KR20130116294A - 이중전구 램프헤드 제어 방법론 - Google Patents
이중전구 램프헤드 제어 방법론 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130116294A KR20130116294A KR1020137015984A KR20137015984A KR20130116294A KR 20130116294 A KR20130116294 A KR 20130116294A KR 1020137015984 A KR1020137015984 A KR 1020137015984A KR 20137015984 A KR20137015984 A KR 20137015984A KR 20130116294 A KR20130116294 A KR 20130116294A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- lamp
- lamps
- illuminance
- output
- determining
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 43
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 43
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 claims description 34
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 8
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 6
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004439 roughness measurement Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
- H05B41/14—Circuit arrangements
- H05B41/36—Controlling
- H05B41/38—Controlling the intensity of light
- H05B41/39—Controlling the intensity of light continuously
- H05B41/392—Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor
- H05B41/3921—Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor with possibility of light intensity variations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
- H05B41/14—Circuit arrangements
- H05B41/36—Controlling
- H05B41/38—Controlling the intensity of light
- H05B41/39—Controlling the intensity of light continuously
- H05B41/392—Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor
- H05B41/3921—Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor with possibility of light intensity variations
- H05B41/3922—Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor with possibility of light intensity variations and measurement of the incident light
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Testing Resistance To Weather, Investigating Materials By Mechanical Methods (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
본원 발명은 일반적으로 조도 균일도를 높이기 위해서 UV 램프 출력을 제어하는 방법들에 관한 것이다. 일반적으로, 그러한 방법들은 챔버 내의 기준선(baseline) 조도를 결정하는 단계, 제 1 램프 및 제 2 램프에 상응하는 기판 상의 상대적인 조도를 결정하는 단계, 및 상기의 상대적인 조도들 및 상기 기준선 조도를 기초로 교정 또는 보상 인자들을 결정하는 단계를 포함한다. 이어서, 램프들을 희망하는 출력으로 개별적으로 조정하기 위해서, 교정 또는 보상 인자들을 이용하여 폐쇄 루프(closed loop) 제어를 통해서 램프들이 조정된다. 램프들을 희망하는 출력으로 조정하기에 앞서서, 선택적으로 램프들이 같은 조도들로 조정될 수 있을 것이다. 폐쇄 루프 제어는 기판 마다의(from substrate to substrate) 프로세스 균일도를 보장한다. 조도 측정 및 교정 또는 보상 인자들은, 챔버 성분 저하, 챔버 성분 교체, 또는 챔버 세정에 기인한 램프 설정점들(set points)의 조정을 허용한다.
Description
본원 발명의 실시예들은 일반적으로 기판을 자외선 경화하는 방법에 관한 것이다.
실리콘 산화물, 실리콘 탄화물 및 탄소-도핑형 실리콘 산화물 필름들과 같은 재료들은 반도체 소자들의 제조에서의 광범위한 이용을 모색하고 있다. 그러한 실리콘-함유 필름들을 기판 상에 형성하기 위한 하나의 접근방식은 화학기상증착(CVD)의 프로세스를 통한 것이다. CVD 필름들의 형성에 이어서, 자외선(UV) 복사선이 증착된 필름들의 경화 및 조밀화(densify)를 위해서 이용될 수 있다.
UV 복사선을 기판으로 공급하는 하나의 방식은 UV 복사선 램프들을 이용한다. UV 램프 시스템들에서 사용되는 전구들은 소모성 항목들이며, 그러한 전구들의 수명은, 전체 동작 시간, 시작들(starts)의 수, 대기 모드에서의 시간, 전력 레벨, 및 다른 조건들을 포함하는 많은 수의 인자들에 의해서 결정된다. UV 전구들이 그들의 유효 수명의 종료점에 근접함에 따라, 전구들의 출력이 변화되고, 그에 따라 기판-대-기판 프로세싱 균일도에 영향을 미친다. 추가적으로, 챔버 내의 UV 전구들이 모두 동시에 교체되지 않을 수 있으며, 그에 따라 동일한 램프 헤드 내의 UV 전구들이 상이한 출력 레벨들을 가질 수 있을 것이다. 챔버 내의 불균일한 출력은 프로세싱되는 기판들에 걸친 프로세스 균일도에 영향을 미친다.
따라서, 프로세스 균일도를 높이기 위해서 UV 전구 출력의 제어를 개선할 필요성이 존재한다.
본원 발명은 일반적으로 조도(irradiance) 균일도를 높이기 위해서 UV 램프 출력을 제어하는 방법들에 관한 것이다. 일반적으로, 그러한 방법들은 챔버 내의 기준선(baseline) 조도를 결정하는 단계, 제 1 램프 및 제 2 램프에 상응하는 기판 상의 상대적인 조도를 결정하는 단계, 및 상기의 상대적인 조도들 및 상기 기준선 조도를 기초로 교정 또는 보상 인자들을 결정하는 단계를 포함한다. 이어서, 램프들을 희망하는 출력으로 개별적으로 조정하기 위해서, 교정 또는 보상 인자들을 이용하여 폐쇄 루프(closed loop) 제어를 통해서 램프들이 조정된다. 램프들을 희망하는 출력으로 조정하기에 앞서서, 선택적으로 램프들이 같은 조도들로 조정될 수 있을 것이다. 폐쇄 루프 제어는 기판 마다의(from substrate to substrate) 프로세스 균일도를 보장한다. 조도 측정 및 교정 또는 보상 인자들은, 챔버 성분 저하(chamber component degradation), 챔버 성분 교체, 또는 챔버 세정에 기인한 램프 설정점들(set points)의 조정을 허용한다.
본원 발명의 앞서 인용한 특징들이 구체적으로 이해될 수 있는 방식으로, 첨부된 도면들에 일부가 도시된 실시예들을 참조하여, 앞서서 간략하게 요약한 본원 발명의 보다 특별한 설명이 이루어진다. 그러나, 본원 발명이 다른 동일한 효과의 실시예들에 대해서도 인정되기 때문에, 첨부 도면들이 본원 발명의 전형적인 실시예들만을 도시한 것이고 그에 따라 본원 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것을 주지하여야 할 것이다.
도 1은 UV 경화를 위해서 구성된 직렬형(tandem) 프로세스 챔버의 부분적인 개략도이다.
도 2a는 도 1의 직렬형 프로세스 챔버의 UV 경화 챔버들 중 하나의 개략도이다.
도 2b는 UV 경화 챔버를 위한 UV 램프 헤드의 개략적인 저면도이다.
도 2c는 UV 경화 챔버를 위한 이차적인 반사부(secondary reflector)의 개략도이다.
도 3은 UV 경화 챔버 내의 UV 세기를 조정하기 위한 하나의 실시예를 도시하는 흐름도이다.
도 4는 UV 경화 챔버 내의 UV 세기를 조정하기 위한 다른 실시예를 도시한 흐름도이다.
이해를 돕기 위해서, 가능한 경우에, 도면들에서 공통되는 동일한 요소들을 나타내기 위해서 동일한 참조 번호들을 사용하였다. 특별한 언급이 없이도, 일 실시예에 개시된 요소들이 다른 실시예들에서 유리하게 이용될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 UV 경화를 위해서 구성된 직렬형(tandem) 프로세스 챔버의 부분적인 개략도이다.
도 2a는 도 1의 직렬형 프로세스 챔버의 UV 경화 챔버들 중 하나의 개략도이다.
도 2b는 UV 경화 챔버를 위한 UV 램프 헤드의 개략적인 저면도이다.
도 2c는 UV 경화 챔버를 위한 이차적인 반사부(secondary reflector)의 개략도이다.
도 3은 UV 경화 챔버 내의 UV 세기를 조정하기 위한 하나의 실시예를 도시하는 흐름도이다.
도 4는 UV 경화 챔버 내의 UV 세기를 조정하기 위한 다른 실시예를 도시한 흐름도이다.
이해를 돕기 위해서, 가능한 경우에, 도면들에서 공통되는 동일한 요소들을 나타내기 위해서 동일한 참조 번호들을 사용하였다. 특별한 언급이 없이도, 일 실시예에 개시된 요소들이 다른 실시예들에서 유리하게 이용될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본원 발명은 일반적으로 조도 균일도를 높이기 위해서 UV 램프 출력을 제어하는 방법들에 관한 것이다. 일반적으로, 그러한 방법들은 챔버 내의 기준선 조도를 결정하는 단계, 제 1 램프 및 제 2 램프에 상응하는 기판 상의 상대적인 조도를 결정하는 단계, 및 상기의 상대적인 조도들 및 상기 기준선 조도를 기초로 교정 또는 보상 인자들을 결정하는 단계를 포함한다. 이어서, 램프들을 희망하는 출력으로 개별적으로 조정하기 위해서, 교정 또는 보상 인자들을 이용하여 폐쇄 루프 제어를 통해서 램프들이 조정된다. 램프들을 희망하는 출력으로 조정하기에 앞서서, 선택적으로 램프들이 같은 조도들로 조정될 수 있을 것이다. 폐쇄 루프 제어는 기판 마다의 프로세스 균일도를 보장한다. 조도 측정 및 교정 또는 보상 인자들은, 챔버 성분 저하, 챔버 성분 교체, 또는 챔버 세정에 기인한 램프 설정점들의 조정을 허용한다.
본원 발명의 실시예들은 미국 캘리포니아 산타클라라에 소재하는 Applied Materials, Inc.로부터 입수할 수 있는 NANOCURETM 에서 실행될 수 있을 것이다. 다른 제조자들로부터의 챔버들을 포함하는 다른 챔버들이 또한 본원에 개시된 실시예들로부터 이득을 취할 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 UV 경화를 위해서 구성된 직렬형 프로세스 챔버(100)의 부분적인 개략도이다. 예시적인 직렬형 프로세스 챔버로는 미국 캘리포니아 산타클라라에 소재하는 Applied Materials, Inc.로부터 입수할 수 있는 PRODUCERTM 이 있다. 직렬형 프로세스 챔버(100)는 하나 이상의 기판들을 내부에서 프로세싱하도록 각각 구성된 2개의 UV 경화 챔버들(101)을 포함한다. UV 경화 챔버들의 각각은 일반적으로 벽(미도시)에 의해서 분리된다. 직렬형 프로세스 챔버(100)는 본체(102)와 상기 본체(102)에 대해서 힌지되는(hinged) 덮개(104)를 포함한다. 덮개의 상부 표면에는 제 1 하부 하우징(106a) 및 제 2 하부 하우징(106b)이 커플링된다. 하부 하우징들(106a, 106b)의 각각은 이차적인 반사부를 내부에서 유지하도록 구성된다. 하부 하우징들(106a, 106b)의 각각의 위쪽에는 상부 하우징들(108a, 108b)이 각각 배치된다. 각각의 상부 하우징(108a, 108b)이 회전될 수 있고, 그리고 UV 복사선을 하부 하우징들(106a, 106b)을 통해서 그리고 상기 본체(102) 내로 제공하기 위해서 내부에 배치된 램프 헤드를 구비하며, 상기 본체(102) 내에는 하나 또는 둘 이상의 기판이 UV 복사선을 수용하도록 배치될 수 있을 것이다.
도 2a는 도 1의 직렬형 프로세스 챔버(100)의 UV 경화 챔버들(101) 중 하나의 개략도이다. UV 경화 챔버(101)는 UV 램프 헤드(210), 이차적인 반사부(220), 석영 윈도우(222), 기판 지지부(224), 및 제어기들(229)을 포함한다. UV 램프 헤드(210)는 상부 하우징(108a) 내에 배치되고 그리고 2개의 UV 램프들(212a 및 212b)을 포함한다. 각각의 UV 램프(212a, 212b)는 UV 전구(214a, 214b)를 포함한다. 일차적인 반사부(216a)는 UV 전구(214a) 위에 그리고 그 주위에 배치되고 그리고 UV 전구(214a)로부터 석영 윈도우(222)를 통해서 기판 지지부(224)를 향해서 UV 복사선을 지향시키도록 구성된다. 유사하게, 일차적인 반사부(216b)는 UV 전구(214b) 위에 그리고 그 주위에 배치되고 그리고 UV 전구(214b)로부터 석영 윈도우(222)를 통해서 기판 지지부(224)를 향해서 UV 복사선을 지향시키도록 구성된다. UV 전구들(214a 및 214b)의 출력 또는 세기가 각각의 제어기들(229)에 의해서 제어된다. 비록 각각의 UV 경화 챔버(101)의 각각의 UV 램프(212a, 212b)가 자체적인 제어기(229)를 가지는 것으로 도시되어 있지만, 하나의 제어기를 이용하여 직렬형 프로세스 챔버(100)의 모든 양태들(aspects)을 제어할 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
이차적인 반사부(220)는 하부 하우징들(106a) 내에 위치되고 그리고 UV 램프 헤드(210)와 반도체 기판(226) 사이에 배치된다. 이차적인 반사부(220)는 UV 램프들(212a 및 212b)의 하부 표면에 커플링되고, 그리고 회전가능한 상부 하우징들(108a, 108b)에 커플링된 램프들(212a 및 212b)과 함께 회전될 수 있다. 이차적인 반사부(220)의 하부 엣지는 기판(226)의 지름 보다 작은 내경을 가지고, 그에 따라, 램프 헤드(210)의 방향으로부터 관찰할 때, 이차적인 반사부(220)와 기판(226)의 외경 사이에는 광학적인 갭이 존재하지 않는다. 이차적인 반사부(220)는 UV 복사선을 반사하는 채널링 효과(channeling effect)를 가지며, 그에 따라 복사선이 UV 경화되는 기판(226) 상으로 충돌(impinge)하게 될 것이며, 상기 채널링 효과가 없는 경우에 UV 복사선이 일차적인 반사부의 플러드 패턴(flood pattern)의 경계 외부로 가게 될 것이다(fall). 따라서, 기판(226)에 대해서 분배된 에너지의 세기가 증가된다. 이차적인 반사부(220)는 UV 램프들(212a, 212b)의 플러드 패턴을 실질적으로 직사각형인 구역(area)으로부터 실질적으로 원형인 형상으로 변경하며, 상기 실질적으로 원형인 형상은 기판(226)의 실질적으로 원형이 형상에 상응한다. 센서(225)가 하부 하우징(106a)의 내측 표면에 커플링되고 그리고 이차적인 반사부(220)가 회전될 때 이차적인 반사부(220) 내에 배치된 홀들을 통해서 UV 복사선을 감지하도록 배치된다.
석영 윈도우(222)가 램프 헤드(210)와 기판(226) 사이에 배치된다. 작은 갭(228)이 이차적인 반사부(220)의 하단부와 석영 윈도우(222) 사이에 존재하여, 공기가 이차적인 반사부(220) 주위로 유동하여 냉각을 도울 수 있게 한다. 공기 유동은 하부 하우징(106a) 내에 배치된 하나 또는 둘 이상의 개구부들을 통해서 이차적인 반사부 및 석영 윈도우로 제공될 수 있을 것이다.
UV 전구들(214a 및 214b)은 마이크로파 아아크(arc) 램프들이나; 펄스형 크세논 플래시 램프들 또는 고-효율 UV 광 방출 다이오드 어레이들을 포함하는, 다른 타입의 UV 공급원들도 고려될 수 있다. UV 전구들(214a 및 214b)은, 마이크로파 발생기들과 같은 전력 공급원들에 의해서 여기 되기 위한 크세논 또는 수은과 같은 하나 또는 둘 이상의 가스들로 충진된 밀봉형 플라즈마 전구들이다. 마이크로파 발생기들은 UV 전구들(214a 및 214b) 내의 가스들을 여기시키기 위한 하나 또는 둘 이상의 마그네트론들(magnetrons)을 포함한다. 그 대신에, 무선 주파수(RF) 에너지 공급원들을 이용하여 UV 전구들(214a 및 214b) 내의 가스들을 여기시킬 수 있을 것이다. RF 여기가 용량형 또는 유도형(capacitive or inductive)이 될 수 있으나; 유도 결합형(coupled) 플라즈마 전구가 보다 조밀한 플라즈마의 생성에 의해서 보다 큰 전구 광도(brilliancy)를 보다 효과적으로 생성할 수 있다.
바람직하게, UV 전구들(214a 및 214b)은 180 nm로부터 400 nm까지의 넓은 대역의 파장들에 걸쳐 광을 방출한다. UV 전구들(214a 및 214b) 내에서 이용하기 위해서 선택된 가스들은 일반적으로 방출되는 복사선의 파장들을 결정한다. 산소가 UV 경화 챔버(101) 내에 존재할 때 보다 짧은 파장들이 오존을 발생시키는 경향을 가지기 때문에, 경화 프로세스들 중의 오존 발생을 회피하기 위해서 200 nm 초과의 광대역 UV 광을 주로 생성하도록, UV 전구들(214a 및 214b)에 의해서 방출되는 UV 광이 튜닝된다(tuned).
도 2b는 UV 경화 챔버(101)를 위한 UV 램프 헤드(210)의 개략적인 저면도이다. UV 램프 헤드(210)는 2개의 램프들(212a, 212b)을 수용하고, 각각의 램프는 세장형의 UV 전구들(214a, 214b)을 포함한다. 전구들은, 일차적인 반사부들(216a, 216b) 및 이차적인 반사부(220)에 의해서 기판(226)으로 지향되는 UV 복사선을 생성한다. 일차적인 반사부(216a)는 갭을 사이에 가지는 부분(260a) 및 부분(261a)으로 형성된다. 유사하게, 일차적인 반사부(216b)는 갭을 사이에 가지는 부분(260b) 및 부분(261b)으로 형성된다. 비록 UV 램프 헤드(210)가 2개의 세장형 전구들을 포함하는 것으로 도시되어 있지만, UV 램프 헤드(210)가 2개 초과의 전구들을 포함할 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
도 2c는 UV 경화 챔버(101)를 위한 이차적인 반사부(220)의 개략도이다. 부분(238)이 램프들(212a) 근처에 위치되도록, 그리고 부분(240)이 램프(212b) 근처에 위치되도록, 이차적인 반사부(220)가 챔버 내에서 배향된다. 이차적인 반사부는 기판(226)을 향해서 UV 복사선을 지향시킬 뿐만 아니라, UV 경화 챔버(101) 내의 다양한 성분들에 의해서 발생된 또는 반사된 UV 복사선 세기의 측정을 가능하게 한다. 이차적인 반사부(220)는 UV 경화 챔버(101) 내의 독립적인 성분들을 모니터링하기 위한 광 파이프들(230-235)을 포함한다. 비록 "파이프"라는 용어를 사용하였지만, 광 파이프들(230-235)은 이차적인 반사부(220)의 벽을 통해서 배치된 단순한 홀들일 수 있고, 그리고 이차적인 반사부의 외측 벽에 커플링된 세장형 튜브를 포함할 수 있을 것이고 또는 포함하지 않을 수 있을 것이다. UV 복사선 세기를 측정하도록 구성된 센서(225)가 이차적인 반사부(220) 근처에서 하부 하우징에 커플링된다. 센서(225)는, 이차적인 반사부(220)가 프로세싱 중에 회전되는 동안, 광 파이프들(230-235)의 각각으로부터 빠져나오는 UV 복사선을 수신하도록 배치된다. 센서(225)가 제어기들(229)에 연결되고 그리고 UV 세기 정보를 제어기들(229)로 제공하도록 구성된다.
기판에 도달하는 UV 복사선의 양은 UV 전구들(214a, 214b)로부터 방출되는 UV 복사선뿐만 아니라 일차적인 반사부들(216a, 216b)의 부분들(260a, 260b, 261a, 및 261b)로부터 반사된 광의 함수이다. 이러한 함수는 일반적으로 실험적으로 결정되고, 그리고 이러한 함수가 일반적으로 각각의 개별적인 UV 경화 챔버(101)에서 상이하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러한 함수는, 이용되는 UV 전구의 타입, 일차적인 및 이차적인 반사부들의 반사도, UV 전구들 및 반사부들에 대한 기판의 위치, 및 챔버 치수들, 그리고 다른 인자들(among other factors)에 따라서 달라진다.
각각의 광 파이프들(230-235)은, 광 파이프들(230-235)이 정지된 센서(225)를 지나서 회전될 때 하나의 특정 챔버 성분으로부터의 광 만이 통과할 수 있게 허용하고 그리고 센서(225)와 접촉할 수 있게 허용하는 각도로, 이차적인 반사부(220)에 커플링된다. 개별적인 광 파이프의 영역 내의 이차적인 반사부(220)의 벽의 두께에 따라서, 이차적인 반사부(220)의 벽을 통해서 형성된 홀 또는 슬롯 내로 알루미늄 튜브를 삽입함으로써 광 파이프의 길이가 연장될 수 있을 것이다. 광 파이프 내의 반사율(reflectance)의 영향들을 줄이기 위해서 그리고 특별한 허용(acceptance) 각도 내의 복사선 광선들만이 센서(225)에 도달하도록 보장하기 위해서, 광 파이프의 내부 표면들이 적절한 광 흡수 재료로 라이닝되거나(lined) 코팅될 수 있을 것이다. 그 대신에, 광 파이프들(230-235)의 벽과 접촉하는 원치 않는 광을, 복수의 반사들을 통해서, 소산시키기(dissipate) 위한 조질화된 또는 텍스쳐링된(textured) 표면을 가지도록 광 파이프의 내부 표면을 처리할 수 있을 것이다.
UV 경화 챔버(101)의 개별적인 성분들을 모니터링하는데 있어서, 광 파이프들(230-235)이 희망하는 성분에 의해서 발생된 또는 반사된 광선들 만이 해당 성분을 모니터링하는 광 파이프의 단부의 센서에 도달할 수 있게 허용하는 것이 바람직할 것이다. 일부 경우들에서, 센서(225)에 도달하는 광선들의 100 퍼센트가 단일 성분으로부터 기원하도록 광 파이프를 디자인하는 것이 실용적이지 못할 수 있을 것이다. 그 대신에, 센서(225)에 도달하는 광선들의 적절하게 높은 백분율, 예를 들어, 80 퍼센트 또는 90 퍼센트가 희망하는 성분으로부터 기원하도록 광 파이프가 디자인될 수 있을 것이다. 그러한 디자인에서, 제어기들(229)은 원치 않는 성분으로부터의 감지된 광의 일부를 설명할 수(account for) 있어야 할 것이다.
프로세싱 중에, 램프들(212a, 212b)뿐만 아니라 그러한 램프들에 커플링된 이차적인 반사부는 기판(226)으로 UV 복사선을 제공하면서 회전된다. 광 파이프들(230-235)이 센서(225)를 지나서 회전됨에 따라, 특정 챔버 성분들의 UV 출력 또는 반사율이 결정된다. 센서 측정의 정확도를 높이기 위해서(예를 들어, 샘플링 지점들의 수를 높이기 위해서), 광 파이프들(230-235) 중 임의의 광 파이프가 센서(225) 근처에 있을 때 램프들(212a, 212b) 및 이차적인 반사부(220)의 회전 속도가 감소될 수 있을 것이다. 예를 들어, 광 파이프들(230-235) 중 임의의 광 파이프가 센서(225) 옆을 통과할 때, 이차적인 반사부가 약 0.1 내지 0.2의 분당 회전수들로 회전될 수 있을 것이다. 광 파이프들(230-235) 중 임의의 광 파이프가 센서(225) 근처에 있지 않을 때(예를 들어, 광 파이프들(230-235) 사이의 이차적인 반사부의 구역), 이차적인 반사부는 1 보다 큰 분당 회전수, 예를 들어, 약 1 내지 약 2의 분당 회전수들로 회전될 수 있을 것이다. 그에 따라, 램프들(212a, 212b) 및 이차적인 반사부(220)의 회전 속도가 가변적이 된다.
도 2c의 실시예에서, 광 파이프(230)가 일차적인 반사부(216a)의 부분(260a)의 반사율을 모니터링한다. 광 파이프(231)는 일차적인 반사부(216a)의 부분(261a)의 반사율을 모니터링한다. 광 파이프(232)는 일차적인 반사부(216b)의 부분(261b)의 반사율을 모니터링한다. 광 파이프(233)는 일차적인 반사부(216b)의 부분(260b)의 반사율을 모니터링한다. 광 파이프들(234 및 235)은 UV 전구들(214a 및 214b)의 세기를 각각 모니터링한다.
개별적인 성분들에 의해서 생성된 또는 반사된 UV 복사선을 모니터링하는 이차적인 반사부(220)의 능력은, UV 챔버(101) 내의 그러한 성분들의 모니터링 및 보상을 허용한다. 개별적인 성분들의 모니터링이 바람직한데, 이는 이러한 성분들의 광 반사율 또는 발생이 시간에 따라 감소되기 때문이다. 예를 들어, 재료가 일차적인 반사부들(216a, 216b)의 표면 상에 축적될 수 있을 것이고, 그러한 축적은 기판(226)을 향해서 지향되는 반사된 UV 복사선의 양 및/또는 세기를 감소시킨다. 또한, 재료가 석영 윈도우(222)의 표면 상에 축적될 수 있고, 그에 따라 통과하여 기판(226)에 도달하는 UV 복사선의 양을 감소시킬 수 있다. 또한, UV 전구들(214a, 214b)이 그들의 유효 수명에 접근함에 따라, UV 전구들(214a, 214b)의 세기가 감소된다. 그러나, 이차적인 반사부(220)가 UV 챔버 내의 개별적인 성분들의 세기를 모니터링할 수 있게 허용하기 때문에, 성분들의 효율 감소에 맞춰(account for) 교정 인자가 조정될 수 있다. 따라서, 일부 성분들의 광 반사율 또는 생성이 감소되는 경우에도, 기판(226)이 균일한 양의 UV 복사선을 수용할 수 있고, 그에 따라 프로세스 균일도가 증가된다.
전형적인 UV 경화 프로세스에서, UV 경화 챔버 내에 위치된 하나의 UV 복사선 센서가 챔버 내의 UV 복사선의 전체적인 레벨을 측정한다. 예를 들어, 센서는 챔버 내의 UV 복사선의 레벨이 너무 낮다는 것을 나타낼 수 있을 것이고, 그러한 경우에, 챔버 내의 UV 복사선의 레벨을 높이기 위해서 UV 램프들로 인가되는 전력이 높아지게 된다. 전형적인 UV 경화 프로세스가 가지는 제 1의 문제점은, 센서가 전체적인 UV 세기를 측정하고, 개별적인 성분들의 세기는 측정하지 않는다는 것이다. 그에 따라, 하나의 UV 전구가 거의 번 아웃(burn out)된 경우에, 또는 하나의 반사부가 입자 축적물로 덮여지고 UV 복사선을 효과적으로 반사할 수 있는 능력을 상실한 경우에, 센서는 성분의 효율 감소를 식별할 수 없다. 두 번째로, 전형적인 UV 경화 프로세스가 개별적인 성분들에 의해서 반사된 또는 발생된 UV 복사선을 검출할 수 없기 때문에, 전형적인 UV 프로세스는 하나의 성분의 효율 감소에 맞춰 프로세스 매개변수들을 조정할 수 없다. 오히려, 전형적인 UV 프로세스는 챔버 내의 UV 세기를 조정하기 위해서, 전체적으로 보다 많은 전력을 시스템으로 단순히 인가하고, 그리고 개별적인 UV 전구들로 인가된 전력의 양을 고려하지 않는다. 이는 기판의 불-균일한 조사 및 프로세스 균일도 감소를 초래한다.
도 3은 UV 경화 챔버(101) 내의 UV 세기를 조정하기 위한 하나의 실시예를 도시한 흐름도이다. 단계(340)에서, 기준선 조도가 구축된다. 기준선 조도는 모든 챔버 성분들의 최적의 성능에 상응하는 기판 상의 조도이다. 일반적으로, 기준선 조도는 100 퍼센트 램프 성능에 상응한다. 그러나, 프로세싱 동안에, 성분 저하(degradation)에 응답한 조정을 허용하기 위해서, UV 램프들(212a 및 212b)이 100 퍼센트 미만의 설정점으로 설정된다. 예를 들어, 프로세싱 동안에, UV 램프들(212a, 212b)이 최대 전력(power)의 약 80 퍼센트로 설정될 수 있을 것이다.
기판이 UV 경화 챔버(101) 내에서 프로세싱됨에 따라, 개별적인 챔버 성분들의 효율이 감소된다. 그에 따라, 기판(226)에 도달하는 UV 복사선의 양 또한 감소된다. 이차적인 반사부(220) 및 그 근처(thereby)에 배치된 센서(225)는 시스템의 감소되는 효율을 측정할 수 있게 허용하고, 그에 따라, 기판(226)에 도달하는 UV 복사선의 양을 측정할 수 있게 허용한다. 단계(341)에서, 제 1 램프에 의해서 기판(226)으로 전달되는 UV 복사선의 양이 이차적인 반사부(220) 및 상기 이차적인 반사부(220) 근처에 배치된 센서(225)를 통해서 측정된다. 기판(226)에 도달하는 UV 복사선의 양은 개별적인 챔버 성분들의 감소되는 효율을 측정함으로써 결정된다. 주어진 램프에 대한, 기판(226)에 도달하는 측정된 조도가 상대적인 조도로서 지칭된다. 프로세싱에 앞서서, 상대적인 조도는 프로세스 설정점과 같은데, 이는 챔버 성분들의 저하가 아직 발생하지 않았기 때문이다. 단계(342)에서, 제 2 램프에 의해서 기판(226)으로 전달되는 UV 복사선의 양이 이차적인 반사부(220) 및 센서(225)를 통해서 측정된다. 추가적으로, 제 2 램프에 대한 상대적인 조도가 또한 결정된다. 일반적으로, 단계들(341 및 342)이 동시에 이루어지나; 단계들(341 및 342)이 연속적으로 이루어질 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
단계(343)에서, 램프들(212a 및 212b)의 각각에 대해서 램프 보상 인자가 결정된다. 램프 보상 인자는 기준선 조도로 나눈 상대적인 조도이다. 단계(344)에서, 폐쇄-루프 알고리즘을 가지는 제어기들(229)이 램프들(212a 및 212b)의 각각으로 인가되는 전력을 조정한다. 제어기에 대한 목표점은 램프 보상 인자로 나눈 원래의(original) 설정점(예를 들어, 80 퍼센트)과 같게 된다. 따라서, 보다 많은 기판들이 프로세싱됨에 따라 그리고 챔버 성분들의 효율이 감소됨에 따라, (램프 제어 인자가 일반적으로 1 미만이기 때문에) 제어기들(229)은 설정점을 높인다. 비록 설정점이 증가되지만, 챔버 효율이 감소되었고; 그에 따라 기판(226)에 도달하는 UV 복사선의 전체적인 양은 프로세스 마다 일정하게 유지된다. 단계들(341-344)이 실시간으로 실시될 수 있을 것이고, 또는 몇 개의 기판들 마다 실시될 수 있을 것이며, 또는 희망에 따라서 실시될 수 있을 것이다. 일반적으로, 특정 프로세스 레시피(recipe)에 대해서 기판(226)에 도달하는 UV 복사선의 희망하는 양을 구축(establish)하기 위해서, 단계(340)가 프로세스의 시작시에 실시된다.
도 3과 관련하여 설명한 바와 같이, 램프들(212a 및 212b)의 각각이 제어기들(229)에 저장된 그 자체의 폐쇄 루프 알고리즘에 의해서 제어된다. 프로세스 챔버(100)가 2개의 UV 경화 챔버들(101)을 포함하기 때문에, 직렬형 프로세스 챔버(100)가 4개의 제어기들(229)을 포함한다. 램프들(212a, 212b)이 각각 하나 초과의 전구들(214a, 214b)을 포함할 수 있을 것이고, 그러한 경우에, 제어기들(229)은 각각의 전구에 대해서 또는 각각의 램프(212, 212b)에 대해서 개별적으로 폐쇄 루프 제어를 제공할 수 있다.
도 3에서 개략적으로 설명된 제어 프로세스는 챔버 성분들의 조건과 관계없이 기판(226)의 균일한 조사를 허용하는데, 이는 램프들(212a, 212b)의 각각이 개별적으로 제어될 수 있고 그리고 특정 성분 저하에 대해서 보상될 수 있기 때문이다. 이러한 것은, 챔버 성분들이 항상 동일한 레이트(rate)로 저하되지 않기 때문에, 바람직하다. 예를 들어, 만약 전구(214a)가 전구(214b)에 앞서서 번 아웃된다면, 전구(214a)가 새로운(그리고 보다 밝은) 전구로 교체될 것이다. 따라서, 새로운 전구 및 전구(214b)에 의해서 제공되는 조사는 균등하지 않을 것이다. 그러나, 도 3에서 개략적으로 설명된 제어 프로세스를 이용하면, 새로운 전구와 전구(214b)의 출력이 보상 인자들을 이용하여 조정될 수 있을 것이고, 그에 따라 기판(226)에 걸친 UV 복사선이 균일하도록 보장될 수 있을 것이다. 도 3의 제어 프로세스들은, 마그네트론들 또는 일차적인 반사부들(216a, 216b)과 같은, 다른 챔버 성분들의 교체에도 마찬가지로 적용될 수 있을 것이다. 추가적으로, 도 3의 제어 프로세스는, 챔버 성분들이 상이한 레이트들로 세정될 수 있을 때, 유리하다.
도 4는 UV 경화 챔버 내의 UV 세기를 조정하기 위한 다른 실시예를 도시한 흐름도이다. 단계(450)에서, 단계(340)와 유사하게 기준선 조도가 구축된다. 단계(451)에서, 단계(341)와 유사하게, 제 1 램프에 상응하는 상대적인 조도가 결정된다. 단계(452)에서, 단계(342)와 유사하게, 제 2 램프에 상응하는 상대적인 조도가 결정된다. 단계들(451 및 452)은 일반적으로 동시에 이루어지나; 단계들(451 및 452)이 연속적으로 이루어질 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
단계(453)에서, 램프 변동 교정 인자가 결정된다. 상기 램프 변동 교정 인자는, 양 램프들(212a 및 212b)이 동일한 상대적인 조도를 가지도록 하기 위해서 램프(212a 또는 212b)의 설정점을 조정할 때 반드시 이용되어야 하는 인자이며, 이때 상기 램프들 중 어떠한 것이 보다 낮은 상대적인 조도를 가지는지는 관계없다. 단계(454)에서, 양 램프들(212a 및 212b)이 동일한 상대적인 조도를 가지도록, 램프 변동 교정 인자가 적용된다. 그에 따라, 비록 상대적인 조도가 기준선 조도와 같지 않을 수 있지만, 적어도 기판(226)에 걸친 조도는 균일하다.
단계(455)에서, 양 램프들(212a 및 212b)이 희망 UV 출력으로 동시에 조정된다. 이는, 단계들(343 및 344)에서 기재된 바와 같이 보상 인자를 결정함으로써 달성될 수 있다. 그 대신에, (적용된 램프 변동 교정 인자로 인해서) 램프들(212a 및 212b)이 동일한 UV 조도 출력을 가지기 때문에, 램프 헤드(210)가 하나의 UV 센서로부터의 신호에 응답하여 조정될 수 있다. 또한, 램프들(212a 및 212b)이 동일한 상대적인 조도로 미리 조정되었기 때문에, 제어기가 램프들(212a 및 212b)의 출력을 조정함에 따라 기판에 걸친 UV 조도의 변화가 균일하게 된다. 이러한 것은 프로세싱된 기판에 걸친 보다 균일한 경화를 초래하는데, 이는 각 램프의 변화 레이트가 대략적으로 동일하기 때문이다. 제 1 UV 경화 챔버(101)에 대한 램프들(212a 및 212b)의 출력들을 조정한 후에, 프로세스가 제 2 UV 경화 챔버(101)에 대해서 반복된다. 바람직하게, 각각의 UV 경화 챔버들(101) 내의 램프들(212a 및 212b)의 출력이 같다.
본원 발명의 장점들은 UV 경화 챔버 내의 UV 경화 프로세스들의 폐쇄 루프 제어를 포함한다. 추가적으로, 챔버 성분들의 조건 및 효율이 프로세싱 동안에 모니터링될 수 있고, 그리고 효율 감소는 교정 인자들의 적용에 의해서 보상될 수 있다. 또한, 교정 인자들의 적용은 균일한 UV 램프 출력뿐만 아니라, 균일한 UV 램프 헤드 출력을 가능하게 하고, 그에 따라 프로세스 균일도를 증가시킨다.
전술한 내용들이 본원 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본원 발명의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본원 발명의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않고도 안출될 수 있을 것이고, 본원 발명의 범위는 이하의 청구항들에 의해서 결정된다.
Claims (15)
- 자외선 램프 출력을 제어하는 방법으로서:
기준선 조도를 구축하는 단계;
UV 복사선 세기를 측정하도록 구성되고 그리고 제어기에 커플링된 센서를 가지는 광 파이프를 이용하여 제 1 램프에 상응하는 상대적인 조도를 결정하는 단계;
제 2 램프에 상응하는 상대적인 조도를 결정하는 단계;
상기 제 1 램프에 대한 보상 인자를 결정하는 단계;
상기 제 2 램프에 대한 보상 인자를 결정하는 단계; 및
상기 제 1 램프의 출력 및 상기 제 2 램프의 출력을 희망 출력으로 조정하는 단계를 포함하는, 자외선 램프 출력을 제어하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기준선 조도가 100 퍼센트와 같은 램프 설정점에서 결정되는, 자외선 램프 출력을 제어하는 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 출력을 조정하는 단계가 폐쇄 루프 프로세스인, 자외선 램프 출력을 제어하는 방법. - 제 3 항에 있어서,
제 3 및 제 4 램프를 희망 출력으로 조정하는 단계를 더 포함하고, 상기 제 3 및 제 4 램프들이 상기 제 1 및 제 2 램프들과 상이한 챔버 내에 위치되는, 자외선 램프 출력을 제어하는 방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 램프에 대한 보상 인자 및 상기 제 2 램프에 대한 보상 인자가 상기 제 1 램프 및 상기 제 2 램프 내에 위치된 UV 전구들의 감소된 효율을 보상하는, 자외선 램프 출력을 제어하는 방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 램프에 대한 보상 인자 및 상기 제 2 램프에 대한 보상 인자가 상기 제 1 램프 및 상기 제 2 램프 내에 위치된 반사부들의 감소된 효율을 보상하는, 자외선 램프 출력을 제어하는 방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 조정하는 단계가 UV 경화 프로세스 중에 실시되고, 그리고 상기 제 1 램프에 상응하는 상대적인 조도를 결정하는 단계가 기판 근처에 위치된 반사부 내에 배치된 홀들을 통해서 자외선 복사선을 감지하는 단계를 포함하는, 자외선 램프 출력을 제어하는 방법. - 제 7 항에 있어서,
복수의 기판들을 자외선 경화하는 단계를 더 포함하는, 자외선 램프 출력을 제어하는 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 램프들의 희망 출력이 상기 기준선 조도와 같은, 자외선 램프 출력을 제어하는 방법. - 자외선 램프 출력을 제어하는 방법으로서:
기준선 조도를 구축하는 단계;
UV 복사선 세기를 측정하도록 구성되고 그리고 제어기에 커플링된 센서를 이용하여 제 1 램프에 상응하는 상대적인 조도를 결정하는 단계;
제 2 램프에 상응하는 상대적인 조도를 결정하는 단계;
상기 제 1 램프 상응하는 상대적인 조도를 상기 제 2 램프에 상응하는 상대적인 조도와 같게 조정하는 단계; 그리고 이어서
상기 제 1 램프 및 상기 제 2 램프를 희망 출력으로 조정하는 단계를 포함하는, 자외선 램프 출력을 제어하는 방법. - 제 10 항에 있어서,
상기 희망 출력이 상기 기준선 조도와 같고, 그리고 상기 기준선 조도가 100 퍼센트와 같은 램프 설정점에서 결정되는, 자외선 램프 출력을 제어하는 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 1 램프 상응하는 상대적인 조도를 상기 제 2 램프에 상응하는 상대적인 조도와 같게 조정하는 단계에 앞서서, 램프 변동 교정 인자를 결정하는 단계를 더 포함하는, 자외선 램프 출력을 제어하는 방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 램프 변동 교정 인자는, 제 1 램프 및 제 2 램프 양자 모두가 동일한 상대적인 조도를 가지도록 상기 제 1 램프의 설정점이 상기 램프 변동 교정 인자에 의해서 반드시 조정되어야 하는 인자인, 자외선 램프 출력을 제어하는 방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 조정 단계가 UV 경화 프로세스 중에 실시되고, 그리고 상기 출력을 조정하는 단계가 폐쇄 루프 프로세스인, 자외선 램프 출력을 제어하는 방법. - 제 14 항에 있어서,
복수의 기판들을 자외선 경화하는 단계를 더 포함하는, 자외선 램프 출력을 제어하는 방법.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US41695510P | 2010-11-24 | 2010-11-24 | |
| US61/416,955 | 2010-11-24 | ||
| US13/011,687 | 2011-01-21 | ||
| US13/011,687 US8309421B2 (en) | 2010-11-24 | 2011-01-21 | Dual-bulb lamphead control methodology |
| PCT/US2011/058137 WO2012071130A2 (en) | 2010-11-24 | 2011-10-27 | Dual-bulb lamphead control methodology |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130116294A true KR20130116294A (ko) | 2013-10-23 |
Family
ID=46064714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020137015984A KR20130116294A (ko) | 2010-11-24 | 2011-10-27 | 이중전구 램프헤드 제어 방법론 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8309421B2 (ko) |
| JP (1) | JP2014507064A (ko) |
| KR (1) | KR20130116294A (ko) |
| CN (1) | CN103222033A (ko) |
| TW (1) | TWI621374B (ko) |
| WO (1) | WO2012071130A2 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180136577A (ko) * | 2016-05-26 | 2018-12-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 방사 조도 경화 렌즈를 갖는 프로세싱 챔버 |
| US10492097B2 (en) | 2015-01-28 | 2019-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for controlling congestion in communication system |
| KR20220035533A (ko) * | 2020-09-14 | 2022-03-22 | 주식회사 유비테크 | Uv램프의 수명이 연장된 uv경화장치 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112015003178T5 (de) * | 2014-07-07 | 2017-03-23 | Nordson Corporation | Systeme und Verfahren zur Bestimmung der Eignung von RF-Quellen in Ultraviolett-Systemen |
| KR102475973B1 (ko) * | 2015-03-31 | 2022-12-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 회전, 병진이동, 및 가변 처리 조건을 통한 노광 선량 균질화 |
| US20170358446A1 (en) * | 2016-06-13 | 2017-12-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wafer processing apparatus and wafer processing method using the same |
| US11532328B2 (en) | 2018-05-18 | 2022-12-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor chip by using multi-curing apparatus and multi-curing apparatus |
| US11348784B2 (en) | 2019-08-12 | 2022-05-31 | Beijing E-Town Semiconductor Technology Co., Ltd | Enhanced ignition in inductively coupled plasmas for workpiece processing |
| US11430671B2 (en) * | 2020-07-30 | 2022-08-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Ozone wafer cleaning module having an ultraviolet lamp module with rotatable reflectors |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61130834A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-18 | Koyo Rindobaagu Kk | 光加熱装置における温度測定方法 |
| JPH07119647B2 (ja) * | 1985-07-15 | 1995-12-20 | 日本電気株式会社 | 光強度測定装置 |
| US5444815A (en) * | 1993-12-16 | 1995-08-22 | Texas Instruments Incorporated | Multi-zone lamp interference correction system |
| JP2005079336A (ja) | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Toshiba Corp | 熱処理装置、熱処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| US7348949B2 (en) * | 2004-03-11 | 2008-03-25 | Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd | Method and apparatus for controlling an LED based light system |
| US7709814B2 (en) | 2004-06-18 | 2010-05-04 | Axcelis Technologies, Inc. | Apparatus and process for treating dielectric materials |
| US7777198B2 (en) | 2005-05-09 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for exposing a substrate to a rotating irradiance pattern of UV radiation |
| CN101326860A (zh) * | 2005-12-09 | 2008-12-17 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于确定照明单元特性的设备 |
| US7909595B2 (en) * | 2006-03-17 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for exposing a substrate to UV radiation using a reflector having both elliptical and parabolic reflective sections |
| US7692171B2 (en) | 2006-03-17 | 2010-04-06 | Andrzei Kaszuba | Apparatus and method for exposing a substrate to UV radiation using asymmetric reflectors |
| JP4830878B2 (ja) * | 2007-02-01 | 2011-12-07 | ウシオ電機株式会社 | 真空紫外線モニタ及びそれを用いた真空紫外線照射装置 |
| US7501292B2 (en) * | 2007-07-19 | 2009-03-10 | Asm Japan K.K. | Method for managing UV irradiation for curing semiconductor substrate |
| JP2009032879A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Harison Toshiba Lighting Corp | 照射装置および照射システム |
| US7952289B2 (en) | 2007-12-21 | 2011-05-31 | Nordson Corporation | UV lamp system and associated method with improved magnetron control |
| US20090305515A1 (en) | 2008-06-06 | 2009-12-10 | Dustin Ho | Method and apparatus for uv curing with water vapor |
| US20100096569A1 (en) | 2008-10-21 | 2010-04-22 | Applied Materials, Inc. | Ultraviolet-transmitting microwave reflector comprising a micromesh screen |
| US7964858B2 (en) | 2008-10-21 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Ultraviolet reflector with coolant gas holes and method |
| US20100193674A1 (en) | 2009-02-03 | 2010-08-05 | Wkk Distribution, Ltd. | Lamp system producing uniform high intensity ultraviolet light for exposure of photolithographic and other light polymerizable materials |
-
2011
- 2011-01-21 US US13/011,687 patent/US8309421B2/en active Active
- 2011-10-27 CN CN2011800563909A patent/CN103222033A/zh active Pending
- 2011-10-27 KR KR1020137015984A patent/KR20130116294A/ko active Search and Examination
- 2011-10-27 JP JP2013540952A patent/JP2014507064A/ja active Pending
- 2011-10-27 WO PCT/US2011/058137 patent/WO2012071130A2/en active Application Filing
- 2011-11-17 TW TW100142074A patent/TWI621374B/zh active
-
2012
- 2012-11-05 US US13/669,113 patent/US20130122611A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10492097B2 (en) | 2015-01-28 | 2019-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for controlling congestion in communication system |
| KR20180136577A (ko) * | 2016-05-26 | 2018-12-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 방사 조도 경화 렌즈를 갖는 프로세싱 챔버 |
| KR20220035533A (ko) * | 2020-09-14 | 2022-03-22 | 주식회사 유비테크 | Uv램프의 수명이 연장된 uv경화장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20120129275A1 (en) | 2012-05-24 |
| US20130122611A1 (en) | 2013-05-16 |
| TW201230876A (en) | 2012-07-16 |
| CN103222033A (zh) | 2013-07-24 |
| TWI621374B (zh) | 2018-04-11 |
| WO2012071130A3 (en) | 2012-08-16 |
| JP2014507064A (ja) | 2014-03-20 |
| US8309421B2 (en) | 2012-11-13 |
| WO2012071130A2 (en) | 2012-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20130116294A (ko) | 이중전구 램프헤드 제어 방법론 | |
| KR101498134B1 (ko) | 반도체 기판의 큐어링을 위한 자외선 조사의 관리 방법 | |
| JP5285864B2 (ja) | Ｕｖ硬化システム | |
| US7935940B1 (en) | Measuring in-situ UV intensity in UV cure tool | |
| KR100954664B1 (ko) | 광 조사식 가열 방법 | |
| US20090095421A1 (en) | Etch amount detection method, etching method, and etching system | |
| KR20120100773A (ko) | 기판 처리를 위한 ｕｖ 조사의 조작 방법과, ｕｖ 광에 의한 기판 처리 방법 및 기판 처리를 위한 ｕⅴ 유닛 | |
| KR101083576B1 (ko) | 광 조사식 가열 장치 및 광 조사식 가열 방법 | |
| JP2009200401A (ja) | 光照射式加熱方法及び光照射式加熱装置 | |
| US20130052756A1 (en) | Heating device and semiconductor device manufacturing method | |
| WO2012074816A2 (en) | Method and apparatus for modulating wafer treatment profile in uv chamber | |
| JP7192056B2 (ja) | 光学装置 | |
| KR102240492B1 (ko) | 열처리 장치 및 열처리 방법 | |
| KR20160115856A (ko) | 성막 장치 및 온도 측정 방법 | |
| JP5558673B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| TWI566054B (zh) | Lighting device with discharge lamp | |
| US10446415B2 (en) | Exhaust method of heat treatment apparatus | |
| JP7183090B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| TWI382283B (zh) | Light irradiation device | |
| JP2013229454A (ja) | 膜厚モニタを有するｖｕｖ処理装置および処理方法 | |
| TW201640959A (zh) | 用於程序監控之高動態範圍量測系統 | |
| KR100807120B1 (ko) | 급속열처리 장치 | |
| US12020958B2 (en) | Light irradiation type heat treatment method | |
| US20140262037A1 (en) | Transparent yttria coated quartz showerhead | |
| CN113695204B (zh) | 膜层固化装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| AMND | Amendment | ||
| AMND | Amendment | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment |