TWI382283B - Light irradiation device - Google Patents

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TWI382283B
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Description

光照射裝置
本發明是關於光照射裝置。尤其是，關於使用於半導體元件或液晶顯示基板的製造用曝光裝置的光照射裝置。
傳統上，在被使用於半導體晶圓或液晶基板的曝光裝置的光源，使用著數kW至數10kW的超高壓水銀燈。該燈是具高信賴性之故，因而以往就被使用，惟最近，隨著工件的大面積化，例如在液晶曝光用燈等也使用著25kW的大型燈。但是，燈的大型化是與構成燈的燈泡(發泡管)或電極材料的大型化有直接關聯，而會大幅度地增加製造成本與製作工數有關聯，因而逐漸接近極限。
一方面，作為燈大型化的對策，例如在日本特開2004-361746號(專利文獻1)，提案一種不是以1個大型燈構成光源，而是排列複數小型燈的構成。
提示於上述專利文獻1的光照射裝置，是例如排列放電燈與反射鏡所構成的35個單元以構成1個光源部者，而使用積分器將從該光源部所放射的光照射在工件。
又介紹著將積分器的入射面的光的入射領域，設計成比入射面本身的面積還要小，就可將來自光源的放射光以高利用率照射在工件的技術。
然而，一般放電燈是隨著經過點燈時間使得電極前端會磨耗，而電極間距離會變長。因此，當初，即使可將來自光源的放射光以高利用率入射在積分器，隨著經過點燈時間，無法入射於該積分器的光比率也變多，結果，會降低光的利用率，而在工件的照度也會降低。
尤其是，電極間距離為數mm的放電燈，或是在封入多量水銀的放電燈，點燈中的電極溫度成為極高溫之故，因而電極損耗是比通常的放電燈還要顯著地發生。又，點燈電力愈大的放電燈，電極損耗愈容易發生之故，因而容易發生光利用率的降低或照度降低。
又，即使工件作成大型化，對於該工件的全表面，也必須給予一定量的照射能量。所以，配合工件的大型化也必須加大光源的電力(燈電力)。
揭示於上述與專利文獻1的光照射裝置，是為了加大光源電力，可考量增加單元數，惟若增加單元數，則因從光對於積分器的入射角之關係，必須將光源的位置設定在距積分器有段距離的位置。亦即，會導致光照射裝置的大型化。
綜合以上背景：
(a)作為使用於半導體晶圓或液晶基板的曝光裝置的光源，在使用1個大型燈上有極限。
(b)如揭示於專利文獻1地，也提案一種排列複數小型燈而形成1個光源部的方法，惟在此所使用的小型燈，是因電極損耗厲害，因此隨著經過點燈時間，會降低光的利用率與降低工件的照度。
(c)揭示於專利文獻1的光照射裝置的情形，對應於工件的大型化，若加大光源部的電力(燈電力)，則光源部與積分器的距離會變大。
專利文獻1：日本特開2004-361746號公報
專利文獻2：日本特開平11-297268號公報
專利文獻3：日本特開2000-82321號公報
欲解決該發明的課題，是在利用複數小型燈以構成光源部的光照射裝置中，提供一種都可解決(a)不受點燈時間之影響，可維持高利用率與高照度，(b)即使增大光源部的電力，也不必加大光源部與積分器之距離，的光照射裝置。
本發明的一種光照射裝置，屬於至少具有：排列被封入有水銀與鹵素的放電燈與反射鏡所構成的複數個光源單元的光源部，及對於各放電燈供應電力的饋電裝置，及入射有從光源部所放射的光的積分器。又，上述饋電裝置是對於上述放電燈供應交流電流，而且從上述光源部所放射的光對於上述積分器的入射率為90%以下，為其特徵者。
又從上述光源部所放射的光對於上述積分器的入射率為50%以上，為其特徵者。
又，上述放電燈是額定200W以上，而電極間距離為1.0mm以上，為其特徵者。
又上述放電燈是封入有0.08~0.25mg/mm3 的範圍的 水銀，為其特徵者。
又，上述放電燈是封入有5×10-5 ~7×10-3 μmol/mm3 的範圍的鹵素，為其特徵者。
(A)本發明的光照射裝置是將封入水銀與鹵素的放電燈予以交流點燈，在該放電燈的電極前端形成突起，而該突起在燈點燈中不會消耗，利用可維持大到同一距離的性質，以解決降低照度維持率的問題。
(B)又，將從光源部所放射的光中，入射於積分器的光的比率，亦即將光的利用率作成90%以下，即使增加電極間距離，也不受其影響而可達成高照度維持率。
第1圖是表示本發明的第1實施例的光照射裝置的概略構成。
放射光的光源部10是由複數放電燈N所構成，各放電燈N是個別地被支撐於共通的支撐體3。各放電燈N是內設燈1與反射鏡2。支撐體3是沿著大約抛物面或是大約橢圓面的平緩曲面形狀，從各光源單元N所放射的光，重疊在光照射領域的積分器20的入射面的方式，隨著朝向支撐體的周邊部，徐徐地傾斜光源單元加以支撐。積分器20是將照度分布作成均勻的光學元件。在第1圖中，記載著接近光源部10與積分器20，惟實際上，光源部10與積分器20之距離是比圖示還要長，又，形成於支撐體3的曲面形狀是更平緩。
在積分器20重疊入射有來自複數的光源單元N的光。從積分器20所出射的光，是利用準直光管21成為平行光，被照射在經由被保持在屏蔽平台22的屏蔽23而被保持在工件平台24上的塗佈有光阻等感光劑的液晶基板或半導體元件的所謂工件W。在屏蔽23形成有圖案，而該圖案為曝光形成於工件W上的感光劑。
在各光源單元N，獨立地連接有將電力供應於各該放電燈1的饋電裝置30。又，各饋電裝置30的控制電路是被連接於未圖示的光照射裝置的裝置控制部，而對於放電燈的點燈，熄燈，或點燈時對於放電燈的電力供應，是光源單元N別地被控制。針對於饋電裝置30的構成及動作及裝置控制部如後述。
第2圖是表示光源單元N的擴大構造。1個的光源單元N是由放電燈1，反射鏡2，及圍繞此些的收納盒4所構成。又，放電燈1是利用饋電裝置30被交流點燈。物理性機構是如後述，惟若交流點燈水銀與鹵素的放電燈，則在電極前端可形成突起。反射鏡2是圍繞放電燈1的凹面反射鏡，配置成使得放電燈1的電極軸與反射鏡2的光軸成為一致。反射鏡2是使用例如橢圓鏡或拋物鏡。收納盒4是內設放電燈1與反射鏡2的木屐箱狀著，而在後方壁或是側壁設有冷卻風用開口。
第3圖是表示燈1的擴大圖。燈1是所謂放電燈，具有藉由石英玻璃所成的放電容器所形成的概略球形的發光部12。在該發光部12中形成有發光空間S，而在空間內 以1mm~2mm的間隔相對配置有同一電極15。在發光部12的兩端部形成有側管部11，而在該側壁部11例如利用收縮密封氣密地埋設有鉬所成的導電用金屬箔13。在金屬箔13的一端接合有電極15的軸部150，又，在金屬箔13的另一端接合有外部引線14而從外部的饋電裝置進行饋定。在發光部12封入有水銀與稀有氣體及鹵素氣體。水銀是為了得到所必需的紫外光波長，例如得到波長300~360nm的放射光者，封入0.08~0.25 mg/mm3 。該封入量是藉由溫度條件也不相同，惟點燈時成為80氣壓以上的高蒸氣壓力。
稀有氣體是例如氬氣體封入大約13kPa。其功能是在於改善點燈始動性。鹵素是碘、溴、氯等與水銀或其他金屬以化合物的形態被封入。鹵素的封入量是從5×10-5 ~7×10-3 μmol/mm3 的範圍被選擇。鹵素的功能是利用所謂鹵素循環的長壽命化，惟如本發明的放電燈地極小型又極高點燈蒸氣壓者，也有防止放電容器的透明消失的作用。表示燈的數值例，例如發光部10的最大外徑9.5mm，電極間距離1.5mm，發光管內容積75mm3 ，額定電壓70V，額定電力200W，而以350Hz被交流點燈。
電極15的前端(相對於另一方的電極的端部)是隨著燈的點燈，形成有突起。形成有突起的現象並不一定明顯，惟如下地被推測。亦即，在燈點燈中從電極前端附近的高溫部所蒸發的鎢(電極的構成材料)，是與存在於發光管內的鹵素成殘存氧氣結合，例如鹵素為Br，則存在作為 WBr、WBr2 、WO、WO2 、WO2 Br、WO2 Br2 等的鎢化合物。此些化合物是在電極前端附近的氣相中的高溫部被分解而成為鎢原子或陽離子。溫度擴散(氣相中的高溫部=自電弧中，而低溫部=朝電極前端近旁的鎢原子的擴散)，及在電弧中鎢原子被電離而成為陽離子，當陰極動作時藉由電場朝著陰極方向引拉(漂移)，藉此，電極前端附近的氣相中的鎢蒸氣密度變高，而析出在電極前端，會形成突起。
第4圖是表示電極前端及突起的模式圖。電極15是由球部15a與軸部150所構成，而在球部15a的前端形成有突起15b。該突起15b是即使在開始燈的點燈時未存在的情形，利用其後的點燈，可以說也自然發生地被形成。在此，突起15b是任何放電燈並不定也發生。在電極間距離為1mm~2mm，將0.08 mg/mm3 以上的水銀，及稀有氣體，及5×10-5 ~7×10-3 μmol/mm3 的範圍的鹵素封入於發光部的短弧型放電燈，隨著燈點燈，形成有突起15b，而在突起15b彼此間之間形成的電弧。
如此地，本案發明是在封入水銀與鹵素的燈中，利用進行交流點燈，突起可形成在電極前端的技術，藉此相當解決電極間距離的增大，與隨著該增大的照度維持率的降低的問題。又，將點燈頻率以周期性地低頻進行點燈，則更確實地可維持電極間距離。例如在350Hz的點燈中，周期性地以40Hz進行點燈。
以下，放電燈的點燈形態與電極間距離，針對於照度維持率所受的影響進行實驗。
實驗是使用交流點燈型燈的電極間距離1.6mm(燈1)，交流點燈型燈的電極間距離1.4mm(燈2)，交流點燈型發的電極間距離1.2mm(燈3)，交流點燈型燈的電極間距離1.0mm(燈4)，直流點燈型燈的電極間距離1.0mm(燈5)，直流點燈型燈的電極間距離0.7mm(燈6)的6種類的燈。6種類的燈的電極間距離都表示點燈前的大小，而點燈形態與電極間距離以外的條件，是基本上作成相同。實驗是製作如第2圖所示的形態的6種類的具200W反射器的燈，而對表示於第1圖的光源部總數53燈的裝置調查照度維持率。交流點燈燈都以350Hz進行點燈。照度是使用日本牛尾電機製UIT250照度計與S365受光器，求出在工件面的照度維持率。照度維持率是隨著點燈時間的經過進行測定照度，表示作為對於點燈初期的照度的相對值。尤其是，將從開始點燈經過750小時後的照度維持率抓住作為業者的指標，而從照度維持率的觀點上以表示75%以上的樣品作為合格。
第5圖是表示實驗結果。縱軸是表示照度維持率(%)，而橫軸是表示點燈時間(時間)。由圖可說明如下。
(1)進行交流點燈的放電燈(燈1~燈4)，是與進行直流點燈的放電燈(燈5與燈6)相比較，照度維持率格外地優異。該原因可能為上述的突起成長在交流點燈的放電燈中有良好的功能者。
(2)即使進行交流點燈的放電燈，電極間距離愈大的燈照度維持率也優異，具體上，燈4(積分器1.0mm)是在點燈750小時為照度維持率75%，而在點燈1500小時降低至60%，對此，燈1(積分器1.6mm)是在750小時為照度維持率90%以上，而在點燈1500小時也有接近90%的照度維持率。該原因可能是電極間距離愈小，電極損耗愈厲害。
該結果，200W的交流點燈型放電燈的情形，則可知若電極間距離為1.0mm以上，就可發揮業者可認定的照度維持率。
以下，本發明人等，以200W以外的燈電力進行與上述同樣的實驗。具體上，以200W的交流點燈型放電燈，300W的交流點燈型放電燈，420W的交流點型放電燈作為對象。
針對於各燈，求出具有與上述同樣的照度維持率(在點燈750小時維持75%的照度)的燈的電極間距離，則在燈電力為250W時是電極間距離1.1mm以上，在燈電力為300W時是電極間距離1.2mm以上，而在燈電力為420W時是電極間距離1.4mm以上。
該結果
(3)照度維持率為滿足業者水準所用的電極間距離，是藉由燈的額定電力(燈電力)有所不同。具體上200W時是電極間距離1.0mm以上，250W時是電極間距離1.1mm以上，300W時是電極間距離1.2mm以上，而420W時是電極間距離1.4mm以上的燈，燈電力愈大，則滿足要求的電極間距離的愈大。
又，電極間距離是與光的利用率(從光源部所放射的光中被入射於積分器的比率)。因為，電極間距離愈小的燈，可將放電弧實質視作為點之故，因而能將放電弧的光100%地入射於積分器。一方面，電極間距離大的燈是將放電弧視作為有張大小之故，因而，除非使用具有需要以上的入射面的積分器，就不能將放電弧的光100%地入射於積分器，會發生無法射入於積分器的光，亦即會發生浪費的光。
如此，對於表示於第1圖的光照射裝置，依序組裝點燈電力與電極間距離不同的複數燈，嘗試測定入射於積分器的光。
具體上，針對於使用200W電極間距離1.0mm的燈的裝置(裝置A)，使用250W電極間距離1.1mm的燈的裝置(裝置B)，使用300W電極間距離1.2mm的燈的裝置(裝置C)，及使用420W電極間距離1.4mm的燈的裝置(裝置D)，進行測定光的利用率。
又，各裝置是調整燈(單元)數成為曝光面的照度會相等。具體上，裝置A是單元數53個，總電力10.7KW，裝置B是單元數42個，總電力10.6KW，裝置C是單元數36個，總電力10.8KW，而裝置D是單元數25個，總電力10.5KW，曝光面照度是被統一成45mW/cm2 。
又，測定該實驗的各裝置的光利用率，則裝置A是成為89.9%，裝置B是成為88.7%，裝置C是成為88.0%，而裝置D是成為89.3%。
該結果，可知以下事項。
(4)可知照度維持率充分的光照射裝置是不管燈電力，光利用率在90%以下。換言之，只要光利用率為90%以下，則不管燈電力具充分的照度維持率。在此，具充分的照度維持率是指滿足業者基準值者。
在此，說明光利用率的測定方法。
第6圖是說明光利用率的測定方法的圖式，(a)是表示燈與積分器的配置關係的圖式，(b)是表示積分器的入射面的圖式，(c)是表示積分器的入射面的直徑方向的照度分布。
在(a)中，隔著所定距離(例如2600mm)設置燈與積分器。該距離是在組裝表示於第1圖的裝置時所設定的數值，實際上最適值是藉由燈的裝載支數有所變化。被照射在積分器的入射面的光是如(b)所示地，也有照射積分器的入射面的成分。惟也存在未被照射在入射面的成分。在積分器的入射面，以比入射面還要應的領域作為對象而朝積分器的直徑方向移動受光器的位置。具體上，配置機器人(朝XY方向運轉的機構)，例如以20mm間隔離行移動照度計的受光器，而在X，Y的各點測定照度(mW/cm2 )。又，受光器的移動是手動也可以。相乘所測定的照度值與其位置的面積(環狀部分)的面積(cm2 )，則求得光束(W)。如此地，在積分器的入射面全體全面地進行照度測定，就可求出燈的全光束。又，入射於積分器的領域是入射面的光束(積分器入射光束)之故，因而若計算積分入射光束/全光束，就可求出在積分器有幾%的光束被入射。具體上，以20mm間隔在左右上下各17點合計33點(中心是有掉1次)進行測定Φ720的圓內，作為全光束。
又，光利用率是在90%以下就可達成超過業者基準的照度維持率，而利用率愈小，照度維持率愈優異。光利用率愈小，就是電極間距離會變大，而不容易發生電極損耗。順便地，在表示於第5圖的200W的燈中，將交流點燈型燈(燈1～燈4)作為光源入射於表示於第1圖的光照射裝置，而針對於各該裝置，進行測定光利用率。又，與上述同樣地，各裝置是調整燈(單元)數成為曝光面的照度幾乎相等。
其結果，光利用率是燈1為58%，燈2為67%，燈3為77%，燈4為90%，燈5為90%，燈6為100%。
亦即，由該實驗，照度維持率充分的光照射裝置是不管燈電力，光的利用率為90%以下。但是若光利用率低於50%，則未利用的光變多，而在與接通電力的關係不理想。因此光利用率是50%以上90%以下較佳。
如此地，本案發明是一面重複各種試製或實驗一面找出以下事實。
(1)交流點燈放電燈與直流點燈的情形相比較，可發揮各外地優異的照度維持率。
(2)電極間距離與照度維持率是具有正的相關係，電極間距離愈大的放電燈，照度維持率愈優異。
(3)滿足作為業者水準的照度維持率(所定的照度維持率)的最小電極間距離，是藉由燈電力有所不同。燈電力愈大，則滿足所定的照度維持率的電極間距離是愈大。
(4)所定的照度維持率是不管燈電力，與光利用率有關聯。若光利用率為90%以下，則不管燈電力，照度維持率是可滿足業者水準。
然而，工件的液晶基板或半導體晶圓是近年來大型化，在液晶基板來說，也有在畫面對角超過40英吋者。曝光此種大型的液晶基板時，即使曝光面積變大，每一單位面積的照射能量是成為與從前需要同樣量。被塗佈於液晶基板上的光阻感光所用的能量為與曝光面積無關地一定。亦即，若曝光面積變大，則僅其分量必須提高從光源部所發生的照射能量。例如，為了在曝光面欲得到與使用1燈5kW的高壓水銀燈的光照射裝置同等的特性，則成為以電力換算若為100W的放電燈，則需要50支(50台光源單元)而光源部是成為更大型化。
一方面，在積分器(積分透鏡)，存在著光入射於積分器內部所用的入射角，而從該角度以外的角度所入射的光，是在積分器表面會被反射，而不會進入內部。亦即，光源單元為成為50台會導致光源部大型化，則會發生無法入射於積分器的光。
所以使用複數燈來構成光源部時，一面調整燈數(單元數)與積分器之距離，一面可將來自光源部的放射光良好地入射於積分器，且在曝光面必須設定僅可提供充分的照射能量的構造。
具體而言，在傳統的一般性的光照射裝置(1燈5kW的高壓水銀燈，照射領域500mm×600mm，視角1.8°)中，曝光面所必須的照射能量是45mW/cm2 。將此置換成以如本案發明的複數放電燈構成光源部的光照射裝置，則以100W的放電燈就使用61個，對於同一照射領域，以同一視覺可構成同一照射能量。這時候，61個的放電燈是在總電力成為6.1kW。
一方面，以200W的放電燈則使用18個，對於同一照射領域，以同一視覺可構成同一照射能量。這時候18個的放電燈是在總電力成為3.6kW，而與使用100W的燈的情形相比較，提昇約59%的電力效率，亦即可知使用200W的放電燈構成光源部者，比使用100W的放電燈構成光源部者，燈數變少，而電力效率變高。
同樣地，針對於傳統的一般性的光照射裝置(1燈10kW的高壓水銀燈，照射領域750mm×650mm，視角2.0°)，若置換成本案發明的光照射裝置，則以100W的放電燈就用94個(總電力9.4kW)，對此，若200W的放電燈就用29個(總電力5.8kW)，與上述同樣地，可知使用200W的放電燈以構成光源部者，電力效率變高。
在此，本發明的放電燈是封入有0.08～0.25mg/mm3 範圍的水銀。
第7圖是表示0.15mg/mm3 的水銀，及封入鹵素的放電燈的分光分布。如圖示地，可知多放射波長300～350nm的紫外線。若水銀是比0.08mg/mm3 還要少，則除了波長300～350nm的發光以外，也增加依300nm以下水銀所致的發光而在曝光上有不好影響之故，因而較不理想。又，350~450nm附近的連續光譜也降低之故，因而較不理想。若水銀比0.25 mg/mm3 還要多，則波長300~350nm的發光變少較不理想。
第8圖是表示點燈放電燈的饋電裝置。
饋電裝置3是由：供應有直流電壓的降壓斬波電路31，及連接於降壓斬波電路31的輸出側，將直流電壓變更成交流電壓而供應於放電燈1的全電橋型反相電路32(以下，也稱為「全電橋電路」)，及串聯連接於放電燈的線圈11，電容器C1，起動電路33，及控制電路34所構成。
又，藉由降壓斬波電路31，全電橋電路32，起動電路33，控制電路34構成饋電裝置，包括放電燈1稱為點燈裝置。
降壓斬波電路31是由：連接於直流電源VDC ，開關元件Qx，及二極體Dx，及線圈Lx，及平滑電容器Cx，及開關元件Qx的驅動電路Gx所構成。開關元件Qx是藉由開/關驅動。藉由該驅動，被調整開關元件Qx的作用比，而控制被供應於放電燈10的電流或電力。
全電橋電路32是由：電橋狀地連接的電晶體或FET的開關元件Q1~Q4，及開關元件Q1~Q4的驅動電路G1~G4所構成。又，在開關元件Q1~Q4，分別並聯地二極體為也逆並聯地連接的情形，惟該實施例中省略二極體。
控制電路34是由：電力轉換器340，比較器341，脈 寬調變電路342，控制部343，全電橋電路驅動電路344所構成。電力轉換器340是將在電阻R1、R2、R3所檢測的電壓訊號或電流訊號轉換成電力訊號。電力訊號是在比較器341與基準電力值相比較且經由脈寬調變電路342，進行反饋控制開關元件Qx。藉此，將燈的點燈電力作成一定值。實施所謂定電力控制。又，開關元件Q1~Q4是經由控制部343，利用全電橋電路驅動電路344被驅動。
全電橋電路32的動作是交互地重複開，閉開關元件Q1、Q4，及開關元件Q1、Q4，及開關元件Q2、Q3。當開關元件Q1、Q4導通時，則電流流在降壓斬波電路31→開關元件Q1→線圈L1→放電燈1→開關元件Q4→降壓斬波電路31。一方面，當開關元件Q2、Q3導通時，則以降壓斬波電路31→開關元件Q3→放電燈1→線圈L1→開關元件Q2→降壓斬波電路31的路徑，將交流矩形波電流供應於放電燈1。
驅動上述開關元件Q1~Q4之際，為了防止開關元件Q1~Q4的同時導通，切換交流矩形波的極性時，設有將元件開關元件Q1~Q4都作成斷開之期間(空檔時間Td)。
又，供應於放電燈1的交流矩形波輸出的頻率，是由60~1000Hz(穩定頻率)的範圍所選擇者，例如350Hz。又，上述空檔時間期間是由0.5μs~10μs的範圍所選擇。
在此，本發明的放電燈點燈裝置是藉由表示於第3圖的饋電裝置，以穩定頻率(60~1000Hz)點燈表示於第1圖的放電燈，而在其中定期地入低頻。該低頻是比穩定比率 還要低的頻率，由5~200Hz的範圍被選擇，又，被插入的波數以半周期作為1單位而從1單位至10單位的範圍被選擇，又，被插入在穩定頻率的間隔為由0.01秒~120秒的範圍被選擇。
本發明的光照射裝置是以具有光源單元，及饋電裝置，及積分器者作為要件者，其以外的構成要素，例如包含折回鏡，濾波器，照度監測器等也可以。
以上如所述地，本發明的光照射裝置，是交流點燈封入水銀與鹵素的放電燈，在該放電燈的電極前端形成突起，該突起在燈點燈中不會消耗，利用維持大約同一大小的性質，以解決電極間距離的增大與隨著其增大與隨著的照度維持率降低的問題。又，從光源部所放射的光中，被入射於積分器的光的比率，亦即將劣的利用率作成90%以下，則即使增加電極間距離，也不會受到其影響而可達成高照度維持率。
1‧‧‧放電燈
2‧‧‧反射鏡
3‧‧‧支撐體
4‧‧‧收納盒
10‧‧‧光源部
11‧‧‧側管部
12‧‧‧發光部
13‧‧‧金屬箔
14‧‧‧外部引線
20‧‧‧積分器
21‧‧‧準直平管
22‧‧‧屏蔽平台
23‧‧‧屏蔽
30‧‧‧饋電裝置
N‧‧‧單元
W‧‧‧工件
第1圖是表示本發明的光照射裝置的概略構成。
第2圖是表示本發明的光照射裝置的光源單元。
第3圖是表示本發明的光照射裝置的放電燈。
第4圖是表示說明本發明的放電燈的原理的模式圖。
第5圖是表示本發明的光照射裝置的實驗結果。
第6(a)圖至第6(c)圖是表示測定本發明的光照射裝置的入射率的實驗的說明圖。
第7圖是表示本發明的放電燈的放射波長。
第8圖是表示本發明的饋電裝置的電路構成。
1．．．放電燈
2．．．反射鏡
3．．．支撐體
10．．．光源部
20．．．積分器
21．．．準直平管
22．．．屏蔽平台
23．．．屏蔽
30．．．饋電裝置
W．．．工件

Claims (5)

  1. 一種光照射裝置，屬於至少具有：排列被封入有水銀與鹵素的放電燈與反射鏡所構成的複數個光源單元的光源部，及對於各放電燈供應電力的饋電裝置，及入射有從光源部所放射的光的積分器的光照射裝置，其特徵為：上述饋電裝置是對於上述放電燈供應交流電流，而且從上述光源部所放射的光對於上述積分器的入射率為90%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的光照射裝置，其中，從上述光源部所放射的光對於上述積分器的入射率為50%以上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的光照射裝置，其中，上述放電燈是額定200W以上，而電極間距離為1.0mm以上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的光照射裝置，其中，上述放電燈是封入有0.08～0.25mg/mm3 的範圍的水銀。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的光照射裝置，其中，上述放電燈是封入有5×10-5 ～7×10-3 μmol/mm3 的範圍的鹵素。
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