KR950034663A - 웨이퍼 이송장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

반도체 웨이퍼의 이송 및 처리는 웨이퍼 기판을 그 배면의 정전기 처킹으로 고정하여 수직배향으로 유지하면서 실행된다. 이로써, 이송 및 처리시스템의 플로어면은 웨이퍼 크기에 상관없이 거의 동일하게 된다. 웨이퍼 배면만이 이송부재와 접촉하게 되기 때문에, 웨이퍼 정면은 청정하게 유지되고 또한 웨이퍼 이송이 신속히 행해질 수 있다.

Description

웨이퍼 이송장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 구성된 이온주입기의 개략도, 제3도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 구성되고 제1도의 이온주입기시스템과 함께 사용가능한 웨이퍼처링(chucking)장치의 정전기력부분의 개략적인 단면도, 제5도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 배치된 두개의 정전기 웨이퍼처킹장치를 갖는 이송시스템을 사용한 웨이퍼전달의 개략도.

Claims (25)

  1. 처리도리 실리콘층등을 갖는 전면과 지지기판배면을 구비한 반도체웨이퍼의 취급방법에 있어서, 상기 전면과 맞물리지 아니하고 상기 배면과 맞물리는 제1정전기 처킹장치를 사용하여 상기 면들이 수직으로 연장되도록 하여 상기 웨이퍼기판을 수직배향위치로 유지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1처킹장치를 이동시켜 상기 웨이퍼가 수직배향위치에 유지된 채로 두개의 웨이퍼 취급위치 사이에 상기 웨이퍼를 유지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼를 상기 제1처킹장치로부터 제2정전기 처킹장치로 이송하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 이송단계는 상기 웨이퍼를 수직배향위치에 유지한 채로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1처킹장치내의 상기 웨이퍼가 수직배향위치에 유지된 채로 상기 웨이퍼를 진공처리실로 이동하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 웨이퍼가 상기 진공처리실내의 수직배향위치로 있는 동안 상기 웨이퍼의 전면을 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 처리는 주입, 엣칭, 플라즈마처리 및 스퍼터링 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 웨이퍼를, 수직배향위치에 유지된 채로, 제1처킹장치로부터 상기 진공실내에 배치된 다른 처킹장치로 이송하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 웨이퍼를, 수직배향위치에 유지된 채로, 상기 다른 처킹장치로부터 제2정전기처킹장치로 이송하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 다른 처킹장치는 정전기 처킹장치인 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제1정전기 처킹장치를 통해 냉각제를 순환시켜 그에 유지되고 있는 웨이퍼를 냉각시키는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급방법.
  12. 제1항에 있어서, 탄성부재에 의해 탄성유지되는 상기 제1처킹장치의 전극들을 이동시켜 상기 제1처킹장치를 상기 배면에 맞물리게 하여 상기 웨이퍼가 부드럽게 처킹되게 하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급방법.
  13. 제4항에 있어서, 상기 이송은 상기 웨이퍼가 공동수평면내에서 이동하고 있는 동안에 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급방법.
  14. 제5항에 있어서, 상기 웨이퍼를 상기 제1처킹장치로부터 제2정전기처킹장치로 이송하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 이송단계는 상기 웨이퍼를 수직배향위치에 유지한 채로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 이송은 상기 웨이퍼가 공동수평면내에서 이동하고 있는 동안에 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급방법.
  17. 전면과 배면을 갖는 반도체웨이퍼의 취급장치에 있어서, 상기 웨이퍼를 상기 면들이 수직방향으로 연장되는 수직배향위치에 유지할 수 있도록 상기 배면에 맞물릴 수 있는 제1정전기처킹장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제1처킹장치를, 상기 웨이퍼가 수직배향위치에 유지된 채로, 상이한 웨이퍼취급위치들 사이에서 이동하기 위한 가동이송아암을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급장치.
  19. 제17항에 있어서, 제2정전기처킹장치와, 상기 웨이퍼를 상기 제1정전기 처킹장치로부터 상기 제2처킹장치로 이송하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급장치.
  20. 제17항에 있어서, 제1처킹장치를 이동시키기 위한 제1가동이송아암과, 제2정전기처킹장치를 이동시키기 위한 제2가동이송아암과, 상기 웨이퍼를 상기 제1처킹장치로부터 상기 제2처킹장치로 이송하기 위한 정전기처킹력 이송수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급장치.
  21. 제17항에 있어서, 상기 전면의 처리를 위한 처리수단을 구비하는 웨이퍼처리스테이션과, 상기 웨이퍼가 수직배향위치를 유지한 채로, 상기 웨이퍼공급스테이션과 상기 처리스테이션사이에서 상기 제1처킹장치를 이동시키기 위한 제1가동이송아암을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급장치.
  22. 제18항에 있어서, 제2가동이송아암에 의해 이동되는 제2정전기처킹장치와, 상기 웨이퍼를 상기 제1정전기처킹장치로부터 상기 제2처킹장치로 이송하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급장치.
  23. 제22항에 있어서, 상기 제2이송아암은, 상기 웨이퍼가 수직배향위치를 유지한 채로, 상기 처리스테이션으로부터 배출스테이션으로 방출하는 작동이 가능한 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 이송아암들과 상기 처킹장치들은 상기 공급스테이션, 상기 처리스테이션 및 상기 배출스테이션간의 동동의 수평면내에서 상기 웨이퍼를 이동시킬 수 있도록 작동가능한 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급장치.
  25. 제17항에 있어서, 상기 제1정전기처킹장치는 상기 배면과 맞물릴 수 있는 상대이동가능한 전극들과 상기 전극들 및 상기 배면 사이에 개재되어 상기 웨이퍼의 정전기처킹중의 상대이동을 탄성지지하는 스프링수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 취급장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950012888A 1994-05-20 1995-05-20 웨이퍼 취급 장치 KR100283295B1 (ko)

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