KR20210103956A - 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법 - Google Patents

수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법 Download PDF

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KR20210103956A
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가즈히로 니시와키
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에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
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Abstract

기판 처리 장치의 예는 스테이지를 보유하도록 구성된 챔버, 상기 챔버 내로 광을 수신하도록 구성된 수광 장치, 및 샤프트 및 상기 샤프트의 회전과 함께 회전하도록 구성된 회전 암을 포함하는 기판 이송 장치를 포함하고, 상기 기판 이송 장치는 다른 광량을 갖는 복수의 광 빔을 상기 수광 장치로 공급하도록 구성된다.

Description

수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING LIGHT RECEIVING DEVICE AND CALIBRATION METHOD OF LIGHT RECEIVING DEVICE}
기판 처리 장치 및 교정 방법에 관한 예를 설명한다.
예를 들어, ALD 공정에서, 플라즈마 방출은 RF-ON의 명령 출력과 플라즈마 방출 사이의 동기화를 모니터링하거나 플라즈마 방출 강도를 모니터링하기 위한 Si 포토 다이오드 센서에 의해 감지될 수 있다. 그러나, 포토 다이오드 센서의 상태를 진단하기위한 방어 시스템이 존재하지 않고 포토 다이오드 센서의 출력에 개인차가 존재하기 때문에 포토 다이오드 센서의 출력값에 게초한 레벨이 결정될 수 없다.
여기에 설명된 일부 예는 전술한 문제를 해결할 수 있다. 여기에 설명된 일부 예는 수광 장치의 출력 레벨을 결정할 수 있는 수광 장치의 교정 방법 및 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
일부 예에서, 기판 처리 장치는 스테이지를 보유하도록 구성된 챔버, 상기 챔버 내로 광을 수신하도록 구성된 수광 장치, 및 샤프트 및 상기 샤프트의 회전과 함께 회전하도록 구성된 회전 암을 포함하는 기판 이송 장치를 포함하고, 상기 기판 이송 장치는 다른 광량을 갖는 복수의 광 빔을 상기 수광 장치로 공급하도록 구성된다.
도 1은 기판 처리 장치의 구성 예를 도시한다.
도 2는 수광 장치의 특성의 예를 도시한다.
도 3은 기판 처리 장치의 부분 단면도를 도시한다.
도 4a는 도 3의 A-A 선을 따라 취한 단면도이다.
도 4b는 다른 예에 따른 샤프트의 단면도이다.
도 5는 교정 방법의 예를 나타내는 흐름도이다.
도 6a는 수광 장치의 출력의 예를 도시한다.
도 6b는 수광 장치의 출력의 예를 도시한다.
도 6c는 수광 장치의 출력의 예를 도시한다.
도 7a는 교정 전의 복수의 수광 장치의 출력을 도시한다.
도 7b는 교정 후의 복수의 수광 장치의 출력을 도시한다.
도 8은 회전 암으로부터 수광 장치로 광이 공급되는 것을 도시한다.
도 9는 발광 웨이퍼를 도시한다.
도 10은 이중 챔버 모듈 및 발광 웨이퍼를 도시한다.
도면을 참조하여 기판 처리 장치 및 교정 방법에 대해 설명한다. 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 부호로 표시되며 그 설명은 반복되지 않을 수 있다.
도 1은 기판 처리 장치의 구성 예를 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치는 4 개의 챔버 모듈이 챔버(10)에 제공되는 쿼드 챔버 모듈(quad chamber module, QCM)을 형성한다. 챔버 모듈의 수는 특별히 제한되지 않는다. 일례에 따르면, 챔버(10)에는 4 개의 챔버(12, 14, 16, 18)가 제공된다. 챔버(12, 14, 16, 18)는 예를 들어 반응기 챔버로서 제공될 수 있다. 일 예에 따르면, 각 챔버는 플라즈마 처리 장치이다.
스테이지(12a, 14a, 16a 및 18a)는 각각 챔버(12, 14, 16 및 18) 내부에 제공된다. 상기 스테이지는 예를 들어 서셉터이다. 수광 장치(12b, 14b, 16b, 18b)는 각각 챔버(12, 14, 16, 18)의 외부에 제공된다. 일 예에 따르면, 복수의 수광 장치가 복수의 챔버와 일대일 대응으로 제공된다. 예를 들어, 수광 장치(12b, 14b, 16b, 18b)는 각각 챔버의 뷰포트(viewports)를 통해 챔버(12, 14, 16, 18) 내부의 광을 수신할 수 있다. 일 예에 따르면, 수광 장치(12b, 14b, 16b, 18b)는 실리콘 포토 다이오드 센서이다.
챔버(10)에는 기판 이송 장치(20)가 제공된다. 일 예에 따르면, 기판 이송 장치(20)는 샤프트(20a) 및 샤프트(20a)의 회전에 따라 회전하는 회전 암(20b)을 포함한다. 도 1의 예에서, 샤프트(20a)에 고정된 4 개의 회전 암(20b)은 도면(paper)에 수직한 방향으로 연장된 샤프트(20a)의 회전에 따라 회전한다. 기판은 기판 이송 장치(20)에 의해 스테이지 사이에서 이동될 수 있다.
웨이퍼 핸들링 챔버(WHC)(30)가 챔버(10)에 연결된다. WHC(30)에 존재하는 웨이퍼 이송 암은 스테이지(12a 및 14a) 상에 기판을 제공하거나 스테이지(12a 및 14a)로부터 기판을 제거한다.
일 예에 따르면, 공정 모듈 컨트롤러(PMC)(40)는 수광 장치(12b, 14b, 16b, 18b)의 출력을 수신하고, 수광 장치(12b, 14b, 16b, 18b)를 제어하고, 기판 이송 장치(20)를 제어한다. 이 예에서, 고유 플랫폼 컨트롤러(UPC)(42)는 PMC(40)에게 각 모듈을 작동하도록 지시하고, PMC(40)는 지시에 따라 각 모듈을 제어한다. 다른 예에 따르면, 각각의 모듈은 UPC(42) 및 PMC(40)와는 다른 컨트롤러에 의해 제어될 수 있다.
도 2는 수광 장치에 입사되는 광량과 출력 전압과의 관계의 일례를 나타내는 도면이다. 이 예에 따르면, 입사 광량이 160nW 일 때 수광 장치의 출력은 개인차로 인해 약 20 % 정도 달라진다. 또한 하나의 수광 장치의 선형성 오류도 약 5 % 발생한다. 따라서, 수광 장치(12b, 14b, 16b, 18b)를 아무런 조치 없이 사용하는 경우, 그 출력은 레벨 결정에 거의 사용되기 어렵거나 챔버 간의 차이를 파악하는데 사용될 수 없다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 부분 단면도이다. 샤프트(20a)는 z-방향으로 길게 연장되는 회전 샤프트이다. 기판 이송 장치(20)는 챔버(10) 내부 또는 외부에 제공된 구동 메커니즘에 의해 양의 z-방향 및 음의 z-방향으로 이동될 수 있다. 샤프트(20a)는 예를 들어 구멍(20c) 및 구멍(20d)을 갖도록 형성된다. 구멍(20c)은 샤프트(20a) 내에서 z-축과 실질적으로 평행하게 연장되는 구멍이다. 구멍(20d)은 샤프트(20a)에서 연장되어 z-축에 실질적으로 수직이 되도록 그리고 구멍(20c)에 결합되도록 하는 구멍이다. 일 예에 따르면, 샤프트(20a)의 측면에 복수의 구멍(20d)이 제공될 수 있다.
이 예에서, 광원(50)은 챔버(12) 외부에 제공된다. 광원(50)은 챔버(10) 내부에 제공될 수 있다. 그러나, 광원(50)이 챔버(12) 외부에 제공되는 경우, 광원(50)의 유지보수가 용이하다. 광원(50)은 예를 들어 PMC(40)의 제어에 따라 턴 온/오프 된다. 광원(50)은 구멍(20c, 20d)에 광을 공급한다. 일 예에 따르면, 광원(50)은 광섬유에 의해 샤프트(20a)에 연결되고, 그에 따라 광이 구멍(20c, 20d)에 공급될 수 있다. 다른 예에 따르면, 샤프트의 일부에 광원이 삽입 및 제거될 수 있는 캐비티가 제공되고, 광원이 상기 캐비티 내로 제공되며, 그에 따라 구멍(20c, 20d)에도 광이 공급될 수 있다. 또 다른 예에 따르면, 광원은 임의의 위치에 제공될 수 있다.
광원(50)이 턴 온 되면, 광은 구멍(20c, 20d)을 통해 수광 장치로 입사된다. 광은 광원(50)의 발광에 의해 수광 장치(12b, 14b, 16b, 18b)에 입사될 수 있고, 이는 샤프트(20a)의 회전 또는 샤프트(20a)의 회전 및 광원(50)의 발광의 반복과 함께 이루어질 수 있다.
도 4a는 도 3의 선 A-A를 따라 취한 단면도이다. 샤프트(20a)의 측면에는 광원의 광이 통과하는 복수의 구멍(20d)이 제공된다. 이 예에서, 다른 단면적을 갖는 복수의 구멍(20d)이 제공된다. 높은 광 강도의 광은 단면적이 큰 구멍에서 방출되고, 낮은 광 강도의 광은 단면적이 작은 구멍에서 방출된다. 도 4a에서, 4 개의 구멍(20d)으로부터 방출되는 광 La, Lb, Lc 및 Ld는 화살표로 표시된다. 화살표의 두께는 광 강도의 크기를 나타낸다. 광(La)의 광 경로의 단면적, 광(Lb)의 광 경로의 단면적, 광(Lc)의 광 경로의 단면적, 및 광(Ld)의 광 경로의 단면적이 이 순서로 증가하므로, 광의 세기는 광 La < 광 Lb < 광 Lc < 광 Ld의 관계를 만족한다.
도 4b는 다른 예에 따른 샤프트의 단면도이다. 이 예에서, 4개의 구멍(20d)은 실질적으로 동일한 단면적을 갖는다. 4개의 구멍(20d)에는 광 투과율이 서로 다른 광 투과 재료(20e, 20f, 20g, 20h)가 제공된다. 광 투과 재료(20e, 20f, 20g, 20h)는 예를 들어 세라믹이다. 광 투과 재료(20e)는 가장 낮은 광 투과율을 가지며, 광 투과 재료(20f, 20g, 20h)가 그 뒤를 잇는다. 그 결과, 광 강도는 광 La < 광 Lb < 광 Lc < 광 Ld의 관계를 만족한다.
도 4a 및 도 4b의 예에서, 하나의 광원으로부터 방출된 광은 샤프트(20a) 내부를 통과하여 광 강도가 서로 다른 복수의 광 빔으로 분할되고, 분할된 광은 수광 장치로 공급된다. 샤프트의 모양이나 재질을 도 4a 및 도 4b에서의 방법과 다른 방법으로 조절함으로써, 상이한 광 강도를 갖는 복수의 광 빔이 공급될 수 있다.
일 예에 따르면, 복수의 수광 장치의 교정 방법은 하나의 광원으로부터 복수의 수광 장치에 광이 입사되는 것을 허용하고, 이어서 복수의 수광 장치가 하나의 광원으로부터 동일한 광량을 갖는 광을 수신할 때 복수의 수광 장치의 출력이 서로 동일하도록 시스템 교정을 수행하는 것을 포함한다. 이러한 시스템 교정은 스케일링으로도 지칭된다.
도 5는 수광 장치의 교정 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다. 먼저, 단계 S1에서, 광량 또는 광 강도가 서로 다른 복수의 광 빔이 위에서 설명한 방식으로 샤프트(20a)의 측면으로부터 수광 장치(12b, 14b, 16b, 18b)로 입사된다. 일 실시 예에 따르면, 샤프트(20a)의 회전에 따라 광이 연속적으로 또는 단속적으로 공급되고, 따라서 모든 수광 장치에 다른 광 강도를 갖는 복수의 광 빔이 순차적으로 입사된다. 예를 들어, 광 La, Lb, Lc, Ld는 수광 장치(12b)에 순차적으로 입사되고, 광 La, Lb, Lc, Ld는 수광 장치(14b)에 순차적으로 입사되며, 광 La, Lb, Lc, Ld는 수광 장치(16b)에 순차적으로 입사되고, 광 La, Lb, Lc, Ld는 수광 장치(18b)에 순차적으로 입사된다.
그러면, 전술한 바와 같이, 동일한 광 강도를 갖는 광 La, Lb, Lc, Ld이 모든 수광 장치에 입사하더라도 수광 장치의 오차로 인해 수광 장치의 출력이 달라진다. 도 6a는 단계 S1에서 획득된 수광 장치(12b, 14b, 16b, 18b)의 출력의 예를 나타내는 도면이다. 이 도면에서 분명한 바와 같이, 수광 장치의 특성 변동으로 인해 동일한 광 입력에 대해 출력의 변동이 발생한다.
이러한 출력 변동이 단계 S1에서 검출되면, 프로세스는 단계 S2로 진행한다. 단계 S2에서, PMC(40) 및 UPC(42)로 예시된 컨트롤러는 하나의 광원으로부터 동일한 광량을 갖는 광을 수신하는 복수의 수광 장치의 출력이 서로 동일하도록 시스템 교정을 수행한다. 도 6b는 복수의 수광 장치의 출력이 시스템 교정에 의해 동일하게 되는 것을 예시하는 도면이다. 단계 S2의 교정에 의해, 동일한 광 강도의 광을 수광하는 복수의 수광 장치의 출력을 동일하게 할 수 있다.
한편, 예를 들어, 도 6b에 도시된 관계가 단계 S1에서 획득되는 경우, 그러한 시스템 교정은 당연히 불필요하다.
이후, 교정을 통한 또는 교정이 수행되지 않은 상태의 수광 장치의 광 입력과 출력 사이의 관계가 S3 단계에서 초기 로그(initial log)로서 예를 들어 컨트롤러 또는 외부 저장 장치에 저장된다.
그 후, 예를 들어 기판 처리 장치를 사용한 기판의 처리 또는 기판의 이송이 수행되고 일정 시간이 경과한 후, 프로세스는 단계 S4로 진행한다. 단계 S4에서, 시스템 교정 시의 광량과 동일한 광량을 갖는 광이 하나의 광원으로부터 복수의 수광 장치에 입사된다. 예를 들어, 광 La, Lb, Lc, Ld는 모든 수광 장치에 의해 순차적으로 수신된다. 이후, 복수의 수광 장치의 출력이 서로 동일하게 유지되는지 확인한다. 이러한 확인은 수광 장치의 획득된 출력과 단계 S3에서 저장된 초기 로그 사이의 비교에 의해 수행될 수 있다.
단계 S4에서 획득된 수광 장치의 출력 중 적어도 하나가 초기 로그와 일치하지 않는 경우, 프로세스는 단계 S5로 진행한다. 도 6c는 그러한 미스 매치의 예를 도시하는 도면이다. 이 예에서, 시스템 교정 시와 동일한 광량의 광이 수신되면 수광 장치(12b, 14b, 16b)의 출력은 초기 로그와 일치하지만, 수광 장치(18b)의 출력은 초기 로그와 일치하지 않는다. 초기 로그와 일치하지 않는 출력을 갖는 수광 장치는 출력 변동 장치로 지칭된다. 출력 변동 장치가 존재하면, 출력 변동 장치의 출력과 초기 로그 사이의 차이가 임계치를 초과하는지 여부를 판단한다. 즉, 출력 변동 장치의 출력 변화량이 임계 값을 초과하는지 여부가 판단된다. 예를 들어, 도 6c의 예에서 출력 변동 장치의 출력이 상한값 UL과 하한값 LL 사이의 범위에 있는지가 결정된다. 출력 변동 장치의 출력이 상한값 UL과 하한값 LL 사이의 범위에 있을 때, 프로세스는 단계 S6으로 진행하고, 시스템은 복수의 수광 장치의 출력이 서로 동일하게 되도록 재-교정된다. 예를 들어, 출력 변동 장치의 출력이 초기 로그와 일치하도록 교정이 수행된다.
반면에, 출력 변동 장치의 출력 변화량이 임계 값을 초과하면, 단계 S7에서 경보가 발생한다. 도 6c의 예에서, 출력 변동 장치인 수광 장치(18b)의 출력이 하한값 LL보다 낮기 때문에, 경보가 발행된다.
복수의 수광 장치의 최신 출력 값이 단계 S4에서 초기 로그와 일치하면, 프로세스는 재-교정 없이 종료된다. 단계 S4 내지 S7은 주기적으로 또는 특정 프로세스의 종료 후에 수행될 수 있다. 주기적인 재-교정의 필요성 또는 경보의 필요성을 확인함으로써 시간의 경과에 따라 수광 장치의 출력이 일정한 입력에 대해 변화하는 것을 방지할 수 있다. 교정 과정과 재-교정 과정은 컨트롤러의 자동 처리로 수행될 수 있다.
이러한 방식으로 복수의 수광 장치의 출력을 교정함으로써, 예를 들어 플라즈마 방출을 수반하는 기판 처리에서 수광 장치의 출력 레벨이 결정될 수 있다. 예를 들어, 복수의 챔버에서 실질적으로 동일한 플라즈마가 생성되는지 조사하고, 복수의 챔버에서 소정 범위의 발광 강도를 갖는 플라즈마가 생성되는지 조사할 수 있다. 특정 챔버에서 의도한 방출 세기를 갖는 플라즈마가 생성되지 않는 경우, 의도된 방출 세기를 갖는 플라즈마를 구현하기 위해 챔버의 처리 조건이 변경될 수 있다. 예를 들어, 고주파 전력을 조절하거나 챔버에 공급되는 가스가 조절될 수 있다. 다른 예에 따르면, 수광 장치의 출력은 기판의 공정 조건으로 피드백 될 수 있다.
도 7a 및 도 7b는 복수의 수광 장치의 출력이 교정 또는 재-교정에 의해 통일되는 것을 간단히 도시하는 도면이다. RC# 기호는 반응기 챔버 번호를 나타낸다.
도 3의 예에서, 광원(50)의 광은 샤프트(20a)에 의해 복수의 광빔으로 분할된다. 그러나, 다른 예에 따르면, 광원의 광은 기판 이송 장치의 임의의 부분에서 분할되고, 상이한 광 강도를 갖는 복수의 광 빔이 수광 장치에 공급될 수 있다. 예를 들어, 광원의 광은 회전 암으로부터 수광 장치로 공급될 수 있다.
도 8은 회전 암으로부터 수광 장치로 광이 공급되는 것을 나타내는 도면이다. 복수의 회전 암(20b)은 광을 투과시키는 광 투과 재료로 형성된다. 광 투과 재료의 예로서 석영 또는 반투명 세라믹이 사용될 수 있다.
샤프트(20a)에는 z-축에 실질적으로 평행한 방향으로 연장되는 구멍(20c)과 샤프트(20a)의 측면으로부터 구멍(20c)으로 연장되는 복수의 구멍(20d)이 제공된다. 샤프트(20a)의 측면에 제공된 복수의 구멍(20d)은 도 4a에 도시 된 바와 같이 상이한 단면적을 갖는 구멍일 수 있다. 다른 예에 따르면, 복수의 구멍(20d)에는 도 4b에 도시된 바와 같이 서로 광 투과율이 다른 광 투과 재료가 제공될 수도 있다.
복수의 회전 암(20b)은 복수의 구멍(20d)과 일대일 대응하여 제공될 수 있다. 예를 들어, 하나의 구멍(20d)의 출구에 인접하여 하나의 회전 암이 제공된다. 광원으로부터의 빛은 구멍(20c) 및 복수의 구멍(20d)을 통과하고, 복수의 회전 암이 발광하여 복수의 수광 장치로 광이 공급된다.
다른 예에 따르면, 교정 또는 재-교정을 위한 광은 발광 웨이퍼로부터 수광 장치로 공급될 수 있다. 도 9는 발광 웨이퍼(60) 및 나머지 부분의 단면도이다. 일 예에 따르면, 발광 웨이퍼(60)는 형광 물질을 포함하고, 배터리와 발광 소자를 포함하거나, LED를 포함하여 빛을 방출한다. 다른 예에 따르면, 발광 웨이퍼(60)는 사이버 옵틱스 주식회사(cyber optics Corp.)에서 제공하는 오토 티칭 시스템(Auto teaching system)에 사용되는 LED-탑재 티칭 웨이퍼를 사용할 수 있다. 일 예에 따르면, 발광 웨이퍼(60)는 다른 광량을 갖는 복수의 광 빔을 복수의 수광 장치로 공급한다. 발광 웨이퍼(60)는 제품 웨이퍼에 사용되는 이송 시스템에 의해 챔버로 제공되거나 챔버 밖으로 꺼내어질 수 있다.
발광 웨이퍼(60)는 특정 챔버의 스테이지 상에 배치되고, 챔버 내부를 모니터링하는 수광 장치에 광을 공급한다. 그 다음, 발광 웨이퍼(60)는 다른 챔버의 스테이지 상에 배치되고, 챔버 내부를 모니터링하는 수광 장치에 광을 공급한다. 따라서, 이와 같이 발광 웨이퍼의 이동과 수광 소자로의 기준 광 공급이 반복적으로 수행되고, 하나의 발광 웨이퍼(60)로부터 모든 수광 소자로 기준 광이 공급된다.
다른 예에 따르면, 발광 웨이퍼(60)는 회전 암 상에 배치되고, 회전 암의 회전을 이용하여 발광 웨이퍼로부터 복수의 수광 소자로 광이 입사된다.
도 10은 듀얼 챔버 모듈(dual chamber module, DCM)(51)과 발광 웨이퍼(60)를 도시한 도면이다. DCM(51)의 경우, 발광 웨이퍼(60)는 챔버(52) 내 스테이지(52a) 상에 배치되고, 기준 광은 발광 웨이퍼(60)로부터 수광 장치(52b)로 공급된다. 또한, 발광 웨이퍼(60)는 챔버(54) 내의 스테이지(54a) 상에 배치되고, 기준 광은 발광 웨이퍼(60)로부터 수광 장치(54b)로 공급된다.
예를 들어, 도 5의 수광 장치의 교정 또는 재-교정을 위한 처리는 기준 광이 기판 이송 장치로부터 수광 장치로 공급되는 경우 및 기준 광이 발광 웨이퍼로부터 수광 장치로 공급되는 경우에 동일하게 적용된다.

Claims (18)

  1. 기판 처리 장치로서,
    스테이지를 보유하도록 구성된 챔버;
    상기 챔버 내로 광을 수신하도록 구성된 수광 장치; 및
    샤프트 및 상기 샤프트의 회전과 함께 회전하도록 구성된 회전 암을 포함하는 기판 이송 장치를 포함하고,
    상기 기판 이송 장치는 다른 광량을 갖는 복수의 광 빔을 상기 수광 장치로 공급하도록 구성된, 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    광원을 더 포함하고,
    상기 기판 이송 장치는 상기 광원의 광을 분할하여 복수의 광 빔을 공급하도록 구성되는, 기판 처리 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    광원을 더 포함하고,
    복수의 구멍이 상기 샤프트의 측면 상에 제공되고, 상기 복수의 구멍은 상기 광원의 광을 통과시키도록 구성되는, 기판 처리 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 복수의 구멍은 각각 다른 단면적을 갖는, 기판 처리 장치.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 복수의 구멍에는 광 투과율이 서로 다른 광 투과 재료가 제공되는, 기판 처리 장치.
  6. 청구항 2 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광원은 상기 챔버 외부에 제공되는, 기판 처리 장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    광원; 및
    복수의 상기 회전 암을 더 포함하고,
    상기 복수의 회전 암은 광을 투과시키는 광 투과 재료로 형성되고,
    상기 샤프트의 측면 상에 복수의 구멍이 제공되고, 상기 복수의 구멍은 상기 광원의 빛을 통과시키도록 구성되고,
    상기 복수의 회전 암은 상기 복수의 구멍과 일대일 대응으로 제공되는, 기판 처리 장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 복수의 구멍은 각각 다른 단면적을 갖는, 기판 처리 장치.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 복수의 구멍에는 광 투과율이 서로 다른 광 투과 재료가 제공되는, 기판 처리 장치.
  10. 청구항 7 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광원은 상기 챔버 외부에 제공되는, 기판 처리 장치.
  11. 교정 방법으로서,
    하나의 광원으로부터 복수의 챔버와 일대일 대응하여 제공되는 복수의 수광 장치에 광을 입사시키는 단계; 및
    상기 복수의 수광 장치가 상기 하나의 광원으로부터 동일한 광량을 갖는 광을 수신할 때 상기 복수의 수광 장치의 출력이 서로 동일하도록 시스템 교정을 수행하는 단계를 포함하는, 교정 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 시스템 교정은 다른 광 강도를 갖는 복수의 광 빔이 상기 복수의 수광 장치에 순차적으로 입사되도록 함으로써 수행되는, 교정 방법.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 복수의 챔버는 QCM(quad chamber module)을 포함하고,
    상기 광은 상기 기판 이송 장치를 연속적으로 또는 단속적으로 회전시키는 동안 샤프트와 회전 암을 포함하는 기판 이송 장치로부터 광을 공급함으로써 입사되는, 교정 방법.
  14. 청구항 11에 있어서,
    상기 복수의 챔버는 QCM을 포함하고,
    상기 광은 상기 QCM의 스테이지 상에 발광 웨이퍼를 제공함으로써 입사되는, 교정 방법.
  15. 청구항 11에 있어서,
    상기 복수의 챔버는 DCM(dual chamber module)을 포함하고,
    상기 광은 상기 DCM의 스테이지 상에 발광 웨이퍼를 제공함으로써 입사되는, 교정 방법.
  16. 청구항 11에 있어서,
    상기 복수의 챔버 각각은 플라즈마 처리 장치인, 교정 방법.
  17. 청구항 11에 있어서,
    상기 시스템 교정 이후, 상기 시스템 교정 시점에서의 광량과 동일한 광량의 빛이 상기 복수의 수광 장치에 입사되도록 하고, 상기 복수의 수광 장치의 상기 출력이 서로 동일하게 유지되는지 확인하는 단계를 더 포함하는, 교정 방법.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 확인하는 단계에서 동일한 출력으로 유지되지 않는 수광 장치로서 기능하는 출력 변동 장치가 존재하는 경우:
    상기 출력 변동 장치의 출력 변화량이 임계값을 초과하지 않는 경우 상기 복수의 수광 장치의 출력이 서로 동일하도록 시스템 재-교정을 수행하고, 상기 출력 변동 장치의 상기 출력 변화량이 상기 임계값을 초과하는 경우 알람을 발행하는 단계를 더 포함하는, 교정 방법.
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