JPH0521585A - 静電吸着装置 - Google Patents
静電吸着装置Info
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- JPH0521585A JPH0521585A JP3174095A JP17409591A JPH0521585A JP H0521585 A JPH0521585 A JP H0521585A JP 3174095 A JP3174095 A JP 3174095A JP 17409591 A JP17409591 A JP 17409591A JP H0521585 A JPH0521585 A JP H0521585A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 被処理物が静電チャックに粘着せず、ガス噴
出孔から噴出するガスの圧力を高めて被処理物の中心付
近と外周付近の温度差を小さくすること 【構成】 冷却された基体１に被処理物５を吸着固定す
る静電チャック３の電極２の背面を覆う絶縁物４内に該
ガスの流通空間９を形成し、該流通空間に該ガス噴出孔
７を接続して設ける。該静電チャック３の背面側の多層
のセラミックスの薄板のうちの中間層の薄板に長孔を形
成し、該薄板を重ねて流通空間を形成する。 【効果】 静電チャックの被処理物吸着面の外周付近に
於いても圧力の高いガスを流すことが出来、絶縁破壊の
危険もたらさずに被処理物の外周付近も良好に冷却する
ことができるようになり、該流通空間は絶縁物の薄板に
パンチング等で長孔を形成しておくことにより比較的簡
単に形成することが出来る
出孔から噴出するガスの圧力を高めて被処理物の中心付
近と外周付近の温度差を小さくすること 【構成】 冷却された基体１に被処理物５を吸着固定す
る静電チャック３の電極２の背面を覆う絶縁物４内に該
ガスの流通空間９を形成し、該流通空間に該ガス噴出孔
７を接続して設ける。該静電チャック３の背面側の多層
のセラミックスの薄板のうちの中間層の薄板に長孔を形
成し、該薄板を重ねて流通空間を形成する。 【効果】 静電チャックの被処理物吸着面の外周付近に
於いても圧力の高いガスを流すことが出来、絶縁破壊の
危険もたらさずに被処理物の外周付近も良好に冷却する
ことができるようになり、該流通空間は絶縁物の薄板に
パンチング等で長孔を形成しておくことにより比較的簡
単に形成することが出来る
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、被処理物を静電的に
基体に吸着して例えばスパッタリングの処理を施すため
に使用され、特に被処理物と基体との間で均一で良好な
熱伝導を得るに適した静電吸着装置に関する。
基体に吸着して例えばスパッタリングの処理を施すため
に使用され、特に被処理物と基体との間で均一で良好な
熱伝導を得るに適した静電吸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、静電吸着装置として、例えば図１
に示すような冷却水配管等の冷却機構１ａを備えた基体
１の上部の被処理物５を静電的に固定する静電チャック
３を、直流電源６に接続した電極２と、該電極２の下部
の基体に貼着した絶縁物４ａと該電極２の上部の被処理
物５に密着するゴム状の絶縁物４ｂで構成したものが知
られている。
に示すような冷却水配管等の冷却機構１ａを備えた基体
１の上部の被処理物５を静電的に固定する静電チャック
３を、直流電源６に接続した電極２と、該電極２の下部
の基体に貼着した絶縁物４ａと該電極２の上部の被処理
物５に密着するゴム状の絶縁物４ｂで構成したものが知
られている。
【０００３】また、図２に示すように、冷却機構１ａを
備えた基体１の上部の被処理物５を静電的に固定する静
電チャック３を、直流電源６に接続した電極２とこれを
覆うセラミックス等の絶縁物４とで構成し、該静電チャ
ック３の被処理物５の吸着面に、絶縁物４及び基体１を
貫通したガス供給孔７に連なる円弧状の溝８を形成し、
該溝８から被処理物５と絶縁物４との隙間にガスを流す
ようにしたものも知られている。
備えた基体１の上部の被処理物５を静電的に固定する静
電チャック３を、直流電源６に接続した電極２とこれを
覆うセラミックス等の絶縁物４とで構成し、該静電チャ
ック３の被処理物５の吸着面に、絶縁物４及び基体１を
貫通したガス供給孔７に連なる円弧状の溝８を形成し、
該溝８から被処理物５と絶縁物４との隙間にガスを流す
ようにしたものも知られている。
【０００４】上記図１に示したものは、まず被処理物５
を静電チャック３に載せ、電極２に電圧を印加すると、
被処理物５に Ｆ＝ε・（Ｓ／ｄ2）・（Ｖ／２）2 なる吸引力が働き、被処理物５がゴム状の絶縁物４ｂに
密着する。ここで、εはゴム状絶縁物４ｂの誘電率、ｄ
はゴム状絶縁物４ｂの厚み、Ｓは電極２の被処理物５に
対向する面の面積、Ｖは直流電源６の電圧である。次
に、熱伝導性の良いアルミニウム等の金属でできた基体
１を冷媒の循環等により冷却機構１ａで冷却すると、被
処理物５の熱がゴム状絶縁物４ｂと絶縁物４ａを介して
基体１に伝達され、被処理物５の冷却が行なわれる。し
たがって、例えば被処理物５にエッチング処理を行なう
場合、エッチングプラズマの熱負荷が被処理物５にかか
っても、被処理物５の温度を低く保つことができる。し
かしながら、この時、ゴム状絶縁物４ｂが反応性のエッ
チングガス等に侵されて変質したり、その処理後に直流
電源６を切り被処理物５を静電チャック３から取り外す
際に被処理物５がゴム状絶縁物に粘着して剥がれ難くな
る問題が起きる。
を静電チャック３に載せ、電極２に電圧を印加すると、
被処理物５に Ｆ＝ε・（Ｓ／ｄ2）・（Ｖ／２）2 なる吸引力が働き、被処理物５がゴム状の絶縁物４ｂに
密着する。ここで、εはゴム状絶縁物４ｂの誘電率、ｄ
はゴム状絶縁物４ｂの厚み、Ｓは電極２の被処理物５に
対向する面の面積、Ｖは直流電源６の電圧である。次
に、熱伝導性の良いアルミニウム等の金属でできた基体
１を冷媒の循環等により冷却機構１ａで冷却すると、被
処理物５の熱がゴム状絶縁物４ｂと絶縁物４ａを介して
基体１に伝達され、被処理物５の冷却が行なわれる。し
たがって、例えば被処理物５にエッチング処理を行なう
場合、エッチングプラズマの熱負荷が被処理物５にかか
っても、被処理物５の温度を低く保つことができる。し
かしながら、この時、ゴム状絶縁物４ｂが反応性のエッ
チングガス等に侵されて変質したり、その処理後に直流
電源６を切り被処理物５を静電チャック３から取り外す
際に被処理物５がゴム状絶縁物に粘着して剥がれ難くな
る問題が起きる。
【０００５】図２に示した従来例では、被処理物５が載
置される静電チャック３の絶縁物４に例えばセラミック
スのような堅い材料が使用されているので上記の如き問
題は生じることがないが、電極２に電圧を印加して絶縁
物４の上に被処理物５を吸着固定した場合、例えばアル
ミニウム製の基体１を冷却機構１ａで冷却すると熱伝導
により絶縁物４を冷却することができても、被処理物５
は絶縁物４が堅いために絶縁物４と点接触状態で接触す
るため、平均１０μ程度の間隔が被処理物と絶縁物との
間に存在し、被処理物５の熱が絶縁物４に伝達されにく
い。そこで、更に静電チャック３の被処理物５の吸着面
域内に設けられた溝８から上記間隔にガスを流し、ガス
を介して被処理物の熱を絶縁物に伝達して被処理物を冷
却するようにしている。したがって、例えばエッチング
プラズマなどの熱負荷が被処理物にかかっても、被処理
物の温度を低く保つことができる。
置される静電チャック３の絶縁物４に例えばセラミック
スのような堅い材料が使用されているので上記の如き問
題は生じることがないが、電極２に電圧を印加して絶縁
物４の上に被処理物５を吸着固定した場合、例えばアル
ミニウム製の基体１を冷却機構１ａで冷却すると熱伝導
により絶縁物４を冷却することができても、被処理物５
は絶縁物４が堅いために絶縁物４と点接触状態で接触す
るため、平均１０μ程度の間隔が被処理物と絶縁物との
間に存在し、被処理物５の熱が絶縁物４に伝達されにく
い。そこで、更に静電チャック３の被処理物５の吸着面
域内に設けられた溝８から上記間隔にガスを流し、ガス
を介して被処理物の熱を絶縁物に伝達して被処理物を冷
却するようにしている。したがって、例えばエッチング
プラズマなどの熱負荷が被処理物にかかっても、被処理
物の温度を低く保つことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように被処理物
を冷却する一手段として被処理物と絶縁物の隙間にガス
を流す図２の形式の静電吸着装置に於いては、隙間がガ
スの平均自由行程より小さいか同じ程度のとき、単位面
積当たりの熱伝達Ｑは次式のようになる。 Ｑ＝（３／２）・κ・α1・（Ｔ−Ｔｇ）・Γ ただし Γ＝（１／４）・ｎ・υ ＝（１／４）・Ｐ／（κ・Ｔｇ）・｛８・κ・Ｔｇ／（π・ｍ）｝1/2 Ｔｇ＝（α1・Ｔ＋α2・Ｔ0）／（α1＋α2） である。ここで、κはボルツマン定数、α1は静電チャ
ックの被処理物吸着面に対するガス分子の熱的適応係
数、Ｔは被処理物の温度、Ｔ0は絶縁物の温度、Ｔｇは
ガス分子の温度、Γは静電チャックの被処理物吸着面に
入射するガス分子の面密度、ｎはガス分子の密度、υは
ガス分子の平均速度、ｍはガス分子の質量、Ｐは静電チ
ャックの被処理物吸着面のガスの圧力をそれぞれ表して
いる。上記の式から、単位面積当たりの熱伝達Ｑは、静
電チャックの被処理物吸着面のガス圧力Ｐに比例するこ
とがわかる。また、被処理物にドライエッチングを施す
場合、ガスとして不活性ガスを使用することが好まし
く、特にヘリウムガスは熱伝達が大きいので好都合であ
る。従来の図２の静電吸着装置では、被処理物吸着面の
溝から例えば１０Torr程度のヘリウムガスを噴出させた
場合、溝のコンダクタンスが小さいために、ガスが噴出
する溝から吸着面の外周に向かって圧力降下が大きくな
り、被処理物の外周の温度が高くなるという問題があっ
た。また、静電チャック３の電極２の上面に設けられる
絶縁物の厚さは２００〜３００μ程度と薄く、コンダク
タンスを大きくするために絶縁物に大きな溝を形成する
と表面絶縁層が薄くなり絶縁破壊を起こす危険がある。
例えば被処理物が６インチウエハで、溝が吸着面の中心
近くに設けられている場合のガス圧力分布は、図３のよ
うにウエハの外周付近で低くなる。この場合の溝でのヘ
リウムガスの圧力は９．６Torr、ウエハ周囲の雰囲気は
０．０１Torrである。この状態でウエハに１．１８Ｗ／
cm2の熱負荷をかけた場合、ウエハ内の熱伝導を考慮し
てもウエハの温度分布は図４のようになり、ウエハ外周
付近での温度が高くなってしまう。外周付近の温度は熱
負荷が大きくなればなる程高くなり、例えばドライエッ
チングでは選択性やエッチング形状が均一でなくなる不
都合やウエハ上のレジスト膜が焼ける等の不都合をもた
らす。
を冷却する一手段として被処理物と絶縁物の隙間にガス
を流す図２の形式の静電吸着装置に於いては、隙間がガ
スの平均自由行程より小さいか同じ程度のとき、単位面
積当たりの熱伝達Ｑは次式のようになる。 Ｑ＝（３／２）・κ・α1・（Ｔ−Ｔｇ）・Γ ただし Γ＝（１／４）・ｎ・υ ＝（１／４）・Ｐ／（κ・Ｔｇ）・｛８・κ・Ｔｇ／（π・ｍ）｝1/2 Ｔｇ＝（α1・Ｔ＋α2・Ｔ0）／（α1＋α2） である。ここで、κはボルツマン定数、α1は静電チャ
ックの被処理物吸着面に対するガス分子の熱的適応係
数、Ｔは被処理物の温度、Ｔ0は絶縁物の温度、Ｔｇは
ガス分子の温度、Γは静電チャックの被処理物吸着面に
入射するガス分子の面密度、ｎはガス分子の密度、υは
ガス分子の平均速度、ｍはガス分子の質量、Ｐは静電チ
ャックの被処理物吸着面のガスの圧力をそれぞれ表して
いる。上記の式から、単位面積当たりの熱伝達Ｑは、静
電チャックの被処理物吸着面のガス圧力Ｐに比例するこ
とがわかる。また、被処理物にドライエッチングを施す
場合、ガスとして不活性ガスを使用することが好まし
く、特にヘリウムガスは熱伝達が大きいので好都合であ
る。従来の図２の静電吸着装置では、被処理物吸着面の
溝から例えば１０Torr程度のヘリウムガスを噴出させた
場合、溝のコンダクタンスが小さいために、ガスが噴出
する溝から吸着面の外周に向かって圧力降下が大きくな
り、被処理物の外周の温度が高くなるという問題があっ
た。また、静電チャック３の電極２の上面に設けられる
絶縁物の厚さは２００〜３００μ程度と薄く、コンダク
タンスを大きくするために絶縁物に大きな溝を形成する
と表面絶縁層が薄くなり絶縁破壊を起こす危険がある。
例えば被処理物が６インチウエハで、溝が吸着面の中心
近くに設けられている場合のガス圧力分布は、図３のよ
うにウエハの外周付近で低くなる。この場合の溝でのヘ
リウムガスの圧力は９．６Torr、ウエハ周囲の雰囲気は
０．０１Torrである。この状態でウエハに１．１８Ｗ／
cm2の熱負荷をかけた場合、ウエハ内の熱伝導を考慮し
てもウエハの温度分布は図４のようになり、ウエハ外周
付近での温度が高くなってしまう。外周付近の温度は熱
負荷が大きくなればなる程高くなり、例えばドライエッ
チングでは選択性やエッチング形状が均一でなくなる不
都合やウエハ上のレジスト膜が焼ける等の不都合をもた
らす。
【０００７】本発明は、このような問題、不都合を解決
し、被処理物吸着面の熱伝導性が均一になる静電吸着装
置を提供することを目的とするものである。
し、被処理物吸着面の熱伝導性が均一になる静電吸着装
置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明では、冷却機構により冷却された基体に、
被処理物を静電的に吸着固定する絶縁物により覆われた
少なくとも１対の電極から成る静電チャックを接着し、
該静電チャックの吸着面に、これに吸着した被処理物の
熱を該静電チャックに伝達するためのガスを噴出するガ
ス噴出孔を設けた静電吸着装置に於いて、該静電チャッ
クの電極の背面を覆う絶縁物内に該ガスの流通空間を形
成し、該流通空間に該ガス噴出孔を接続して設けるよう
にした。上記流通空間は上記吸着面の領域の外周付近に
対応した箇所に形成され、ガス供給口と上記外周付近に
略等間隔で設けた複数個のガス噴出孔とが該流通空間に
接続して設けられ、該流通空間のコンダクタンスは該静
電チャックと被処理物との間で形成される空間のコンダ
クタンスよりも大きく、また、上記静電チャックの電極
を覆う絶縁物はセラミックスの薄板から成り、該電極の
表面側を１枚のセラミックスの薄板で覆い、その背面側
を複数枚のセラミックスの薄板で多層に覆うようにし、
その背面側の多層の薄板のうちの中間層の薄板に長孔を
形成して薄板を重ねたとき上記流通空間が形成される。
めに、本発明では、冷却機構により冷却された基体に、
被処理物を静電的に吸着固定する絶縁物により覆われた
少なくとも１対の電極から成る静電チャックを接着し、
該静電チャックの吸着面に、これに吸着した被処理物の
熱を該静電チャックに伝達するためのガスを噴出するガ
ス噴出孔を設けた静電吸着装置に於いて、該静電チャッ
クの電極の背面を覆う絶縁物内に該ガスの流通空間を形
成し、該流通空間に該ガス噴出孔を接続して設けるよう
にした。上記流通空間は上記吸着面の領域の外周付近に
対応した箇所に形成され、ガス供給口と上記外周付近に
略等間隔で設けた複数個のガス噴出孔とが該流通空間に
接続して設けられ、該流通空間のコンダクタンスは該静
電チャックと被処理物との間で形成される空間のコンダ
クタンスよりも大きく、また、上記静電チャックの電極
を覆う絶縁物はセラミックスの薄板から成り、該電極の
表面側を１枚のセラミックスの薄板で覆い、その背面側
を複数枚のセラミックスの薄板で多層に覆うようにし、
その背面側の多層の薄板のうちの中間層の薄板に長孔を
形成して薄板を重ねたとき上記流通空間が形成される。
【０００９】
【作用】ガス噴出孔から噴出するガスは、静電チャック
の吸着面に吸着した被処理物と絶縁物との隙間に拡散す
るが、該ガス噴出孔は絶縁物の内部に形成した流通空間
に接続されているため高い圧力でガスを噴出させること
ができ、被処理物から静電チャックへ良好な熱伝達を行
なうことができる。噴出するガスの圧力が高まることに
よりその外周側の圧力も高まり、被処理物の外周側で温
度が高くなることを防止できる。また、該流通空間は静
電チャックの電極の背面を覆う絶縁物内に形成されるの
で、電極表面の絶縁物の厚さを損なうことがなく、絶縁
破壊をもたらすこともない。
の吸着面に吸着した被処理物と絶縁物との隙間に拡散す
るが、該ガス噴出孔は絶縁物の内部に形成した流通空間
に接続されているため高い圧力でガスを噴出させること
ができ、被処理物から静電チャックへ良好な熱伝達を行
なうことができる。噴出するガスの圧力が高まることに
よりその外周側の圧力も高まり、被処理物の外周側で温
度が高くなることを防止できる。また、該流通空間は静
電チャックの電極の背面を覆う絶縁物内に形成されるの
で、電極表面の絶縁物の厚さを損なうことがなく、絶縁
破壊をもたらすこともない。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づき説明すると、
図５乃至図７はドライエッチング装置の真空室内に設け
た静電吸着装置の実施例を示し、この例では、冷却水配
管等の冷却機構１ａを備えたアルミニウム製の基体１の
上部に、アルミナ製の絶縁物４で一対の半円形円板状の
電極２を覆って構成した静電チャック３が設けられ、各
電極２に直流電源６から電位が与えられると該静電チャ
ック３に静電気が発生してその表面に６インチウエハ等
の被処理物が吸着される。該静電チャック３の背面は基
体１に貼着され、電極２の前面を厚さ３００μの薄板か
ら成る円板状の絶縁物４ｃで覆い、これと同形同厚の薄
板を５枚重ねた絶縁物４ｄで該電極２の背面を覆った。
一対の電極２の直径は絶縁物４ｃ，４ｄの直径よりも多
少小さい程度に構成される。静電チャック３の吸着面は
電極２の直径にほぼ等しく、該吸着面の外周から１０mm
程度内側に均等の間隔を存して例えばヘリウムガスが噴
出するガス噴出孔７が１２個形成され、噴出したガスは
被処理物５と静電チャック３の吸着面との隙間を流れ
る。該電極２の背面を覆う絶縁物４ｄの内部には平面か
ら見て円弧状の流通空間９が形成され、前記ガス噴出孔
７はこの流通空間９に連通するように形成される。１０
は該流通空間９へガスを供給するガス供給口である。
図５乃至図７はドライエッチング装置の真空室内に設け
た静電吸着装置の実施例を示し、この例では、冷却水配
管等の冷却機構１ａを備えたアルミニウム製の基体１の
上部に、アルミナ製の絶縁物４で一対の半円形円板状の
電極２を覆って構成した静電チャック３が設けられ、各
電極２に直流電源６から電位が与えられると該静電チャ
ック３に静電気が発生してその表面に６インチウエハ等
の被処理物が吸着される。該静電チャック３の背面は基
体１に貼着され、電極２の前面を厚さ３００μの薄板か
ら成る円板状の絶縁物４ｃで覆い、これと同形同厚の薄
板を５枚重ねた絶縁物４ｄで該電極２の背面を覆った。
一対の電極２の直径は絶縁物４ｃ，４ｄの直径よりも多
少小さい程度に構成される。静電チャック３の吸着面は
電極２の直径にほぼ等しく、該吸着面の外周から１０mm
程度内側に均等の間隔を存して例えばヘリウムガスが噴
出するガス噴出孔７が１２個形成され、噴出したガスは
被処理物５と静電チャック３の吸着面との隙間を流れ
る。該電極２の背面を覆う絶縁物４ｄの内部には平面か
ら見て円弧状の流通空間９が形成され、前記ガス噴出孔
７はこの流通空間９に連通するように形成される。１０
は該流通空間９へガスを供給するガス供給口である。
【００１１】該流通空間９は静電チャック３の吸着面の
領域の外周付近に対応した箇所に形成され、この流通空
間９の断面積は該ガス噴出孔７の断面積よりも大きく形
成される。該流通空間９は、電極２の背面側を覆うセラ
ミックスの薄板のうち、中間層の薄板の何枚かにパンチ
ング等により円弧状の長孔を形成しておき、薄板を重ね
て接着することにより形成することができる。
領域の外周付近に対応した箇所に形成され、この流通空
間９の断面積は該ガス噴出孔７の断面積よりも大きく形
成される。該流通空間９は、電極２の背面側を覆うセラ
ミックスの薄板のうち、中間層の薄板の何枚かにパンチ
ング等により円弧状の長孔を形成しておき、薄板を重ね
て接着することにより形成することができる。
【００１２】この実施例に於いて、被処理物５を静電チ
ャック３の上に載せたのち電極２に電圧を印加すると、
静電チャック３に発生する静電気により被処理物５が吸
着固定される。次いで基体１を冷却機構１ａで冷却する
と、熱伝導により絶縁物４が冷却され、更にガス噴出孔
７からヘリウムガスを噴出させると、被処理物５の熱が
ヘリウムガスを介して絶縁物４に伝達され、その結果、
被処理物５が冷却される。このときの吸着面に於けるヘ
リウムガスの圧力分布は、容積の大きい流通空間９から
ガス噴出孔７へとガスが供給されるために、図８に示す
ように、吸着面の中心から外周付近まで約５Torr台のヘ
リウム圧力が保たれる。この場合のガス噴出孔７でのヘ
リウムガスの圧力は７Torr、被処理物５の周囲の雰囲気
は０．０１Torrで、雰囲気に洩れ出すヘリウムの流量は
１．６１×１０- 2Torr・リットル／ｓｅｃである。被
処理物５のウエハをエッチング処理するために、被処理
物５に均一に１．１８Ｗ／cm2の熱負荷がかかった場合
の温度分布は図９に示す如くとなり、被処理物５の中心
部から外周付近にかけての温度は低く保たれた。
ャック３の上に載せたのち電極２に電圧を印加すると、
静電チャック３に発生する静電気により被処理物５が吸
着固定される。次いで基体１を冷却機構１ａで冷却する
と、熱伝導により絶縁物４が冷却され、更にガス噴出孔
７からヘリウムガスを噴出させると、被処理物５の熱が
ヘリウムガスを介して絶縁物４に伝達され、その結果、
被処理物５が冷却される。このときの吸着面に於けるヘ
リウムガスの圧力分布は、容積の大きい流通空間９から
ガス噴出孔７へとガスが供給されるために、図８に示す
ように、吸着面の中心から外周付近まで約５Torr台のヘ
リウム圧力が保たれる。この場合のガス噴出孔７でのヘ
リウムガスの圧力は７Torr、被処理物５の周囲の雰囲気
は０．０１Torrで、雰囲気に洩れ出すヘリウムの流量は
１．６１×１０- 2Torr・リットル／ｓｅｃである。被
処理物５のウエハをエッチング処理するために、被処理
物５に均一に１．１８Ｗ／cm2の熱負荷がかかった場合
の温度分布は図９に示す如くとなり、被処理物５の中心
部から外周付近にかけての温度は低く保たれた。
【００１３】該絶縁物４には熱伝導の良い他のセラミッ
クや樹脂を使用しても良く、また、ガス噴出孔７の位置
は、ヘリウムガスの洩れ量が問題にならないときは、更
に吸着面の外周寄りに設けることもできる。被処理物５
はウエハ以外のものであってもよい。又、前記実施例で
は、ガスをガス噴出孔より噴出させたが、第１０図のよ
うにスリット状のガス噴出溝１１よりガスを噴出させて
も同じような効果が得られる。
クや樹脂を使用しても良く、また、ガス噴出孔７の位置
は、ヘリウムガスの洩れ量が問題にならないときは、更
に吸着面の外周寄りに設けることもできる。被処理物５
はウエハ以外のものであってもよい。又、前記実施例で
は、ガスをガス噴出孔より噴出させたが、第１０図のよ
うにスリット状のガス噴出溝１１よりガスを噴出させて
も同じような効果が得られる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明においては、静電チ
ャックのガス噴出孔をその電極の背面を覆う絶縁物内に
形成した流通空間に接続するようにしたので、静電チャ
ックの被処理物吸着面の外周付近に於いても圧力の高い
ガスを流すことが出来、絶縁破壊の危険もたらさずに被
処理物の吸着面の熱伝導性を均一化して外周付近も良好
に冷却することができるようになり、被処理物を例えば
ドライエッチング処理する場合に選択性やエッチング形
状の均一性を向上させ得られ、該流通空間は絶縁物を構
成する一部の薄板にパンチング等で長孔を形成しておく
ことにより比較的簡単に形成することが出来るので、製
作性もよい等の効果がある。
ャックのガス噴出孔をその電極の背面を覆う絶縁物内に
形成した流通空間に接続するようにしたので、静電チャ
ックの被処理物吸着面の外周付近に於いても圧力の高い
ガスを流すことが出来、絶縁破壊の危険もたらさずに被
処理物の吸着面の熱伝導性を均一化して外周付近も良好
に冷却することができるようになり、被処理物を例えば
ドライエッチング処理する場合に選択性やエッチング形
状の均一性を向上させ得られ、該流通空間は絶縁物を構
成する一部の薄板にパンチング等で長孔を形成しておく
ことにより比較的簡単に形成することが出来るので、製
作性もよい等の効果がある。
【図１】 従来例の截断側面図
【図２】 他の従来例の截断側面図
【図３】 図２の従来例に於けるヘリウムガスの圧力
分布図
分布図
【図４】 図２の従来例に於ける被処理物の温度分布
図
図
【図５】 本発明の実施例の截断側面図
【図６】 図５の６−６線部分の截断平面図
【図７】 図５の要部の拡大断面図
【図８】 図５の実施例に於けるヘリウムガスの圧力
分布図
分布図
【図９】 図５の実施例に於ける被処理物の温度分布
図
図
【図１０】 本発明の他の実施例の截断平面図
１ 基体 １ａ 冷却機構
２ 電極 ３ 静電チャック
４、４ｃ、４ｄ 絶縁物 ５ 被処理物
６ 直流電源 ７ ガス噴出孔
９ 流通空間
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 林 俊雄
神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空
技術株式会社内
(72)発明者 野田 和夫
愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日
本特殊陶業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 冷却機構により冷却された基体に、被処
理物を静電的に吸着固定する絶縁物により覆われた少な
くとも１対の電極から成る静電チャックを接着し、該静
電チャックの吸着面に、これに吸着した被処理物の熱を
該静電チャックに伝達するためのガスを噴出するガス噴
出孔を設けた静電吸着装置に於いて、該静電チャックの
電極の背面を覆う絶縁物内に該ガスの流通空間を形成
し、該流通空間に該ガス噴出孔を接続して設けたことを
特徴とする静電吸着装置。 - 【請求項２】 上記流通空間は上記吸着面の領域の外周
付近に対応した箇所に形成され、ガス供給口と上記外周
付近に略等間隔で設けた複数個のガス噴出孔とが該流通
空間に接続して設けられ、該流通空間のコンダクタンス
は該静電チャックと被処理物との間で形成される空間の
コンダクタンスよりも大きいことを特徴とする請求項１
に記載の静電吸着装置。 - 【請求項３】 上記静電チャックの電極を覆う絶縁物は
セラミックスの薄板から成り、該電極の表面側を１枚の
セラミックスの薄板で覆い、その背面側を複数枚のセラ
ミックスの薄板で多層に覆うようにし、その背面側の多
層の薄板のうちの中間層の薄板に長孔を形成して薄板を
重ねたとき上記流通空間が形成されるようにしたことを
特徴とする請求項１又は２に記載の静電吸着装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17409591A JP3357991B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 静電吸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17409591A JP3357991B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 静電吸着装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521585A true JPH0521585A (ja) | 1993-01-29 |
| JP3357991B2 JP3357991B2 (ja) | 2002-12-16 |
Family
ID=15972568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17409591A Expired - Lifetime JP3357991B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 静電吸着装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3357991B2 (ja) |
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- 1991-07-15 JP JP17409591A patent/JP3357991B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3357991B2 (ja) | 2002-12-16 |
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