JP2018510386A - 回転、並進、および可変の加工条件による露光線量の均一化 - Google Patents
回転、並進、および可変の加工条件による露光線量の均一化 Download PDFInfo
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Abstract
Description
本開示は、2015年3月31日に出願された“High Power UV Flood Exposure Dose Homogenization by Combination of Rotation,Translation and Variable Processing Conditions”という名称の米国仮特許出願第62/141,003号明細書の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に援用される。
1.スループット:出力と露光方法(たとえば、ウエハ全体、スポットのラスタリングなど)との組み合わせ
2.強度対波長(たとえば、プロセスの吸光度が狭い波長範囲にわたる場合)
3.露光領域における光源からの線量の均一性(たとえば、不均一性は>5%となる場合があり、あるシステムでは場合により>10%となる場合がある)
4.経時による線量制御
5.スループットおよび均一性の考慮事項のコストのトレードオフ。
UVフラッド照射露光中の均一なプロファイルなどの選択された線量プロファイルの達成は、基板への所望の露光を改善するために行うことができる。選択された線量プロファイルは、選択されたUVフラッド露光線量プロファイルを達成するために、基板回転速度、UV源走査速度、基板走査速度、UV源出力設定、UV源から基板までの距離、UV源開口設定、UVフラッド照射の基板に対する入射角、および/またはUV源焦点位置の少なくとも1つを制御することによって達成できる。均一化回路320または線量プロファイル選択回路によって設定を決定することができ、加工制御回路340は基板加工を制御するための設定を使用することができる。
1.光源スリットの不均一特性(たとえば、図2に示される)
2.露光スリットの回転するウエハの原点に対する物理的関係
3.露光スリットの長さおよび幅
4.回転速度/並進走査速度に関して選択される定数。
1.光源スリットの不均一特性(たとえば、図2に示される)
2.露光スリットの回転するウエハの原点に対する物理的関係
3.露光スリットの長さおよび幅
4.回転速度/並進走査速度に関して選択される定数
5.並進中に使用される可変出力の関数形。
1.光源スリットの不均一特性(たとえば、図2に示される)
2.露光スリットの回転するウエハの原点に対する物理的関係
3.露光スリットの長さおよび幅
4.回転速度/出力に関して選択される定数
5.並進中に使用される可変走査速度の関数形。
1.光源スリットの不均一特性(たとえば、図2に示される)
2.露光スリットの回転するウエハの原点に対する物理的関係
3.露光スリットの長さおよび幅
4.回転速度に関して選択される定数
5.並進中に使用される可変走査速度の関数形
6.並進中に使用される可変出力の関数形。
1.光源スリットの不均一特性(たとえば、図2に示される)
2.露光スリットの回転するウエハの原点に対する物理的関係
3.露光スリットの長さおよび幅
4.回転速度/出力に関して選択される定数
5.並進中に使用される可変開口幅の関数形。
1.光源スリットの不均一特性(たとえば、図2に示される)
2.露光スリットの回転するウエハの原点に対する物理的関係
3.露光スリットの長さおよび幅
4.回転速度/出力に関して選択される定数
5.並進中に使用される可変高さの関数形。
1.光源スリット不均一特性(たとえば、図2に示される)
2.露光スリットの回転するウエハの原点に対する物理的関係
3.露光スリットの長さおよび幅
4.回転速度/出力に関して選択される定数
5.並進中に使用される光学素子の可変の高さまたは角度の関数形。
図8は、本発明の一実施形態による線量均一化シミュレーション方法800である。均一化回路320は、ある実施形態で均一化シミュレーションを行うために構成することができる。この方法800は、前述の選択されたUVフラッド露光線量プロファイルを達成するために、たとえば基板回転速度、UV源走査速度、基板走査速度、UV源出力設定、UV源から基板までの距離、UV源開口設定、UVフラッド照射の基板に対する入射角、および/またはUV源焦点位置の少なくとも1つの制御に基づいて、UV露光中の線量均一化の設定を決定するために使用することができる。
前述の1つ以上の実施形態により、たとえば以下のセンサシステムおよびプロセス制御スキームを使用して、線量均一化を制御することができる。一例のセンサシステムおよびプロセス制御スキームでは、リアルタイムのスリット不均一性情報を得るために、ウエハ端部に搭載された光センサ330を使用することができる。たとえば、図14のセンサアレイ1400に示されるように、3つ以上のUV光センサ330(たとえば、センサの故障および/またはセンサの較正ミスに対する冗長性のために3つ以上)を回転するウエハ端部のすぐ外側の回転ステージ上に搭載することができる(たとえば、300mmウエハの場合、半径152mmに搭載される)。UV光センサ330は、搭載用の環の円弧に沿って等間隔で配置することができる(たとえば、120度の間隔で3つのセンサが搭載される)。回転/並進中、各センサ330は、ライトバーの面積の大部分をサンプリングすることができるが、その理由は、時間が経過する間に各センサ330がライトバーの複数の領域を検出できるからである(たとえば、図5参照)。検出した情報は、現在のランプの平均出力および現在のライトバーの不均一特性を理解するために使用することができる。均一化回路320は、検出された情報を受信し、それを設定の決定に使用することができ、加工制御回路340は、その設定を使用して基板加工を制御することができる。現在の平均出力および現在の不均一特性の両方をプロセス制御スキームに使用して、設定を次のウエハまたはロットにフィードバックすることができ、たとえば以下の1つ以上を変更することができる:
1.出力設定の補償/較正
2.並進中に使用される可変走査速度の関数形
3.並進中に使用される可変出力の関数形
4.並進中に使用される可変光源開口幅の関数形。
1.出力設定の補償/較正
2.並進中に使用される可変走査速度の関数形。
1.出力設定の補償/較正
2.並進中に使用される可変走査速度の関数形。
1.中心から離れた出発位置および停止位置を決定する。
Rstart=10mm/sにおいて0〜20mm
Rend=147mm
2.光スポット走査のドウェル時間を計算する。
Tdwell=(60−20/10)×82/(1472−202)
Tdwell=0.175[秒]
3.光スポットの式を作成する。
Vls=82/(2×R×0.175)
Vls=182.836/R[mm/s]
4.式の結果を確認する。
Claims (20)
- 基板を処理する方法であって、
フラッド露光処理システム中の基板支持体上に前記基板を配置するステップと、
フラッド露光線量プロファイルを選択するステップと、
前記基板を光源からのフラッド照射に露光し、前記選択されたフラッド露光線量プロファイルが達成されるときに前記フラッド照射を終了するステップと、
を含み、
前記基板をフラッド照射に露光するステップが、前記選択されたフラッド露光線量プロファイルを達成するために、基板回転速度、光源走査速度、基板走査速度、光源出力設定、前記光源から前記基板までの距離、光源開口設定、フラッド照射の前記基板に対する入射角、および光源焦点位置の少なくとも1つを制御するステップを含む、方法。 - 前記基板をフラッド照射に露光するステップが、前記基板回転速度、前記光源走査速度、前記基板走査速度、前記光源出力設定、前記光源から前記基板までの前記距離、前記光源開口設定、フラッド照射の前記基板に対する前記入射角、および前記光源焦点位置からなる群から選択される少なくとも2つのパラメータを制御するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記フラッド露光線量プロファイルが実質的に均一な線量プロファイルを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記フラッド露光線量プロファイルが約2%未満の不均一性を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記フラッド露光線量プロファイルが、前もしくは後の基板加工ステップまたはその両方における不均一性を補償するために選択される不均一線量プロファイルを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記光源が単一の光源を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記光源が複数の光源を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記光源が紫外(UV)源を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記UV源がマイクロ波UVランプ、UV発光ダイオード(LED)、UV LEDアレイ、またはUVレーザーを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記基板回転速度、前記光源走査速度、前記基板走査速度、前記光源出力設定、前記光源から前記基板までの前記距離、前記光源開口設定、フラッド照射の前記基板に対する前記入射角、および前記光源焦点位置からなる群から選択される少なくとも1つのパラメータを制御するステップが、前記光源の空間的不均一性もしくは前記光源の時間的不均一性またはその両方を補償する、請求項1に記載の方法。
- 光センサを用いて前記光源からの前記フラッド照射を測定するステップと;
測定された空間的UVフラッド照射不均一性もしくは測定された時間的フラッド露光不均一性またはその両方を補償するために、前記基板回転速度、前記光源走査速度、前記基板走査速度、前記光源出力設定、前記光源から前記基板までの前記距離、前記光源開口設定、フラッド照射の前記基板に対する前記入射角、および前記光源焦点位置からなる群から選択される少なくとも1つのパラメータを制御するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記光センサが前記基板の周囲に隣接して前記基板ホルダ上に搭載される、請求項11に記載の方法。
- 前記光センサが前記光源に沿って走査することができる、請求項11に記載の方法。
- フラッド露光処理システムが複数の光センサを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記光センサがフォトダイオードを含む、請求項11に記載の方法。
- 光源からのフラッド照射を測定するように構成された少なくとも1つの光センサと;
前記測定されたフラッド照射に基づいて、基板回転速度、光源走査速度、基板走査速度、光源出力設定、前記光源から基板までの距離、光源開口設定、フラッド照射の前記基板に対する入射角、および光源焦点位置からなる群から選択される少なくとも1つのパラメータを求めるように構成された少なくとも1つの均一化回路と;
測定された空間的フラッド照射不均一性もしくは測定された時間的フラッド露光不均一性またはその両方を補償するために、前記少なくとも1つのパラメータを用いて基板加工を制御するように構成された少なくとも1つの制御回路と
を含む、装置。 - 前記少なくとも1つの光センサが前記基板の周囲に隣接して基板ホルダ上に搭載される、請求項16に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの光センサがUV源に沿って走査することができる、請求項16に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの光センサがフォトダイオードを含む、請求項16に記載の装置。
- 前記光源が紫外(UV)源を含む、請求項16に記載の装置。
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