KR20120100773A - 기판 처리를 위한 uv 조사의 조작 방법과, uv 광에 의한 기판 처리 방법 및 기판 처리를 위한 uⅴ 유닛 - Google Patents
기판 처리를 위한 uv 조사의 조작 방법과, uv 광에 의한 기판 처리 방법 및 기판 처리를 위한 uⅴ 유닛 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120100773A KR20120100773A KR1020120021038A KR20120021038A KR20120100773A KR 20120100773 A KR20120100773 A KR 20120100773A KR 1020120021038 A KR1020120021038 A KR 1020120021038A KR 20120021038 A KR20120021038 A KR 20120021038A KR 20120100773 A KR20120100773 A KR 20120100773A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sensor
- light
- illuminance
- substrate
- interval
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 82
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims abstract 5
- 238000011017 operating method Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 9
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 9
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 8
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/429—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to measurement of ultraviolet light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
다중 기판들을 UV 광으로 연속적으로 처리하는 동안 기판을 처리하기 위한 UV 조사를 조작하는 방법으로서, 상기 UV 광의 조도 세기를 측정하기 위해 제 1 간격으로 상기 UV 광에 제 1 UV 센서를 노출시켜 측정된 상기 조도 세기를 기초로 하여 조도 세기를 목표 수준으로 조절하도록 하는 단계; 및 상기 UV 광의 조도 세기를 측정하기 위해 제 2 간격으로 상기 UV 광에 제 2 UV 센서를 노출시켜 실질적으로 상기 제 2 UV 센서에 의해 측정된 상기 조도 센서를 이용하여 상기 제 1 UV 센서에 의해 측정된 상기 조도 세기를 균일화함으로써 상기 제 1 UV 센서를 조정하도록 하는 단계를 포함하며, 각각의 제 2 간격은 각각의 제 1 간격 보다 길다.
Description
본 발명은 일반적으로 UV 센서를 조정하기 위한 방법 및 상기 조정 방법을 이용하여 반도체 기판을 경화하기 위한 UV 조사를 제어하기 위한 방법에 관한 것이다.
종래에는, UV 조사 장치는 통상적으로 광화학적 반응에 의한 기판의 제조 및 UV 광을 이용한 다양한 처리 타겟의 변형을 위해 이용되었다. 장치들을 더 많이 통합하는 최근의 경향은 점차적으로 더 미세한 와이어링 설계 및 다중 층 와이어링 구조를 초래하였으며, 이는 중간 층 용적을 감소시키기 위한 요구가 발생되어 전력 소모를 감소시키면서 장치 속도를 증가시킨다. 중간 층 용적을 감소하는 하나의 방법은 UV 조사를 통하여 저-k 재료를 경화시켜 저-k 재료의 기계적 강도를 증가시키는 것이다(예를 들면, U.S. 특허 제 6,759,098호 및 U.S. 특허 제 6,296,909호).
UV 조사 장치에서, 일정한 조도로 UV 조사 처리를 안정되게 작동하도록, 내장 UV 센서를 이용하는 조도 피드백 시스템이 적용된다. 그러나, 내장 UV 센서는 UV 광에 대한 노출에 의해 시간에 따라 저하되며, 결과적으로 내장 UV 센서에 의해 측정된 조도가 변화된다. 따라서, 내장 UV 센서는 변화된 조도 치수를 보완하기 위해 반드시 주기적으로 조정된다. 조정은 다른 외부 UV 센서에 의해 제공된 치수 데이터를 이용하여 수행된다. 즉, 내장 UV 센서를 구비한 UV 유닛은 처리 챔버로부터 분리되고, 외부 UV 센서 위에 놓여져, 외부 UV 센서가 내장 UV 센서와 동시에 UV 램프에 노출된다.
도 1은 이와 같은 조정 방법을 설명한다. 도 1의 (a)는 종래의 UV 조사 장치의 개략도이다. UV 조사 장치는 처리 챔버(6) 및 그 위에 장착된 UV 유닛(1)으로 이루어진다. 처리 챔버(6)에서, 히터 테이블(5)은 그 위에 기판을 지지하기 위해 제공된다. UV 유닛(1)에서, UV 램프(2)는 기판을 처리하기 위해 제공된다. 내장 UV 센서(3)가 또한 UV 유닛(1) 내에 제공되어 UV 램프로부터 방사된 조도를 측정하도록 한다. 내장 UV 센서(3)에 의해 출력된 조도 신호는 UV 램프의 전력을 제어하는 PLC(전력선 소통부)(4)를 포함하는 전력 제어 시스템으로 피드 백되어, UV 램프(2)가 저하되어 적은 조도를 방사하는 경우 조차, 내장 센서(3)가 조도의 감소를 캐치하여 PLC(4)가 UV 램프로의 전력을 증가시킴으로써 조도의 감소를 보완한다. 결과적으로, 히터 테이블 상의 기판은 일정한 조도로 UV 광에 노출된다. 그러나, 내장 UV 센서는 또한 시간에 따라 저하된다. 따라서, 내장 UV 센서는 예를 들면 100 내지 300 연속 시간의 조사 마다 조정될 것이 요구된다. 조정이 수행될 때, 도 1의 (b)에서 도시된 바와 같이, UV 유닛(1)은 처리 챔버(6)로부터 분리되어 외부 UV 센서(7)가 구비된 측정 지그(8) 상에 장착된다. 외부 UV 센서(7)는 이어서 UV 램프(2)로부터 방사된 조도에 노출되어 조도를 측정한다. UV 유닛(1)은 측정 지그(8)로부터 분리되어 처리 챔버(6) 위에 다시 배치된다. UV 조사가 이어서 실행되고 내장 UV 센서(3)는 외부 UV 센서(7)에 의해 측정된 조도를 기초로 하여 조정된다. 그리고, 조정 후 UV 처리가 재개된다.
그러나, 상기 조정은 상이한 환경들 하에서 실행되기 때문에, 그리고 또한 외부 UV 센서가 측정 지그 내에 제공되기 때문에, 외부 UV 센서에 의해 측정된 조도는 내장 UV 센서에 의해 측정된 이상적인 조도를 정확하게 나타낼 수 없을 수 있다. 또한, 이 같은 외부 조정은 생산성을 낮춘다.
관련된 기술 분야에 포함된 문제점 및 해결책의 임의의 논의는 본 발명에 대한 내용을 제공하기 위해 단지 이러한 공개물에 포함되었으며, 상기 논의의 일부 또는 모두가 본 발명이 창안되었을 때 알려진 것으로서 받아지지 않아야 한다.
본 발명은 UV 센서를 조정하여 반도체 기판을 경화하기 위한 UV 조사를 제어하는 것을 내용으로 한 기판 처리를 위한 UV 조사의 조작 방법과, UV 광에 의한 기판 처리 방법 및 기판 처리를 위한 UV 유닛의 제공을 그 목적으로 한다.
본 발명은 다중 기판들을 UV 광으로 연속적으로 처리하는 공정에서 기판 처리를 위한 UV 조사의 조작 방법으로서, 상기 UV 광의 조도 세기를 측정하기 위해 제 1 간격으로 상기 UV 광에 제 1 UV 센서를 노출시키고, 측정된 조도 세기를 기초로 하여 조도 세기를 목표 수준으로 조절하는 단계; 및 상기 UV 광의 조도 세기를 측정하기 위하여 제 2 간격으로 상기 UV 광에 제 2 UV 센서를 노출시시키고, 상기 제 2 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기를 이용하여 실질적으로 상기 제 1 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기를 균일화함으로써 상기 제 1 UV 센서를 조정하는 단계;를 포함하며, 각각의 상기 제 2 간격은 각각의 상기 제 1 간격보다 길이가 긴 기판 처리를 위한 UV 조사의 조작 방법을 제공한다.
이때, 각각의 상기 제 2 간격에 대한 각각의 상기 제 1 간격의 비율은 1/100 내지 1/2인 것에도 그 특징이 있다.
게다가, 상기 제 1 UV 센서의 간격은 1 시간 내지 10 시간이고, 상기 제 2 UV 센서의 간격은 5 시간 내지 200 시간인 것에도 그 특징이 있다.
뿐만 아니라, 상기 제 2 UV 센서가 상기 UV 광에 노출될 때, 상기 제 1 UV 센서 및 상기 제 2 UV 센서가 동시에 노출되는 것에도 그 특징이 있다.
더불어, 상기 제 1 UV 센서 및 상기 제 2 UV 센서는 나란히 배치되는 것에도 그 특징이 있다.
나아가, 상기 제 1 UV 센서 및 상기 제 2 UV 센서는 셔터를 가지며, 상기 제 1 UV 센서 및 상기 제 2 UV 센서가 각각 노출될 때 상기 셔터가 개방되는 것에도 그 특징이 있다.
여기서, 상기 기판이 처리 챔버에 배치되고, 상기 처리 챔버 상에 UV 유닛이 분리가능하게 장착되며, 상기 UV 광을 조사하기 위한 UV 램프와 상기 제 1 UV 센서 및 상기 제 2 UV 센서가 상기 UV 유닛에 설치되는 것에도 그 특징이 있다.
그리고, 상기 기판은 상기 기판 위에 형성된 유전체 필름을 갖는 반도체 기판인 것에도 그 특징이 있다.
아울러, 상기 UV 광은 약 365 nm의 파장을 갖는 것에도 그 특징이 있다.
또한, 상기 UV 광의 조도 세기는 상기 기판의 면적 당 UV 램프의 전력으로서 100 내지 약 300 mW/m2인 것에도 그 특징이 있다.
본 발명은 UV 광으로 연속적으로 기판을 처리하는 제 1 단계; 상기 UV 광의 조도 세기를 측정하기 위하여 제 1 간격으로 상기 UV 광에 제 1 UV 센서를 노출시키고, 측정된 상기 조도 세기를 기초로 하여 목표 수준으로 조도 세기를 조절하는 제 2 단계; 상기 제 1 단계 및 상기 제 2 단계를 반복하는 제 3 단계; 및 상기 UV 광의 상기 조도 세기를 측정하기 위해 제 2 간격으로 상기 UV광에 제 2 UV 센서를 노출시키고, 상기 제 2 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기를 이용하여 실질적으로 상기 제 1 UV 센서에 의해 마지막으로 측정된 조도 세기를 균일화함으로써 상기 제 1 UV 센서를 조정하는 제 4 단계;를 포함하며, 각각의 상기 제 2 간격은 각각의 상기 제 1 간격보다 길이가 긴 UV 광에 의한 기판 처리 방법을 제공한다.
이때, 각각의 상기 제 2 간격에 대한 각각의 상기 제 1 간격의 비율은 1/100 내지 1/2인 것에도 그 특징이 있다.
게다가, 상기 제 1 UV 센서의 간격은 1 시간 내지 10 시간이고, 상기 제 2 UV 센서의 간격은 5 시간 내지 200 시간인 것에도 그 특징이 있다.
뿐만 아니라, 상기 제 4 단계가 실행될 때, 상기 제 2 단계가 또한 실행되어, 상기 제 1 UV 센서 및 상기 제 2 UV 센서에 의해 동시에 측정된 조도 세기들을 실질적으로 균일화함으로써 상기 제 1 UV 센서를 조정하는 것에도 그 특징이 있다.
나아가, 상기 제 1 UV 센서 및 상기 제 2 UV 센서가 나란히 배치되는 것에도 그 특징이 있다.
더불어, 상기 제 1 UV 센서 및 상기 제 2 UV 센서는 상기 제 2 단계와 상기 제 4 단계의 각각에서 개방되는 셔터를 갖는 것에도 그 특징이 있다.
그리고, 상기 기판은 상기 기판 위에 형성된 유전체 필름을 갖는 반도체 기판인 것에도 그 특징이 있다.
본 발명은 기판이 배치되는 처리 챔버 상에 분리가능하게 장착되도록 구성된 기판을 처리하기 위한 UV 유닛으로서, UV 광을 조사하기 위한 UV 램프; 상기 UV 광의 조도 세기를 측정하기 위하여 상기 UV 광에 노출되도록 구성되고, 측정된 조도 세기를 기초로 하여 목표 수준으로 조도 세기를 조절하는 제 1 UV 센서; 상기 UV 광의 조도 세기를 측정하기 위하여 상기 UV 광에 노출되도록 구성된 제 2 UV 센서로서, 상기 제 2 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기를 이용하여 상기 제 1 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기를 균일화함으로써 상기 제 1 UV 센서를 조정하는 제 2 UV 센서; 및 제 1 간격으로 상기 제 1 UV 센서를 작동시키고, 제 2 간격으로 상기 제 2 UV 센서를 작동시키며, 상기 제 2 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기를 기초로 하여 상기 제 1 UV 센서를 조정하고, 상기 제 1 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기를 기초로 하여 상기 UV 램프의 전력을 제어하는 제어 유닛;을 포함하는 기판 처리를 위한 UV 유닛을 제공한다.
여기서, 상기 UV 광은 365 nm의 파장 갖는 것에도 그 특징이 있다.
나아가, 상기 UV 광의 조도 세기는 상기 기판의 면적당 UV 램프의 전력으로 100 내지 300 mW/m2인 것에도 그 특징이 있다.
도 1(a)는 종래의 UV 조사 장치의 개략도이고, 도 1(b)는 측정 지그 상에 장착된 UV 유닛의 개략도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 인-시츄 조정 시스템이 구비된 플라즈마 CVD 장치의 개략도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 UV 센서의 위치를 보여주는, 플라즈마 CVD 장치의 개략도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 UV 센서의 개략도.
도 5a는 양 센서의 셔터가 폐쇄되는 제 1 및 제 2 UV 센서를 도시한 도면.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따라 제 1 센서의 셔터가 개방되고 제 2 센서가 폐쇄되어 있는 제 1 및 제 2 UV 센서를 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 센서(UV 피드백 센서) 및 제 2 센서(UV 조정 센서)를 이용하여 조도를 모니터링하는 타이밍(timing) 흐름도를 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 일 실시예 및 종래의 방법에서 조정 사이클(한 번의 사이클의 시간)과 도구의 작동율 사이의 관계를 보여주는 그래프.
도 8은 일 실시예에 따른 UV 조사 장치의 개략도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 인-시츄 조정 시스템이 구비된 플라즈마 CVD 장치의 개략도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 UV 센서의 위치를 보여주는, 플라즈마 CVD 장치의 개략도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 UV 센서의 개략도.
도 5a는 양 센서의 셔터가 폐쇄되는 제 1 및 제 2 UV 센서를 도시한 도면.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따라 제 1 센서의 셔터가 개방되고 제 2 센서가 폐쇄되어 있는 제 1 및 제 2 UV 센서를 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 센서(UV 피드백 센서) 및 제 2 센서(UV 조정 센서)를 이용하여 조도를 모니터링하는 타이밍(timing) 흐름도를 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 일 실시예 및 종래의 방법에서 조정 사이클(한 번의 사이클의 시간)과 도구의 작동율 사이의 관계를 보여주는 그래프.
도 8은 일 실시예에 따른 UV 조사 장치의 개략도.
결론적으로, 하나의 양태에서, 본 발명의 목적은 UV 전력 제어 시스템으로 피드백을 제공하는 UV 피드백 센서(내장 센서)의 인-시츄(in-situ) 조정 방법을 제공하는 것으로, 조정을 위한 다른 UV 센서가 UV 유닛 내부에 제공된다. 다른 UV 센서는 내장 UV 센서보다 실질적으로 들(less) 빈번하게 UV 광에 노출되어, 다른 UV 센서가 상당히 저하되지 않으며, 내장 UV 센서를 조정할 수 있다. 소정의 실시예들에서, 다른 UV 센서는 다른 UV 센서가 조도를 측정하지 않으며 조도를 측정하기 위해 개방될 때 폐쇄되는(즉, UV 광으로부터 다른 UV 센서의 UV 수용 유닛을 차단) 셔터가 구비된다. 소정의 실시예들에서, 다른 UV 센서는 내장 UV 센서의 조정을 위해 조도를 측정할 때만 UV 광에 노출된다. 다른 UV 센서의 저하가 내장 UV 센서에 비해 UV 광에 실질적으로 적게 노출되기 때문에 무시가능하거나 실질적으로 없기 때문에, 그리고 또한 다른 UV 센서가 UV 유닛 내부의 내장 UV 센서의 근처에 위치되고 내장 UV 센서로 동시에 조도를 측정할 수 있기 때문에, 조정의 환경적 또는 외부 에러가 감소될 수 있으며, 조정이 매우 정밀하게 수행될 수 있다. 또한, 인-시츄 조정이 측정 지그를 이용하는 조정과 같은 외부 조정을 제거할 수 있기 때문에, 그리고 인-시츄 조정이 기판의 UV 처리 동안 실행될 수 있기 때문에, 생산성이 상당히 개선될 수 있다. 또한, 인-시츄 조정이 용이하게 자동화된 후 예정된 시퀀스가 후속될 수 있어 생산성이 추가로 개선된다.
관련된 분야에 대해 달성된 장점 및 본 발명의 양태를 요약하기 위해, 본 발명의 소정의 목적 및 장점이 이 공개물에서 설명된다. 물론, 모든 이 같은 목적 및 장점이 본 발명의 임의의 특별한 실시예에 따라 달성될 수 있는 것이 반드시 필요한 것이 아니라는 것을 이해하여야 한다. 따라서, 예를 들면, 본 기술분야의 기술자들은 본 발명이 여기서 설명되거나 제안될 수 있는 바와 같은 다른 목적 또는 장점을 반드시 달성하지 않고 본 명세서에서 설명된 바와 같은 하나의 장점 또는 장점의 그룹을 달성하거나 최적화하는 방식으로 실시되거나 수행될 수 있다는 것을 인정할 것이다.
본 발명의 추가의 양태, 특징 및 장점은 아래의 상세한 설명으로부터 명백하게 될 것이다.
본 발명의 이러한 및 다른 특징은 지금부터 본 발명을 설명하고 제한하지 않는 것으로 의도되는 바람직한 실시예의 도면을 참조하여 설명될 것이다. 도면들은 설명 목적을 위해 매우 단순화되었으며 반드시 스케일 대로 도시된 것은 아니다.
본 공개물에서, "실질적으로 동일", "실질적으로 일정" 등은 10% 미만, 5% 미만, 1% 미만, 또는 이들의 임의의 범위의 차이, 탐지가능하지 않은 차이, 또는 기술자가 일반적으로 또는 관습적으로 비현실적인 것으로 고려하는 임의의 차이를 지칭한다. 또한 본 명세서에서, "실질적으로 더 긴", "실질적으로 상이한", 등은 적어도 30%, 50%, 100%, 5배, 10배, 100배, 200 배 또는 이들의 소정의 범위의 차이, 또는 기술자가 일반적으로 또는 관습적으로 비현실적으로 것으로 고려되는 임의의 차이를 지칭한다. 또한, 이러한 공개물에서 "약"은 균등물 또는 비현실적인 차이 또는 기술자가 정확한 값에 부가하여, "약"이 되도록 일반적으로 또는 관습적으로 고려되는 임의의 차이의 산입을 지칭한다. 이러한 공개물에서, "가스"는 기화 고체 및/또는 액체를 포함할 수 있고 가스의 혼합물로 구성될 수 있다. 또한, 이러한 공개물에서, 소정의 두 개의 개수의 변수는 변수의 적용가능한 범위를 구성하고, 표시된 소정의 범위들은 단부 지점을 포함하거나 배제할 수 있다. 또한, "연속적으로"는 지정된 단계 또는 처리로서 사이클마다, 연속적으로 물리적으로, 타임라인(timeline)으로서 연속적으로, 타임라인으로서 간섭 없이, 처리 상태들을 변경하기 않고, 그 후 즉시, 다음 활성 단계 또는 처리로서, 또는 동일한 실시예에서 두 개의 구조들 사이의 불연속 물리적 또는 화학적 경계 없이 계속적 또는 연속적인 것으로 지칭된다. 소정의 실시예들에서, "필름"은 전체 타겟 또는 관련된 표면을 덮기 위하여 실질적으로 핀홀 없이 두께 방향에 대해 수직한 방향으로 연속적으로 연장하는 층, 또는 단순히 타겟 또는 관련된 표면을 덮는 층을 지칭한다. 소정의 실시예에서, "층"은 표면 상에 형성된 소정의 두께를 가지는 구조물 또는 필름의 동의어를 지칭한다. 필름 또는 층은 소정의 특성들을 가지는 불연속 단일 필름 또는 층 또는 다중 필름들 또는 층들에 의해 구성될 수 있으며, 인접한 필름들 또는 층들 사이의 투명하지 않을 수 있고 물리적, 화학적 및/또는 다른 특성, 형성 프로세스들 또는 시퀀스, 및/또는 인접한 필름 또는 층의 기능 또는 목적을 기초로하여 설정될 수 있다. 이러한 공개에서, 소정의 한정된 의미는 반드시 소정의 실시예들에서 일반적이고 보편적인 의미를 배제하는 것은 아니다.
실시예들은 UV 광으로 연속적으로 다중 기판들을 처리하는 도중에 기판을 처리하기 위한 UV 조사를 조작하기 위한 방법을 포함하며(그러나, 이에 제한되지는 않음), 이 방법은 (i) 조도 세기를 측정된 조도 세기를 기초로하여 원하는 수준으로 조정하도록 제 1 UV 센서의 조도 세기를 측정하기 위해 제 1 간격으로 UV 광에 제 UV 센서를 노출하는 단계; 및 (ii) 실질적으로 제 2 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기에 의해 제 1 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기를 균일화함으로써 제 1 UV 센서를 조정하도록 UV 광의 조도 세기를 측정하기 위해 제 2 간격으로 UV 광에 제 2 UV 센서를 노출하는 단계를 포함하며, 각각의 제 2 간격은 각각의 제 1 간격 보다 크다.
소정의 실시예들에서, 각각의 제 2 간격은 각각의 제 1 간격보다 실질적으로 더 길며, 소정의 실시예들에서, 각각의 제 2 간격에 대한 각각의 제 1 간격의 비율은 약 1/2 내지 약 1/100, 또는 약 1/3 내지 약 1/20(통상적으로 약 1/5 내지 약 1/10)이다. 소정의 실시예들에서, 비율은 0일 수 있으며, 이는 제 1 UV 센서의 노출이 연속적이라는 것을 의미한다. 소정의 실시예들에서, 제 1 UV 센서의 노출의 간격은 약 1시간 내지 약 10시간(소정의 실시예들에서는 약 2 시간 내지 약 5시간)이며, 제 2 UV 센서의 노출의 간격은 약 5시간 내지 약 200시간(소정의 실시예들에서는 약 10시간 내지 약 100시간)이다.
소정의 실시예들에서, 제 2 UV 센서가 UV 광에 노출될 때, 제 1 및 제 2 UV 센서는 동시에 노출된다. 소정의 실시예들에서, 제 1 및 제 2 UV 센서들은 나란히 배열된다. 소정의 실시예들에서, 제 1 및 제 2 UV 센서들은 제 1 및 제 2 UV 센서가 각각 노출될 때 개방되는 셔터들을 가진다.
소정의 실시예들에서, 기판은 처리 챔버 내에 배치되고, 처리 챔버 상에 UV 유닛이 분리가능하게 장착되고, UV 광을 조사하기 위한 UV 램프, 그리고 제 1 및 제 2 UV 센서가 UV 유닛 내에 설치된다. 소정의 실시예들에서, 기판은 그 위에 형성된 유전체 필름을 가지는 반도체 기판이다. 소정의 실시예들에서, UV 광은 약 365 nm의 파장을 가진다. 소정의 실시예들에서, UV 광은 약 100 nm 내지 500 nm의 파장을 가진다. 소정의 실시예들에서, UV 광의 조도 세기는 기판의 면적 당 UV 램프의 전력으로서 약 100 내지 약 300 mW/m2 이다. 소정의 실시예들에서, UV 광의 조도 세기는 기판의 면적 당 UV 램프의 전력으로서 약 50 내지 약 600 mW/m2 이다.
또 다른 실시예는 UV 광으로 기판을 처리하기 위한 방법을 제공하며, 이는 (i) UV 광으로 연속적으로 기판을 처리하는 단계, (ii) 조도 세기를 측정된 조도 세기를 기초로 하여 원하는 수준으로 조절하기 위해 UV 광의 조도 세기를 측정하도록 제 1 간격으로 UV 광에 UV 센서를 노출하는 단계, (iii) 단계 (i) 및 (ii)를 반복하는 단계, 및 (iv) 실질적으로 제 2 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기로 제 1 UV 센서에 의해 마지막으로 측정된 조도 세기를 균일하게 함으로써 제 1 UV 센서를 조정하기 위해 UV 광의 조도 세기를 측정하도록 제 2 간격으로 UV 광에 제 2 UV 센서를 노출하는 단계를 포함하며, 각각의 제 2 간격은 각각의 제 1 간격 보다 길다. 공개된 실시예들 중 임의의 실시예는 다른 실시예에 적용될 수 있다.
소정의 실시예들에서, 단계 (iv)가 실행될 때, 단계 (ii)가 또한 실행되어, 제 1 및 제 2 UV 센서들에 의해 동시에 측정된 조도 세기들을 실질적으로 균일하게 함으로써 다음 단계 (ii) 동안 제 1 UV 센서를 조정한다. 소정의 실시예들에서, 제 1 및 제 2 UV 센서들은 각각 단계 (ii) 및(iv)에서 개방하는 셔터들을 가진다.
또한 다른 실시예는 기판이 배치되는 처리 챔버 상에 분리가능하게 장착되도록 구성된 기판을 처리하기 위한 UV 유닛을 제공하며, 이는 (A) UV 광을 조사하기 위한 UV 램프; (B) 측정된 조도 세기를 기초로 원하는 수준으로 조도 세기를 조절하도록 UV 광의 조도 세기를 측정하기 위해 UV 광에 노출되도록 구성된 제 1 UV 센서; (C) 실질적으로 제2 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기를 이용하여 제 1 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기를 균일화함으로써 제 1 UV 센서를 조정하도록 UV 광의 조도 세기를 측정하기 위해 UV 광에 노출되도록 구성된 제 2 UV 센서; 및 (D) 제 1 간격으로 제 1 UV 센서 및 제 2 간격으로 제 2 UV 센서를 작동하고, 제 2 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기를 기초로하여 제 1 UV 센서를 조정하고, 그리고 제 1 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기를 기초로 하여 UV 램프의 전력을 제어하는 제어 유닛을 포함한다. 공개된 실시예들 중 임의의 실시예가 상기 실시예로 적용될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 인-시츄 조정 시스템을 구비한 플라즈마 CVD 장치의 개략도이다. UV 조사 장치는 처리 챔버(6) 및 그 위에 장착된 UV 유닛(1)으로 이루어진다. 처리 챔버(6)에서, 히터 테이블(5)은 그 위에 기판을 지지하기 위해 제공된다. UV 유닛(1)에서, UV 램프(2)는 기판을 처리하기 위해 제공된다. 전력 제어 시스템으로 피드백을 제공하는 UV 피드백 센서(내장 UV 센서)(3)가 또한 UV 램프로부터 방사된 조도를 모니터링하도록 UV 유닛(1)에 제공된다. UV 피드백 센서(3)에 의해 출력된 조도 신호는 UV 램프의 전력을 제어하는 PLC(전력 라인 소통부)(4)를 포함하는 전력 제어 시스템으로 역으로 공급되어, 심지어 UV 램프(2)가 저하되어 적은 조도를 방사하는 경우 조차, UV 피드백 센서(3)는 조도의 감소를 캐치하여 PLC(4)가 UV 램프로의 전력을 증가시킴으로써 조도의 감소를 보충하도록 한다. 이러한 실시예에서, UV 조정 센서로서 기능하는 제 2 UV 센서(21)는 UV 유닛(1) 내에 제공된다. 실질적으로 UV 피드백 센서가 노출되는 것과 동일한 방식으로 UV 광에 노출되도록 UV 조정 센서(21)가 위치설정된다. 예를 들면, UV 조정 센서(21) 및 UV 피드백 센서가 나란히 배치된다. UV 조정 센서(21)가 실질적으로 UV 피드백 센서 보다 UV 광에 들 빈번하게 노출되기 때문에, UV 조정 센서의 저하가 UV 피드백 센서의 저하에 비해 무시가능하다. UV 조정 센서로부터의 출력 신호는 UV 피드백 센서로부터의 출력 신호를 조정하기 위해 이용되는데, 예를 들면 UV 피드백 센서로부터의 출력 신호가 UV 조정 센서로부터의 출력 신호와 일치하도록 조절된다. 인-시츄 조정의 결과로서, UV 피드백 센서는 빈번한 외부 조정을 요구하지 않으며 적어도 300 연속 시간의 조사를 위해 이용될 수 있다(소정의 실시예들에서, UV 조사는 조정 없이 적어도 500 시간, 1,000 시간 또는 2,000 시간 동안 수행될 수 있다).
UV 피드백 센서 및 UV 조정 센서는 동일한 일반적인 구조를 가질 수 있다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 UV 센서의 개략도를 보여준다. UV 센서(41)는 핀 홀(42), 광학 필터(43), 및 실리콘 광다이오드(44)를 구비한 포커싱 커버를 포함하는데, 핀 홀을 통하여 고압 수은 램프(조도를 측정하기 위해 소정의 파장에 대해 강한 방사선을 가지는)와 같은 광대역 광원으로부터 광이 방사되며, 광학 필터를 통하여 핀 홀(42)을 통과하는 광의 소정의 파장이 선택적으로 여과되어 제거되며, 실리콘 광다이오드는 광의 조도를 측정하기 위한 파장을 가지는 여과된 광을 수용하여 신호를 광전류로 변환하여 이를 케이블을 경유하여 디스플레이 유닛(45) 및 도 2에 도시된 PLC(4)와 같은 전력 제어 유닛에 출력한다. 디스플레이 유닛(45)에서, 광전류는 컨버터에서 전압으로 변환되어, 조도의 값을 표시하는 디스플레이로 출력한다. 광학 필터가 긴 주기의 시간 동안 고-에너지 UV 광으로 노출되기 때문에, 필터의 투광율이 감소되며; 결과적으로 광다이오드로부터 출력된 광전류의 값이 변화된다. 따라서, 조정이 요구된다. 소정의 실시예에서, UV 피드백 센서를 인-시츄 조정하는 동안, UV 피드백 센서에 의해 수신된 신호가 광전류로 변환되고 UV 피드백 센서로부터 컨버터로 출력되고, 그리고 컨버터에서 전압으로 변환될 때, 광전류로부터 전압으로의 변환은 UV 조정 센서로부터 출력된 광전류 값을 기초로 한 컨버터의 트리머 저항기(반 고정 저항기)를 이용하여 조절된다.
소정의 실시예들에서, UV 조정 센서는 핀 홀을 덮도록 정상적으로 폐쇄되는 셔터를 가진다. 셔터는 총 노출 시간이 UV 피드백 센서에 비해 적게 남도록 인-시츄 조정 동안 조도를 측정할 때만 개방된다. 소정의 실시예들에서, 셔터는 UV 조정 센서로 뿐만 아니라 UV 피드백 센서로 제공된다. 도 5a는 제 1 UV 센서(UV 피드백 센서)(51) 및 제 2 UV 센서(UV 조정 센서)(52)를 도시하며, 여기서 양 센서의 셔터(53, 54)가 폐쇄된다. 도 5b는 제 1 및 제 2 UV 센서를 도시하며 여기서 제 1 센서의 셔터(53)는 핀 홀(55)을 통한 조도를 측정하기 위한 슬라이딩에 의해 개방되며, 제 2 센서의 셔터(54)는 본 발명의 일 실시예에 따라 폐쇄되어 있다. 소정의 실시예들에서, 셔터는 알루미늄, 알루미늄 합금, 알루미늄 세라믹, 등으로 제조된다.
소정의 실시예들에서, UV 센서들은 나란히 그리고 반사 거울 뒤에 배치된다. 도 3은 플라즈마 CVD 장치의 개략도를 도시하며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 UV 센서의 위치를 보여준다. UV 유닛(1)에서, 거울(31)은 UV 유닛(1)의 내부 벽을 따라 배치되고 광 방사 공간을 둘러싸서 한정한다. 거울은 홀(34)을 가지며, UV 센서(33)는 거울(31) 뒤에 배치되고 광-안내 튜브를 경유하여 홀(34)로 연결되어, 셔터(32)가 개방될 때 UV 센서가 광을 수용하며, 광의 조도는 처리 챔버(6) 내의 히터(5) 상의 기판에 의해 수용된 광의 조도를 나타낸다. 소정의 실시예들에서, 센서는 각도를 형성하여(예를 들면, 약 30°내지 약 45°)광이 광-안내 튜브 및 핀 홀을 통하여 램프로부터 센서로 전달된다.
소정의 실시예들에서, 조정 시퀀스는 아래와 같다:
단계 1 : UV 램프(1)가 온(ON)되고 UV 광을 방사한다.
단계 2 : 방사가 안정화된 후(예를 들면, 10초 내지 200초, 통상적으로 100초 내지 150초), 셔터(53 및 54)가 개방되어 UV 센서들(51 및 52)을 이용하여 램프의 조도를 모니터링한다. 모니터링 후, 셔터가 폐쇄된다.
단계 3 : UV 센서들(51 및 52)에 의해 모니터링된 조도들 사이의 차이를 기초로 하여, UV 센서(51)(UV 피드백 센서)에 의해 모니터링된 조도를 증대시키기 위한 정정 계수 또는 인자가 UV 센서(52)(UV 측정 센서)에 의해 모니터링된 조도를 참조하여 자동적으로 계산된다.
단계 4: UV 센서(51)에 의해 모니터링된 조도는 UV 센서(51)의 광다이오드를 포함하는 회로 내의 정정 계수 또는 인자에 의해 정정된다.
단계 5 : 셔터(53 및 54)가 개방되고, UV 센서들(51 및 52)은 조도를 모니터링하고, UV 센서(51)에 의해 모니터링된 조도가 실질적으로 UV 센서(52)에 의해 모니터링된 조도와 동일하다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 제 1 센서(UV 피드백 센서) 및 제 2 센서(UV 조정 센서)를 이용하여 조도를 모니터링하는 타이밍 흐름도를 도시한다. 히터 상에 기판(또는 기판들)을 배치한 후, UV 조사가 시작되어 Tuv의 시간 주기 동안 계속된다. Tuv의 시간 주기는 어떤 타입의 조사가 실행되는지, 어떤 타입의 기판이 처리되는지, 등에 따라 변화된다. 예를 들면, 기계적 강도 및 낮은 유전체 상수를 개선하도록 기판 상의 저-k 필름을 어닐링하기 위해, Tuv는 약 1분 내지 약 1시간의 범위에 있을 수 있다. 소정의 실시예들에서, 조도를 안정화하기에 수(several) 초가 걸리며, 따라서 도 6에서, 안정화 기간이 끝난 후(UV 조사가 안정화되고), 제 1 센서의 셔터가 개방되고 제 1 센서가 T1의 시간 주기 동안 조도를 모니터링하고, 또한 제 2 센서의 셔터가 개방되고 제 2 센서가 T2의 시간 주기 동안 조도를 모니터링한다. 소정의 실시예들에서, 안정화 기간이 0일 수 있다. T1 및 T2는 적어도 약 5초와 같이 조도를 안정되게 모니터링하기에 충분히 길며, 시간 주기는 UV 광 노출에 의해 열 영향 없이 조도를 모니터링하기에 충분히 짧다. 조사 처리후, UV 조사는 기판을 교체하기 위한 Tew의 시간 주기 동안 중단된다. 소정의 실시예들에서, 이러한 사이클 후, 동일한 사이클이 제 1 센서의 조정이 완료된 것을 확인하기 위해 한번 반복된다. 조정 시퀀스는 단계 1 내지 5로서 상술된 바와 같이 실행될 수 있다. 소정의 실시예들에서, Tuv는 약 1분 내지 약 1 시간의 범위에 있으며, Tew는 약 몇(few) 초 내지 약 20초(통상적으로 단지 10초)의 범위에 있으며, T1은 약 5초 내지 약 10초의 범위에 있으며, T2는 약 5초 내지 약 10초의 범위에 있다.
UV 방사 사이클은 n번 반복되고 이어서 제 1 센서의 셔터가 조도를 모니터링하기 위해 다시 개방된다(제 2 센서의 셔터는 폐쇄되어 있다). 즉, 제 1 센서의 셔터가 조도를 모니터링하기 위해 n 사이클마다 개방되어 UV 조사가 실질적으로 일정한 세기로 제어된다. 제 2 센서의 셔터가 조도를 모니터링하고 제 1 센서를 조정하기 위해 다시 개방된다. 제 2 센서의 셔터는 조정 시퀀스를 반복하기 위해 m 사이클마다 개방한다. 소정의 실시예들에서, n은 1 내지 25의 범위 내에 있고, 반면 m은 25 내지 250의 범위 내에 있다(m>n). 소정의 실시예에서, n 사이클은 하나의 라트(lot)에 대응한다. 소정의 실시예들에서, n/m은 1/3 내지 1/20(1/5 내지 1/10을 포함한다)이다. 도 6에서, 제 1 센서의 간격은 (nTuv-T1)으로서 표현될 수 있으며, 제 2 센서의 간격은 (mTuv-T2)로서 표현될 수 있다.
도 2는 바람직하게는 본 발명의 일 실시예에서 이용될 수 있는, 상술된 시퀀스를 실행하도록 프로그래밍된 제어부와 연결되는, 처리 챔버와 조합된 UV 유닛의 개략도이다. 본 발명의 기술분야의 기술자는 상기 장치는 프로그래밍된 하나 또는 둘 이상의 제어기(들)(도시안됨)를 포함하거나 그렇지 않으면 본 명세서에서 설명된 UV 조사 프로세스들이 실행되도록 구성된다는 것을 인정할 것이다. 본 발명의 기술분야의 기술자들에 의해 인정되는 바와 같이 제어기(들)는 다양한 전력원, 가열 시스템, 로보틱스 및 가스 유동 제어기 또는 챔버의 밸브들과 소통될 것이다. 소정의 실시예들에서, 다른 UV 조정 센서는 제 1 UV 조정 센서를 조정하기 위해 이용될 수 있다.
조건들 및/또는 구조들이 특정되는 본 공개에서, 본 발명의 기술분야의 기술자는 본 공개의 관점에서 일상적인 실험의 문제로서, 이 같은 조건들 및/또는 구조들을 제공할 수 있다.
도 8은 일 실시예에 따라 UV 조사 조정 시스템이 구비된 UV 조사 장치를 도시한다. 장치는 UV 램프(107)가 제공된 UV 유닛(101); 조사 윈도우(102); 처리 챔버(103), 처리 챔버의 내부 벽에 제공되고 가스 도입 파이프(1015)로 연결되는 가스 유입 링(도시안됨); 히터 테이블(104); 배기 포트(106)에 연결되는 진공 펌프(도시안됨); 및 배기 포트 내부에 설치된 압력 제어 밸브(도시안됨)를 포함한다. UV 유닛(101)은 처리 챔버(103)에 분리가능하게 장착되고, 전달 윈도우(102)는 처리 챔버(103)의 천장을 구성한다. 도 8에 도시된 장치는 로드 록 챔버(112)에 연결되고, 로드 록 챔버 내부의 로딩/언로딩 로봇(111)은 기판을 로딩/언로딩하기 위해 이용된다. 장치가 이 도면으로 전혀 제한되지 않으며 어떠한 종래의 또는 적절한 장치가 UV 광을 방사할 수 있는 한 이용될 수 있다는 것을 주목하여야 한다.
예를 들면, 미국 특허 공보 제 2004/0079960호, 제 2004/0080697호, 및 제 2009/0023229호에 공개된 UV 방사 장치는 본 발명의 실시예들에서 이용될 수 있다. 상기 공보들의 공개물은 본 명세서에서 전체적으로 참조된다.
도 8의 장치가 더 상세하게 설명된다. 처리 챔버(103)는 진공으로부터 거의 분위기 압력까지의 범위에 걸쳐 내부 압력의 제어를 허용하도록 설계되고 상부에 배치되는 UV 방사 유닛(101)을 가진다.
연속적으로 그리고 펄스로 UV 광을 방사할 수 있는 UV 램프(107)가 있으며 히터(104)는 UV 램프와 직면하고 평행한 방식으로 설치되며, 반면 조사 윈도우 글래스(102)는 UV 램프 및 히터와 직면하고 평행한 방식으로 UV 램프와 히터 사이에 설치된다. 조사 윈도우(102)는 균일한 UV 방사를 달성하기 위해 이용되고, 재료가 UV 광이 투과하는 반면 분위기로부터 반응기를 격리시킬 수 있는 한, 합성 석영과 같은 임의의 재료가 이용될 수 있다. 소정의 실시예들에서, 다중 관형 UV 램프(107)는 UV 조사 유닛 내부에 평행하게 배치된다. 도 8에 도시된 바와 같이, 이러한 램프들은 규일한 조도를 달성하도록 최적으로 배치되는 반면, 반사판(108)은 얇은 필름 상으로 적절하게 반사되도록 각각의 UV 램프에 의해 방사된 UV 광을 안내하기 위해 제공되며, 반사판의 각도가 균일한 조도를 달성하기 위해 조절될 수 있도록 이러한 반사판이 설계된다. 이러한 장치는 조사 윈도우 글래스(102)가 제공되는, 플랜지(도시안됨)에 의해 이 장치가 격리되며, 챔버의 내부 압력은 진공으로부터 거의 분위기 압력(기판 프로세싱 부분)까지의 범위에 걸쳐 제어될 수 있으며 UV 램프는 연속적으로 또는 펄스로 UV 광을 방사하도록 전술된 챔버 내에 설치된다(UV 방사 부분). UV 램프의 구조는 UV 램프가 용이하게 제거되어 교체되는 것을 허용한다. 가스는 플랜지를 통하여 도입되고 다중 가스 입구는 균일한 처리 분위기를 달성하도록 대칭 배열로 설계되어 제공된다.
소정의 실시예들에서, 특정 UV 방사 프로세스는 아래와 같다: Ar, CO, CO2, C2H4, CH4, H2, He, Kr, Ne, N2, O2, Xe, 알콜 가스, 및 유기 가스로부터 선택된 가스를 이용하여, 약 0.1 Torr 내지 거의 분위기 압력(1 Torr, 10 Torr, 50 Torr, 100 Torr, 1,000 Torr 및 전술된 값들 사이의 임의의 값을 포함함)으로 챔버 내의 분위기를 형성하는 단계; 게이트 밸브(9)를 통하여 기판 이송 포트로부터 기판을 로딩함으로써, 처리 타겟이 되는, 반도체 기판을 약 0 내지 약 650 ℃의 온도(10 ℃, 50 ℃, 100 ℃, 200 ℃, 300 ℃, 400 ℃, 500 ℃, 600 ℃ 및 전술된 값들 사이의 소정의 값, 그러나 바람직하게는 300 ℃ 내지 450 ℃를 포함함)로 설정되는 히터 상으로 배치하는 단계; 및 연속적으로 또는 펄스로 약 1 mW/cm2 내지 약 1,000 mW/cm2(10 mW/cm2, 50 mW/cm2, 100 mW/cm2, 200 mW/cm2, 500 mW/cm2, 800 mW/cm2 및 전술된 값들 사이의 임의의 값을 포함함)의 출력 및 약 1 Hz 내지 약 1,000 Hz(10 Hz, 100 Hz, 200 Hz, 500 Hz, 및 전술된 값들 사이의 임의의 값을 포함함)의 주파수로 UV 램프로부터 적절한 거리(1 cm 내지 100 cm)를 유지하고 약 100 nm 내지 약 400 nm의 파장(150 nm, 200 nm, 250 nm, 300 nm, 350 nm 및 전술된 값들 사이의 임의의 값, 그러나 바람직하게는 약 200 nm을 포함함)으로 UV 광을 방사함으로써 반도체 기판 상에 형성된 얇은 필름 상으로 UV 광을 방사하는 단계. 방사 시간은 약 1 초 내지 약 60 분(5 초, 10 초, 20 초, 50 초, 100 초, 200 초, 500 초, 1,000 초, 2,000 초 및 전술된 값들 사이의 소정의 값을 포함함)이다. 챔버는 배기 포트로부터 배기된다.
소정의 실시예들에서, 이러한 반도체 제조 장치는 자동 시퀀스를 통하여 상술된 바와 같이 일련의 처리 단계들을 수행하며, 여기서 처리 단계들은 가스의 유입, UV 광의 방사, 방사의 중단, 및 가스의 중단을 포함한다. UV 광의 세기(조도)는 1 내지 100 %의 범위에 걸쳐 변화될 수 있으며 적용가능한 방법에 따라 제어된다.
도 8에 도시된 장치는 또한 일정한 수준으로 UV 광의 조도를 유지함으로써 UV 장치의 안정된 작동을 허용하도록 램프로의 전력 입력을 조절하기 위한 메카니즘을 가지며, 여기서 측정되도록, 전력 입력은 증가되어 UV 램프의 저하에 의해 뿐만 아니라 UV 센서(또는 UV 조도계)의 저하에 의한 조도에서의 임의의 하락을 보충하도록 한다. 이러한 장치는 장치가 전달 윈도우 글래스 전에 조도를 측정하기 위한 UV 조도계(121a, 121b)를 구비될 때 장치의 내부 벽에 조도 측정 성능을 가진다. 조도계(121a, 121b)는 전달 윈도우 글래스 위에 나란히 설치된다. 조도계(121a, 121b)는 UV 유닛의 부분이다. 조도계(121a)는 램프의 저하를 감지하도록 그리고 조도의 감소된 세기를 보충하도록 UV 램프의 전력을 조절하기 위해 램프의 조도를 직접 모니터링한다. 다른 조도계(121b)는 또한 램프의 조도를 직접 모니터링하지만, 조도계(121a)와 달리, 조도계(121b)를 모니터링함으로써 단지 조도계(121a)를 조정하기 위해 홀로 실행된다. 이를 위해, 조도계(121b)에 의한 모니터링은 조도계(121a) 보다 상당히 들 빈번하게 실행되어, 조도계(121b)의 저하가 실질적으로 없거나 무시가능하다. 결과적으로, 조도계(121a)는 조도계(121b)에 의해 주기적으로 조정되어 조도가 실질적으로 일정하게 유지된다.
조도계(121a)가 조도 모니터링을 시작할 때 초기에 측정되는 조도계(121a)에 의해 측정된 기준 값으로부터의 차이를 조도계(121a)가 계산할 수 있다. 계산된 차이는 램프 저하에 의해 유발된 투과율에서의 하락의 양을 결정하기 위해 이용된다. 조도계는 조도 모니터 유닛(122)을 통하여 UV 유닛의 전력 제어 시스템(123)으로 측정된 데이터를 역으로 공급하여, 조도를 일정한 수준으로 유지하도록 한다. 조도계(121a)는 저하된다. 조도계(121b)는 UV 광으로의 노출에 의한 센서 저하를 유발하는 한계치 보다 낮은 측정 주파수에 의해 상당히 저하되지 않는다. 조도계(121a)에 의해 측정된 조도가 조도계(121b)에 의해 측정된 조도와 일치하는 방식으로 조도계(121a)가 조도계(121b)에 의해 조정되어 조도계(121a)의 저하에 의해 유발된 과보충을 회피하도록 한다.
탈가스가 UV 방사의 결과로서 반도체 기판 상에 얇은 필름으로부터 발생하는 경우, 합성 석영으로 제조된 방사 윈도우 글래스 상 뿐만 아니라 챔버의 내부 벽 상에 증착된다. 방사 윈도우 상에 증착된 오염물이 UV 광을 흡수하여 경화 효율이 저하되는 것이 발생한다. 위에서 볼 때, 처리 챔버(103)는 전달 윈도우 그래스 다음에 조도를 측정하도록 투과 윈도우 글래스 아래 다른 조도계(들)이 구비될 수 있어, UV 램프의 전력이 추가로 전달 윈도우 글래스 아래 제공된 조도계에 의해 측정된 조도에 따라 조절될 수 있다. 소정의 실시예들에서, 조도계가 처리 챔버 내에 제공되지 않는다.
소정의 실시예들에서, 전달 윈도우(102) 및 처리 챔버의 내부 벽은 예를 들면 미국 특허 출원 공보 제 2009/0023229호에서 공개된 방법에 의해 세척될 수 있다.
본 발명을 제한하는 것으로 의도되지 않는 특정 예를 참조하여 본 발명이 상세하게 설명될 것이다. 특정 예들에 적용된 도면부호는 적어도 ±50%의 범위만큼 변형될 수 있으며, 여기에서 범위들의 단부점이 포함될 수 있거나 배제될 수 있다.
[
실시예
]
예 1:
UV
피드백 센서 및
UV
조정 센서의 조도 보유 비율
도 2에 도시된 장치가 이용되었으며, 여기서 UV 램프는 수은 램프이다. UV 피드백 센서 및 UV 조정 센서는 365 nm의 파장을 가지는 광을 측정하기 위한 동일한 타입이었다. 세서들 둘다 모니터링 조도를 위해 개방할 수 있는 세터가 제공되었다. UV 램프는 120초에 대해 충 전력의 60%, 그리고 이어서 600 초 동안 총 전력의 100%를 입력함으로써, 턴 온되었다. 60% 및 100%의 이러한 사이클이 하나의 사이클을 구성하고 UV 램프는 기판이 히터 상에 배치되지 않은 이러한 실험에 대한 사이클을 반복함으로써 UV 광이 연속적으로 방사된다. 총 전력의 60%의 펄스를 이용함으로써, 장치를 과열시키는 것이 회피되었다.
UV 램프로부터의 조도는 UV 램프 자체의 저하에 의해 시간에 걸쳐 변화되었다. 먼저, UV 램프의 저하를 결정하도록, 조도가 UV 조정 센서를 이용하여 측정된었으며 UV 측정 센서는 단지 몇(a few) 배로 노출된다(이에 따라, UV 조정 센서는 UV 광 노출에 의한 임의의 저하로 처리되지 않는다). 그 결과는 아래의 표 1과 같다.
|
UV 조사의 지속(시간) | ||
0 | 100 | 200 | |
램프 조도(a.u.) | 100.0% | 96.1% | 92.9% |
표 1은 UV 램프로부터의 초기 조도에 대해 시간에 걸쳐 감소되는 조도를 보여준다.
다음으로, UV 피드백 센서의 셔터는 1시간 마다 약 10초 동안 개방되며, 반면 UV 정정 센서의 셔터가 조도를 모니터링 하기 위해 5시간 마다 약 10초 동안 개방된다. 이 결과는 아래의 표 2 및 표 3에서 보여준다.
|
UV 조사의 지속(시간) | ||
0 | 100 | 200 | |
램프 조도(a.u.) | 100.0% | 96.1% | 92.9% |
UV 정정 센서 판독(a.u.) | 100% | 95.7% | 92.7% |
UV 정정 센서 저하(△) | 0.0% | 0.4% | 0.2% |
표 2에 도시된 바와 같이, 5시간 마다 UV 광에 노출된 UV 측정 센서에서 시질적인 저하가 관측되지 않았다.
|
UV 조사의 지속시간(시) | ||
0 | 100 | 200 | |
UV 정정 센서 판독(a.u.) | 100.0% | 95.7% | 92.7% |
UV피드백센서 판독(a.u.) | 100% | 88.2% | 82.6% |
UV피드백센서 저하(△) | 0.0% | 7.5% | 10.1% |
표 3에 도시된 바와 같이, 1시간 마다 UV 광에 노출되는 UV 피드백 센서에서 상당한 저하가 관찰되었다. 따라서, UV 정정 센서를 이용함으로써, UV 피드백 센서는 UV 피드백 센서가 효과적이고 정확하게 정정될 수 있어, 외부 정정을 제거할 수 있다.
예 2 : 이용하는
UV
피드백 센서 및
UV
정정 센서의
작동율
예 1에서와 동일한 시스템이 이용되었으며, UV 피드백 센서의 셔터는 10시간 마다 개방되었고, 반면 UV 측정 센서의 셔터가 100 시간 마다 개방되었다. 외부 정정이 실행되지 않았다. 이러한 인-시츄 정정을 위해 이용된 시간은 가동 휴지 시간으로서 고려되었으며, 작동율이 결정되었다. 작동율은 달(month) 당 (T-D)/T의 비율로서 한정되었다(F: UV 램프의 총 작동 시간, D : 가동 휴지 시간).
비교시, 예 1에서와 동일한 시스템 및 동일한 타입의 외부 UV 센서가 이용되었다. UV 피드백 센서의 셔터는 10시간 마다 개방되고, 반면 UV 정정 센서의 셔터가 폐쇄되어 있다. 외부 정정은 100 시간 마다, 200 시간 마다, 그리고 300 시간 마다 외부 UV 센서를 이용하여 실행된다. 이러한 외부 조정을 위해 이용된 시간은 가동 휴지 시간으로서 고려되었고, 작동율이 결정되었다.
도 7에 결과가 도시된다. 외부 정정이 100 시간 마다, 200 시간 마다, 그리고 300 시간 마다 실행될 때, 작동율은 각각 95%, 약 97%, 및 약 98% 보다 작다. 대비하면, 인-시츄 정정이 실행될 때, 작동율은 거의 100%이다.
매우 많고 다양한 변형이 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않고 이루어질 수 있다는 것이 본 기술분야의 기술자에 의해 이해될 것이다. 따라서, 본 발명의 형태가 단지 예시적이고 본 발명의 범위를 제한하려는 의도가 아님을 명확히 이해하여야 한다.
Claims (20)
- 다중 기판들을 UV 광으로 연속적으로 처리하는 공정에서 기판 처리를 위한 UV 조사의 조작 방법으로서,
상기 UV 광의 조도 세기를 측정하기 위해 제 1 간격으로 상기 UV 광에 제 1 UV 센서를 노출시키고, 측정된 조도 세기를 기초로 하여 조도 세기를 목표 수준으로 조절하는 단계; 및
상기 UV 광의 조도 세기를 측정하기 위하여 제 2 간격으로 상기 UV 광에 제 2 UV 센서를 노출시시키고, 상기 제 2 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기를 이용하여 실질적으로 상기 제 1 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기를 균일화함으로써 상기 제 1 UV 센서를 조정하는 단계;를 포함하며,
각각의 상기 제 2 간격은 각각의 상기 제 1 간격보다 길이가 긴 기판 처리를 위한 UV 조사의 조작 방법.
- 제 1 항에 있어서,
각각의 상기 제 2 간격에 대한 각각의 상기 제 1 간격의 비율은 1/100 내지 1/2인 기판 처리를 위한 UV 조사의 조작 방법.
- 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 UV 센서의 간격은 1 시간 내지 10 시간이고, 상기 제 2 UV 센서의 간격은 5 시간 내지 200 시간인 기판 처리를 위한 UV 조사의 조작 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 UV 센서가 상기 UV 광에 노출될 때, 상기 제 1 UV 센서 및 상기 제 2 UV 센서가 동시에 노출되는 기판 처리를 위한 UV 조사의 조작 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 UV 센서 및 상기 제 2 UV 센서는 나란히 배치되는 기판 처리를 위한 UV 조사의 조작 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 UV 센서 및 상기 제 2 UV 센서는 셔터를 가지며, 상기 제 1 UV 센서 및 상기 제 2 UV 센서가 각각 노출될 때 상기 셔터가 개방되는 기판 처리를 위한 UV 조사의 조작 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 기판이 처리 챔버에 배치되고, 상기 처리 챔버 상에 UV 유닛이 분리가능하게 장착되며, 상기 UV 광을 조사하기 위한 UV 램프와 상기 제 1 UV 센서 및 상기 제 2 UV 센서가 상기 UV 유닛에 설치되는 기판 처리를 위한 UV 조사의 조작 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 기판은 상기 기판 위에 형성된 유전체 필름을 갖는 반도체 기판인 기판 처리를 위한 UV 조사의 조작 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 UV 광은 약 365 nm의 파장을 갖는 기판 처리를 위한 UV 조사의 조작 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 UV 광의 조도 세기는 상기 기판의 면적 당 UV 램프의 전력으로서 100 내지 약 300 mW/m2인 기판 처리를 위한 UV 조사의 조작 방법.
- UV 광으로 연속적으로 기판을 처리하는 제 1 단계;
상기 UV 광의 조도 세기를 측정하기 위하여 제 1 간격으로 상기 UV 광에 제 1 UV 센서를 노출시키고, 측정된 상기 조도 세기를 기초로 하여 목표 수준으로 조도 세기를 조절하는 제 2 단계;
상기 제 1 단계 및 상기 제 2 단계를 반복하는 제 3 단계; 및
상기 UV 광의 상기 조도 세기를 측정하기 위해 제 2 간격으로 상기 UV광에 제 2 UV 센서를 노출시키고, 상기 제 2 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기를 이용하여 실질적으로 상기 제 1 UV 센서에 의해 마지막으로 측정된 조도 세기를 균일화함으로써 상기 제 1 UV 센서를 조정하는 제 4 단계;를 포함하며,
각각의 상기 제 2 간격은 각각의 상기 제 1 간격보다 길이가 긴 UV 광에 의한 기판 처리 방법.
- 제 11 항에 있어서,
각각의 상기 제 2 간격에 대한 각각의 상기 제 1 간격의 비율은 1/100 내지 1/2인 UV 광에 의한 기판 처리 방법.
- 제 12 항에 있어서,
상기 제 1 UV 센서의 간격은 1 시간 내지 10 시간이고, 상기 제 2 UV 센서의 간격은 5 시간 내지 200 시간인 UV 광에 의한 기판 처리 방법.
- 제 11 항에 있어서,
상기 제 4 단계가 실행될 때, 상기 제 2 단계가 또한 실행되어, 상기 제 1 UV 센서 및 상기 제 2 UV 센서에 의해 동시에 측정된 조도 세기들을 실질적으로 균일화함으로써 상기 제 1 UV 센서를 조정하는 UV 광에 의한 기판 처리 방법.
- 제 14 항에 있어서,
상기 제 1 UV 센서 및 상기 제 2 UV 센서가 나란히 배치되는 UV 광에 의한 기판 처리 방법.
- 제 11 항에 있어서,
상기 제 1 UV 센서 및 상기 제 2 UV 센서는 상기 제 2 단계와 상기 제 4 단계의 각각에서 개방되는 셔터를 갖는 UV 광에 의한 기판 처리 방법.
- 제 11 항에 있어서,
상기 기판은 상기 기판 위에 형성된 유전체 필름을 갖는 반도체 기판인 UV 광에 의한 기판 처리 방법.
- 기판이 배치되는 처리 챔버 상에 분리가능하게 장착되도록 구성된 기판을 처리하기 위한 UV 유닛으로서,
UV 광을 조사하기 위한 UV 램프;
상기 UV 광의 조도 세기를 측정하기 위하여 상기 UV 광에 노출되도록 구성되고, 측정된 조도 세기를 기초로 하여 목표 수준으로 조도 세기를 조절하는 제 1 UV 센서;
상기 UV 광의 조도 세기를 측정하기 위하여 상기 UV 광에 노출되도록 구성된 제 2 UV 센서로서, 상기 제 2 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기를 이용하여 상기 제 1 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기를 균일화함으로써 상기 제 1 UV 센서를 조정하는 제 2 UV 센서; 및
제 1 간격으로 상기 제 1 UV 센서를 작동시키고, 제 2 간격으로 상기 제 2 UV 센서를 작동시키며, 상기 제 2 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기를 기초로 하여 상기 제 1 UV 센서를 조정하고, 상기 제 1 UV 센서에 의해 측정된 조도 세기를 기초로 하여 상기 UV 램프의 전력을 제어하는 제어 유닛;을 포함하는 기판 처리를 위한 UV 유닛
- 제 18 항에 있어서,
상기 UV 광은 365 nm의 파장 갖는 기판 처리를 위한 UV 유닛.
- 제 18 항에 있어서,
상기 UV 광의 조도 세기는 상기 기판의 면적당 UV 램프의 전력으로 100 내지 300 mW/m2인 기판 처리를 위한 UV 유닛.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/040,013 US8466411B2 (en) | 2011-03-03 | 2011-03-03 | Calibration method of UV sensor for UV curing |
US13/040,013 | 2011-03-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120100773A true KR20120100773A (ko) | 2012-09-12 |
Family
ID=46752730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120021038A KR20120100773A (ko) | 2011-03-03 | 2012-02-29 | 기판 처리를 위한 uv 조사의 조작 방법과, uv 광에 의한 기판 처리 방법 및 기판 처리를 위한 uⅴ 유닛 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8466411B2 (ko) |
KR (1) | KR20120100773A (ko) |
Families Citing this family (339)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
DE102013105850B4 (de) * | 2013-06-06 | 2021-05-27 | Endress+Hauser Conducta Gmbh+Co. Kg | Verfahren und Kalibriereinsatz zum Justieren, Kalibrieren und/oder zur Durchführung einer Funktionsüberprüfung eines photometrischen Sensors |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
TWI779134B (zh) | 2017-11-27 | 2022-10-01 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
KR102657269B1 (ko) | 2018-02-14 | 2024-04-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
TWI819010B (zh) | 2018-06-27 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
TWI751420B (zh) | 2018-06-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm知識產權私人控股有限公司 | 薄膜沉積方法 |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220006455A (ko) | 2020-07-08 | 2022-01-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
DE102021003128A1 (de) * | 2021-06-17 | 2022-12-22 | Rausch Rehab GmbH | Vorrichtung und Verfahren zur Intensitätsmessung von der durch eine UV-Strahlungsquelle erzeugten UV-Strahlung |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5838029A (en) | 1994-08-22 | 1998-11-17 | Rohm Co., Ltd. | GaN-type light emitting device formed on a silicon substrate |
KR100309918B1 (ko) | 1998-05-16 | 2001-12-17 | 윤종용 | 광시야각액정표시장치및그제조방법 |
US6129954A (en) | 1998-12-22 | 2000-10-10 | General Electric Company | Method for thermally spraying crack-free mullite coatings on ceramic-based substrates |
US6759098B2 (en) | 2000-03-20 | 2004-07-06 | Axcelis Technologies, Inc. | Plasma curing of MSQ-based porous low-k film materials |
US7501292B2 (en) | 2007-07-19 | 2009-03-10 | Asm Japan K.K. | Method for managing UV irradiation for curing semiconductor substrate |
US7935940B1 (en) * | 2008-01-08 | 2011-05-03 | Novellus Systems, Inc. | Measuring in-situ UV intensity in UV cure tool |
-
2011
- 2011-03-03 US US13/040,013 patent/US8466411B2/en active Active
-
2012
- 2012-02-29 KR KR1020120021038A patent/KR20120100773A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8466411B2 (en) | 2013-06-18 |
US20120223220A1 (en) | 2012-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20120100773A (ko) | 기판 처리를 위한 uv 조사의 조작 방법과, uv 광에 의한 기판 처리 방법 및 기판 처리를 위한 uⅴ 유닛 | |
JP4971262B2 (ja) | 半導体基板をキュアリングするために紫外線照射を管理する方法 | |
US7935940B1 (en) | Measuring in-situ UV intensity in UV cure tool | |
US8283644B2 (en) | Measuring in-situ UV intensity in UV cure tool | |
US8124168B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
US20020035962A1 (en) | Photo-excited gas processing apparatus for semiconductor process | |
US10409306B2 (en) | Apparatus and methods for low temperature measurement in a wafer processing system | |
KR100241290B1 (ko) | 반도체 처리장치 | |
KR101483823B1 (ko) | 반도체용 자외선 경화 시스템 | |
TWI621374B (zh) | 雙燈泡燈頭控制方法 | |
WO2009122913A1 (ja) | 熱処理装置 | |
CN1610080A (zh) | 处理方法及装置 | |
JP2007095889A (ja) | 光照射式加熱方法 | |
EP4111494A1 (en) | Transmission-based temperature measurement of a workpiece in a thermal processing system | |
JP2016200425A (ja) | 紫外線照度測定装置および紫外線照射装置 | |
JP4544265B2 (ja) | シャワーヘッド構造及び成膜処理装置 | |
US20020114880A1 (en) | Coating of optical elements, in particular for use with ultraviolet light | |
KR102102519B1 (ko) | 노광 장치, 기판 처리 장치, 기판의 노광 방법 및 기판 처리 방법 | |
JP2004041843A (ja) | 紫外線照射装置 | |
JP2009130255A (ja) | 成膜装置 | |
TWI238453B (en) | Substrate processing equipment | |
KR102055014B1 (ko) | 자외선 경화 툴의 동-위치 자외선 강도 측정 | |
JPWO2005029020A1 (ja) | 基板処理装置およびデバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |