CN102047391B - 离子束均匀度调整的方法以及系统 - Google Patents
离子束均匀度调整的方法以及系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102047391B CN102047391B CN2009801155384A CN200980115538A CN102047391B CN 102047391 B CN102047391 B CN 102047391B CN 2009801155384 A CN2009801155384 A CN 2009801155384A CN 200980115538 A CN200980115538 A CN 200980115538A CN 102047391 B CN102047391 B CN 102047391B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- current density
- ion beam
- ion
- beam current
- distribution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 172
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 120
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 48
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 21
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 35
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 102100032182 Crooked neck-like protein 1 Human genes 0.000 description 9
- 101100441092 Danio rerio crlf3 gene Proteins 0.000 description 9
- 101000921063 Homo sapiens Crooked neck-like protein 1 Proteins 0.000 description 9
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 206010003497 Asphyxia Diseases 0.000 description 1
- 101100001674 Emericella variicolor andI gene Proteins 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012067 mathematical method Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
- H01J2237/24514—Beam diagnostics including control of the parameter or property diagnosed
- H01J2237/24542—Beam profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30455—Correction during exposure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30472—Controlling the beam
- H01J2237/30483—Scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31703—Dosimetry
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
本发明提供在离子植入系统中调整均匀度的方法。前述方法可通过一调整离子束均匀度的方法来实现。前述方法包括：于一离子植入系统中产生一离子束；沿着一离子束路径量测一第一离子束电流密度分布；沿着离子束路径量测一第二离子束电流密度分布；以及沿着离子束路径至少部分地依据第一离子束电流密度分布以及第二离子束电流密度分布来决定一第三离子束电流密度分布。
Description
技术领域
本发明涉及一种调整离子束的方法，尤其涉及一种离子束均匀度调整的方法以及系统。
背景技术
离子植入是一种利用高能离子直接轰击基板(substrate)，以在基板中沉积化学物质(chemical species)的方法。在半导体制程中，离子植入机主要应用于掺杂制程(doping process)中，以改变靶材的导电性(conductivity)的类型与等级(level)。集成电路(integrated circuit，IC)基板及其薄膜结构中的精确掺杂分布(doping profile)对于确保IC性能相当重要。为了达到期望的掺杂分布状态，会使用不同的剂量(dose)与不同的能量位准(energy level)来进行一种或多种离子物质的植入。离子种类、离子剂量以及能量的规格(specification)常被称为离子植入的配方(recipe)。
图1显示一种现有的离子植入系统100。如同大部分的离子植入系统一般，离子植入系统100是设置在高真空环境中。离子植入系统100可具有一离子源101以及复合系列的组件，且一离子束10穿过前述复合系列的组件。举例来说，系列组件包括一提取电极(extraction electrode)102、一抑制电极(suppression electrode)103、一接地电极104、一筛检磁铁(filter magnet)106、一加速或减速筒108、一分析磁铁110、一转动质量狭缝(rotating mass slit)112、一扫描器114与一校正磁铁(corrector magnet)116。非常类似于可控制光束的一系列光学透镜，离子植入组件在将离子束10引导至一目标晶圆120(位于一晶圆平面12) 之前，可过滤并聚焦离子束10。离子植入系统100也可包括诸多量测元件，例如一剂量控制法拉第杯(dose control Faraday cup)118、一行进法拉第杯(traveling Faraday cup)124与一设置法拉第杯(setup Faraday cup)122，前述元件可用来监视及控制离子束的状况。
为形成均匀分布的掺杂离子，一般是用离子束扫描过目标晶圆的表面。图2显示利用离子束来进行连续晶圆植入的一典型装置。在前还装置中，一晶圆204可沿一轴212缓慢地移动，以穿过一晶圆室(chamber)。同时，一具有椭圆横截面的点状离子束202可水平地扫描过晶圆204的一表面。点状离子束202可形成一离子束路径20，离子束路径20具有二端点208、210。可利用一剂量控制法拉第杯118来量测点状离子束202的电流。
就生产而言，希望沿着一离子束路径形成一均匀的离子束分布。调整离子植入系统以形成一均匀的离子束分布的方法称为“均匀度调整”(uniformity tuning)。
图3显示一种现有的均匀度调整方法。在一相似于图2所示的装置中，一具有椭圆横截面的点状离子束302沿着二端点308、310之间的一路径30以一固定的扫描速度进行扫描。一般对于中或高能离子束而言，点状离子束302的尺寸小于一晶圆304的尺寸。在现行这些种类的离子束的调整均匀度的方法中，常作下列假设：(1)点状离子束于扫描过程中保持实质上相同的尺寸以及传送实质上相同的电流；以及(2)点状离子束会完全扫描至晶圆边缘。由这些假设可知，于扫描的过程中，点状离子束只会有微小的改变，而且在点状离子束的离子束路径上所产生的扫描离子束的电流密度分布的不均匀度也相当微小。因此，在现行的均匀度调整的方法中，离子束的分布一般只在晶圆的中心量测一次(在未扫描的情况下)。在图3中，一波形32为点状离子束302的一单独离子束剂量密度分布。当点状离子束302沿着路径30进行扫描时，离子束302在各点上的电流密度为点状离子束302的一或多个单独的离子束剂量密度分布的加成结果。一波形34为介于端点308、310之间的点状离子束302的一电流密度分布。由于在整个路径30上点状离子束302的单独的离子束剂量密度分布几乎相同，因此，点状离子束302的电流密度与扫描速度呈一线性关系。换言之，对于路径30上的每一个位置而言，在一位置上的扫描速度的些微增加将使点状离子束302的电流密度在该位置上成比例的减少，以及在一位置上的扫描速度的些微减少将使点状离子束302的电流密度在该位置上成比例的增加。现行的均匀化调整的方法是依据前述线性的假设，若是波形34不够均匀，则典型的方法是在路径30的每个单位距离中调整点状离子束302的扫描速度，以在单位距离中使点状离子束302的扫描速度成比例于点状离子束302的加成(accumulated)电流密度。
值得注意的是，点状离子束302的电流密度在接近二端点308、310时会迅速地滚降(roll off)。然而，由于点状离子束302会完全扫描到晶圆的边缘，所以滚降并不影响离子束覆盖晶圆304。也值得注意的是，一旦点状离子束302已完全扫过晶圆304，则点状离子束302的电流对于晶圆的植入就不再有贡献了。在晶圆304上离子束电流的总和以及在整个扫描过程中离子束电流的总和的比值称为“离子束利用率”(beam utilization)。离子束利用率表示总离子束电流中真正用来作为晶圆植入的部分。
此外，在现行的离子植入系统中，均匀度调整一般是采用离子束线调整。举例来说，在图1的离子植入系统100中，离子源101与一或多个束线组件(例如提取电极102、抑制电极103、筛检磁铁106、加速或减速筒108、分析磁铁110、扫描器114与校正磁铁116)通常会先被调整，以形成一最大的离子束电流，进而可高效率地进行离子植入。只有在离子束电流被调成最大化之后，才会开始均匀度调整。
然而，由于现行调整离子植入系统的方法有许多缺点，以致于无法以一有效的方法来达成一致的离子束输出。举例来说，现行调整离子植入系统的演算法(algorithm)是利用一单通道来多次量测一离子束电流密度分布。上述现行的演算法是多次且并行地量测相同的离子束电流密度分布，然后，分析量测结果。因此，需多次重复量测，以适当地调整一离子植入系统。也因此，现今的演算法会使调整时间增加，以致于离子植入系统效率降低以及产率(productivity)下降。
现行的调整式演算法(tuning algorithm)也应用在离子束电流上，以作为使离子束最佳化的唯一标准(criterion)。然而，相同的离子束电流并不保证有相同的离子束状态。举例来说，束线组件设定的多种不同组合可产生相同的离子束电流。这些不同的组合常导致不同的离子束直径、位置及角度。因此，仅以离子束电流为单一参数的方法会导致离子束的形状相异。进一步而言，对各个晶圆批次(wafer batch)来说，由于离子束的形状相异，故会耗费额外的时间在量测离子束、对应调整、均匀度调整以及控制植入剂量上。
现行的调整方法易依赖记录在先前成功设定中的一单组束线组件设定(beam-line element settings)。然而，即使束线组件设定保持不变，在离子植入系统中依然有许多因素会改变离子束的状态。举例来说，一离子源具有一使用寿命，在使用寿命中离子的产量会逐渐减少。因此，即使采用相同的束线组件设定，离子束电流会依照离子源已被使用的时间长短而有所不同。由于束线组件设定的预先记录的单组束线组件设定常无法再次产生希望的离子束状态，离子植入系统必须为每一晶圆批次而重新调整，但这会因为下述理由而相当耗费时间。
综上所述，现行的离子植入调整技术有显著的问题以及缺点。
发明内容
本发明提供改善离子植入系统中调整均匀度的方法。
在本发明的一实施例中，前述方法可通过一改善离子植入系统中均匀度调整的方法来实现。前述方法包括：于一离子植入系统中产生一离子束；沿着一离子束路径量测一第一离子束电流密度分布；沿着离子束路径量测一第二离子束电流密度分布；以及沿着离子束路径至少部分地依据第一离子束电流密度分布以及第二离子束电流密度分布来决定一第三离子束电流密度分布。
在本发明的一实施例中，量测第一离子束电流密度分布的步骤更包括在一或多个预定位置以一或多个固定式量测元件来量测第一离子束电流密度分布。
在本发明的一实施例中，一或多个固定式量测元件的一或多个预定位置是位于离子束路径的一侧或多侧。
在本发明的一实施例中，一或多个固定式量测元件包括至少一闭环法拉第杯。
在本发明的一实施例中，量测第一离子束电流密度分布系测得第一离子束电流密度分布为一时间的函数。
在本发明的一实施例中，沿着离子束路径量测第二离子束电流密度分布的步骤还包括藉由一移动式量测元件来扫描离子束的一横截面。
在本发明的一实施例中，移动式量测元件实质上平行于一晶圆平面。
在本发明的一实施例中，移动式量测元件为一分布式法拉第杯。
在本发明的一实施例中，量测第二离子束电流密度分布系测得第二离子束电流密度分布为一时间与空间位置的函数。
在本发明的一实施例中，第三离子束电流密度分布为一空间位置的函数。
在本发明的一实施例中，离子束均匀度调整的方法还包括决定一信 赖程度(confidence level)，信赖程度是关于第三离子束电流密度分布的一均匀度。
在本发明的一实施例中，离子束均匀度调整的方法还包括至少部分地依据第一离子束电流密度分布、第二离子束电流密度分布以及信赖程度来计算一信赖区间。
在本发明的一实施例中，离子束均匀度调整的方法，还包括确定第三离子束电流密度分布的均匀度是否在信赖区间内。
在本发明的一实施例中，如果第三离子束电流密度分布的均匀度是在信赖区间内，则停止调整离子束的均匀度。
在本发明的一实施例中，如果第三离子束电流密度分布的均匀度并未在信赖区间内，则调整一或多个束线组件，以调整第三离子束电流密度分布的均匀度。
在本发明的一实施例中，至少一种处理器的可读介质，其储存一电脑程序指令，电脑程序指令被至少一处理器所读取，以命令至少一处理器来执行一电脑程序，以执行如前述的离子束均匀度调整的方法。
在本发明的一实施例中，前述方法可通过一改善离子植入系统中均匀度调整的系统来实现。前述系统包括一离子源，用以在一离子植入系统中产生一离子束；一或多个第一元件，用以沿着一离子束路径来量测一第一离子束电流密度分布；一第二元件，用以沿着离子束路径来量测一第二离子束电流密度分布；以及一处理器，用以沿着离子束路径至少部分地依据第一离子束电流密度分布以及第二离子束电流密度分布来判定一第三离子束电流密度分布。
在本发明的一实施例中，一或多个第一元件包括配置于离子束路径的一侧或多侧的至少一闭环法拉第杯。
在本发明的一实施例中，一或多个第一元件测得第一离子束电流密度分布为一时间的函数。
在本发明的一实施例中，第二元件包括一分布式(profiling)法拉第杯，以藉由一移动式量测元件来扫描离子束的一横截面。
在本发明的一实施例中，第二元件测得第二离子束电流密度分布为时间与空间位置的函数。
目前的揭示内容将参考附图中的实施例来详述。目前的揭示内容将参考例示性实施例来描述于下，应理解的是目前的揭示内容不限于此。已接触此技术之此行的一般人员将理解可使用额外的实现方式、修改、实施例以及用于其它领域，这些亦包含在发明的技术范围中，且目前的揭示内容对其亦有重大用处。
附图说明
为了便于更完整地理解本发明，现在将参考附图，其中各图面中类似的元件是以类似的符号来表示。又，各图式不是用来限定本发明而是只用来作例示性说明而已。
图1显示一种现有的离子植入系统。
图2显示以离子束来扫描一系列晶圆时的一典型的装置。
图3显示一种现有的均匀度调整方法。
图4显示沿着一离子束路径来扫描过一晶圆的一点状离子束的示意图。
图5显示本发明一实施例的于一离子植入系统中进行均匀度调整的方法的流程图。
图6显示本发明一实施例的于一离子植入系统中的用来调整均匀度的一示范装置。
图7显示本发明一实施例的于一离子植入系统中的用来调整均匀度的一示范系统。
具体实施方式
本实施例为改良离子植入系统的均匀度调整的方法。根据一改良后的方法，可藉由在多个预定的位置上量测离子束来精确地判断沿着离子束路径的离子束分布。在多个预定位置上的离子束量测结果可为单一或多个变量(variable)的函数。此外，可以一固定的量测元件或一移动式的量测元件来获得前述的量测结果。于扫描过程中，离子束分布可准确地纪录离子束的所有变化(大或小)。根据此离子束分布，可产生一希望的扫描速度分布，以紧密地控制离子束的扫描，进而形成一更均匀的离子束分布。前述改良后的方法可减少离子植入系统为均匀度调整所需重复的次数，并可使离子植入系统的均匀度调整维持在一信赖程度(confidence level)。
图4显示沿着一离子束路径40扫描过一晶圆404的一点状离子束402的示意图。举例来说，点状离子束402可为一连续的离子束(sweeping ion beam)及/或一带状的离子束(ribbon beam)。如图4所示，点状离子束402的尺寸与晶圆404的尺寸相当。因此，沿着部分的离子束路径40，晶圆404会照射到(see)整个点状离子束402。进一步而言，点状离子束402的单独的离子束剂量密度分布42可沿着离子束路径40而变化，且产生的扫描离子束电流密度分布可如波形44所示。如图4所示，当点状离子束402沿着离子束路径40扫描时，在各点的扫描离子束的离子束电流密度为点状离子束402的一或多个单独的离子束剂量密度分布的加成结果。对于点状离子束402而言，每一单独的离子束剂量密度分布42代表了一“单独的离子束剂量密度分布”(individual beam dose density distribution)。波形44代表沿着离子束路径40的扫描离子束的一“电流密度分布”(current density distribution)，或可称为一“扫描离子束分布”(scanned beam profile)。波形44为点状离子束402沿着离子束路径40所传送的离子束的电流密度。点状离子束402 的效果相当于无数个未扫描的点状离子束沿着离子束路径40连续地排列，其中各个未扫描的点状离子束传送一持续时间极短的离子束电流。在一数值模拟中(numerical simulation)，点状离子束402的电流密度分布(或扫描离子束分布)近似于有限数目的未扫描点状离子束，各个未扫描点状离子束传送一持续时间有限的离子束电流。一点状离子束电流密度的空间分布可称为一“点状离子束分布”(spot beam profile)。因此，单独的离子束剂量密度分布42为一对应的点状离子束分布与一有限的时间的乘积。
请参照图5，图5显示本发明一实施例的于一离子植入系统中进行均匀度调整的方法的流程图。在步骤502中，于一离子植入系统中，可利用一移动式的量测元件经由一第一电子通道来扫描一离子束。离子束的扫描可以一预定的扫描速度分布来进行。举例来说，利用一电压波形V(t)来控制扫描装置，以达成扫描速度分布v(x)，其中x为相对于扫描原点(例如一晶圆的中心)的扫描距离。在一实施例中，在步骤502中，可以一慢且固定的速度(例如十分之一赫兹或是以10秒的行程时间(travel time)来包含一期望的扫描距离)。移动式量测元件可量测电流密度分布随时间的变化Ipf(t)及/或移动式量测元件的位置随时间的变化Xpf(t)。可将量测到的电流密度分布Ipf(t)与移动式量测元件的位置Xpf(t)转换成一关于时间与位置的点状离子束分布Ipf(x，t)。举例来说，若调整离子植入系统以形成一均匀的离子束电流，可采用一电流量测法拉第杯(current-measuring Faraday cup)来作为移动式量测元件，其中，电流量测法拉第杯例如为分布式法拉第杯(profiling faraday cup)。然而，应了解的是，在其他实施例中也可应用其他的量测元件。
移动式量测元件可沿着一期望的扫描路径连续地量测电流密度分布。或者，移动式量测元件可沿着期望的扫描路径间歇性地(例如每毫米)量测电流密度分布。为说明起见，沿着一期望的扫描路径所量测到 的点状离子束电流密度分布可称为点状离子束电流密度分布的量测结果Ipf(1)、Ipf(2)、...以及Ipf(N)。可藉由相对于扫描原点的距离来记录各点状离子束电流密度分布的量测位置。因此，点状离子束电流密度分布的量测结果Ipf(1)、Ipf(2)、...以及Ipf(N)分别对应于位置Xpf(1)、Xpf，(2)、...Xpf(N)。在一些实施例中，一分布式法拉第杯可沿着一离子束的扫描路径设置，并配置于一晶圆平面或者是实质上平行于一晶圆平面的一平面。
在步骤504中，在离子植入系统中，一或多个固定式量测元件经由一第二电子通道可量测离子束。举例来说，步骤504可在步骤502之前进行，或是与步骤502同时进行，或是在步骤502之后进行。一或多个固定式量测元件可在离子束路径的一或多个预定位置上量测电流密度随时间的变化Iclf(t)。再者，在一或多个预定位置上的一或多个固定式量测元件适于配置在不同的位置。举例来说，电流量测法拉第杯可用来作为一或多个固定式量测元件，其中电流量测法拉第杯例如为闭环法拉第杯(closed loop faraday cup)。然而，应了解的是，在其他实施例中也可采用其他的量测元件。
在一扫描周期中，一或多个固定式量测元件可连续地量测电流密度分布。或者，在扫描周期中，一或多个固定式量测元件也可以是间歇地(例如每纳秒、每毫秒、每秒等)量测电流密度分布。为说明起见，可沿着离子束路径配置四个固定式量测元件。举例来说，各固定式量测元件可配置于离子束路径的前侧、后侧、左侧与右侧。在扫描周期中，各固定式量测元件可量测电流密度分布。前述量测结果可称为点状离子束电流密度分布的量测结果Iclf1(1)、Iclf1(2)、..and Iclf1(N)、Iclf2(1)、Iclf2(2)、..and Iclf2(N)、Iclf3(1)、Iclf3(2)、..and Iclf3(N)、and Iclf4(1)、Iclf4(2)、..andIclf4(N)。在一些实施例中，沿着离子束路径配置的一或多个闭环法拉第杯可获得这些量测结果，其中前述一或多个闭环法拉第杯是位于一晶圆 平面的一侧且偏离一晶圆平面。
图6显示本发明一实施例的一示范装置。请参照图6，一点状离子束602沿着一离子束路径60扫过一晶圆604。在一晶圆平面或一实质上平行于晶圆平面的平面，移动式量测元件608可沿着离子束路径60来扫描点状离子束的电流密度分布。如图6所示，移动式量测元件608可如箭头所示沿着离子束路径60向前及向后移动。此外，对于量测而言，也可采用其他的排列方式。再者，一或多个固定式的量测元件610可配置于晶圆平面的外侧及/或偏离晶圆平面。如前述，四个固定式量测元件可配置于离子束路径60的四侧。一或多个固定式的量测元件610可配置于不同的位置，以量测电流密度分布。
请再次参照图5，在步骤506，在第一电子通道(例如一示波器的通道)的量测位置Xpf(1)、Xpf(2)、...以及Xpf(N)分别量测到点状离子束电流密度分布(或点状离子束分布)Ppf(1)、Ppf(2)、...以及Ppf(N)。移动式量测元件可量测点状离子束分布，且点状离子束分布相关于在期待的扫描路径上扫描到离子束时的量测位置，然后，可将与量测位置相关的点状离子束电流密度转换成一点状离子束分布(spot beam profile)。
再者，各固定式量测元件可以不同的量测时间来测量多个点状离子束电流密度分布(或点状离子束分布)Pclf(1)、Pclf(2)、...以及Pclf(N)。当离子束扫描过一期待的扫描路径，一或多个固定式量测元件可量测到一与量测时间相关的点状离子束电流密度，然后，可将与量测时间相关的点状离子束电流密度转换成一点状离子束分布。在一实施例中，各固定式量测元件可测得多个点状离子束电流密度分布Pclf1(1)、Pclf1(2)、...以及Pclf1(N)、Pclf2(1)、Pclf2(2)、...以及Pclf2(N)、Pclf3(1)、Pclf3(2)、..以及Pclf3(N)、Pclf4(1)、Pclf4(2)、...以及Pclf4(N)。
在步骤508中，可得到移动式量测元件所测得的多个点状离子束电流密度分布(或点状离子束分布Ppf(1)、Ppf(2)、...以及Ppf(N))的相对标 准偏差(SIGMA)。再者，可测得一或多个固定式量测元件的相对标准差(SIGMA)以及多个点状离子束电流密度分布(或点状离子束分布Pclf(1)、Pclf(2)、...以及Pclf(N))的标准误差(standard of error)的总和。之后，可判定移动式量测元件的相对标准差(SIGMA)是否小于或等于一或多个固定式量测元件的相对标准差(SIGMA)以及标准误差的总和。在一实施例中，假定移动式量测元件及/或一或多个固定式量测元件的电流密度分布是近似于标准化(normally)分布。因此，相对标准差可为点状离子束电流密度分布的标准差除以点状离子束电流密度分布的平均值所得到的百分比。
藉由计算点状离子束电流密度分布(Ppf(1)、Ppf(2)、...以及Ppf(N))的标准差除以点状离子束电流密度分布(Ppf(1)、Ppf(2)、...以及Ppf(N))的平均值所得到的百分比可判定移动式量测元件的点状离子束的电流密度分布(或点状离子束分布Ppf(1)、Ppf(2)、...以及Ppf(N))的相对标准差。或者，藉由计算点状离子束电流密度分布(Pclf(1)、Pclf(2)、...以及Pclf(N))的标准差除以点状离子束电流密度分布(Pclf(1)、Pclf(2)、...以及Pclf(N))的平均值所得到的百分比可判定一或多个固定式量测元件的点状离子束的电流密度分布(或点状离子束分布Pclf(1)、Pclf(2)、...以及Pclf(N))的相对标准差。各固定式量测元件可判定相对标准差。可藉由计算各固定式量测元件的相对标准差的平均值来判定离子植入系统的离子束均匀度。
可将一或多个固定式量测元件的点状离子束电流密度分布(或点状离子束分布Pclf(1)、Pclf(2)、...以及Pclf(N))的标准误差定义为一或多个固定式量测元件的各个点状离子束电流密度分布(Pclf(1)、Pclf(2)、...以及Pclf(N))的平均值的标准差。在一实施例中，点状离子束电流密度分布的四个阵列Pclf1(1)、Pclf1(2)、...以及Pclf1(N)、Pclf2(1)、Pclf2(2)、..以及Pclf2(N)、Pclf3(1)、Pclf3(2)、...以及Pclf3(N)、Pclf4(1)、Pclf4(2)、..以及Pclf4(N)与配置 在离子束路径上的不同位置的四个固定式量测元件有关。由于配置在离子束路径上的位置不同，故点状离子束电流密度分布的各阵列的平均值彼此不同。可藉由计算点状离子束电流密度分布的四个阵列的平均值的标准差来获得点状离子束电流密度分布的四个阵列的标准误差。
此外，根据Pclf(t)的平均值的多个标准差可决定信赖程度(例如信赖区间包含量测到的点状离子束电流密度分布的机率)。举例来说，平均值的一个标准差可具有接近68％的信赖程度，平均值的二个标准差可具有接近95％的信赖程度，平均值的三个标准差可具有接近99％的信赖程度。再者，信赖程度可为均匀度调整过程中一预定的规格(predetermined specification)。举例来说，离子束均匀度调整过程可选择接近95％的信赖程度或0.5％以内的离子束均匀度，以限制电流密度以及时间变量的大小。如果一或多个固定式量测元件的点状离子束电流密度Iclf(t)具有95％的信赖程度，则移动式量测元件的点状离子束电流密度Ipf(x，t)无法具有大于95％的信赖程度。进一步而言，一或多个固定式量测元件的点状离子束电流密度Iclf(t)为一时间的函数，而移动式量测元件的点状离子束电流密度Ipf(x，t)为一时间与位置的函数。因此，移动式量测元件的点状离子束电流密度Ipf(x，t)无法具有大于95％的信赖程度。
若是移动式量测元件的点状离子束电流密度分布(或点状离子束分布Ppf(1)、Ppf(2)、...以及Ppf(N))的相对标准差小于或等于一或多个固定式量测元件的点状离子束电流密度分布(或点状离子束分布Pclf(1)、Pclf(2)、...以及Pclf(N))的相对标准差以及一或多个固定式量测元件的点状离子束电流密度分布(或点状离子束分布Pclf(1)、Pclf(2)、...以及Pclf(N))的标准误差的总和，则于步骤514中可采用扫描速度分布V(x)或扫描电压波形V(t)来制作晶圆。然而，若是移动式量测元件的点状离子束电流密度分布(或点状离子束分布Ppf(1)、Ppf(2)、...以及Ppf(N))的相对标准差大于一或多个固定式量测元件的点状离子束电流密度分布(或点 状离子束分布Pclf(1)、Pclf(2)、...以及Pclf(N))的相对标准差以及一或多个固定式量测元件的点状离子束电流密度分布(或点状离子束分布Pclf(1)、Pclf(2)、...以及Pclf(N))的标准误差的总和，则代表离子束电流分布不够均匀。若是如此，则调整离子源及/或一或多个束线组件，并使过程返回到步骤502及/或步骤504，且调整或重新计算扫描速度分布。期望的调整或修正可重新计算或提供一初始及/或一先前的扫描速度分布。在一重复的过程中，可进行调整或修正。实际上，可以计算多种调整并应用在控制离子束的扫描的一电压波形V(t)上。
在步骤510中，可为离子束分布建立一数学模型ipf(x)。在一实施例中，可藉由点状离子束分布Ppf(K)与点状离子束传递电流至位置Xpf(K)的持续时间tk的乘积来估计测量位置Xpf(K)上的一单独的离子束剂量密度分布。可将所有的单独的离子束剂量密度分布Ppf(1)t1、Ppf(2)t2、...以及Ppf(M)tM相加总而得到扫描离子束分布模型ipf(x)＝Ppf(1)t1+Ppf(2)t2+...+Ppf(M)tM，其中t1+t2+...+tM≡T，T代表离子束从一端点扫描至另一端点的总扫描时间。
此外，在步骤510中，对于各一或多个固定式元件而言，可为量测到的离子束分布建立一数学模型iclf(x)。在一实施例中，可藉由点状离子束分布Pclf(K)与点状离子束传递电流至预定的量测位置的持续时间tk的乘积来估计一或多个预定量测位置上的一单独的离子束剂量密度分布。可将所有的单独的离子束剂量密度分布Pclf(1)t1、Pclf(2)t2、...以及Pclf(M)tM相加总而得到扫描离子束分布模型iclf(x)＝Pclf(1)t1+Pclf(2)t2+...+Pclf(M)tM，其中t1+t2+...+tM≡T，T代表离子束从一端点扫描至另一端点的总扫描时间。
在步骤512中，根据量测到的离子束分布模型ipf(x)及/或iclf(x)可判定一期望的扫描速度分布。举例来说，为形成一均匀的离子束分布，可调整模型ipf(x)＝Ppf(1)t1+Ppf(2)t2+...+Ppf(M)tM，以缩小离子束路径的标 准差，其至少部分地取决于离子束分布模型iclf(x)。换言之，可调整及/或最佳化扫描速度分布以产生一均匀的离子束分布i0(x)。举例来说，在离子束电流低于预期数值的位置，可降低局部的扫描速度(例如，延长扫描时间)。相对地，在离子束电流高于预期数值的位置，可提高局部的扫描速度(例如，缩短扫描时间)。可利用模型预测(model-predicted)的分布i0(x)来预测一初始的扫描电压波形V0(t)。或者是，根据持续时间t1、t2、...以及tM判断一初始扫描速度分布V0(x)。可利用模型i0(x)来模拟或预测扫描的离子束分布s(x)。扫描的离子束分布s(x)为扫描距离x的函数，且扫描离子束分布s(x)可为一扫描的离子束的真实的离子束电流密度值。
在步骤514中，均匀的离子束分布i0(x)可在一要求的均匀度范围内，并利用一现行的扫描速度分布或扫描电压波形V(t)来产生。当上述关于调整均匀度的改良后的方法将信赖程度应用到调整均匀度时，其所需的重复次数将少于现有调整均匀度的方法。换言之，改良后的方法不再依赖于假设电流密度是维持定值。因此，前述揭示的实施例可成功地应用在离子植入系统中。
图7显示本发明一实施例的于一离子植入系统700中的用来调整均匀度的一示范系统。离子植入系统700包括一处理单元(processor unit)702，处理单元702可为一微处理器(microprocessor)、微控制器(micro-controller)、个人电脑或是其他适合的处理元件。离子植入系统700还可包括一离子束扫描控制器704，离子束扫描控制器704可依据从处理单元702所接收到的指令来控制在一离子植入系统700中的一扫描离子束。离子植入系统700还包括一离子束电流量测界面706，且处理单元702可通过离子束电流量测界面706接收到从离子植入系统700传来的离子束电流数据(ion beam current data)。离子束电流量测界面706可包括或耦接至配置于或接近一离子束路径的一法拉第杯阵列。
在运作时，处理单元702可传送具有慢及/或固定的扫描速度分布的一扫描指令至离子束扫描控制器704。然后，离子束扫描控制器704可使离子植入系统700中的离子束沿着一离子束路径以前述扫描速度分布扫描过法拉第杯阵列。同时，法拉第杯阵列测量到的点状离子束分布的数据可通过离子束电流量测界面706而传递至处理单元702。藉由依据点状离子束分布的数据所得到的一系列的点状离子束分布，处理单元702可以数学方法来产生一模型，以均匀地调整沿着离子束路径的一扫描离子束电流密度分布。然后，藉由进行最佳化或是用其他方法调整扫描离子束分布的模型，处理单元702可计算一初始扫描速度分布，以预测具有最小化的标准差的扫描离子束分布的均匀度。接着，处理单元702可传送具有初始及/或调整好的扫描速度分布的一扫描指令至离子束扫描控制器704。然后，离子束扫描控制器704可使离子植入系统700中的离子束沿着离子束路径以初始及/或调整好的扫描速度分布进行扫描。同时，移动式及/或一或多个固定式法拉第杯所量测到的扫描离子束电流密度分布的数据可经由离子束电流量测界面706传递至处理单元702。处理单元702可判断扫描的离子束分布的均匀度。若扫描的离子束分布不够均匀，则处理单元702可调整离子源及/或一或多个束线组件，以达到一期望的扫描速度分布。期望的扫描速度分布可传递至离子束扫描控制器704，以使离子束以期望的扫描速度分布再次进行扫描。可量测扫描的离子束电流密度分布且量测到的数据可传送至处理单元702。可重复进行前述过程直到处理单元702判定该扫描的离子束分布的均匀度已达到为止。
在本实施例中，在为形成一均匀的离子束分布而调整一种扫描速度分布之前，可调整离子源及/或束线组件，以减少点状离子束的尺寸或形状在扫描的过程中的改变。首先，确立离子束电流的可接受的范围。举例来说，使用者可选择一目标离子束电流，并表明±5％的范围是一可接 受的范围。接着，当使离子束电流保持在可接受的范围内时，可调整离子源及一或多个其他的束线组件，以缩小点状离子束的形状或尺寸的改变。换言之，只需要使离子束电流保持在可接受的范围内，而可不需调整离子源或束线组件以获得最大的离子束电流。在光圈(aperture)或是零件中藉由改善离子束的聚焦及/或集中离子束线可减少点状离子束的改变。离子束的横截面可能会改变，所以各种束线组件皆不容易箝制(clip)离子束。
值得注意的是，在本实施例中，在离子植入系统中调整均匀度的方法一般而言与处理输出数据以及产生输出数据有一定程度的关联。可利用硬件或软件来执行输入数据的处理以及输出数据的产生。举例来说，在本实施例中，可将特定的电子元件应用在离子植入系统或相似或相关的电路系统中，以执行关于离子束均匀度调整的功能。或者是，在本实施例中，储存指令的一或多个处理器可执行关于离子束均匀度调整的功能。因此，在本实施例的范围内，上述的指令可储存在一个或多个处理器的可读介质(例如，磁盘或是其他的储存介质)中，或者是通过包含在一个或多个载波(carrier wave)中的一个或多个信号而传送至一个或多个处理器。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视随附的权利要求所界定者为准。
Claims (20)
1.一种离子束均匀度调整的方法，包括：
于一离子植入系统中产生一离子束；
沿着一离子束路径量测一第一离子束电流密度分布；
沿着该离子束路径量测一第二离子束电流密度分布；以及
沿着该离子束路径至少部分地依据该第一离子束电流密度分布以及该第二离子束电流密度分布来决定一第三离子束电流密度分布。
2.根据权利要求1所述的离子束均匀度调整的方法，其中量测该第一离子束电流密度分布的步骤还包括在一或多个预定位置以一或多个固定式量测元件来量测该第一离子束电流密度分布。
3.根据权利要求2所述的离子束均匀度调整的方法，其中该一或多个固定式量测元件的该一或多个预定位置是位于该离子束路径的一侧或多侧。
4.根据权利要求2所述的离子束均匀度调整的方法，其中该一或多个固定式量测元件包括至少一闭环法拉第杯。
5.根据权利要求1所述的离子束均匀度调整的方法，其中量测该第一离子束电流密度分布系测得该第一离子束电流密度分布为一时间的函数。
6.根据权利要求1所述的离子束均匀度调整的方法，其中沿着该离子束路径量测该第二离子束电流密度分布的步骤还包括藉由一移动式量测元件来扫描该离子束的一横截面。
7.根据权利要求6所述的离子束均匀度调整的方法，其中该移动式量测元件平行于一晶圆平面。
8.根据权利要求6所述的离子束均匀度调整的方法，其中该移动式量测元件为一分布式法拉第杯。
9.根据权利要求6所述的离子束均匀度调整的方法，其中量测该第二离子束电流密度分布系测得该第二离子束电流密度分布为时间与空间位置的函数。
10.根据权利要求1所述的离子束均匀度调整的方法，其中该第三离子束电流密度分布为一空间位置的函数。
11.根据权利要求1所述的离子束均匀度调整的方法，还包括：
决定一信赖程度，该信赖程度是关于该第三离子束电流密度分布的一均匀度。
12.根据权利要求11所述的离子束均匀度调整的方法，还包括：
至少部分地依据该第一离子束电流密度分布、该第二离子束电流密度分布以及该信赖程度来计算一信赖区间。
13.根据权利要求12所述的离子束均匀度调整的方法，还包括：
确定该第三离子束电流密度分布的该均匀度是否在该信赖区间内。
14.根据权利要求13所述的离子束均匀度调整的方法，其中如果该第三离子束电流密度分布的该均匀度是在该信赖区间内，则停止调整该离子束的均匀度。
15.根据权利要求13所述的离子束均匀度调整的方法，其中如果该第三离子束电流密度分布的该均匀度并未在该信赖区间内，则调整一或多个束线组件，以调整该第三离子束电流密度分布的该均匀度。
16.一种于一离子植入系统中用来调整均匀度的系统，该系统包括：
一离子源，用以在一离子植入系统中产生一离子束；
一或多个第一元件，用以沿着一离子束路径来量测一第一离子束电流密度分布；
一第二元件，用以沿着该离子束路径来量测一第二离子束电流密度分布；以及
一处理器，用以沿着该离子束路径至少部分地依据该第一离子束电流密度分布以及该第二离子束电流密度分布来判定一第三离子束电流密度分布。
17.根据权利要求16所述的系统，其中该一或多个第一元件包括配置于该离子束路径的一侧或多侧的至少一闭环法拉第杯。
18.根据权利要求16所述的系统，其中该一或多个第一元件测得该第一离子束电流密度分布为时间的函数。
19.根据权利要求16所述的系统，其中该第二元件包括一分布式法拉第杯，以藉由一移动式量测元件来扫描该离子束的一横截面。
20.根据权利要求19所述的系统，其中该第二元件测得该第二离子束电流密度分布为时间与空间位置的函数。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/058,594 | 2008-03-28 | ||
| US12/058,594 US7755066B2 (en) | 2008-03-28 | 2008-03-28 | Techniques for improved uniformity tuning in an ion implanter system |
| PCT/US2009/038366 WO2009120845A2 (en) | 2008-03-28 | 2009-03-26 | Techniques for improved uniformity tuning in an ion implanter system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102047391A CN102047391A (zh) | 2011-05-04 |
| CN102047391B true CN102047391B (zh) | 2012-11-07 |
Family
ID=41114707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009801155384A Active CN102047391B (zh) | 2008-03-28 | 2009-03-26 | 离子束均匀度调整的方法以及系统 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7755066B2 (zh) |
| JP (1) | JP5552476B2 (zh) |
| KR (1) | KR101603587B1 (zh) |
| CN (1) | CN102047391B (zh) |
| TW (1) | TWI441232B (zh) |
| WO (1) | WO2009120845A2 (zh) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7259373B2 (en) * | 2005-07-08 | 2007-08-21 | Nexgensemi Holdings Corporation | Apparatus and method for controlled particle beam manufacturing |
| JP5212465B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-06-19 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法、イオンビームの調整方法及びイオン注入装置 |
| US10566169B1 (en) | 2008-06-30 | 2020-02-18 | Nexgen Semi Holding, Inc. | Method and device for spatial charged particle bunching |
| US10991545B2 (en) | 2008-06-30 | 2021-04-27 | Nexgen Semi Holding, Inc. | Method and device for spatial charged particle bunching |
| US7750323B1 (en) * | 2009-05-13 | 2010-07-06 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Ion implanter and method for implanting a wafer |
| US20110278478A1 (en) * | 2010-05-17 | 2011-11-17 | Causon Ko-Chuan Jen | Method and implanter for implanting a workpiece |
| US8581217B2 (en) * | 2010-10-08 | 2013-11-12 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Method for monitoring ion implantation |
| US8421039B2 (en) * | 2011-03-31 | 2013-04-16 | Axcelis Technologies, Inc. | Method and apparatus for improved uniformity control with dynamic beam shaping |
| US8288741B1 (en) * | 2011-08-16 | 2012-10-16 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for three dimensional ion processing |
| CN103165395B (zh) * | 2011-12-19 | 2015-08-05 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种离子束运动截面的调整装置 |
| CN102522352B (zh) * | 2011-12-22 | 2016-01-27 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 离子束稳定性的检测装置及检测方法 |
| JP5808706B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2015-11-10 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置及びその制御方法 |
| US8853653B1 (en) * | 2013-05-03 | 2014-10-07 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and techniques for controlling ion implantation uniformity |
| JP6150632B2 (ja) * | 2013-06-26 | 2017-06-21 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオンビーム測定装置及びイオンビーム測定方法 |
| US9263231B2 (en) * | 2013-10-10 | 2016-02-16 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Moveable current sensor for increasing ion beam utilization during ion implantation |
| US8933424B1 (en) * | 2013-11-21 | 2015-01-13 | Axcelis Technologies, Inc. | Method for measuring transverse beam intensity distribution |
| US9870896B2 (en) * | 2013-12-06 | 2018-01-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for controlling ion implanter |
| US9738968B2 (en) * | 2015-04-23 | 2017-08-22 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for controlling implant process |
| US20170005013A1 (en) * | 2015-06-30 | 2017-01-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Workpiece Processing Technique |
| US10395889B2 (en) * | 2016-09-07 | 2019-08-27 | Axcelis Technologies, Inc. | In situ beam current monitoring and control in scanned ion implantation systems |
| US10431421B2 (en) * | 2017-11-03 | 2019-10-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc | Apparatus and techniques for beam mapping in ion beam system |
| US10818473B2 (en) | 2018-08-14 | 2020-10-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Implanter calibration |
| US11348813B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-05-31 | Applied Materials, Inc. | Correcting component failures in ion implant semiconductor manufacturing tool |
| US11264205B2 (en) | 2019-12-06 | 2022-03-01 | Applied Materials, Inc. | Techniques for determining and correcting for expected dose variation during implantation of photoresist-coated substrates |
| CN112822831A (zh) * | 2021-02-09 | 2021-05-18 | 上海高鹰科技有限公司 | 一种辐照加速器及其束流辐照均匀度的调整方法 |
| US20240071719A1 (en) * | 2022-08-29 | 2024-02-29 | Applied Materials, Inc. | Closed loop faraday correction of a horizontal beam current profile for uniform current tuning |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1439166A (zh) * | 2000-03-27 | 2003-08-27 | 普罗泰罗斯公司 | 采用可移动工作台和法拉第杯的均匀带电粒子曝光装置和方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6903350B1 (en) * | 2004-06-10 | 2005-06-07 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion beam scanning systems and methods for improved ion implantation uniformity |
| US7109499B2 (en) * | 2004-11-05 | 2006-09-19 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and methods for two-dimensional ion beam profiling |
| US7078707B1 (en) * | 2005-01-04 | 2006-07-18 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion beam scanning control methods and systems for ion implantation uniformity |
| US7253423B2 (en) * | 2005-05-24 | 2007-08-07 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for uniformity tuning in an ion implanter system |
| US7176470B1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-02-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for high-efficiency ion implantation |
| JP5085887B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2012-11-28 | 株式会社Ｓｅｎ | ビーム処理装置及びビーム処理方法 |
| US7820987B2 (en) * | 2007-12-20 | 2010-10-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Predicting dose repeatability in an ion implantation |
-
2008
- 2008-03-28 US US12/058,594 patent/US7755066B2/en active Active
-
2009
- 2009-03-26 WO PCT/US2009/038366 patent/WO2009120845A2/en active Application Filing
- 2009-03-26 KR KR1020107023979A patent/KR101603587B1/ko active IP Right Grant
- 2009-03-26 CN CN2009801155384A patent/CN102047391B/zh active Active
- 2009-03-26 TW TW098109982A patent/TWI441232B/zh active
- 2009-03-26 JP JP2011502045A patent/JP5552476B2/ja active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1439166A (zh) * | 2000-03-27 | 2003-08-27 | 普罗泰罗斯公司 | 采用可移动工作台和法拉第杯的均匀带电粒子曝光装置和方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5552476B2 (ja) | 2014-07-16 |
| WO2009120845A3 (en) | 2009-12-23 |
| US7755066B2 (en) | 2010-07-13 |
| WO2009120845A2 (en) | 2009-10-01 |
| KR20110015523A (ko) | 2011-02-16 |
| US20090242808A1 (en) | 2009-10-01 |
| KR101603587B1 (ko) | 2016-03-15 |
| CN102047391A (zh) | 2011-05-04 |
| TWI441232B (zh) | 2014-06-11 |
| TW200943362A (en) | 2009-10-16 |
| JP2011517837A (ja) | 2011-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102047391B (zh) | 离子束均匀度调整的方法以及系统 | |
| US7355188B2 (en) | Technique for uniformity tuning in an ion implanter system | |
| US7663125B2 (en) | Ion beam current uniformity monitor, ion implanter and related method | |
| CN1667791B (zh) | 离子注入剂量控制 | |
| US7253423B2 (en) | Technique for uniformity tuning in an ion implanter system | |
| CN103367088B (zh) | 离子注入装置及其控制方法 | |
| CN101978476B (zh) | 利用飞行时间离子侦测器控制离子掺杂的方法及其装置 | |
| US7525103B2 (en) | Technique for improving uniformity of a ribbon beam | |
| CN101189699B (zh) | 离子束角度处理控制的技术 | |
| US20060076510A1 (en) | Ion beam implant current, spot width and position tuning | |
| KR20090037990A (ko) | 이온 주입 균일성을 위한 이온 비임 스캐닝 제어 방법 및 시스템 | |
| US10950508B2 (en) | Ion depth profile control method, ion implantation method and semiconductor device manufacturing method based on the control method, and ion implantation system adapting the control method | |
| CN204230207U (zh) | 离子注入角度测量装置及离子注入系统 | |
| CN108091534A (zh) | 离子注入方法及离子注入装置 | |
| JP2016526254A (ja) | イオン注入均一性を制御するための装置及び技術 | |
| CN103227087A (zh) | 离子注入方法及离子注入装置 | |
| Vilsmeier et al. | Space-charge distortion of transverse profiles measured by electron-based ionization profile monitors and correction methods | |
| US20120196047A1 (en) | Determining relative scan velocity to control ion implantation of work piece | |
| US7397049B2 (en) | Determining ion beam parallelism using refraction method | |
| US8925479B2 (en) | System and method of dosage profile control | |
| Palov et al. | Charging of submicron structures during silicon dioxide etching in one-and two-frequency gas discharges | |
| D'Andrea et al. | Release of Crystal Routine for Multi-Turn Proton Simulations within SixTrack v5 | |
| US20230057995A1 (en) | Fast beam calibration procedure for beamline ion implanter | |
| KR20200112586A (ko) | 이온 깊이 프로파일 제어방법, 그 제어방법을 기반으로 한 이온 임플란트 방법과 반도체 소자 제조방법, 및 그 제어방법을 채용한 이온 임플란트 시스템 | |
| None | A Method to Determine the Electric Field of Liquid Argon Time Projection Chambers Using a UV Laser System and its Application in MicroBooNE |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |