KR102475973B1 - 회전, 병진이동, 및 가변 처리 조건을 통한 노광 선량 균질화 - Google Patents

회전, 병진이동, 및 가변 처리 조건을 통한 노광 선량 균질화 Download PDF

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KR102475973B1
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Abstract

기판이 플러드 노광 처리 시스템(flood exposure treatment system) 내의 기판 지지부 상에 배치될 수 있다. 플러드 노광 선량 프로파일이 선택될 수 있다. 기판은 광원으로부터의 플러드 조사(flood irradiation)에 노광될 수 있으며, 플러드 조사는 선택된 플러드 노광 선량 프로파일이 달성될 때에 종료될 수 있다. 기판을 플러드 조사에 노광시키는 것은 선택된 플러드 노광 선량 프로파일을 달성하기 위해 기판 회전 속도, 광원 스캐닝 속도, 기판 스캐닝 속도, 광원 출력 설정, 광원으로부터 기판까지의 거리, 광원 애퍼처 설정, 기판 상으로의 플러드 조사의 입사 각도, 및 광원 초점 위치 중 적어도 하나를 제어하는 것을 포함할 수 있다.

Description

회전, 병진이동, 및 가변 처리 조건을 통한 노광 선량 균질화
<관련 출원과의 교차 참조>
본 개시내용은 2015년 3월 31일에 출원한 발명의 명칭이 "High Power UV Flood Exposure Dose Homogenization by Combination of Rotation, Translation and Variable Processing Conditions"인 미국 임시 출원번호 62/141,003호와, 2015년 7월 16일에 출원한 발명의 명칭이 "Exposure dose homogenization through rotation, translation, and variable processing conditions"인 미국 정식 출원번호 14/801,703호로부터 우선권을 주장하며, 이들 우선권 출원의 전체내용은 참조로 본 명세서에 포함된다.
<배경>
기판 처리(substrate processing)는 대개 기판 웨이퍼를 방사선에 노광시키는 것을 수반한다. 예를 들어, 기판은 고출력(high power) UV(ultraviolet) 방사선을 포함한 UV광에 노광될 수 있다. 기판은 예컨대 포토리소그래피 공정 및/또는 기타 제조 공정 시에 고출력 광(예컨대, UV광)에 노광될 수 있다. 기판 전체를 실질적으로 균일한 강도의 광원에 노광시키는 것은, 기판 전체가 모든 위치에서 동일하게 처리되는 것을 보장하여, 예컨대 기판 전체에 걸쳐 포토그래피 동작의 일관성을 보장할 수 있다. 그러나, 광대역 및/또는 협대역의 고출력 UV 플러드 광원(flood source) 옵션 또는 임의의 노광 소스는 노광된 영역 상에서 그리고 시간의 경고에 따라 상당한 선량 불균일성(dose non-uniformity)을 가질 수 있다. 고출력 UV 플러드 광원 또는 기타 광원 설계 및 또는 선택은 반도체 처리에서의 몇가지 고려사항에 종속될 수 있다. 예를 들어, 고려사항은 다음을 포함할 수 있다.
1. 쓰루풋: 출력 및 노광 방법의 조합(예컨대, 전체 기판, 래스터링 스폿 등)
2. 강도 대 파장(예컨대, 공정 흡광도가 협대역 파장 범위 이상일 경우)
3. 노광된 영역에서의 광원으로부터의 선량 균일성(예컨대, 불균일성 > 5 %일 수 있고, 일부 시스템의 경우 때로는 > 10 %임)
4. 시간의 경과에 따른 선량 제어
5. 쓰루풋과 균일성 고려사항에 대한 비용 절충
다수의 저비용 고출력 UV 플러드 옵션은 노광된 영역 상에서의 선량 불균일성이 상당하다(예컨대, 불균일성 > 5 %일 수 있고, 때로는 > 10 %임). 동일한 저비용 고출력 UV 플러드 옵션 중 다수는 또한 평균 출력이 시간의 경과에 따라 드리프트된다.
일부 고출력 UV 광원의 예를 도 1의 표(100)에 제시한다. 일부 광원에 있어서, 예컨대 Nordson사에서 제공하는, 마이크로파 공급형 UV 램프, 또는 LED 어레이가 사용될 수 있다. 마이크로파 공급형 램프 광원은 6" 또는 10" 벌브를 사용하여 원하는 강도의 라이트 바(light bar)를 형성할 수 있다. 그러나, 이 라이트 바는 상당한 강도 저하(intensity fall-off)를 가질 수 있다. 도 2는 샘플 UV 강도 맵(200)이다. 이 예시적인 맵(200)에 나타내는 바와 같이, 강도는 UV 램프의 중심 부근에서 가장 클 수 있고 램프 가장자리에 갈수록 저하될 수 있다. 이 맵(200)은 일례이지만, UV 광원은 광원 타입, 광원 연식(age), 제조 결함의 존재 등의 변수에 기초하여 상이한 강도 분포를 가질 수 있다.
때로는 불균일한 미리 결정된 노광을 달성하는 것이 바람직할 수도 있다.
여기에 설명하는 시스템 및 방법은 선택된 플러드 노광 선량 프로파일을 달성하는 방사선 노광 공정에 관한 것이다. 예를 들어, 높은 노광 선량(> 1 J/cm2)의 UV 플러드 노광 공정 또는 기타 기판 처리 노광 타입을 이용하여 도우징(dosing)이 수행될 수 있다. 여기에 설명하는 시스템 및 방법은 처리 균일성을 증가시키거나 불균일한 고출력 UV 플러드 노광 소스(예컨대, 최종 불균일성이 0.5 % 미만임) 또는 기타 노광 소스와 같은 광원의 선택된 선량 프로파일을 달성하기 위해 회전, 병진 및 가변 처리 조건 중 하나 이상을 사용할 수 있다. 여기에 설명하는 시스템 및 방법은 고급 공정 제어 방식에서 사용될 수 있는 광원 평균 출력 및 광원 상에서의(across-source) 불균일성의 실시간 매핑을 허용할 수 있는 인시튜(in-situ) 광센서 하드웨어도 채택할 수 있다. 선량 균질화(dose homogenization)는 도 1의 표(100)에 나타낸 예와 같은 다수의 잠재적인 방사선 광원에 이용될 수 있다.
예시적인 실시형태에 있어서, 기판이 플러드 노광 처리 시스템 내의 기판 지지부(substrate support) 상에 배치될 수 있다. 플러드 노광 선량 프로파일이 선택될 수 있다. 기판은 광원으로부터의 플러드 조사(flood irradiation)에 노광될 수 있으며, 플러드 조사는 선택된 플러드 노광 선량 프로파일이 달성될 때에 종료될 수 있다. 기판을 플러드 조사에 노광시키는 것은 선택된 플러드 노광 선량 프로파일을 달성하기 위해 기판 회전 속도, 광원 스캐닝 속도, 기판 스캐닝 속도, 광원 출력 설정(source power setting), 광원으로부터 기판까지의 거리, 광원 애퍼처(aperture) 설정, 기판 상으로의 플러드 조사의 입사 각도, 및 광원 초점 위치 중 적어도 하나를 제어하는 것을 포함할 수 있다.
여기에 설명하는 시스템 및 방법은 균일한 선량 프로파일을 달성하기 위한 고출력 UV 공정의 맥락에서 논의되지만, 제공되는 선택 가능한 선량 프로파일 개념은 본래의 광원 불균일성을 가진 임의의 방사선 기반 공정에 사용될 수 있다. 여기에 설명하는 시스템 및 방법은 단일 광원 시스템과 함께 사용될 수도 있고/있거나 다수의 광원(예컨대, 다수의 램프)의 통합된 강도 시그니처에 적용될 수도 있다.
도 1은 광원 옵션의 표이다.
도 2는 샘플 UV 강도 맵이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 선량 균질화 시스템이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 처리 방법이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 웨이퍼 상의 점에 의해 취해진 경로이다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 웨이퍼에 대한 보정되지 않은 선량 오차 대 반경이다.
도 7은 본 발명의 일 실시형태에 따른 웨이퍼에 대한 보정된 선량 오차 대 반경이다.
도 8은 본 발명의 일 실시형태에 따른 선량 균질화 시뮬레이션 방법이다.
도 9는 본 발명의 일 실시형태에 따른 웨이퍼 그리드이다.
도 10은 본 발명의 일 실시형태에 따른 조명 맵이다.
도 11은 본 발명의 일 실시형태에 따른 횡단 맵(traversal map)이다.
도 12는 본 발명의 일 실시형태에 따른 선량 균질화 시뮬레이션 방법이다.
도 13은 본 발명의 일 실시형태에 따른 선량 균질화 시뮬레이션이다.
도 14 내지 도 16은 본 발명의 실시형태에 따른 센서 어레이이다.
도 17은 본 발명의 일 실시형태에 따른 웨이퍼이다.
도 18은 본 발명의 일 실시형태에 따른 원형 광점 형상에 대한 방정식 세트이다.
도 19는 본 발명의 일 실시형태에 따른 처리 레시피이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 UV 광원(300)와 함께 사용하기 위한 선량 균질화 시스템(310)이다. 시스템(310)은 하나 이상의 처리 회로(예컨대, 균질화 회로(320) 및/또는 처리 제어 회로(340)), 하나 이상의 센서(330), 메모리(350), 및/또는 기타 엘리먼트를 포함할 수 있다. 센서(330)는 UV 광원(300) 램프 강도 및 저하(fall-off)를 측정할 수 있다. 균질화 회로(320)는 UV 광 도우징 균질성을 최적화하기 위한 UV 광원(300) 시스템 설정을 결정할 수 있다. 처리 제어 회로(340)는 결정된 UV 최적화를 구현하기 위해 UV 광원(300)의 엘리먼트(예컨대, 모터, UV 광 등)를 제어할 수 있다. 이들 엘리먼트(320-350)의 기능 및 특징에 대해서는 이하에서 더 자세하게 설명한다. 이들 엘리먼트(320-350)는 버스(360)를 통해 상호 접속될 수 있다. 일부 엘리먼트는 조합될 수도 있다(예컨대, 일부 실시형태에서는 단일 처리 회로가 균질화 회로(320)와 처리 제어 회로(340)의 기능을 수행할 수도 있다). 일부 실시형태에 있어서, 균질화 회로(320) 및/또는 처리 제어 회로(340) 등의 엘리먼트는 후술하는 기능을 수행하도록 구성 및 배열되는 특수 목적 회로일 수도 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 처리 방법(400)이다. 기판이 UV 플러드 노광 처리 시스템 내의 기판 지지부 상에 배치될 수 있다(410). UV 플러드 노광 선량 프로파일이 선택될 수 있다(420). 기판은 UV 광원(300)으로부터의 UV 플러드 조사(flood irradiation)에 노광될 수 있다(430). 후술하는 실시형태에 따르면, 기판을 UV 플러드 조사에 노광시키는 것은 선량 균질화를 포함할 수 있다. 일부 실시형태에 있어서, UV 광원(300) 방사선이 측정될 수 있으며(440), 시스템(310)은 프로파일을 충족시키기 위해 제어 설정에 대한 변경이 필요한지를(예컨대, UV 광원(300) 성능이 열화되었는지를) 결정할 수 있다(450). 변경이 필요하면, 제어 파라미터가 수정될 수 있다(460). 선택된 UV 플러드 노광 선량 프로파일이 달성되면, UV 플러드 조사가 종료될 수 있다(470).
선량 노광 프로파일링
UV 플러드 조사 노광 중에, 균질한 프로파일과 같은 선택된 노광 프로파일을 달성하여 기판에 대해 원하는 노광을 향상시킬 수 있다. 선택된 선량 프로파일은, 선택된 UV 플러드 노광 선량 프로파일을 달성하기 위해 기판 회전 속도, UV 광원 스캐닝 속도, 기판 스캐닝 속도, UV 광원 출력 설정, UV 광원으로부터 기판까지의 거리, UV 광원 애퍼처 설정, 기판 상에서의 UV 플러드 조사의 입사 각도, 및/또는 UV 광원 초점 위치 중 적어도 하나를 제어함으로써 달성될 수 있다. 균질화 회로(320) 또는 선량 프로파일 선택 회로는 설정을 결정할 수 있고, 처리 제어 회로(340)는 그 설정을 사용하여 기판 처리를 제어할 수 있다.
일부 실시형태에서는, 불균일한 슬릿의 일정한 선량 노광(예컨대, 애퍼처 없는 라이트 바 또는 기판과의 사이에 슬릿 애퍼처를 구비한 광원에 의해 생성됨)을 균질화하거나 선택된 프로파일을 다른 방식으로 달성하기 위해, 고정 회전 속도 및 고정된 병진이동 속도가 조합될 수도 있다. 도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 웨이퍼 상의 점에 의해 취해진 경로(500)이다. 웨이퍼가 UV 광원(수평 스케일 상의 점 0에 위치함) 하에서 회전 및 병진이동함에 따라, 웨이퍼 상의 임의의 주어진 점은 광원의 일정하지 않은 광 강도로 인해 다양한 광 강도에 노광될 수 있다. 예를 들어, 점이 UV 광원의 중심 바로 아래에서 회전 및 병진이동하는 경우, 그 점은 광원의 외측 코너 바로 아래에서 회전 및 병진이동하는 경우보다 더 강한 광을 수광할 수 있다. 회전 속도 및 병진이동 속도가 최적화되면, 고정된 속도 회전만으로도 불균일한 강도 슬릿을 부분적으로 정규화/평균화하여 임의의 주어진 반경에 대해 회전 각 세타를 통해 상당히 균일한 반사상 의존 강도 시그니처(radially dependent intensity signature)를 생성할 수 있다. 고정된 병진이동 속도 없이 고정된 회전 속도 단독의 경우, 램프 광원은 웨이퍼의 반경의 최소 길이인 것이 필요하고, 웨이퍼의 완전한 노광을 보장하기 위해 라이트 바의 일 단축이 회전하는 웨이퍼의 원점에/원전 부근에 있도록 배치되는 것이 필요할 수 있다. 광 슬릿 아래에서 회전하는 웨이퍼와 함께 일정한 속도의 고정 스캔 속도 병진이동을 부가하는 것은, 광원 아래에서 회전하는 웨이퍼의 상이한 부분들(예컨대, 중심 내지 가장자리)이 겪는 적분된 시간차로 인한 방사상 종속 시그니처의 일부 수정을 허용할 수 있다. 일정한 회전 및 일정한 스캔 속도 병진이동에 따른 방사상 종속 시그너의 일례를 도 6에서 볼 수 있다. 도 6은 웨이퍼에 대한 선량 오차 대 반경 그래프(600)이다. 가변 선량 오차 백분위(이 예의 경우, 변동이 대략 9 %임)가 웨이퍼 상의 반경 위치에 기초해서 표시될 수 있으며, 0은 중심을 표시하고, +/-150은 외측 코너를 표시한다. 중심을 맞춘 라이트 바(예컨대, 라이트 바의 중심이 회전하는 웨이퍼의 중심 원점 위에 있음)와 고정된 회전 및 고정된 병진이동 속도 조건 하에서, 웨이퍼의 중심은 (슬릿 폭/스캔 속도에 의해 규정되는) 단시간 동안에만 램프 아래에서의 노광을 경험할 수 있다. 고정된(일정한) 회전, 고정된(일정한) 스캔 속도 병진이동, 및 고정된(일정한) 출력 조건 하에서, 방사상 종속 시그니처의 수정은 다음의 기준 중 일부 또는 전부에 의존할 수 있다.
1. 광원 슬릿의 불균일성 시그니처(예컨대, 도 2에 도시)
2. 회전하는 웨이퍼 원점에 대한 노광 슬릿의 물리적 관계
3. 노광 슬릿의 길이 및 폭
4. 회전 속도/병진이동 스캔 속도에 대해 선택된 상수.
도 7은 본 발명의 일 실시형태에 따른 웨이퍼에 대한 선량 오차 대 반경 그래프(700)이다. 하나 이상의 선량 균질화 설정을 변경함으로써, 선량 오차 변동이 상당히 감소될 수 있다(예컨대, 이 예의 경우 변동이 약 0.9 %까지 감소).
선량 균질화 개념의 일부 실시형태에 있어서, 슬릿 상에서의 강도차와 회전 및 병진이동으로부터의 적산된 노광 시간차를 균질화하기 위해 일정한 스캔 속도 및 일정한 스캔 속도에서의 병진이동을 통해 가변 노광 선량이 제공될 수 있다. (예컨대, 도 6에 도시하는 바와 같이, 일정한 노광 선량, 일정한 스캔 속도 병진이동, 및 일정한 회전 속도를 갖는) 디폴트 방사상 시그니처가 얻어질 수 있다. 시그니처를 더욱 균질화하려면(예컨대, 그 시그니처를 도 6에 도시된 것으로부터 도 7의 시그니처로 또는 그 이상으로 향상시키려면) 병진이동(시간)을 통해 광원 출력에 역함수식이 대략 적용될 수 있다. 이 실시형태뿐만 아니라 후속의 실시형태에 대한 역함수식은 도 6의 함수를 정규화하고 정규화된 함수를 1에서 감산함으로써 얻어질 수 있다. 고정된(일정한) 회전, 고정된(일정한) 스캔 속도 병진이동, 및 가변 광원 출력 조건 하에서, 방사상 종속 시그니처의 수정은 다음의 기준 중 일부 또는 전부에 의존할 수 있다.
1. 광원 슬릿의 불균일성 시그니처(예컨대, 도 2에 도시)
2. 회전하는 웨이퍼 원점에 대한 노광 슬릿의 물리적 관계
3. 노광 슬릿의 길이 및 폭
4. 회전 속도/병진이동 스캔 속도에 대해 선택된 상수
5. 병진이동 중에 적용된 가변 출력의 함수식.
선량 균질화 개념의 일부 실시형태에 있어서, 슬릿 상에서의 강도차뿐만 아니라 회전 및 병진이동으로부터의 적산된 노광 시간차를 균질화하기 위해 일정한 출력 및 일정한 회전 속도에서의 병진이동을 통해 가변 스캔 속도가 제공될 수 있다. (예컨대, 도 6에 도시하는 바와 같이, 일정한 노광 선량, 일정한 스캔 속도 병진이동, 및 일정한 회전 속도를 갖는) 디폴트 방사상 시그니처가 얻어질 수 있다. 시그니처를 더욱 균질화하려면(예컨대, 그 시그니처를 도 6에 도시된 것으로부터 도 7의 시그니처로 또는 그 이상으로 향상시키려면) 병진이동(시간)을 통해 스캔 속도(예컨대, scan velocity)에 역함수식이 대략 적용될 수 있다. 고정된(일정한) 회전, 고정된(일정한) 출력, 및 가변 스캔 속도 조건 하에서, 방사상 종속 시그니처의 수정은 다음의 기준 중 일부 또는 전부에 의존할 수 있다.
1. 광원 슬릿의 불균일성 시그니처(예컨대, 도 2에 도시)
2. 회전하는 웨이퍼 원점에 대한 노광 슬릿의 물리적 관계
3. 노광 슬릿의 길이 및 폭
4. 회전 속도/출력에 대해 선택된 상수
5. 병진이동 중에 적용된 가변 스캔 속도의 함수식.
선량 균질화 개념의 일부 실시형태에 있어서, 슬릿 상에서의 강도차와 회전 및 병진이동으로부터의 적산된 노광 시간차를 균질화하기 위해 일정한 회전 속도를 갖는 병진이동을 통해 가변 스캔 속도 및 가변 출력이 제공될 수 있다. (예컨대, 도 6에 도시하는 바와 같이, 일정한 노광 선량, 일정한 스캔 속도 병진이동, 및 일정한 회전 속도를 갖는) 디폴트 방사상 시그니처가 얻어질 수 있다. 시그니처를 더욱 균질화하려면(예컨대, 그 시그니처를 도 6에 도시된 것으로부터 도 7의 시그니처로 또는 그 이상으로 향상시키려면) 병진이동(시간)을 통해 스캔 속도/출력에, 최적화된 공통-종속 역함수식이 대략 적용될 수 있다. 고정된(일정한) 회전, 가변 출력, 및 가변 스캔 속도 조건 하에서, 방사상 종속 시그니처의 수정은 다음의 기준 중 일부 또는 전부에 의존할 수 있다.
1. 광원 슬릿의 불균일성 시그니처(예컨대, 도 2에 도시)
2. 회전하는 웨이퍼 원점에 대한 노광 슬릿의 물리적 관계
3. 노광 슬릿의 길이 및 폭
4. 회전 속도에 대해 선택된 상수
5. 병진이동 중에 적용된 가변 스캔 속도의 함수식
6. 병진이동 중에 적용된 가변 출력의 함수식.
선량 균질화 개념의 일부 실시형태에 있어서, 슬릿 상에서의 강도차와 회전 및 병진이동으로부터의 적산된 노광 시간차를 균질화하기 위해 일정한 출력 및 일정한 회전 속도에서의 병진이동을 통해 가변 노광 선량이 제공될 수 있다. (예컨대, 도 6에 도시하는 바와 같이, 일정한 노광 선량, 일정한 스캔 속도 병진이동, 및 일정한 회전 속도를 갖는) 디폴트 방사상 시그니처가 얻어질 수 있다. 시그니처를 더욱 균질화하려면(예컨대, 그 시그니처를 도 6에 도시된 것으로부터 도 7의 시그니처로 또는 그 이상으로 향상시키려면) 병진이동(시간)을 통해 슬릿 형상의 광원 애퍼처의 폭에 역함수식이 대략 적용될 수 있다. 슬릿 형상의 광원 애퍼처의 폭은 예를 들어 스테퍼 모터에 의해 제어될 수 있다. 애퍼처 폭을 다르게 함으로써, 애퍼처를 투과하는 광량을 제어할 수 있고, 이에 따라 기판의 시간 종속적인 노광 선량을 제어할 수 있다. 고정된(일정한) 회전, 고정된(일정한) 출력, 및 가변 스캔 속도 조건 하에서, 방사상 종속 시그니처의 수정은 다음의 기준 중 일부 또는 전부에 의존할 수 있다.
1. 광원 슬릿의 불균일성 시그니처(예컨대, 도 2에 도시)
2. 회전하는 웨이퍼 원점에 대한 노광 슬릿의 물리적 관계
3. 노광 슬릿의 길이 및 폭
4. 회전 속도/출력에 대해 선택된 상수
5. 병진이동 중에 적용된 가변 애퍼처의 함수식.
선량 균질화 개념의 일부 실시형태에 있어서, 슬릿 형상의 애퍼처에 의해 형성된, 슬릿 상에서의 강도차뿐만 아니라 회전 및 병진이동으로부터의 적산된 노광 시간차를 균질화하기 위해 일정한 출력 및 일정한 회전 속도에서의 병진이동을 통해 가변 노광 선량이 제공될 수 있다. (예컨대, 도 6에 도시하는 바와 같이, 일정한 노광 선량, 일정한 스캔 속도 병진이동, 및 일정한 회전 속도를 갖는) 디폴트 방사상 시그니처가 얻어질 수 있다. 시그니처를 더욱 균질화하려면(예컨대, 그 시그니처를 도 6에 도시된 것으로부터 도 7의 시그니처로 또는 그 이상으로 향상시키려면) 병진이동(시간)을 통해 광원과 회전하는/병진이동하는 기판 사이의 상대 높이에 역함수식이 대략 적용될 수 있다. 광원과 회전하는/병진이동하는 기판 사이의 상대 높이는 예컨대 스테퍼 모터에 의해 제어될 수 있다. 그 높이를 다르게 함으로써, 거리에 따라 상당히 발산하는 광원에 대해 애퍼처를 통과하는 광량을 제어할 수 있고, 이에 따라 기판의 시간 종속적인 노광 선량을 제어할 수 있다. 스테퍼 모터는 광원 또는 회전하는/병진이동하는 기판을 이동시킬 수 있다. 고정된(일정한) 회전, 고정된(일정한) 출력, 및 가변 스캔 속도 조건 하에서, 방사상 종속 시그니처의 수정은 다음의 기준 중 일부 또는 전부에 의존할 수 있다.
1. 광원 슬릿의 불균일성 시그니처(예컨대, 도 2에 도시)
2. 회전하는 웨이퍼 원점에 대한 노광 슬릿의 물리적 관계
3. 노광 슬릿의 길이 및 폭
4. 회전 속도/출력에 대해 선택된 상수
5. 병진이동 중에 적용된 가변 높이의 함수식.
선량 균질화 개념의 일부 실시형태에 있어서, 슬릿 상에서의 강도차뿐만 아니라 회전 및 병진이동으로부터의 적산된 노광 시간차를 균질화하기 위해 일정한 출력 및 일정한 회전 속도에서의 병진이동을 통해 가변 노광 조건이 제공될 수 있다. 가변 노광 조건을 달성하기 위해, 광학 엘리먼트(예컨대, 미러 또는 렌즈)가 광원과 기판 사이에 배치될 수 있다. 상기 실시형태는 전술한 다른 실시형태와의 조합으로 또는 독립적으로 사용될 수 있다. 진동 미러(oscillating mirror)가 중심 스캐닝 축을 따라 광 시그니처 상대 위치를 변경시키는데 사용될 수 있다. 회전 및 병진이동 중에 다른 광학 엘리먼트(예컨대, 렌즈)가 시그니처 그 자체(예컨대, 사이즈, 형상 및/또는 프로파일)를 변경시키는데 사용될 수 있다. 중심 스캐닝 축을 따라 광 시그니처 상대 위치를 변경하기 위한 진동 미러의 변형예에 있어서, 의도적인 고주파수 지터가 회전 및 병진이동 중에 병진이동의 중심 축에 대한 광 배치(light placement)에 도입되어 광원에 의한 국소 불균일성의 일부 평균화를 도입할 수 있다. 회전 및 병진이동 중의 시그니처의 조작을 위한 렌즈의 변형예에 있어서, (예컨대, 도 6에 도시하는 바와 같이, 일정한 노광 선량, 일정한 스캔 속도 병진이동, 및 일정한 회전 속도를 갖는) 디폴트 반경 시그니처가 얻어질 수 있고, 시그니처를 더욱 균질화하려면(예컨대, 그 시그니처를 도 6에 도시된 것으로부터 도 7의 시그니처로 또는 그 이상으로 향상시키려면) 병진이동(시간)을 통해 광원에 대한 광학 엘리먼트의 상대 높이 또는 각에 역함수식이 대략 적용될 수 있다. 광원에 대한 광학 엘리먼트의 상대 높이 또는 각은 예컨대 스테퍼 모터에 의해 제어될 수 있다. 광학 엘리먼트의 높이 또는 각을 다르게 함으로써, (예컨대 초점을 변경함으로써) 애퍼처를 통과하는 광량을 제어할 수 있고, 이에 따라 기판의 시간 종속적인 노광 선량을 제어할 수 있다. 고정된(일정한) 회전, 고정된(일정한) 출력, 및 가변 스캔 속도 조건 하에서, 방사상 종속 시그니처의 수정은 다음의 기준 중 일부 또는 전부에 의존할 수 있다.
1. 광원 슬릿의 불균일성 시그니처(예컨대, 도 2에 도시)
2. 회전하는 웨이퍼 원점에 대한 노광 슬릿의 물리적 관계
3. 노광 슬릿의 길이 및 폭
4. 회전 속도/출력에 대해 선택된 상수
5. 병진이동 중에 적용된 광학 엘리먼트의 가변 높이 또는 각의 함수식.
앞에 제시한 실시형태의 설명은 웨이퍼 상에서의 통합된 에너지의 차이를 최소화하는 것이 목표로 상정되었지만, 동일한 방법은 초기 불균일성을 개선하는 데에, 그리고 외부 공정 불균일성(예컨대, 웨이퍼 내지 가장자리 에칭 바이어스)을 고려한 방사상 통합 선량 계통 가변 시그니처(radial integrated dose systematic variable signature)를 유도하는 데에도 사용될 수 있다.
또한, 전술한 실시형태와 함께, 불균일한 슬릿(예컨대, 애퍼처가 없는 라이트 바, 또는 기판과의 사이에 슬릿 애퍼처를 구비한 광원)이 사용되지만, 이들 실시형태는 기판 상에서의 통합된 선량 균일성의 개선을 위해 임의의 형상의 조명을 갖는 시스템에도 적용될 수 있다.
시뮬레이션
도 8은 본 발명의 일 실시형태에 따른 선량 균질화 시뮬레이션 방법(800)이다. 균질화 회로(320)는 일부 실시형태에서 균질화 시뮬레이션을 수행하도록 구성될 수 있다. 이 방법(800)은 예컨대 전술한 바와 같이, 선택된 UV 플러드 노광 선량 프로파일을 달성하기 위해 기판 회전 속도, UV 광원 스캐닝 속도, 기판 스캐닝 속도, UV 광원 출력 설정, UV 광원으로부터 기판까지의 거리, UV 광원 애퍼처 설정, 기판 상에서의 UV 플러드 조사의 입사 각도, 및/또는 UV 광원 초점 위치 중 적어도 하나를 제어하는 것에 기초하여, UV 노광 중의 선량 균질화를 위한 설정을 결정하는 데에 사용될 수 있다.
웨이퍼 그리드가 처리 대상 기판에 대해 규정될 수 있다(810). 도 9에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 그리드는 데카르트 간격(Cartesian spacing)(900) 또는 극 간격(polar spacing)(910)에 기초할 수 있다. 그리드 포인트는 인덱싱될 수 있으며, 각각의 인덱싱된 포인트의 (r, θ) 위치가 결정될 수 있다.
조명 그리드 및 맵이 규정될 수 있다(820). 도 10은 예시적인 조명 맵(1000)을 나타낸다. 조명 형상은 옵션을 규정(예컨대, UV 광원의 알려진 특성을 지정)하거나 (예컨대, 텍스트 파일을 통해) 커스텀 맵(custom map)을 입력함으로써 규정될 수 있다. 균일한 직사각형 그리드 매트릭스가 조명 맵에 할당될 수 있고, 각각의 그리드 포인트에 대한 출력이 보간될 수 있다. 이 그리드는 웨이퍼 그리드보다 더 높은 공간 분해능을 가질 수 있다. 조명 맵의 중심이 조명 원점으로 정의될 수 있다.
광원의 웨이퍼 횡단(wafer traversal)에 관한 상정이 이루어질 수 있다(830). 예를 들어, 도 11의 맵(1100)에 나타내는 바와 같이, 조명 원점은 웨이퍼 평면의 중심 축을 따라 횡단하는 것으로 상정될 수 있고, 웨이퍼 평면 원점을 통과하는 것으로 상정될 수 있다. 이러한 상정 하에서는, 웨이퍼 또는 조명 광원이 다른 것에 대해 이동하고 있든지 아니든지 수학적 차이는 없다.
규정된 웨이퍼 그리드, 조명 그리드 및 맵, 그리고 횡단을 사용한 시뮬레이션이 수행될 수 있으며(840), 여기서 웨이퍼는 광원을 따라 횡단된다. 이하에서 도 12를 참조하여 예시적인 시뮬레이션 프로세스에 대해 더 상세하게 설명한다. 각각의 시뮬레이션 반복(예컨대, 각각의 시뮬레이터 시간 스텝)에서, 웨이퍼 좌표계 내의 조명 원점의 위치는 Rn = Rn -1 + ΔR(여기서, ΔR은 반경의 델타 변화로서, 스캔 속도*시뮬레이션 시간 스텝에 기초해서 결정됨) 및 θn = θn -1 + Δθ(여기서 Δθ는 세타의 델타 변화로서, RPM * 시뮬레이션 시간 스텝에 기초하여 결정됨)에 의해 결정될 수 있다. Rn, θn은 해당 시간 스텝에서 조명 원점 바로 아래에 있는 웨이퍼 위치를 나타낼 수 있다.
추가로, 조명 맵이 웨이퍼 인덱싱된 위치에 있는지가 결정될 수도 있다(860). 먼저, 팩맨 애퍼처(pacman aperture)가 규정되면, θn - pacmanangle/2 ~ θn + pacmanangle/2 범위의 외부의 모든 웨이퍼 인덱싱된 그리드 θ 포인트는 제외될 수 있다. 다음에, Rn, θn에 기초하여, 그 외 나머지 웨이퍼 인덱싱된 그리드 포인트의 상대 거리가 결정될 수 있다. 웨이퍼 인덱싱된 그리드 포인트가 조명 아래에 있는 것으로 밝혀지면(현재 시뮬레이션 단계에서), 그 포인트에서의 출력이 결정될 수 있다. 이것은 Rn, θn과 웨이퍼 그리드 포인트 사이의 상대 거리를 찾아서 이 웨이퍼 그리드 포인트가 시뮬레이션 단계에서 경험하고 있는 출력에 대한 조명 출력 그리드를 참조함으로써 이루어질 수 있다. 예를 들어, Wafer Pos(x,y)Power (n) = Wafer Pos(x,y)Power (n-1) + 조명 시간 스텝 * 조명 출력 맵(relX, relY)이다. 웨이퍼 인덱싱된 그리드 포인트가 조명 아래에 있지 않다면, Wafer Pos(x,y)Power (n-1) = Wafer Pos(x,y)Power (n-1)이다.
시뮬레이션은 모든 반복이 완료된 후 종료될 수 있다(870). Wafer Pos(x,y)Power (n)의 최종 맵이 플롯팅될 수 있고, 통계가 결정될 수 있다. 이것에 기초하여, 균질화 설정이 결정될 수 있다(880). 예를 들어, 전술한 실시형태에 따르면, 기판 회전 속도, UV 광원 스캐닝 속도, 기판 스캐닝 속도, UV 광원 출력 설정, UV 광원으로부터 기판까지의 거리, UV 광원 애퍼처 설정, 기판 상에서의 UV 플러드 조사의 입사 각도, 및 UV 광원 초점 위치 중 적어도 하나가, 시뮬레이션된 시스템에 대한 도우징을 균질화하기 위해 선택될 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시형태에 따른 선량 균질화 시뮬레이션 방법(1200)이다. 도 13은 본 발명의 일 실시형태에 따른 예시적인 선량 균질화 시뮬레이션(1300)이다. (예컨대 앞에서 생성된 조명 그리드 및 맵으로부터)조명 형상이 규정될 수 있다(1210). 공정 레시피(스캔 속도 대 반경 위치)의 현재 버전이 로딩될 수 있다(1220). 그 레시피에 대한 통합된 출력이 산출되고(1230), 정규화된 평균 방사선 출력(1240)(예컨대, 평균으로 정규화된 것)으로 변환될 수 있다(1240). 레시피 조건(예컨대, 스캔 속도 및/또는 반경 위치)은 정규화된 비례 출력 오차에 기초하여 각 포인트마다 변경될 수 있고(1250), 단계 1220 내지 1240가 반복되는 동안 공정 레시피의 다음 버전으로서 사용된다. 단계 1220 내지 1250은 오차가 만족스러운 수준으로 감소될 때까지 수회 반복(예컨대, 3-8회 반복)될 수 있다.
센서 피드백
다음의 센서 시스템 및 공정 제어 방식은 예컨대 전술한 실시형태 중 하나 이상에 따라 선량 균질화를 제어하는데 사용될 수 있다. 일 예시적인 센서 시스템 및 공정 제어 방식에 있어서, 웨이퍼 가장자리에 장착된 광센서(330)를 사용하여 실시간 슬릿 불균일성 정보를 얻을 수 있다. 예를 들어, 도 14의 센서 에러이(1400)에 도시하는 바와 같이, 3개 이상의 UV 광센서(330)(예컨대, 센서 고장 및/또는 센서 캘리브레이션 오류에 대한 여분용으로 3개 이상)가 회전하는 웨이퍼의 가장자리 바로 외측의 회전 스테이지 상에 장착될 수 있다(예컨대, 300mm 웨이퍼의 경우, 반경 152 ㎜에 장착됨). UV 광센서(330)는 장착하기 위한 환형부의 원호를 따라 등 간격으로 이격될 수 있다(예컨대, 3개의 센서가 120도 간격으로 장착됨). 회전/병진이동 중에, 각각의 센서(330)는 시간 경과에 따라 라이트 바의 다수의 영역을 볼 수 있기 때문에(예컨대, 도 5 참조), 라이트 바 영역의 큰 부분을 샘플링할 수 있다. 감지된 정보는 램프의 현재 평균 출력뿐만 아니라 현재의 라이트 바 불균일성 시그니처를 이해하는데 사용될 수 있다. 균질화 회로(320)는 감지된 정보를 수신하여 그 정보를 설정을 결정하는데 사용할 수 있고, 처리 제어 회로(340)는 그 설정을 사용하여 기판 처리를 제어할 수 있다. 현재의 평균 출력 및 현재의 불균일성 시그니처 둘 다는 공정 제어 방식에서 다음 웨이퍼 또는 로트에 설정을 피드백하는데 사용되어, 예컨대 다음 중 하나 이상을 수정할 수 있다.
1. 출력 설정 오프셋/캘리브레이션
2. 병진이동 중에 적용된 가변 스캔 속도의 함수식
3. 병진이동 중에 적용된 가변 출력의 함수식
4. 병진이동 중에 적용된 가변 광원 애퍼처의 함수식
다른 예의 센서 시스템 및 공정 제어 방식에 있어서, 회전하는 웨이퍼 직경과 같거나 더 큰 길이의 바/슬릿 CCD 어레이(330)가 도 15의 센서 어레이(1500)에 도시하는 바와 같이, (예컨대, 회전하는 스테이지/웨이퍼 아래에 있지 않지만, 병진이동할 때마다 라이트 바 아래에서 스캐닝된 데이터를 여전히 얻기 위하여) 회전하는 스테이지의 전방 또는 후방에서 병진이동 스테이지 상에 장착될 수 있다. 스캐닝된 데이터는 램프의 현재 평균 출력뿐만 아니라 현재의 라이트 바 불균일성 시그니처를 이해하는데 사용될 수 있다. 균질화 회로(320)는 감지된 정보를 수신하여 그 정보를 설정을 결정하는데 사용할 수 있고, 처리 제어 회로(340)는 그 설정을 사용하여 기판 처리를 제어할 수 있다. 현재의 평균 출력 및 현재의 불균일성 시그니처 둘 다는 공정 제어 방식에서 다음 웨이퍼 또는 로트에 설정을 피드백하는데 사용되어, 예컨대 다음 중 하나 이상을 수정할 수 있다.
1. 출력 설정 오프셋/캘리브레이션
2. 병진이동 중에 적용된 가변 스캔 속도의 함수식
다른 예의 센서 시스템 및 공정 제어 방식에 있어서, 스캐닝/스테이지 병진이동 축을 따라 퍼지는 조명과 같거나 더 큰 길이의 전동 스캐닝 바/슬릿 CCD 어레이(330)가 도 16의 센서 어레이(1600)에 도시하는 바와 같이, (예컨대, 미사용 중에 회전/병진이동하는 스테이지와 부딪히지 않기 위하여) 병진이동 스테이지에 수직으로 장착될 수 있다. 기판 병진이동 스테이지가 광원 아래에 있지 않은 시간 동안, 전동 스캐닝 바/슬릿 CCD 어레이(330)는 광원 아래에서 스캔하여 데이터를 수집할 수 있다. 수집된 데이터는 램프의 현재 평균 출력뿐만 아니라 현재의 라이트 바 불균일성 시그니처를 이해하는데 사용될 수 있다. 균질화 회로(320)는 감지된 정보를 수신하여 그 정보를 설정을 결정하는데 사용할 수 있고, 처리 제어 회로(340)는 그 설정을 사용하여 기판 처리를 제어할 수 있다. 현재의 평균 출력 및 현재의 불균일성 시그니처 둘 다는 공정 제어 방식에서 다음 웨이퍼 또는 로트에 설정을 피드백하는데 사용되어, 예컨대 다음 중 하나 이상을 수정할 수 있다.
1. 출력 설정 오프셋/캘리브레이션
2. 병진이동 중에 적용된 가변 스캔 속도의 함수식
실시예
다음의 예에 있어서, 상기한 선량 균질화가 도 17의 웨이퍼(1700)에 적용될 수 있다. 웨이퍼(1700)는 반시계방향으로 회전할 수 있고, 관심있는 웨이퍼 환형부는 웨이퍼(1700)의 중심으로부터 특정 반경에 위치할 수 있다. 웨이퍼(1700)가 광점(light spot) 스캔 속도(또는 광점이 스캔중인 웨이퍼의 중심 축을 따라 고정된 위치에 있다면 웨이퍼 스캔 속도)보다 훨씬 더 빠르게 회전하고 있다면, 그 웨이퍼 환형부가 광점의 모든 영역 아래를 통과할 것이라고 가정할 수 있다. 웨이퍼(1700)의 임의의 단일 회전에 대한 지속 시간(dwell time)은 광점 상의 거리를 각속도로 나눈 것일 수 있다. 적분후, 광점 아래의 환형부의 모든 회전에 대한 지속 시간은 다음과 같이, 광점의 영역을 원주와 광점 속도(또는 광점이 스캔중인 웨이퍼의 중심 축을 따라 고정된 위치에 있다면 웨이퍼 스캔 속도)의 곱으로 나눈 것일 수 있다(여기서, r은 광점의 반경이고, R은 웨이퍼 반경임).
Figure 112017105102685-pct00001
임의의 반경에 대한 지속 시간은 광점 속도(또는 광점이 스캔중인 웨이퍼의 중심 축을 따라 고정된 위치에 있다면 웨이퍼 스캔 속도)의 함수일 수 있으며, 이것은 다음과 같이, 지속 시간의 함수로서 광점 속도를 제공하도록 재배열될 수 있다.
Figure 112017105102685-pct00002
광점이 스캔하는데 걸리는 공정 시간을 구하기 위해, 역(inverse) 광점 속도식이 다음과 같이 적분될 수 있다.
Figure 112017105102685-pct00003
그러나, 광점 속도는 중심에서 무한대로 갈 수 있으므로 계산은 중심으로부터의 고정된 거리에서 시작될 수 있다. 따라서, 다음과 같이 반경 시작점에서 반경 끝점까지의 정적분이 얻어질 수 있다.
Figure 112017105102685-pct00004
마지막으로, 총 공정 시간을 구하기 위해, 광점을 중심에서 시작 위치로 이동시키는데 걸리는 시간이 다음과 같이 추가될 수 있다.
Figure 112017105102685-pct00005
따라서, 원형의 광점 형상을 계산하기 위한 방정식(1800)을 도 18에서와 같이 나타낼 수 있다. 이 방정식(1800)은, 예컨대 8 mm의 광점 반경이 주어지면, 60초 안에 피팅할 스캔 레시피를 찾는 목표를 달성하는데 사용될 수 있다. 이것은 다음과 같이 진행될 수 있다.
1. 중심으로부터 떨어진 시작 위치, 속도, 및 끝 위치를 결정한다.
Rstart = 0-20 mm @ 10 mm/s
Rend = 147 mm
2. 광점 스캔에 걸리는 지속 시간을 계산한다.
Tdwell = (60 - 20/10) * 82 / (1472 - 202)
Tdwell = 0.175 [sec]
3. 광점 공식을 작성한다.
Vls = 82 / (2 * R * 0.175)
Vls = 182.836/R [mm/s]
4. 공식 결과를 확인한다.
Figure 112017105102685-pct00006
이것으로부터, 도 19에 나타내는 예시적인 레시피(1900)가 작성될 수 있다.
전술한 바와 같이, 플러드 노광 공정의 선량 균질화에 관한 시스템 및 방법은 회전 및 병진이동을 조합하여 불균일한 슬릿(또는 스폿) 노광을 균질화할 수 있다. 병진이동을 통한 일정한 스캔 속도에서의 가변 출력은 슬릿(또는 스폿) 상에서의 강도차와 회전 및 병진이동 방법으로부터의 노광 시간차를 균질화하는데 사용되어 웨이퍼 상에서의 균질화된 통합 출력을 제공할 수 있다. 병진이동을 통한 일정한 출력에서의 가변 출력은 슬릿(또는 스폿) 상에서의 강도차와 회전 및 병진이동 방법으로부터의 노광 시간차를 균질화하는데 사용되어 웨이퍼 상에서의 균질화된 통합 출력을 제공할 수 있다. 병진이동을 통한 가변 스캔 속도와 가변 출력은 슬릿(또는 스폿) 상에서의 강도차와 회전 및 병진이동 방법으로부터의 노광 시간차를 균질화하는데 사용되어 웨이퍼 상에서의 균질화된 통합 출력을 제공할 수 있다. 병진이동을 통한 일정한 스캔 속도에서의 가변 광원 애퍼처는 슬릿(또는 스폿) 상에서의 강도차와 회전 및 병진이동 방법으로부터의 노광 시간차를 균질화하는데 사용되어 웨이퍼 상에서의 균질화된 통합 출력을 제공할 수 있다. 병진이동을 통한 일정한 스캔 속도에서의 광원과 기판 간의 가변 상대 높이는 슬릿(또는 스폿) 상에서의 강도차와 회전 및 병진이동 방법으로부터의 노광 시간차를 균질화하는데 사용되어 웨이퍼 상에서의 균질화된 통합 출력을 제공할 수 있다. 병진이동을 통한 일정한 스캔 속도에서의 광원과 렌즈 간의 가변 상대 높이 또는 각은 슬릿(또는 스폿) 상에서의 강도차와 회전 및 병진이동 방법으로부터의 노광 시간차를 균질화하는데 사용되어 웨이퍼 상에서의 균질화된 통합 출력을 제공할 수 있다. 회전 및 병진이동 중에 중심 스캐닝 축을 따르는 광 시그니처 상대 위치의 진동은 슬릿(또는 스폿) 상에서의 평균 강도차 차이를 조장하는데 사용되어 웨이퍼 상에서의 균질화된 통합 출력을 제공할 수 있다.
또한, 웨이퍼 가장자리에 장착된 회전하는 광센서 또는 병진이동하는 CCD 어레이는 APC 제어 루프에서 사용하기 위한 평균 출력 정보뿐만 아니라 실시간 슬릿(또는 스폿) 불균일성 정보를 얻는데 사용될 수 있다. 관찰된 평균 드리프트 때문에 다음 웨이퍼(또는 다음 로트)에 출력 타깃의 DC 시프트가 적용될 수 있다. 관찰된 슬릿의 불균일성 변화 때문에 다음 웨이퍼(또는 다음 로트)에 병진이동을 통한 가변 스캔 속도 또는 가변 선량이 적용될 수 있다.
앞에서 다양한 실시형태들을 설명하였지만, 이들은 제한이 아니라 예시로 제시된 것임을 이해해야 한다. 관련된 기술 분야의 당업자는 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서 형태 및 세부사항의 다양한 변화가 이루어질 수 있음을 명백히 알 수 있을 것이다. 사실상, 앞의 설명을 읽은 다음에는, 당업자에게 대안적인 실시형태를 구현하는 방법이 명백해질 것이다.
또한, 기능성 및 효과를 강조하는 임의의 도면은 예시의 용도로만 제공되는 것임이 이해되어야 한다. 개시된 방법 및 시스템은 각각 도시된 것 이외의 방식으로 이용될 수 있도록 충분히 유연하고 구성 가능하다.
명세서, 청구범위 및 도면에서 "적어도 하나(at least one)"라는 표현이 종종 사용되지만, "a", "an", "the" "said" 등에 해당하는 표현도 명세서, 청구범위, 및 도면에서 "적어도 하나"를 명시한다.
마지막으로, 출원인의 의도는, 명시적인 표현 "수단"또는 "단계"를 포함하는 청구항만이 35 U.S.C. 112 (f)에 따라 해석되는 것이다. "수단" 또는 "단계"라는 문구를 명시적으로 포함하지 않는 청구항은 35 U.S.C. 112 (f)에 따라 해석되어서는 안 된다.

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    플러드 노광 처리 시스템(flood exposure treatment system) 내의 기판 지지부 상에 상기 기판을 배치하는 단계와,
    플러드 노광 선량 프로파일(flood exposure dose profile)을 선택하는 단계와,
    상기 기판을 광원(source)으로부터의 플러드 조사(flood irradiation)에 노광시킬 때의 상기 기판 상의 방사상 위치의 함수로서의 선량 오차인 디폴트 방사상 시그니처를 얻는 단계와,
    상기 디폴트 방사상 시그니처의 역함수식을 얻는 단계와,
    상기 기판을 상기 광원으로부터의 플러드 조사에 노광시키고, 상기 선택된 플러드 노광 선량 프로파일이 달성될 때에 상기 플러드 조사를 종료하는 단계
    를 포함하고,
    상기 기판을 플러드 조사에 노광시키는 것은, 상기 선택된 플러드 노광 선량 프로파일을 달성하기 위해 광원 스캐닝 속도, 기판 스캐닝 속도, 광원 출력 설정(source power setting), 광원으로부터 기판까지의 거리, 광원 애퍼처(aperture) 설정, 기판 상으로의 플러드 조사의 입사 각도, 및 광원 초점 위치 중 적어도 하나의 파라미터를, 시간의 경과에 따라 상기 적어도 하나의 파라미터에 상기 역함수식을 적용함으로써 제어하는 것을 포함하는 것인 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판을 플러드 조사에 노광시키는 것은, 광원 스캐닝 속도, 기판 스캐닝 속도, 광원 출력 설정, 광원으로부터 기판까지의 거리, 광원 애퍼처 설정, 기판 상으로의 플러드 조사의 입사 각도, 및 광원 초점 위치로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 2개의 파라미터를 제어하는 것을 포함하는 것인 기판 처리 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 플러드 노광 선량 프로파일은 균일한 선량 프로파일을 포함하는 것인 기판 처리 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 플러드 노광 선량 프로파일은 2% 미만의 불균일성(nonuniformity)을 갖는 것인 기판 처리 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 플러드 노광 선량 프로파일은 이전의 기판 처리 단계 또는 후속의 기판 처리 단계, 또는 양 단계에서의 불균일성을 보상하기 위해 선택된 불균일한 선량 프로파일을 포함하는 것인 기판 처리 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 광원은 단일 광원을 포함하는 것인 기판 처리 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 광원은 다수의 광원을 포함하는 것인 기판 처리 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 광원은 UV(ultraviolet) 광원을 포함하는 것인 기판 처리 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 UV 광원은 마이크로파 UV 램프, UV LED(light-emitting diode), UV LED 어레이, 또는 UV 레이저를 포함하는 것인 기판 처리 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 광원 스캐닝 속도, 기판 스캐닝 속도, 광원 출력 설정, 광원으로부터 기판까지의 거리, 광원 애퍼처 설정, 기판 상으로의 플러드 조사의 입사 각도, 및 광원 초점 위치로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 파라미터를 제어하는 것은, 상기 광원의 공간적 불균일성 또는 상기 광원의 시간적 불균일성, 또는 둘 다를 보상하는 것인 기판 처리 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    광센서(photosensor)를 이용하여 상기 광원으로부터의 상기 플러드 조사를 측정하는 단계와,
    측정된 공간적 UV 플러드 조사 불균일성 또는 측정된 시간적 플러드 노광 불균일성, 또는 둘 다를 보상하기 위해 상기 광원 스캐닝 속도, 기판 스캐닝 속도, 광원 출력 설정, 광원으로부터 기판까지의 거리, 광원 애퍼처 설정, 기판 상으로의 플러드 조사의 입사 각도, 및 광원 초점 위치로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 파라미터를 제어하는 단계
    를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 광센서는 상기 기판의 주위에 인접하여 기판 홀더 상에 장착되는 것인 기판 처리 방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 광센서는 상기 광원을 따라 스캔될 수 있는 것인 기판 처리 방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 플러드 노광 처리 시스템은 복수의 광센서를 포함하는 포함하는 것인 기판 처리 방법.
  15. 제11항에 있어서, 상기 광센서는 포토다이오드를 포함하는 것인 기판 처리 방법.
  16. 장치에 있어서,
    광원으로부터의 플러드 조사를 측정하도록 구성된 적어도 하나의 광센서와,
    측정된 플러드 조사에 기초하여, 기판을 광원으로부터의 플러드 조사에 노광시킬 때의 상기 기판 상의 방사상 위치의 함수로서의 선량 오차인 디폴트 방사상 시그니처의 역함수식과, 광원 스캐닝 속도, 기판 스캐닝 속도, 광원 출력 설정, 광원으로부터 기판까지의 거리, 광원 애퍼처 설정, 기판 상으로의 플러드 조사의 입사 각도, 및 광원 초점 위치로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 파라미터를 결정하도록 구성된 적어도 하나의 균질화 회로(homogenization circuit)와,
    측정된 공간적 플러드 조사 불균일성 또는 측정된 시간적 플러드 노광 불균일성, 또는 둘 다를 보상하기 위해 시간의 경과에 따라 상기 적어도 하나의 파라미터에 상기 역함수식을 적용함으로써 기판 처리를 제어하도록 구성된 적어도 하나의 제어 회로
    를 포함하는 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 적어도 하나의 광센서는 상기 기판의 주위에 인접하여 기판 홀더 상에 장착되는 것인 장치.
  18. 제16항에 있어서, 상기 적어도 하나의 광센서는 UV 광원을 따라 스캔될 수 있는 것인 장치.
  19. 제16항에 있어서, 상기 적어도 하나의 광센서는 포토다이오드를 포함하는 것인 장치.
  20. 제16항에 있어서, 상기 광원은 UV(ultraviolet) 광원을 포함하는 것인 장치.
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