JPS5929435A - 試料支持装置 - Google Patents
試料支持装置Info
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- JPS5929435A JPS5929435A JP57138583A JP13858382A JPS5929435A JP S5929435 A JPS5929435 A JP S5929435A JP 57138583 A JP57138583 A JP 57138583A JP 13858382 A JP13858382 A JP 13858382A JP S5929435 A JPS5929435 A JP S5929435A
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- adsorption
- adsorption parts
- parts
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S269/00—Work holders
- Y10S269/903—Work holder for electrical circuit assemblages or wiring systems
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T279/00—Chucks or sockets
- Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は試料支持装置、特に真空室内で試料を支持する
のに適した試料支持装置1¥に関する。
のに適した試料支持装置1¥に関する。
たとえば半2n1体製造装置置として知られるイオン打
込み装置においては、試料としての多数のウエ−ハが打
込み室に用意され、これらを予め定められた位lid、
K順次移動させながらイオン打込みが行われる。」j
込み室け183空にされなければならないことから、大
気中における試料の保持ないしは支持手段として知られ
る真空(吸着手段を打込み室内における試料支持千1々
として用いることはできない。このため、杓込み室内に
おける試料支持手段としてねじ止めを利用するのが一般
的である。しかし、とのねじ止めの場合tよ、サイズが
異なる試料の固定が容易でないこと、試別が破損し易い
ことなどの問題がある。
込み装置においては、試料としての多数のウエ−ハが打
込み室に用意され、これらを予め定められた位lid、
K順次移動させながらイオン打込みが行われる。」j
込み室け183空にされなければならないことから、大
気中における試料の保持ないしは支持手段として知られ
る真空(吸着手段を打込み室内における試料支持千1々
として用いることはできない。このため、杓込み室内に
おける試料支持手段としてねじ止めを利用するのが一般
的である。しかし、とのねじ止めの場合tよ、サイズが
異なる試料の固定が容易でないこと、試別が破損し易い
ことなどの問題がある。
これらの問題を解決すべく、試料と絶縁体で構成された
試料吸着部との間に電圧を印加し、それによって生じる
静電吸引力によって前者を後者に吸着して支持する試み
がなされている。この場合、真空吸着におけるのと同程
度の吸引力(大気圧にほぼ等しい圧カニIK9/an2
)を得るためには、試料吸着部は厚さが数μmで、絶縁
破壊可、圧が10’V/cm程度以上の絶縁体でtli
成される必要がある。
試料吸着部との間に電圧を印加し、それによって生じる
静電吸引力によって前者を後者に吸着して支持する試み
がなされている。この場合、真空吸着におけるのと同程
度の吸引力(大気圧にほぼ等しい圧カニIK9/an2
)を得るためには、試料吸着部は厚さが数μmで、絶縁
破壊可、圧が10’V/cm程度以上の絶縁体でtli
成される必要がある。
試別吸着部を構成する絶縁体としてはマイカ(ma I
c a )やSin、などが利用可能であるが、数/
I II+程度の一定厚さのマイカやsho、膜を得る
ことは実際上非常に困駿である。この問題を解決するた
めには膜を厚くすればよいが、そのようにすれは印加7
17.川を高めなければならないという問題が生じる。
c a )やSin、などが利用可能であるが、数/
I II+程度の一定厚さのマイカやsho、膜を得る
ことは実際上非常に困駿である。この問題を解決するた
めには膜を厚くすればよいが、そのようにすれは印加7
17.川を高めなければならないという問題が生じる。
したがって、本発明の目的シま所定の静′1(1吸引力
を1()るに当って、試料吸着部が絶縁体で作られる場
合に比べて試第1吸着部を叩くし、印力1ビdL川を低
くすることができる試料支持装置i1を提供することに
ある。
を1()るに当って、試料吸着部が絶縁体で作られる場
合に比べて試第1吸着部を叩くし、印力1ビdL川を低
くすることができる試料支持装置i1を提供することに
ある。
本発明によれば、それぞれ試別の一方の而と接触すべき
半411工性誘電体製の第1および第2の試料吸着部を
有し、これらの試II IJl&、肩部間に111.圧
が印加され、それによって試お)と第1および第2の試
料IRk着部との間に生じる静電吸引力により試別が第
1および第2の試料吸着部に吸着される。
半411工性誘電体製の第1および第2の試料吸着部を
有し、これらの試II IJl&、肩部間に111.圧
が印加され、それによって試お)と第1および第2の試
料IRk着部との間に生じる静電吸引力により試別が第
1および第2の試料吸着部に吸着される。
第1図は本発明の原理の理解を助けるために示されたも
ので、同図を参照するに、試別支持基体1には電気絶縁
体2aおよび2bを介して、下面に゛「電極3aおよび
31〕が取イτjけられかつ半導電性誘電体で作られた
試料吸着部4aお」:び4bが固定されている。
ので、同図を参照するに、試別支持基体1には電気絶縁
体2aおよび2bを介して、下面に゛「電極3aおよび
31〕が取イτjけられかつ半導電性誘電体で作られた
試料吸着部4aお」:び4bが固定されている。
試別吸着部4aおよび4bの上面には試別5が載置され
ている。この状態で試料吸着R1i 4 Flおよび4
シ間に11を源6からある電圧が印加されると、試料5
を介し7°C試料吸着部4aおよび4bの一方から他方
に向う誘電1束7が生じる。これによって、試別吸着部
4aおよび4bの下面にe」電極3aおよび3bにおけ
るのと反対も1号の電荷が、上面には同符号の電荷がそ
れぞれ形成され、そして試料5の、試別吸着部4aおよ
び4bとの接触面γ911には試料吸着部4aおよび4
bの上面におけるのと反対符号の11宅荷がそれぞれ形
成される。したがって、試別5と試別吸着部4aおよび
41〕との間にtま静電吸引力が生じ、これによって前
者が後者によって吸着きれ、支持される。
ている。この状態で試料吸着R1i 4 Flおよび4
シ間に11を源6からある電圧が印加されると、試料5
を介し7°C試料吸着部4aおよび4bの一方から他方
に向う誘電1束7が生じる。これによって、試別吸着部
4aおよび4bの下面にe」電極3aおよび3bにおけ
るのと反対も1号の電荷が、上面には同符号の電荷がそ
れぞれ形成され、そして試料5の、試別吸着部4aおよ
び4bとの接触面γ911には試料吸着部4aおよび4
bの上面におけるのと反対符号の11宅荷がそれぞれ形
成される。したがって、試別5と試別吸着部4aおよび
41〕との間にtま静電吸引力が生じ、これによって前
者が後者によって吸着きれ、支持される。
試料5と試別吸着部4aおよび41〕との間の接触抵抗
を1し6、その接触容量をCI 、試料1吸着部4aお
よび4bの抵抗を1h1並びに試料吸着部4aおよび4
シ間に印加される電圧1’、CV。とすると、第1図の
等価回路は第2図のように表わ宴れる。第2図から、接
触抵抗1シ、の両端電圧V、tJV −= R−V、n
/ (11,b−t−IL。) ==V0/((Tu
b /It、)+1〕で力えられる。
を1し6、その接触容量をCI 、試料1吸着部4aお
よび4bの抵抗を1h1並びに試料吸着部4aおよび4
シ間に印加される電圧1’、CV。とすると、第1図の
等価回路は第2図のように表わ宴れる。第2図から、接
触抵抗1シ、の両端電圧V、tJV −= R−V、n
/ (11,b−t−IL。) ==V0/((Tu
b /It、)+1〕で力えられる。
また、試別5と試別吸着部4aおよび4bとの間の平均
間隙をdとすると、試オ・[5と試料吸着部4aおよび
4bとの間に生じる静電吸引力はd2に逆比例し、V
s ” に比例する。
間隙をdとすると、試オ・[5と試料吸着部4aおよび
4bとの間に生じる静電吸引力はd2に逆比例し、V
s ” に比例する。
IL bおよびR、をそれぞれ体積固有抵抗(Ω・Cn
l )で表わすと、YNJ611′J:はぼ数Ω’ o
nである。したがって試別吸着部4aおよび4bが絶縁
体で作られる場合Qま、TLbは101tΩ・CI++
程度であるから、n b ”)p R−となッテ、V、
”:0(V)、!:なり、静電吸引力はほとんど発生し
安い。との静1σ5吸引力を発生させるためには絶縁体
で作られる試料吸着部4aおよび4bをY(りくしてI
L bを小さくすることによシv、金高くする心間があ
る。しかし、試料吸着部4aおよび4bの厚さを1μI
11にしたとし−Cも、ILbは約108Ω・CTnと
比較的太きい。
l )で表わすと、YNJ611′J:はぼ数Ω’ o
nである。したがって試別吸着部4aおよび4bが絶縁
体で作られる場合Qま、TLbは101tΩ・CI++
程度であるから、n b ”)p R−となッテ、V、
”:0(V)、!:なり、静電吸引力はほとんど発生し
安い。との静1σ5吸引力を発生させるためには絶縁体
で作られる試料吸着部4aおよび4bをY(りくしてI
L bを小さくすることによシv、金高くする心間があ
る。しかし、試料吸着部4aおよび4bの厚さを1μI
11にしたとし−Cも、ILbは約108Ω・CTnと
比較的太きい。
一方、半へ1不[1尤1牛誘屯体の体積固〕0抵抗&;
t 10 ’〜10’ Ω・cllIt呈度であるから
、試別吸着部4aおよび41〕が半・j’h FIL
Kl・1;君市体で作られる場合C10ソ(7)J!j
2サカ1 tr m テEy Z)(!:き、IL h
&よ102〜104Ω・Onとなる。これtよ、試料
吸着部4aおよび41〕が半’jlX Ilj性tf、
9Tlc体で作られる場合は、絶縁体で作られる場合に
比べて、所定の静電吸引力をイn Z)に肖って試料吸
メ′イ部4aおよび4bをJツくすることができ、かつ
印力旧ff、圧を1氏くし得ること2意味する。
t 10 ’〜10’ Ω・cllIt呈度であるから
、試別吸着部4aおよび41〕が半・j’h FIL
Kl・1;君市体で作られる場合C10ソ(7)J!j
2サカ1 tr m テEy Z)(!:き、IL h
&よ102〜104Ω・Onとなる。これtよ、試料
吸着部4aおよび41〕が半’jlX Ilj性tf、
9Tlc体で作られる場合は、絶縁体で作られる場合に
比べて、所定の静電吸引力をイn Z)に肖って試料吸
メ′イ部4aおよび4bをJツくすることができ、かつ
印力旧ff、圧を1氏くし得ること2意味する。
試別吸着部4aお上び4bが半導電性誘電体で作られる
場合Cま、絶縁体で作られる場合とちがって、試別吸着
部48および4bが′重圧印加によって分極しても、’
に圧印加を止めることによって分極にもとづ< ′il
j’、イ:!fが直ちに消失し、そのためごみの付ノ+
fの問題が生じない。
場合Cま、絶縁体で作られる場合とちがって、試別吸着
部48および4bが′重圧印加によって分極しても、’
に圧印加を止めることによって分極にもとづ< ′il
j’、イ:!fが直ちに消失し、そのためごみの付ノ+
fの問題が生じない。
試料吸7Iq部4aおよび41)が半導′電性誘電体製
である。喝4Nよ、絶縁体で作られる場合に比べて試別
吸y6f部4aおよび4bを厚くすることができるから
、試別吸着部4aおよび41〕定絶縁体で作る1ノ9合
にそれ5C薄くする必要があることに起因しで生じる恐
れのある試料吸着部4nおよび41〕の絶縁破壊の18
題が解決される。
である。喝4Nよ、絶縁体で作られる場合に比べて試別
吸y6f部4aおよび4bを厚くすることができるから
、試別吸着部4aおよび41〕定絶縁体で作る1ノ9合
にそれ5C薄くする必要があることに起因しで生じる恐
れのある試料吸着部4nおよび41〕の絶縁破壊の18
題が解決される。
試料吸着部4aおよび41)と試別5との間に71丁。
圧を印加しても試第15の吸着、支持は可能である。
しかし、この場合は、試料5と試料吸着部4aおよび4
1〕との間の電気的導通手段が必要であるが故に試料の
汚染やイ11り損の問題が生じ、また取1ルいの不便さ
も免れ得ない。
1〕との間の電気的導通手段が必要であるが故に試料の
汚染やイ11り損の問題が生じ、また取1ルいの不便さ
も免れ得ない。
これに対して、第1図に示されるように、試H5の一方
の面、すなわち下面がそれぞれ接触すべき試別吸着部4
aおよび4b間に11丁、圧を印加するようにすれば、
試別5に対する電気的導通の必要がなくなるので、前述
したような問題tよ一挙に解される。
の面、すなわち下面がそれぞれ接触すべき試別吸着部4
aおよび4b間に11丁、圧を印加するようにすれば、
試別5に対する電気的導通の必要がなくなるので、前述
したような問題tよ一挙に解される。
第1図でり試別吸着部41′Iおよび4bは互いに独立
しているが、これらは同じ半導電性誘?Tt体金介して
つながっていてもよい。
しているが、これらは同じ半導電性誘?Tt体金介して
つながっていてもよい。
試料吸着部4aおよび4bを(直成する半導11モ性I
′lUt体としてはセルロース・カーボンやグラファイ
トなどを用いることができ、また印加電圧は必ずしも直
流である必要シュなく、交流であってもよい。
′lUt体としてはセルロース・カーボンやグラファイ
トなどを用いることができ、また印加電圧は必ずしも直
流である必要シュなく、交流であってもよい。
第3図〜第5図は本発明の一実施例の試別支持装置を採
用したイオン打込み装置の要部を示す。
用したイオン打込み装置の要部を示す。
同図において、打込み室1oを形成する打込み室基体l
itよ太い矢印の方向からの打込み用イオンビームが通
るための孔12と打込み室1oを真空にするように排気
するための真空ポンプ(図示せず)が接続されるべき排
気口13とをもっている。
itよ太い矢印の方向からの打込み用イオンビームが通
るための孔12と打込み室1oを真空にするように排気
するための真空ポンプ(図示せず)が接続されるべき排
気口13とをもっている。
打込み室10を形成しかつ打込み室基体11に耐n空的
に取りはずし可能に固定されている打込み室蓋14には
打込み用イオンビームに対して直角な平面において耐真
空的に移動可能な移動体15が11ノリつけられている
。
に取りはずし可能に固定されている打込み室蓋14には
打込み用イオンビームに対して直角な平面において耐真
空的に移動可能な移動体15が11ノリつけられている
。
試料支持基体としての回転板16は打込み室10内に配
置され、かつ移動体15を耐真空的に5″1通する回転
中空軸17をもっている。回転板ill中空状に形成さ
れ、その中空状部には円形の仕切り板1Bが配置されて
いる。仕切り板18にはその中心部に設けられた孔と連
通するように固定中空’I’ll+ 19が取りつけら
ルCいる。
置され、かつ移動体15を耐真空的に5″1通する回転
中空軸17をもっている。回転板ill中空状に形成さ
れ、その中空状部には円形の仕切り板1Bが配置されて
いる。仕切り板18にはその中心部に設けられた孔と連
通するように固定中空’I’ll+ 19が取りつけら
ルCいる。
固定冷ノζ11ヘッド20は冷媒人口21および冷媒I
JJ ILI 22をもっていて、固定中空軸19シ」
i′i;媒人口21と連通するように固定冷却ヘッド2
0に固るように固定冷却ヘッド20に+iit R空的
に回転可能広部は−う・に係合されている。
JJ ILI 22をもっていて、固定中空軸19シ」
i′i;媒人口21と連通するように固定冷却ヘッド2
0に固るように固定冷却ヘッド20に+iit R空的
に回転可能広部は−う・に係合されている。
回転板16はその同−内置」二に等間隔に配信された8
個のに別吸着支持部をもっており、これらには試A、・
1すなわちイオン打込み用ウェー\シバ23がそれぞれ
吸着、支持される。
個のに別吸着支持部をもっており、これらには試A、・
1すなわちイオン打込み用ウェー\シバ23がそれぞれ
吸着、支持される。
8個の試イ;・1吸着支持部の各々ti底而面それぞれ
?It4仇24 aおよび241) i;(もつ、半導
電1生誘覗(本、たトエばセルロース・カーボン−やグ
ラファイトなどで作られた試料吸着部’l 5 aおよ
び25bを備え、これらは電気絶縁性接着剤2Gによっ
て回転板16に固定されCいる。
?It4仇24 aおよび241) i;(もつ、半導
電1生誘覗(本、たトエばセルロース・カーボン−やグ
ラファイトなどで作られた試料吸着部’l 5 aおよ
び25bを備え、これらは電気絶縁性接着剤2Gによっ
て回転板16に固定されCいる。
8個の試料吸着支持部の試別吸着部25aおよび25b
間には、第6図に示されるように、ミノ27からWIT
、(1供24 aおよび241)を介してそれぞれ電圧
が印加されるようになっており、そしてこのWIT、圧
印IJ11−スイッチ28により各試料吸着支持部ブσ
に独立して行われ得るようになっている。
間には、第6図に示されるように、ミノ27からWIT
、(1供24 aおよび241)を介してそれぞれ電圧
が印加されるようになっており、そしてこのWIT、圧
印IJ11−スイッチ28により各試料吸着支持部ブσ
に独立して行われ得るようになっている。
動作を説明するに、打込み室蓋14を打込み室基体11
から取りけずして、試料23を試料吸着支持部にそれぞ
れ載置し、この状態でスイッチ28を閉じると、試料2
3は第1図および第2図を8照して説明されたのと同じ
原理にもとづき試料吸着支持部にそれぞれ吸着、支持さ
れる。
から取りけずして、試料23を試料吸着支持部にそれぞ
れ載置し、この状態でスイッチ28を閉じると、試料2
3は第1図および第2図を8照して説明されたのと同じ
原理にもとづき試料吸着支持部にそれぞれ吸着、支持さ
れる。
この後、打込み室蓋14は打込み室基体11に面1fi
I空的に取りつけられ、そして打込み室1oは所定のp
−空度((なるように排気口13全通して真空ポンプ(
1図示せず)Kより排気される。
I空的に取りつけられ、そして打込み室1oは所定のp
−空度((なるように排気口13全通して真空ポンプ(
1図示せず)Kより排気される。
この状態で回転中空+1+ll+17、したがって回転
板16を回転させると共に太い矢印の方向から打込み室
10に入射するイオンビームを紙面に対して直角な方向
に走査しつつ移動台15、したがって1回転板16をイ
オンビームの走査方向に対して1げ角な方向に予め定め
られたスピードで移動さぜると、試料23の各々に対す
る均一なイオン打込みが行われる。
板16を回転させると共に太い矢印の方向から打込み室
10に入射するイオンビームを紙面に対して直角な方向
に走査しつつ移動台15、したがって1回転板16をイ
オンビームの走査方向に対して1げ角な方向に予め定め
られたスピードで移動さぜると、試料23の各々に対す
る均一なイオン打込みが行われる。
一方、冷却ヘッド20の冷媒人口21からtよ冷媒であ
る冷却水が導入され、この冷却水d細い矢印で示される
経路を通って冷媒出口22から排111される。したが
って、試料23は冷却水によって冷却されるので、イメ
/打込みによる試別23の過度の温度上列が防止される
。
る冷却水が導入され、この冷却水d細い矢印で示される
経路を通って冷媒出口22から排111される。したが
って、試料23は冷却水によって冷却されるので、イメ
/打込みによる試別23の過度の温度上列が防止される
。
イオン打込み後試料28を取りはずしたいときは、すJ
込み室蓋14を取りはずし、スイッチ2Bを開けばよい
。この場合、8個のスイッチのうりの選択されたものだ
けを開けば、それによつ−C’ili。
込み室蓋14を取りはずし、スイッチ2Bを開けばよい
。この場合、8個のスイッチのうりの選択されたものだ
けを開けば、それによつ−C’ili。
圧印加が止められた試料吸着支持部の試料のみを取りけ
ずし、残りの試別を吸着、支持された洩1にしておくこ
とができる。
ずし、残りの試別を吸着、支持された洩1にしておくこ
とができる。
なお、固定冷却ヘツ゛ド20の固定手段、回転中空’l
’ll+ 17の回転手段および移動体15の移動手段
は公知であるため、図面および説明の簡略化の目的でそ
の図示は省略されである。
’ll+ 17の回転手段および移動体15の移動手段
は公知であるため、図面および説明の簡略化の目的でそ
の図示は省略されである。
pt!77図は第5図に対応するもう一つの実施例を示
し、第5図と同じ部4(にtま同じ省1号が付ぜられて
いる。
し、第5図と同じ部4(にtま同じ省1号が付ぜられて
いる。
第7図の実施例の第5図のそれに対する相違点d1試別
吸着部25 aおよび251〕の試料23側表面にアル
ミニウムなどの導電性膜291’lおよび29bが形成
されている点である。この実施例においては、導電性膜
27aおよび27!〕はこれらが形成されている側の試
料吸着部25aおよび251)の表面と反対の極性にな
るから、試料23の4電性膜側表面t」第5図における
試料23の試別吸着部側表面に対して反対の極性となる
。しかし、試別23には第5図の場合と同様に静電吸引
力が作用するから、試料21よ27’i’ IiL性膜
29aおよび29bによって吸着、支持されることにな
る。
吸着部25 aおよび251〕の試料23側表面にアル
ミニウムなどの導電性膜291’lおよび29bが形成
されている点である。この実施例においては、導電性膜
27aおよび27!〕はこれらが形成されている側の試
料吸着部25aおよび251)の表面と反対の極性にな
るから、試料23の4電性膜側表面t」第5図における
試料23の試別吸着部側表面に対して反対の極性となる
。しかし、試別23には第5図の場合と同様に静電吸引
力が作用するから、試料21よ27’i’ IiL性膜
29aおよび29bによって吸着、支持されることにな
る。
導電性膜29aおよび29bはたとえば蒸着技術によっ
て容易に形成−t゛ることかでき、かつ凹凸のない平滑
な表面を容易に得ることができる。したがって、試別2
3と411(性膜29aおよび29bとの間の平均間隙
の減少にもとづく静電吸引力のへ1大が期待され得る。
て容易に形成−t゛ることかでき、かつ凹凸のない平滑
な表面を容易に得ることができる。したがって、試別2
3と411(性膜29aおよび29bとの間の平均間隙
の減少にもとづく静電吸引力のへ1大が期待され得る。
加うるに、導電ゼロ1へ29+1および29bけ半導屯
性誘11を体に比べて−1)ノル伝導性が1好であるか
ら、試料23の放熱効弔という利点も期待され得る。
性誘11を体に比べて−1)ノル伝導性が1好であるか
ら、試料23の放熱効弔という利点も期待され得る。
なお、第4図、第5図および第7図において、試料吸着
部25aおよび25bは独立し−Cいるが、これらは同
じ半導電性誘電体を介してつながっていてもよい。寸た
、試料吸着支持部の数08個に限られるものでυまなく
、それよりも多くても少なくてもよい。
部25aおよび25bは独立し−Cいるが、これらは同
じ半導電性誘電体を介してつながっていてもよい。寸た
、試料吸着支持部の数08個に限られるものでυまなく
、それよりも多くても少なくてもよい。
第8図および第9図は本発明にもとづく試別支持装置の
もう一つの実施例を示す。
もう一つの実施例を示す。
それぞれ底面に電枦30を有し、かつ半導電性誘電体で
作られる8個の扇形試料吸着部31は全体として円形状
に配置されるように電気絶縁性接着剤32を介して試料
支持基体33に接着されている。1,77、極30には
その極性がダ互に反対になるように電ぷ34から電圧が
印加される。これによって、互いに隣合う扇形試別吸着
部間に(,1試月35を通しての銹電束がそれぞれ生じ
るから、試科35 t;I: ’!’y 1図および第
2図を参照して説明されたのと同じF+j 3!++で
扇形試料吸着部31によって吸ン「、支持される。
作られる8個の扇形試料吸着部31は全体として円形状
に配置されるように電気絶縁性接着剤32を介して試料
支持基体33に接着されている。1,77、極30には
その極性がダ互に反対になるように電ぷ34から電圧が
印加される。これによって、互いに隣合う扇形試別吸着
部間に(,1試月35を通しての銹電束がそれぞれ生じ
るから、試科35 t;I: ’!’y 1図および第
2図を参照して説明されたのと同じF+j 3!++で
扇形試料吸着部31によって吸ン「、支持される。
この実Aイt>例U」走査形市:子顕微鏡のように試料
を、^、空中に配lif、 してぞの試料の観察や分析
全行なうす4合のn・(別支持手段として用いられ得る
。
を、^、空中に配lif、 してぞの試料の観察や分析
全行なうす4合のn・(別支持手段として用いられ得る
。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、所定
の¥/rI電吸引力を得るに当って、試料吸着部が絶縁
体で作られる場合に比べて試料吸着部を厚く、印加1)
L圧を低くすることができ、かつ試料の試料吸着部に対
する低圧印加の必要がない。
の¥/rI電吸引力を得るに当って、試料吸着部が絶縁
体で作られる場合に比べて試料吸着部を厚く、印加1)
L圧を低くすることができ、かつ試料の試料吸着部に対
する低圧印加の必要がない。
第1図Cま本発明の原理の理解を助けるために示された
試料支持装置の要部の縦断面図、第2図は第1図(a)
の等価回路図、第3図は本発明の一実施例の試料支持装
置!(、を採用したイオン打込み装置の要部の縦断面図
、第4図は第3図の試料回転支持基板の右側面図、第5
図は第3図のP部の拡大図、第6図Cユ第3図乃至第5
図の実施例と共に用いられる電気回路図、第7図は第3
図のP部の、第5図に対応するもう一つの実施例の拡大
図、第8図tユ本発明にもとづく試料支持装置1(Cの
もう一つの実施例tD −’F 1ffi図、第9 図
t;I8r> 8図(7)IX IX’?jに111
う断面図である。 、1.1(i、:13・・・試料支持基体、3,24,
3tl・・・電極、4,25.31・・・試料吸着部、
5,23゜35・・・試料、6,27.34・・・電源
、28・・・スイッチ。 代理人 ブP理士 高僑明夫゛、;。 ’=、=t− 薯g(El 茗q(a
試料支持装置の要部の縦断面図、第2図は第1図(a)
の等価回路図、第3図は本発明の一実施例の試料支持装
置!(、を採用したイオン打込み装置の要部の縦断面図
、第4図は第3図の試料回転支持基板の右側面図、第5
図は第3図のP部の拡大図、第6図Cユ第3図乃至第5
図の実施例と共に用いられる電気回路図、第7図は第3
図のP部の、第5図に対応するもう一つの実施例の拡大
図、第8図tユ本発明にもとづく試料支持装置1(Cの
もう一つの実施例tD −’F 1ffi図、第9 図
t;I8r> 8図(7)IX IX’?jに111
う断面図である。 、1.1(i、:13・・・試料支持基体、3,24,
3tl・・・電極、4,25.31・・・試料吸着部、
5,23゜35・・・試料、6,27.34・・・電源
、28・・・スイッチ。 代理人 ブP理士 高僑明夫゛、;。 ’=、=t− 薯g(El 茗q(a
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、それぞれ試t1の一方の而と接触すべき半?1%電
性誘電体少すの?1〜1卦よび第2゛の試181吸着部
を有し、これらの試料吸着部間にtl’、圧を印加し、
それによって前記試料と前記第1および第2の試料吸着
部との間に生じる静′「げ、吸引力により前記試料が前
記第1および第2の試ネー罰”を着rs+s vc吸着
されること全特徴とする試料支持装置1グ、。 2、それぞれ試料の一方の而と接触すべき導電性膜が形
成される半導電性誘電体製の第1および第2の試お1吸
着)“7bを有し、これらの試料吸着部間に71’i、
圧を印加し、それによっ−〔前記試料と前記導電性膜と
の間に生じるi’r電吸電力引力り前記試料が前記導電
性膜に吸着さノシることを!1イ徴とする試料支持装置
。 3、それぞれ試享1の一方の面と接融すべき半導電性誘
電体製の第1および第2の試料吸着部をそれぞれ有する
8、数個の試料吸着支持部を試料支持基体に設け、前記
第1および第2の試′A”l吸着部間に前記各試料吸着
支持部毎に独立にTlj、圧を印加し、それによって前
記試料と前記第1および第2の試料吸着部との間に生じ
るIl!?−電ic吸引力により前記試料が前記第1お
よび第2の試オ′・F吸着部に吸着されることを’i!
1Iri″にとする試J’l支持装置。 4、それぞれ試料の一方の面と接触すべき導電性j11
Wが形成される半導電性誘’Wl(体製の第1および第
2の試料吸着部?それぞれ有する複数個の試オ・1.1
17゜着支持部を試(′1支持基体に設け、前記第1お
よび第2の試料吸着部間に前iC8試料吸着支持部毎に
独立にTli圧を印加し、それによって前記試料と前記
導電性膜との間に生じる静電吸引力により前記試料がi
iI記2!を電性膜に吸着されることを特徴とする試料
支持装j4゜
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57138583A JPS5929435A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | 試料支持装置 |
US06/521,610 US4520421A (en) | 1982-08-11 | 1983-08-09 | Specimen supporting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57138583A JPS5929435A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | 試料支持装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5929435A true JPS5929435A (ja) | 1984-02-16 |
JPH0136707B2 JPH0136707B2 (ja) | 1989-08-02 |
Family
ID=15225507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57138583A Granted JPS5929435A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | 試料支持装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4520421A (ja) |
JP (1) | JPS5929435A (ja) |
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