JP5552476B2 - イオンビームの均一チューニングのための方法及びシステム - Google Patents
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Description
Claims (21)
- イオンビームの均一チューニングのための方法であって、
該方法は、
イオン注入機システムでイオンビームを生成するステップと、
イオンビーム経路に沿って第1のイオンビーム電流密度プロファイルを測定するステップと、
前記イオンビーム経路に沿って第2のイオンビーム電流密度プロファイルを測定するステップと、
前記第1のイオンビーム電流密度プロファイル及び前記第2のイオンビーム電流密度プロファイルの内の少なくとも一部に基づいて、前記イオンビーム経路に沿って第3のイオンビーム電流密度プロファイルを決定するステップと、を有する、イオンビームの均一チューニングのための方法。 - 前記第1のイオンビーム電流密度プロファイルを測定するステップは、1つ以上の固定式測定装置を用いて、1つ以上の所定の配置で、前記第1のイオンビーム電流密度プロファイルを測定するステップを、さらに、有する、請求項1に記載の方法。
- 前記1つ以上の固定式測定装置の前記1つ以上の所定の配置は、前記イオンビーム経路の1つ以上の側に沿って配置する、請求項2に記載の方法。
- 前記1つ以上の固定式測定装置は、少なくとも1つのファラデーカップを備える、請求項2に記載の方法。
- 前記第1のイオンビーム電流密度プロファイルを測定するステップは、前記第1のイオンビーム電流密度プロファイルを時間の関数として測定する、請求項1に記載の方法。
- 前記イオンビーム経路に沿って前記第2のイオンビーム電流密度プロファイルを測定するステップは、可動式測定装置を介して、イオンビームの断面をスキャンするステップを、さらに、有する、請求項1に記載の方法。
- 前記可動式測定装置をウエハ平面に実質的に平行に位置付ける、請求項6に記載の方法。
- 前記可動式測定装置は、ファラデーカップである、請求項6に記載の方法。
- 前記第2のイオンビーム電流密度プロファイルを測定するステップは、前記第2のイオンビーム電流密度プロファイルを時間及び空間位置の関数として測定する、請求項6に記載の方法。
- 前記第3のイオンビーム電流密度プロファイルは、空間位置の関数である、請求項1に記載の方法。
- 前記第3のイオンビーム電流密度プロファイルの均一性に関連する信頼水準を決定するステップを、さらに、有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のイオンビーム電流密度プロファイル、前記第2のイオンビーム電流密度プロファイル及び前記信頼水準の内の少なくとも一部に基づいて、信頼区間を計算するステップを、さらに、有する、請求項11に記載の方法。
- 前記第3のイオンビーム電流密度プロファイルの均一性が、前記信頼区間内に含まれるかどうかを確認するステップを、さらに、有する、請求項12に記載の方法。
- 前記第3のイオンビーム電流密度プロファイルの均一性が、前記信頼区間内に含まれる場合には、イオンビームの均一チューニングを止める、請求項13に記載の方法。
- 前記第3のイオンビーム電流密度プロファイルの均一性が、前記信頼区間内に含まれない場合には、前記第3のイオンビーム電流密度プロファイルの均一性を調整するために、1つ以上のビームライン要素をチューニングする請求項13に記載の方法。
- 少なくとも1つのプロセッサが、請求項1に記載の方法を行うためのコンピュータプロセスを実行することを命令し、前記少なくとも1つのプロセッサにより可読なように構成された、命令のコンピュータプログラムを格納する、少なくとも1つのプロセッサ可読媒体。
- イオン注入機システムでの均一チューニングのためのシステムであって、
該システムは、
イオン注入機システムでイオンビームを生成するイオン源と、
イオンビーム経路に沿って第1のイオンビーム電流密度プロファイルを測定する1つ以上の第1の装置と、
前記イオンビーム経路に沿って第2のイオンビーム電流密度プロファイルを測定する第2の装置と、
前記第1のイオンビーム電流密度プロファイル及び前記第2のイオンビーム電流密度プロファイルの内の少なくとも一部に基づいて、前記イオンビーム経路に沿って第3のイオンビーム電流密度プロファイルを決定するプロセッサと、を有する、均一チューニングのためのシステム。 - 前記1つ以上の第1の装置は、前記イオンビーム経路の1つ以上の側に沿って配置された少なくとも1つのファラデーカップを備える、請求項17に記載のシステム。
- 前記1つ以上の第1の装置は、前記第1のイオンビーム電流密度プロファイルを時間の関数として測定する、請求項17に記載のシステム。
- 前記第2の装置は、可動式測定装置を介して、前記イオンビームの断面をスキャンするファラデーカップを備える、請求項17に記載のシステム。
- 前記第2の装置は、前記第2のイオンビーム電流密度プロファイルを時間及び空間位置の関数として測定する、請求項20に記載のシステム。
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US20110278478A1 (en) * | 2010-05-17 | 2011-11-17 | Causon Ko-Chuan Jen | Method and implanter for implanting a workpiece |
US8581217B2 (en) * | 2010-10-08 | 2013-11-12 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Method for monitoring ion implantation |
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US8288741B1 (en) * | 2011-08-16 | 2012-10-16 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for three dimensional ion processing |
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CN102522352B (zh) * | 2011-12-22 | 2016-01-27 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 离子束稳定性的检测装置及检测方法 |
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US8853653B1 (en) * | 2013-05-03 | 2014-10-07 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and techniques for controlling ion implantation uniformity |
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US9263231B2 (en) * | 2013-10-10 | 2016-02-16 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Moveable current sensor for increasing ion beam utilization during ion implantation |
US8933424B1 (en) * | 2013-11-21 | 2015-01-13 | Axcelis Technologies, Inc. | Method for measuring transverse beam intensity distribution |
US9870896B2 (en) * | 2013-12-06 | 2018-01-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for controlling ion implanter |
US9738968B2 (en) * | 2015-04-23 | 2017-08-22 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for controlling implant process |
US20170005013A1 (en) | 2015-06-30 | 2017-01-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Workpiece Processing Technique |
US10395889B2 (en) * | 2016-09-07 | 2019-08-27 | Axcelis Technologies, Inc. | In situ beam current monitoring and control in scanned ion implantation systems |
US10431421B2 (en) * | 2017-11-03 | 2019-10-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc | Apparatus and techniques for beam mapping in ion beam system |
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US11348813B2 (en) * | 2019-01-31 | 2022-05-31 | Applied Materials, Inc. | Correcting component failures in ion implant semiconductor manufacturing tool |
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US7176470B1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-02-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for high-efficiency ion implantation |
JP5085887B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2012-11-28 | 株式会社Sen | ビーム処理装置及びビーム処理方法 |
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