱗被處理基板，*構成城設於前述支揮 面0. 關於本發明之其他形態的基板搬送裝置係具備支樓 323365 5 201214608 面、靜電夾盤、與保持體。 前述支撐面，係以面向被處理基板的方式構成。 前述靜電夾盤，係為了接觸包括前述被處理基板之中 心的中央部以保持前述被處理基板，而構成為由前述支撐 面突出地裝設。 前述保持體係為了接觸前述被處理基板的前述中央部 之周園以保持前述被處理基板，而構成為於前述靜電夾盤 之周園由前述支撐面突出地裝設，並可朝由前述支撐面突 出之方向移動。 關於本發明之一形態的保持裝置係具備支撐面與靜電 前述支撐面，係以面向被處理物的方式構成。 前述靜電夹盤，係為了接觸包括前述被處理物之中心 的中央部以保持前述被處理物，而以裝設於前述支撐面的 方式構成。 關於本發明之其他形態的保持裝置，係具備支撐面、 靜電央盤、以及保持體。 前述支撐面，係以面向被處理物的方式構成。 前述靜電夾盤，係為了接觸包括前述被處理物之中心 的中央部以保持前述被處理物，而以由前述支撐面突出地 裝設的方式構成。 前述保持體，係為了接觸前述被處理物的前述中央部 之周園以保持前述被處理物’而構成為於前述靜電夾盤之 周園由前述支持面突出地裝設，且可朝由前述支撐面突出 6 323365 201214608 之方向移動。 【實施方式】 關於本發明之一實施形態的基板搬送裝置，係具備支 撐面、與靜電夾盤。 前述支撐面，係以面向被處理基板的方式構成。 前述靜電夾盤，係為了接觸包括前述被處理基板之中 心的中央部以保持前述被處理基板，而構成為裝設於前述 支撐面。 在此基板搬送裝置中’因藉由靜電夾盤保持被處理基 板，故可不受處理溫度影響而充分保持被處理基板。另外， 即使在被處理基板產生翹曲的情況下，因藉由靜電夾盤保 持翹曲造成之變形較少之中央部，故可不受輕曲造成之變 形的影響而充份地保持被處理基板。 前述靜電夾盤亦可由前述支撐面突出地裝設。藉此， 即使例如在被處理基板翹曲成凸狀的情況下，也可充分地 保持被處理基板。 前述靜電夾盤的代表長度，亦可為前述被處理基板之 代表長度的1/4以下。藉此可抑制用以製造靜電夾盤之成 本0 前述靜電夾盤之形狀亦可為圓形的平面形狀。藉此， 即使在被處理基板產生翹曲的情況下，因被處理基板與靜 電夾盤有效率地接觸，而可充分地保持被處理基板。 前述基板搬送裝置，亦可復具備為了接觸前述被處理 基板之前述中央部的周圍以保持前述被處理基板’而以於 7 323365 201214608 前述靜電夾盤周圍由前述支撐面突出地裝設，且可朝由前 述支撐面突出之方向移動的方式構成之保持體。 在此基板搬送裝置中，藉由保持體保持被處理基板之 中央部的周圍。因保持體可於突出方向移動，故可配合翹 曲造成之變形充分保持被處理基板。 關於本發明之其他形態的基板搬送裝置係具備支撐 面、靜電夾盤、以及保持體。 前述支撐面，係以面向被處理基板的方式構成。 前述靜電夾盤，係為了接觸包括前述被處理基板之中 心的中央部以保将前述被處理基板，而以由前述支撐面突 出地裝設的方式構成。 前述保持體係為了接觸前述被處理基板的前述中央部 之周圍以保持被處理基板，而以於前述靜電夾盤的周圍由 前述支撐面突出地裝設，且可朝由前述支撐面突出之方向 移動的方式構成。 在此基板搬送裝置中，因藉由靜電夾盤保持被處理基 板，故可不受處理溫度影響而充分地保持被處理基板。另 外，即使在被處理基板產生翹•曲的情況下，亦可藉由靜電 夾盤保持翹曲造成之變形較少之中央部’且藉由保持體保 持中央部的周圍。因保持體可向突出方向移動，故可配合 翹曲造成之變形而充份地保持被處理基板。 前述保持體亦可具有保持前述被處理基板的本體、與 將前述本體由前述支撑面向突出方向彈推之彈推構件。藉 此，即使在被處理基板產生翹曲的情況下’亦可藉由具有 8 323365 201214608 保持體的本體充份地保持被處理基板之中央部的周圍。 前述靜電夹盤亦可具有與前述被處理基板接觸之第1 * 接觸面。另外，前述本體亦可具有與前述被處理基板接觸 之第2接觸面。此種情況’於未藉由前述靜電夾盤及前述 本體保持前述被處理基板的狀態中，前述第2接觸面相對 於前述支撐面的高度，亦可大於前述第1接觸面相對於前 述支撐面的高度。藉此，即使在被處理基板翹曲成凸狀的 情況及翹曲成凹狀的情況之任一情況下，亦能藉由保持體 之本體充份地保持被處理基板之中央部的周圍。 前述支樓面’亦可面向具有圓形的前述被處理基板。 此種情況，前述靜電夾盤亦可具有接觸於前述被處理基板 之前述中心的接觸中心部。另外，前述保持體亦可裝設複 數個於以前述接觸中心部為中心之同一圓上。藉此，因裝 設複數個保持體於距被處理基板之中心為相同距離之位 置，故即使在被處理基板產生翹曲的情況下，可將位於因 被處理基板之魅曲造成之變形量為大致相等之部位藉由保 持體確實地保持。 關於本發明之-形態的保持裝置係具備支撲面、與靜 電夾盤。 前述支㈣，細面向被處理物之方式構成。 月|j述靜電夾盤，係為了接觸包括前述被處理物之中心 的中央料储被處理物，Μ裝設於前述支撐面的方式 構成。 關於本發明之其他形態的保持裝置，係具備支撐面、 323365 9 201214608 靜電夾盤、以及保持體。 前述支撐面，係以面向被處理物的方式構成。 前述靜電失盤，係為了接觸包括前述被處理物之中心 的中央部以保持前述被處理物，而以由前述支撐面突出地 裝設的方式構成。 前述保持體，係為了接觸前述被處理物的前述中央部 之周圍以保持前述被處理物，而以於前述靜電夾盤的周圍 由前述支撐面突出地裝設，並可朝由前述支撐面突出之方 向移動的方式構成。 以下，一邊參照圖式一邊說明本發明之實施形態。 (第1實施形態） 第1圖係為顯示關於本發明之第1實施形態的基板搬 送裝置之概略斜視圖。基板搬送裝置100係具有驅動部 50、連結於驅動部50的多關節臂60、及連結於多關節臂 60前端之終端作用器（end effector)l。做為被處理基板 的半導體晶圓2係被載放於終端作用器1。藉由以驅動部 50驅動多關節臂60旋轉及伸縮，以搬送載放於終端作用 器1之半導體晶圓2。再者’可於真空中搬送半導體晶圓2, 亦可於大氣中搬送半導體晶圓2。 於本實施形態中，藉由基板搬送裝置100搬送具圓形 之半導體晶圓2。半導體晶圓2的直徑係為3〇〇mm，厚度為 0. 775mm。然半導體晶圓2之大小及形狀並不限定於此。另 外，以所搬送之被處理基板而言，並不限定於半導體晶圓 2 ’被處理基板之材質、形狀、大小、厚度等可適當設定。 323365 10 201214608 第2圖係為顯示第1圖所示之終端作用器1的概略 圖。第2圖（A)係為終端作用器1的平面圖’第2圖（幻係 為在第2圖（A)中的A-A線之剖面圖。終端作用器1係具有 支撐半導體晶圓2的支撐構件3、裝設於支撐構件3的靜 電夾盤4、及做為保持部的保持銷5 ^以支撐構件3的材料 而言’使用例如氧化鋁（Alumina)等陶瓷或不錄鋼 (Stainless steel)等。 如第2圖（A)所示’支撐構件3係具有基部6、由基部 6延伸出之2隻指（Finger)部7、及配置於兩隻指部7間的 ，部8。段差9沿著所載放之半導體晶圓2的邊緣（Edge) 部2a，形成於基部6與指部7。藉由此形成為圓弧狀之段 差9形成收納半導體晶圓2的凹部1 〇。 在凹部10中之基部6、指部7及台部8的各者之上表 面係位於同—平面上，因此由前述各上表面所構成之凹部 10的底® 11成為平面狀。此凹部1〇的底面u，係相當於 面向所载放之半導體晶圓2的支撐面（以下，將底面U記 ，為支樓面⑴。另外，段差9係形成於段差9與半導體 ^ 2不接觸之位置，卿形成於㈣1G之平面形狀大於 半導體晶圓2之平面形狀的位置。 在本實施形態中，平面所見之凹部Μ的直徑係為 咖’且支撐構件3的對應凹部1G之區域厚度係為18 對應凹部10區域以外的基部6之厚度係為4關， 各:10區域以外的指部7厚度係為—。然:而，前述 谷尺寸亦可適當設定。 323365 11 201214608 靜電爽盤4係以從構成支樓面11的台部8上表面突出 的方式裝設於台部8。如第2圖（A)所示，靜電夾盤4接觸 於包括所載放之半導體晶圓2的中心2b之中心部（以下亦 有稱為中央部之情形）2c ’而保持半導體晶圓2。亦即，台 部8之位置與形狀係以使靜電夾盤4與半導體晶圓2之中 心部2c接觸的方式適當地設定。 靜電夾盤4係使用例如蒸氣沉積或印刷技術，在形成 例如由銅、鋁（Aluminum)或金所構成之薄膜電極^土^ electrode)後，將該電極藉由例如濺鍍（Sputtering)技術 等以電性絕緣體覆蓋而形成。以電性絕緣體而言，可使用 聚酿亞胺（Polyimide)、炭化矽（Silicon carbide)陶瓷、 氧化紹、氮化鋁（Aluminumnitride)等。於本實施形態中， 以電性絕緣體的材料而言，係與支撐構件3的材料同樣使 用氧化鋁。藉此，即使例如對半導體晶圓2的處理步驟中 的溫度達到300至500°C等高溫狀態，亦可抑制靜電夾盤4 的電性絕緣體發生變質或變形。因此，藉由靜電夾盤4可 恰當的保持半導體晶圓2。另外因能減低由靜電夾盤4所 釋放出之氣體（Gas) ’例如在真空中搬送半導體晶圓2的情 況時’可防止真空氛圍被氣體污染。 另外在本實施形態中，圓弧狀的薄膜電極形成於台部 8，且如第2圖（A)所示，裝設有具有圓形平面形狀的靜電 夾盤4。藉此，即使在圓形的半導體晶圓2產生勉曲的情 況下’因半導體晶圓2與靜電夾盤4有效率的接觸，故能 充分地保持半導體晶圓2。然而靜電失盤4的形成方法或 323365 12 201214608
PPiled voltage)進行導通/關斷 亦包括可變地控制保持力的形態。 仅找妙c，人〜一 叩付刀的形恶。 、、’、從支撐面u突出地形成在可與半導體晶圓 2之中心部2c之周圍的區域2d接觸，而保持半導體晶圓2 的位置。在本實施形態中，於以靜電夾盤4之中心部12為 中心的圓〇上’形成有3個保持銷5。靜電央盤*的中: 部12係相當於接觸半導體晶圓2之中心2b的接觸中心 部。如第2圖（A)所示，3個保持銷5係以靜電夾盤4的中 心部12為基準，以120度之等間隔配置。 另外如第2圖（B)所示，將保持銷5嵌入形成於支撐面 11之裝配孔13而裝設。而後保持銷5係沿著裝配孔13， 以保持銷5可由支撐面11朝突出方向（第2圖所示之2方 向）移動而裝設。以此等保持銷5的材料而言，可使用氧化 鋁等陶瓷。然而保持銷5相對支撐構件3之形成位置、及 保持銷5之數量或材料等適當設定即可。 第3圖係為用以詳細說明關於本實施形態之靜電失盤 4與保持銷5的圖，且為第2圖（A)所示B-B線的剖面圖。 323365 13 201214608 在第3圖中，為圖示半導體晶圓2未载放於終端作用巧ι 之狀態’亦即圖示未藉由靜電夾盤4及保持銷5保丄 體晶圓2之狀態。 ' ' 如前所述，以使靜電夾盤4由支撐面u突出的方式裝 設於台部8。因此如第3圖所示’與半導體晶圓2接觸之 靜電夾盤4的接觸面14，配置於距離支撐面u高度札的 位置。高度乩係只要在酌量所搬送之半導體晶圓的=曲量 之後適當設定即可，詳情後述。 保持銷5係具有與半導體晶圓2之周圍的區域％接觸 並保持半導體晶圓2的本體15。藉由此本體15與半導體 晶圓2之周圍的區域2d接觸，可在例如靜電夾盤4的大小 較所搬送之半導體晶圓2的大小為小的情況時，防止半導 體晶圓2在垂直方向相對於靜電夾盤4傾斜。於本實施形 態中’藉由半導體晶圓2與本體15的靜摩擦力（Static friction)加上產生在靜電夹盤的吸引力，而將半導體晶圓 2保持於銷5與靜電夾盤4所保持。然而，亦可以靜電夾 盤4做為本體15使用，只以靜電力（Electrostatic force) 來保持半導體晶圓2。 如第3圖所示，在未保持半導體晶圓2的狀態下的相 對於支樓面11之本體15的接觸面16之高度H2係大於靜電 爽盤.4之接觸面14的高度Hl。在第3圖中，將靜電夾盤4 之接觸面14的高度η,與保持銷5之接觸面16的高度H2之 差以差h來圖不。關於保持銷5之接觸自的高度η〗與差 h於後敘逑。 323365 201214608 另外保持銷5係具有裝設於保持銷5所嵌入之裝配孔 13的底面17與本體15之間的用以做為彈推構件的彈簧 18。藉由此彈簧18，將本體15從支撐面11朝突出方向 軸之正方向）彈推。以彈簧18而言’可使用例如螺旋彈簧 (Coil Spring)或板片彈簧（Flat Spring)及其他可彈推本 體15之各種彈推構件。 再者，第3圖所示之保持銷的本體15與半導體晶圓2 接觸之接觸面16之直徑，具有較與彈簧18連接之部分的 直徑為小之形狀。然而，本體15的形狀適當設定即可。 接著，說明關於本實施形態中，半導體晶圓2載放至 基板搬送裝置1〇〇之終端操縱器1時之動作。第4圖係為 該說明圖，圖示未產生翹曲之半導體晶圓2載放於終端 用器1上之狀態。 如第4圖所示，包括半導體晶圓2之中心2b的中心Λ 2c，接觸於靜電夾盤4的接觸面14。而後藉由對靜電 4所具有的未圖示之薄膜電極施加電壓，可不受半導Λ盤 圓2的溫度影響而充分地保持半導體晶圓2的中心晶 亦可在半導體晶圓2載放於靜電夾盤4上之前，對靜^。 盤4的薄膜電極施加電。而且亦可將半導體日日日圓2電爽 於因靜電力而產生吸著力的靜電夾盤4上。 栽玫 "在半導體晶圓2的中心部2C之周圍的區域， 銷5之本體15的接觸面16與半導體晶圆2相接觸。保持 f持鱗5在相對於支樓面^的突出方向（z方向）因半=時 晶圓2之自體重量而被推壓。藉此，保持銷5的本體u體 323365 201214608 與彈簧18之彈推方向為相反的方向沿裝配孔13移動達距 離h。結果，未產生翹曲之半導體晶圓2之周圍的區域2d ' 藉由朝突出方向被彈推之保持銷5的本體15而受到充分地 保持。 再者，保持銷5所具有之彈簧18的彈力及長度，在可 充分地保持所搬送之半導體晶圓2的範圍内適當的設定即 可。例如依據半導體晶圓2的重量或以半導體晶圓2的材 料與保持銷5之本體15的材料所決定之靜摩擦係數等，適 當的設定彈簧18的彈力及長度等即可。 第5圖係為顯示產生翹曲之半導體晶圓2’載放於終端 作用器1上之狀態之概略剖面圖。於第5圖中圖示為翹 曲成凹狀的半導體晶圓2,，亦即圖示周圍的區域2, d由支 撐面11離開的方向變形之半導體晶圓2，。將相較於第4 圖所示之未產生趣曲之半導體晶圓2之情況的，顯示於第 5圖之半導體晶圓2’的邊緣部之變形量記載為變形量
Di。 半導體晶圓2,之勉曲係因例如對半導體晶圓2，之處 的溫度之影響或形成於半導體晶圓2，的膜之應力 如第5圖所示’半導體晶圓2，的中心部& 半導體晶圓2的中心部？、 此即使在半導體晶圓2,產生曲=之=形較少。因 少之半導體晶圓2,的t心部，㈣、=曲之影響較 r2 c，仍被靜電夾盤4充分地 323365 16 201214608 保持。 在半導體晶圓2’之周圍的區域2, d，半導體晶圓2,因 翹曲之影響由支撐面11離開而變形。然而如第4圖所示， 保持銷5的本體15之接觸面16係相對於支撐面u，較靜 電夾盤4的接觸面14配置於較高的位置。因此即使翹曲成 凹狀的半導體晶圓2,載放於終端處裝置1之情形時，半導 體晶圓2’之周圍的區域2, d仍藉由保持銷5的本體15而 充分地受到保持。 靜電失盤4之接觸面14的高度札與保持銷5之本體 15的接觸面16的高度札之差h，係依據所處理之半導體晶 圓2’的翹曲造成之變形量來適當設定即可。例如在有可能 產生於半導體晶圓2的某翹曲所造成之變形量中，只要適 當設定容許之範圍的變形量，並依據該容許之範圍的變形 量，設定差h之大小即可。於本實施形態中，將半導體晶 圓2之邊緣部2’ a之變形量設為Di，且將與保持銷5之本 體15接觸的部分2’e之變形量設為h。而後將此等變形量 設定為容許範圍，以近似於變形量h之大小來設定差h。 或者差h亦可設定為略大於在半導體晶圓2,之中的容許範 圍之變形量。此種情況，保持銷5之本體15在因被變形為 凹狀之半導體晶圓2’些許推壓的狀態下，而保持半導體晶 圓2’之周圍的區域2’d。 第6圖係為顯示翹曲成凸狀的半導體晶圓2，，載放於 終端作用器1上之狀態之概略剖面圖。如第6圖所示，輕 曲成凸狀的半導體晶圓2 ，其周圍的區域2’’d朝接近支 323365 17 201214608 撐面11的方向變形。將半導體晶圓2’，之邊緣部2,，a之 變形量設為D2。 如第6圖所示’翹曲造成之變形較少的半導體晶圓2,， 之中心部2’’c，被靜電夹盤4充份地保持。再者，靜電夾 盤4之接觸面14的高度Hi係依據變形為凸狀之半導體晶圓 2’ ’之變形量D2而設定。亦即以不使變形為凸狀之半導體晶 圓2接觸指部7的上表面（支稽·面π之一部分）的方式， 而適當設定接觸面14的高度Hi。藉此，可防止因半導體晶 圓2與指部7接觸’而使半導體晶圓2,，之中央部2’，c 浮起，且使靜電夾盤4造成之保持力降低的情形。另外， 可防止因半導體晶圓2’’與指部7接觸，而產生灰塵。 再者，當判斷經處理之半導體晶圓2，，因例如形成於 半導體晶圓2’’的膜之材料等，而變形為凸狀的可能性低 之情況時，亦可任意設定靜電夾盤4之接觸面14的高度 Hl。例如亦可設定靜電夾盤4之接觸面14與支持面11為 同一平面。此種情況時，亦可使保持銷5的接觸面16，以 位於距離支撐面11預定高度的方式來配置保持銷5。 在半導體晶圆2’，之周圍的區域2，，d，因翹曲之影 響，使半導體晶圓2，’朝向支撐面11接近而變形。然而本 實施形態之保持銷5,因可沿裝配孔13在突出方向（z方向） 移，，故可配合半導體晶圓2，，之變形，充分地保持半導 體曰a圓2之周圍的區域2, ’d。此情形即使在終端作用器 1載放有變形成凸狀之半導體晶圓2’’的情況下，或在未產 生翹曲的半導體晶圓2，，由第4圖所示之狀態變形成凸狀 323365 18 201214608 之情況下亦相同。 在本實施形態中，將半導體晶圆2，，之 變形量設為D2’並將與保持銷5的本體 ° a， 之變形量設為h，。因此保持銷5的本體 彈菁18解推之方向及其相反方向，移動達二^可在: 二長度及彈力或本體15的大小等，並將保持 ㈣望值即可。再者，料使第5圖所示 h與第6圖所示之差h’近於相等的方式，將保持銷5 裝权於終端作用器1。 若翹曲成凸狀的半導體晶圓2’，由終端作用器i上於 例如未圖示之處理室的平台(Stage)等移動時，保持銷5之 本體15會藉由彈簀15的彈力移動，恢復至第4圖所示之 接著，說明關於第2圖所示之圓形的靜電失盤4之半 徑X與半導體晶圓2之翹曲量之間的關係。第7圖即為其 說明圖。 ' 在此’假設半導體晶圓2為由中心2b變形為凹狀者， 並將其變形所造成之半導體晶圓2的形狀之曲率半徑設為 R。以具體例示而言，假設直徑300mm之半導體晶圓2翹曲 1mm成凸狀，則半導體晶圓2之曲率半徑r將成為約llm。 另外’假設靜電夾盤4之平面度為〇. 〇5mm，且設靜電 爽盤4之可吸著容許間隔為0.1匪。亦即在距離第7圖所 示的靜電夾盤4之表面19起0.1 mm以下的範圍中’因靜 19 323365 201214608 電力作用於半導體晶圓2,故包括在該範圍中之半導體晶 圓2將被保持。而嚴格上未與半導體晶圓2周密接觸之區 域，且可保持半導體晶圓2的區域20，也被視為實際上接 觸並保持半導體晶圓2之區域。因此，第7圖所示之表面 19係相當於第4圖等所示之靜電夾盤4之接觸面ι4。如第 7圖所不，於靜電夾盤4的端部21之中，半導體晶圓2的 勉曲量必須在0· 05随以下。 在前述條件中，依據以下的2個公式，計算出靜電夾 盤4的半徑X。 COS0 = Y = 1__…⑴ R 1 R ⑴ X = R-sin β . -(2) 藉由前述之條件與公式（1)及（2)之關係，靜電夾盤4 的半徑X將為約33_以下。亦即以自對應半導體晶圓2之 中心2b的位置22起半徑33mm的範圍來形成靜電夾盤4即 可。因半導體晶圓2之直徑為3〇〇mm，故可得知只要形成 具有該半導體晶圓2之半徑的四分之一以上大小之半徑的 靜電夾盤4即可。 亦即在本實施形態中，半導體晶圓2之半徑及靜電炎 盤4的半徑，係採用做為相當於半導體晶圓2及靜電夾盤 4之代表長度者。半導體晶圓2之直徑及靜電夾盤4的直 徑亦可分別採用做為半導體晶圓2及靜電夾盤4之代表長 度。另外例如在搬送用於平面顯示器（Flat Panel Display，FPD)之玻璃基板（Glass Substrates)等具有矩形 20 323365 201214608 之平面形狀的基板之情況，亦可以將該基板之對角線長度 或邊長等做為代表長度採用。另外在使用具有矩形之平面 形狀的靜電夾盤之情況，亦可將靜電夾盤之對角線長度或 邊長等作為代表長度採用。 如此，便可根據半導體晶圓2的麵曲量來適當設：定靜 電夾盤4的大小。藉此，於半導體晶圓2變形成凸狀之際， 可防止靜電夾盤4形成在無助於半導體晶圓之吸著的區 域。結果，可抑制用以製造靜電夾盤4之成本。另外，可 防止例如因靜電夾盤4大於必要以上時，所導致之來自靜 電夾盤4的放電問題或灰塵問題等。 以上，在關於本實施形態之基板搬送裝置1〇〇中，因 藉由靜電夾盤4保持半導體晶圓2,故可不受半導體晶圓2 之溫度影響而充份地保持半導體晶圓2。另外，在半導體 晶圓2產生翹曲的情況下，藉由靜電夾盤4保持翹曲造成 之變形較少之中央部2c，且藉由保持銷5保持甲央部2c 之周圍的區域2d。如前所述，因保持銷5可朝突出方向移 動，可配合麵曲造成之變形而充份地保持半導體晶圓2。 另外如第5圖及第6圖所示，保持銷5之本體15係藉 由彈簧18朝突出方向彈推。另外，根據變形成凹狀之半導 體晶圓2的變形量，來適當設定保持銷5之本體15的接觸 面16之高度H2與靜電夾盤4之接觸面14的高度m之差h。 進而，根據變形成凸狀之半導體晶圓2的變形量，來適當 k疋靜電夾盤4之接觸面14的高度h1q藉此，即使在半導 體晶圓2翹曲成凸狀的情況及翹曲成凹狀的情況之任一情 323365 21 201214608 況下’皆可藉由靜電失盤4及麟銷5充分地保持半 晶圓2。 另外如第2圖所示，3個保持銷5於以靜電夾盤4之 中心部12為中心的圓〇上以12()度之等間隔配置。因此複 數個保持銷5配置於離半導體晶圓2之中心部_同距離 之位置。藉此，即使在半導體晶圓2產生㈣的情況下， 也可將半導體晶圓2的勉曲造成之變形量為大致相等之部 位藉由保持銷5確實地保持。 (第2實施形態） 第8圖係顯示關於本發明之第2實施形態的基板搬送 裝置之終端作用器的概略斜視圖。在以下後的說明中，對 於與在前述之實施形態中說明過之基板搬送裝置1〇〇之構 成及作用相同之部份’將該說明省略或簡略化。 在關於本實施形態之基板搬送裝置中，裝設於終端作 用器201之靜電夾盤204 ,呈可由連接於基部206之台部 208拆卸之構造。靜電夾盤204藉由螺絲223連接於台部 208。然而’將靜電夾盤204裝配於台部208之方法，任何 方法均可。 因靜電夾盤204係可自終端作用器201拆卸，故可簡 單地將例如產生故障等之靜電夾盤204更換成新品。另 外根據所搬送之未圖不半導體.晶圓的預估趣曲量，可將 適合的靜電夾盤204裝配於終端操縱器201。例如，可將 靜電夾盤204之接觸面214的高度、或與保持銷2〇5的接 觸面216之咼度差、或靜電夾盤204之接觸面214之面積 323365 22 201214608 等，配合半導體晶圓的種類等適當地設定，並可適當的裝 配該靜電夾盤204。 第9圖係為顯示構成本實施形態之靜電夾盤204的薄 膜電極之概略圖。如第9圖所示，於本實施形態中，薄膜 電極225a及225b形成於構成靜電夾盤204的基板224。 另外，分別電性連接於薄膜電極225a及225b的配線226a 及226b形成於基板224上。各配線226a及226b延伸至位 於與台部208之連接部份附近之電極取出部227a及227b。 薄膜電極225a及225b與配線226a及226b可藉由例如蒸 氣沈積或印刷技術同時形成，亦可各別形成。 藉由形成於第1圖所示之多關節臂60之内部或外部的 未圖示之配線，經由電極取出部227a及227b，配線226a 及226b，對2個薄膜電極225a及225b分別施加不同極性 之電壓。而後藉由在2個薄膜電極225a及225b之間產生 電位差（Potential Difference)，使半導體晶圓吸著於靜 電夾盤204。 如此，在本實施形態中係使用雙極式的靜電夾盤2〇4。 亦可形成2個具有複數個齒的梳齒狀之薄膜電極以代替第 9圖所示之薄膜電極225a及225b。或亦可裝設單極式的靜 電夾盤，於基板224形成1個薄膜電極，並使在該1個薄 膜電極與半導體晶圓之間產生電位差。 (第3實施形態） 第10圖係為顯示本發明之第3實施形態的保持裝置之 概略平面圖。第11圖係為第1〇圖所示之OC線之剖面圖。
23 32336S 201214608 本實施形態之保持裝置300係裝設於例如成膜室或蝕 刻室等處理室者，可保持所搬送之半導體晶圓3〇2。對此 保持裝置300所保持之半導體晶圓3〇2可進行各種加工處 理 如第10圖及帛11圖所示，保持裝置3〇〇具有載放半 導體晶圓302之平台325。平台325係具有與所載放之半 導體晶® 302相對面之支樓Φ 31卜以平台325的材料而 a，可使用氧化等絕緣材料。 與半導體晶圓302之中央部3G2c接觸且將其保持之靜 電夹盤304係由支撑面311突出而裝設於平台咖之中央 部326。於靜電夾盤3〇4之周圍裝設有複數個保持半導體 =3〇2之周圍的區域购之保持銷3〇5。與前述實施形 ί具明之内容相同，保持銷305可在突出方向移動， 且具有接觸半導體晶圓3〇2之水 出方向彈推之彈簧318。本體315與將本體315朝突 持翹曲造成之變形較::半:二由靜電夹盤304充份地保 另外藉由可配合半導體S圓3G2的t央部3〇2C。 持-地:=:r:::= 靜雷杰船κ 固的^域302d。 盤304與保持鎖3〇5 #之各 專，只要根據半導體晶圓3〇 a寸或形成位置 本發明並非只限定於前述實施形:適=定即可。 明之要旨範圍内做種種變更“#在不脫離本發 323365 24 201214608 例如第12圖及第13圖係為顯示第2圖所示之終端作 用器1之變形例之圖。第12圖所示之終端作用器相較於第 2圖所示之終端作用器’相異之處為裴設靜電夾盤之台部 的平面形狀。 第12圖（A)所示之終端作用器4〇1所具有之台部4〇8 係配置於靜電夾盤404與基部406之間，由連接於基部406 的部份408a之平面所見之寬度大小，係設定為較第2圖所 不之台部8為小。在第12圖（B)所示之終端作用器5〇1中， 於2隻之指部507之間形成有兩個的台部5〇8a及5〇8b。 而且在2個台部508a及508b交差之區域裝設有靜電夾盤 504。如此，若靜電夾盤為接觸所載放之半導體晶圓的中心 部，則終端作用器所具有的台部之形狀只要適當的設定即 〇]" 〇 第13圖所示之終端作用器⑼丨係具有由基部6〇6延伸 之3隻指部607a至607c，3隻指部6〇7a至607c之中，位 於中央之指部607b形成有靜電夾盤604。亦即，在第13 圖所示之終端作用器601中，指部6〇7b亦可做為於前述實 施形態說明過之台部而運作。如此，靜電夾盤亦可設於指 部°另外，指部之數量亦可適當的設定。 在則述各實施形態之基板搬送裝置中，詳細說明關於 終端作用器，終端作用器以外之多關節臂之構成，為例示 第1圖者。然而’終端作用器以外之用以搬送被處理基板 之構成，不限於第1圖所示者而可適當設定。 如第4圖等所示，於前述之各實施形態中，保持銷嵌 25 323365 201214608 入於裝配孔。然而’若可由支撐面朝突出之方向移動，亦 可使保持銷於支撐面上以可伸縮之方式形成。 另外亦可構成為如第14圖所示之保持裝置彻，只有 保持半導體晶圓702之中央部7〇2c之靜電夾盤·形成於 支撐面711上，且未形成保持銷。即使為此種構成，亦可 藉由半導體晶® 7〇2之材料、$量亦缝曲量來充分地保 持半導體晶B] 7G2。再者’以本發明之—形態的基板搬送 裝置而言’亦可考慮具備具有只將減半導體晶圓之中央 邻的靜電夾盤形成於支撐面上，且未形成保持銷之構成的 終端作用器。 以被處理基板而言，不限於半導體晶圓，亦可為用於 顯不器（Display)、太陽能板（s〇lar panel)等玻璃基板。 或者不限於基板’即使在搬送或保持零件或構件等之被處 理物的情況下，本發明亦可適用。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示關於本發明之第一實施形態的基板搬送 装置之概略斜視圖。 第2圖（A)及（B)係顯示終端作用器（End ^；ffect〇r)之 概略圖。 第3圖係為第2圖（a)所示之b-B線的刮面圖。 第4圖係為顯示在第3圖所示之終端作用器上載放未 產生翹曲之半導體晶圓的狀態之概略的斷面圖。 第5圖係為顯示在第3圖所示之終端作用器上載放翹 曲成凹狀之半導體晶圓的狀態之概略的斷面圖。 323365 201214608 第6圖係為顯不在第3圖卿之終端作龍上載放勉 曲成凸狀之半導體晶圓的狀態之概略的斷面圖。 一第7圖係為說明關於第2圖所示之圓形的靜電爽盤之 半徑與半導體晶圓的翹曲量之關係的圖。 第8圖係為顯示關於本發明之第2實施形態之基板搬 送裝置的終端作用器之概略斜視圖。 第9圖係為顯示構成第8圖所示的靜電爽盤之薄膜電 極的概要圖。 第10圖係為顯示關於本發明之第3實施形態的保持裝 置之概略的平面圖。 第11圖係為顯示第10圖所示之c_c線的剖面圖。 第12圖（A)及（B)係為顯示第2圖所示之終端作用器之 變形例的圖。 第13圖係為顯示第2圖所示之終端作用器之變形例的 圖。 第14圖係為顯示第1〇圖所示之保持裝置之變形例的 圖。 【主要元件符號說明】 1、 201、302、401、501、601 終端作用器 2、 2’、2，’、302、702 半導體晶圓 2a、2 a、2 a 邊緣部 2b、2’b、2’’b 半導體晶圓之中心 2c、2’ c、2’ ’ c、302c、702c半導體晶圓的中心部 2d、2’d、2” d、302d半導體晶圓之周圍的區域 323365 27 201214608 2, e 3 4 、 204 、 5 、 205 、 6 、 206 、 7 、 507 、 8 、 208 、 9 10 11 ' 311 12 13 14、214 15 、 315 16 > 216 17 18 、 318 20 21 22 50 60 100 223 與保持銷5之本體15接觸之部分 支撐構件 304、404、504、604、704 靜電夾盤 305 保持銷 406、606 基部 607a、607b、607c 指部 408、508a、508b 台部 段差 凹部 * 711 支撐面 靜電夾盤之中心部 裝配孔 靜電夾盤之接觸面 保持銷之本體 保持銷之接觸面 底面 彈簀 可保持半導體晶圓2的區域 端部 對應半導體晶圓2之中心2b的位置 驅動部 多關節臂 基板搬送裝置 螺絲 28 323365 201214608 224 基板 225a、225b 薄膜電極 226a、226b 配線 227a、227b 電極取出部 300 、 700 保持裝置 325 平台 408a 連接於基部406的部份 Di、D2 變形量 h 差 h 距離 h、h， 變形量 Hi ' H2 高度 0 圓 R 曲率半徑 X 半徑 Y 麵曲量 29 323365