KR100450476B1

KR100450476B1 - 정전척 및 정전 흡착 구조

Info

Publication number: KR100450476B1
Application number: KR10-2001-0026892A
Authority: KR
Inventors: 츠루타히데요시; 야마다나오히토
Original assignee: 니뽄 가이시 가부시키가이샤
Priority date: 2000-05-19
Filing date: 2001-05-17
Publication date: 2004-10-01
Also published as: US7042697B2; EP1156522A2; TWI254403B; US20040070916A1; US20020012219A1; EP1156522B1; KR20010105236A; EP1156522A3

Abstract

본 발명은 정전척을 도전성 부재로 접합한 후에 발생하는 흡착력의 저하를 방지하는 것을 목적으로 한다.

정전척은 웨이퍼 설치면(2a)과 설치면과는 반대측의 후면(2b)이 설치되어 있는 기판(2), 기판 내에 매설된 정전척 전극(4A, 4B), 적어도 설치면에 면하고 있고 전극을 둘러싸는 유전체층(3) 및 유전체층(3)의 체적 저항율보다도 높은 체적 저항율을 갖는 절연성 재료로 이루어지고, 후면(2b)측에 설치되어 있는 절연층(7)을 구비한다. 절연층(7)은 냉각용 부재(5) 등에 접합된다.

Description

정전척 및 정전 흡착 구조{ELECTROSTATIC CHUCKS AND ELECTROSTATICALLY ADSORBING STRUCTURES}

본 발명은 복수의 정전척 전극을 구비하고 있고, 각 정전척 전극에 대하여 상이한 전위를 인가하는 정전척에 관한 것이다.

정전척에 있어서는, 통상 절연층의 설치면으로부터 돌출하는 다수의 돌기 내지 엠보스 부분(embossed portion)을 설치하고, 이 돌기의 정상면(접촉면)을 반도체 웨이퍼에 대하여 접촉시킨다. 또한, 절연층 내의 내부 전극에 직류 전압을 인가하고, 반도체 웨이퍼와 돌기의 접촉면의 접촉 계면에서 존센-라벡 힘(Johnsen-Rahbek force)을 발생시키며, 접촉면 상의 반도체 웨이퍼를 흡착한다.

현재, 반도체 웨이퍼의 고 밀도 플라즈마(HDP)CVD나 에칭시에는 반도체 웨이퍼 상에 고 밀도 플라즈마를 생성시키고 있다. 그리고, 에칭의 경우에는 반도체 웨이퍼를 정전척에 의해서 흡착하고, 정전척의 하측에 냉각용 부재를 설치한다. 그리고, 고 밀도 플라즈마로부터 반도체 웨이퍼로 투입한 열량을 정전척측으로 빼냄으로써 반도체 웨이퍼의 온도 상승을 방지하고 있다. 또한, HDPCVD시에는 고 밀도 플라즈마로부터 반도체 웨이퍼로 투입한 열량을 반도체 웨이퍼로부터 일정 속도로 정전척으로 빼냄으로써 반도체 웨이퍼의 온도를 소망 온도로 제어하고 있다.

이와 같이 존센-라벡 힘을 이용하는 타입의 정전척에 있어서는, 기판을 반도체에 의해서 구성하고, 기판 내에서 전자 또는 정공을 이동시킨다. 예컨대, 질화 알루미늄계 세라믹스에 의해서 기판을 형성한 경우에는, 질화 알루미늄질 세라믹스는 n형 반도체가 된다. n형 반도체의 도전 메카니즘은 주로 전자의 이동에 의하고, 정공의 이동은 거의 없다.

본 발명자는 존센-라벡 타입의 정전척을 제작했지만, 이 과정에서 정전척을 냉각용 부재로 접합한 후에 웨이퍼의 흡착력이 저하하는 경우가 있었다. 특히, 100 V 정도의 전압에서는 이러한 문제는 거의 발생하지 않지만, 300 V 이상, 나아가서 500 V 이상의 고전압 영역이 되면 흡착력이 목적치에 달하지 않는다는 현상이 보였다.

본 발명의 목적은 정전척을 도전성 부재로 접합한 후에 발생하는 흡착력의 저하를 방지하는 것이다.

도 1은 본 발명의 정전 흡착 구조의 일례를 도시하는 모식도.

도 2는 비교예의 정전 흡착 구조를 도시하는 모식도.

도 3은 본 발명의 실시예의 정전 흡착 구조를 도시하는 모식도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 웨이퍼

2 : 정전척

2A : 종래의 정전척

2a : 웨이퍼 설치면

2b : 후면

3 : 유전체층

4, 4A, 4B : 정전척 전극

5 : 냉각용 부재

7 : 절연층

10 : 고 저항 영역

A1, A2: 존센-라벡 전류

B1, B2: 후면으로의 누설 전류

VO : 전극의 전위

VR : 고 저항 영역(10)의 가장자리의 전위

VS : 웨이퍼 설치면(2a)에 있어서의 전위

본 발명은, 웨이퍼 설치면과 이 웨이퍼 설치면과는 반대측의 후면이 설치되어 있는 기판, 기판 내에 매설된 정전척 전극, 적어도 웨이퍼 설치면에 면하고 있고 정전척 전극을 둘러싸는 유전체층 및 유전체층의 체적 저항율(volume resistivity)보다도 높은 체적 저항율을 갖는 절연성 재료로 이루어지고, 후면측에 설치되어 있는 절연층을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 정전척에 관한 것이다.

도전성 부재는, 특히 바람직하게는 냉각용 부재, 특히 금속제인 냉각용 부재이지만, 냉각용 부재에는 한정되지 않는다.

본 발명자는 도전성 부재로 정전척을 접합한 후에 발생하는 흡착력의 저하에 관해서 검토한 결과, 다음 가설에 이르렀다.

예컨대 도 2의 모식도에 도시한 바와 같이, 정전척(2A)의 후면(2b)측에 냉각용 부재(5)를 접합하면, 냉각용 부재(5)는 통상 접지되어 있기 때문에, 정전척 전극(4)으로부터 냉각용 부재(5)를 향해서 전류(B1, B2)가 흐른다. 또한, A1 및 A2는 전극(4)으로부터 웨이퍼 설치면(2a)측으로 흐르는 존센-라벡 전류이다. 그러나, 당업자의 상식에 따라서 생각하면, 이러한 냉각용 부재(5)로의 누설 전류는 흡착력에는 영향을 미치지 않는다고 생각된다. 왜냐하면, 전극(4)을 중심으로 하여 보았을 때, 전극(4)으로부터 웨이퍼 설치면(2a)으로 전류가 흐름과 동시에, 전극(2)으로부터 후면(2b)측으로도 전류가 흐르지만, 이들 2개의 전류 경로는 서로 병렬 접속의 관계에 있다. 따라서, 만일 후면(2b)측으로의 누설 전류(B1, B2)가 매우 커졌다고 가정해도, 전극과 웨이퍼 설치면 사이의 전위차는 전혀 변하지 않는 것이므로, 전극과 웨이퍼 설치면 사이의 존센-라벡 전류에도 영향이 없고, 흡착력을 저하시키지 않는다고 생각된다.

그러나, 본 발명자는 이러한 상식을 재검토하여 다음 가설에 이르렀다. 즉, 전극(4)의 주위에 소정의 고 저항 영역(10)이 존재하고 있고, 이 영역(10)에 있어서의 저항이 주위의 유전체층(3)의 저항보다도 큰 것이라 가정했다. 만약, 이 가정이 옳다면, 후면측으로의 누설 전류(B1, B2)의 증가에 의한 흡착력의 저하를 설명할 수 있는 것이라고 생각했다. 왜냐하면, 전극(4)의 전위를 VO로 하고, 고 저항 영역(10)의 가장자리에 있어서의 전위를 VR로 하며, 설치면(2a)에 있어서의 전위를 VS로 한다. 고 저항 영역(10)의 가장자리에 있어서의 전위(VR)와 전극의 전위(VO)의 전위차(VO-VR)는 존센-라벡 전류(A1, A2)와 누설 전류(B1, B2)의 총합에 대하여 고 저항 영역(10)에 있어서의 저항을 곱한 값이 된다. 여기서, 고 저항 영역(10)에 있어서의 체적 저항율이 주위의 체적 저항율보다도 충분히 큰 것이라 하면, 전위차(VO-VR)가 전위차(VR-VS)에 비해 커진다. 이것과 동시에, 누설 전류(B1, B2)가 충분히 큰 것이라고 하면, 전위차(VO-VR)는 주로 누설 전류(B1, B2)의 크기에 의해서 지배된다. 이 결과, 누설 전류(B1, B2)의 값이 커질수록, 전극으로부터 고 저항 영역(10)의 가장자리 까지의 사이의 전위 강하가 커지고, 그 만큼 존센-라벡 전류(A1, A2)는 작아지며 흡착력이 저하한다.

본 발명자는 이러한 가설에 기초하여 도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이, 정전척(2)의 후면(2b)측에 절연층(7)을 설치했다. 이 결과, 상기한 정전척의 냉각용 부재로의 접합에 따른 흡착력의 저하는 보이지 않게 되었다. 이것은, B1 및 B2와 같은 누설 전류가 절연층(7)에 의해서 크게 저감했기 때문일 것이다.

또한, 도 1에 있어서, 1은 웨이퍼이고, 4A 및 4B는 전극이며, 5a는 냉각 매체의 통로이고, P는 웨이퍼로 투입된 열이다.

절연층(7)은 유전체층의 체적 저항율보다도 높은 체적 저항율을 갖는 절연성 재료로 이루어진다. 여기서, 정전척의 사용 온도에 있어서, 유전체의 체적 저항율에 대한 절연성 재료의 체적 저항율의 배율은 10배 이상인 것이 바람직하다. 또한,유전체의 체적 저항율은 사용 온도 영역에 있어서, 10⁸-10¹²Ωㆍ㎝인 것이 바람직하다. 정전척의 사용 온도 범위에 있어서의 절연층의 체적 저항율은 10¹²-10¹⁵Ωㆍ㎝인 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 바람직하게는 정전척 전극이 서로 부하 전위가 다른 적어도 두 개의 전극으로 이루어진다.

유전체는 특별히 한정되지 않지만, 질화 알루미늄, 질화 규소, 알루미나 및 탄화 규소가 바람직하다. 절연성 재료는 질화 알루미늄, 질화 규소, 알루미나, 질화 붕소 및 마그네시아가 바람직하다.

특히, 바람직하게는 유전체와 절연성 재료가 동일한 종류의 세라믹스로 이루어진다. 여기서, 동일한 종류의 세라믹스란 세라믹스의 베이스 재료(base material)가 동일한 것을 말하고, 첨가 성분은 상이한 종류이다. 특히, 바람직하게는 유전체와 절연성 재료가 질화 알루미늄, 질화 규소 또는 알루미나이며, 더욱 바람직하게는 질화 알루미늄이다.

정전척 내에 있어서의 고 저항 영역(10)의 형태나 재질 및 조직은 아직 분명하지 않다. 그러나, 세라믹스를 소성하는 과정에서 발생하기 쉬운 것이라 생각된다. 또한, 유전체가 질화 알루미늄인 경우에는 특히 고 저항 영역이 발생하기 쉬운 경향이 보인다. 또한, 특히 전극을 몰리브덴 금속 또는 몰리브덴 합금에 의해서 형성한 경우에 특히 발생하기 쉽다. 질화 알루미늄질 세라믹스는 n형 반도체이고, 전자가 캐리어로서 작동하고 있다. 따라서, 몰리브덴 금속이 세라믹스 내에 확산하고, 카운터 도핑재로서 작용하며, 캐리어인 전자의 수를 감소시킨 것이라 생각된다.

몰리브덴 금속의 질화 알루미늄질 세라믹스 속으로의 확산 현상도 명확하게는 이해되고 있지 않지만, 질화 알루미늄 입자의 표면의 산소와 몰리브덴이 반응하여 산화 몰리브덴을 생성하고, 산화 몰리브덴이 소성 공정에 있어서 휘발하며, 질화 알루미늄 입자 중에 확산하고 있을 가능성이 있다.

정전척 전극의 재질은 한정되지 않지만, 금속 몰리브덴 혹은 몰리브덴 합금이 바람직하다. 몰리브덴 합금으로서는 몰리브덴과 텅스텐, 알루미늄 및 백금의 합금이 바람직하다. 몰리브덴 합금의 경우에는 몰리브덴의 비율의 상한은 특별히 없고, 100 중량%(순 금속)까지 늘려도 좋지만, 몰리브덴의 비율의 하한은 50 중량%가 바람직하다.

또한, 몰리브덴 금속 또는 합금 이외에, 텅스텐, 알루미늄, 백금의 순 금속 또는 합금이 바람직하다.

정전척의 후면과 도전성 부재의 접합 방법은 한정되지 않고, 납 접합, 유리 접합, 수지 접합 및 고상 확산법에 의한 접합 등이라도 좋다.

전극의 형태는 한정되지 않지만, 특히 망(net)형 또는 펀칭 메탈(punched metal)형인 경우에 상기한 문제가 발생하기 쉽고 본 발명이 유효하다. 이것은 전극의 형상 효과에 의한 것이라고 생각된다.

본 발명의 정전척의 제작 방법은 한정되지 않지만, 다음 어느 하나의 방법을 채택할 수 있다.

(1) 유전체용 세라믹스 분말을 프레스 성형하고, 그 위에 전극을 설치하며, 그 위에 유전체용 세라믹스 분말을 다시 충전하여 프레스 성형한다. 계속해서, 이 성형체 위에 절연층용 세라믹스 분말을 충전하고, 다시 프레스 성형하여 성형체를 얻는다. 이 성형체를 일체 소성하여 소성체를 얻고, 소성체를 가공하여 정전척을 얻는다.

(2) 유전체층용 세라믹스 분말을 프레스 성형하고, 그 위에 전극을 얹으며, 그 위에 유전체층용 세라믹스 분말을 충전하여 프레스 성형한다. 이 분말 성형체 위에 절연층용 세라믹스 벌크체를 배치하고, 분말 성형체와 벌크체를 일체 소성함으로써 소성체를 얻어 이 소성체를 가공한다.

(3) 유전체층용 세라믹스 분말을 프레스 성형하고, 그 위에 전극을 얹으며, 다시 그 위에 유전체층용 세라믹스 분말을 배치하여 프레스 성형하며, 일체 소성하여 소성체를 얻는다. 절연층용 세라믹스 벌크체를 이 소성체에 대하여 접합하고, 소정 형상으로 가공하여 정전척을 얻는다. 이 때의 접합 방법은 유리 접합, 수지 접합 및 확산 접합 등이라도 좋다.

(실시예 1)

상기한 (1)의 제조 방법에 따라서, 도 1에 도시하는 타입의 쌍극형 정전척을 제조했다. 구체적으로는, 환원 질화법에 의해서 얻어진 유전체층용 질화 알루미늄 분말을 사용하고, 이 분말에 아크릴계 수지 바인더를 첨가하며, 분무 조립 장치에 의해서 조립하여 조립 과립을 얻었다. 이 조립 과립을 성형하여, 직경 200 mm, 두께 30 mm의 원반 형상의 예비 성형체를 제작했다. 이 때, 성형체 속에 전극을 매설했다. 이 때의 성형 압력을 200 kg/㎝²로 했다. 전극으로서는 몰리브덴으로 제조된 철망을 사용했다. 이 철망으로서는 직경 Φ 0.20 mm의 몰리브덴 선을 1인치 당 50개의 밀도로 엮은 철망을 사용했다. 이 성형체 위에 절연층용의 동일한 소성 조건에 의해서 체적 저항율이 다른 물건을 얻을 수 있을 것 같은 질화 알루미늄 분말을 배치하여 200 kg/㎝²의 압력으로 프레스 성형했다.

이 원반 형상 성형체를 핫 프레스형 속에 수용하고 밀봉했다. 승온 속도 300℃/시간으로 온도를 상승시키고, 이 때 실온 내지 1300℃의 온도 범위에서 감압을 행했다. 이 온도의 상승과 동시에 프레스 압력을 상승시켰다. 최고 온도를 1900℃로 하고, 최고 온도에서 5시간 유지하여 소결체를 얻었다. 이 소결체의 흡착면측에 블러스트 가공(blasting)에 의해서 평면 원형의 다수의 돌기를 형성하여 실시예 1의 정전척을 얻었다. 단, 웨이퍼 설치면으로부터의 전극의 깊이는 1 mm로 하고, 유전체층의 체적 저항율을 실온에서 1×10¹⁰Ωㆍ㎝로 조절하며, 절연층의 체적 저항율을 약 1×10¹³Ωㆍ㎝로 조절했다.

이 정전척의 흡착력을 측정했다. 부하 전압은 + 300 V 및 -300 V로 했다. 이 정전척의 실리콘 웨이퍼에 대한 흡착력을 압력 단위(Torr)로 측정했다. 이 결과, 흡착력은 실온에서 50-70 Torr의 값을 나타냈다.

계속해서, 정전척의 후면측에 은 페이스트를 도포하고, 400℃에서 베이킹했다. 이 후, 상기한 바와 같이 흡착력을 측정한 바, 실온에서 50-70 Torr의 값을 나타냈다.

(실시예 2)

실시예 1과 마찬가지로 하여 정전척을 제작했다. 단, 상기한 (2)에 나타내는 방법을 채택했다. 그리고, 유전체층용 질화 알루미늄 성형체 속에 전극을 매설함과 동시에, 절연층용 질화 알루미늄 소결체의 평판(두께가 3 mm)을 준비하여 성형체와 평판을 적층했다. 이렇게 해서 얻어진 적층체를 핫 프레스형 속에 수용하고 실시예 1과 마찬가지로 하여 소성했다.

이렇게 해서 얻어진 정전척은 유전체층의 체적 저항율이 1×10¹⁰Ωㆍ㎝이며, 절연체층의 체적 저항율은 2×10¹³Ωㆍ㎝였다. 이 정전척에 관해서 실리콘 웨이퍼에 대한 흡착력을 측정한 바, 50-70 Torr의 값을 나타냈다. 또한, 정전척의 후면에 은 페이스트를 베이킹한 후, 흡착력을 측정한 바, 50-70 Torr의 값을 나타냈다.

(실시예 3)

실시예 1과 마찬가지로 하여 정전척을 제작했다. 단, 상기한 (3)에 나타내는 방법을 채택했다. 그리고, 유전체층용 질화 알루미늄 성형체 속에 전극을 매설하여 성형체를 얻은 후, 이 성형체를 실시예 1과 마찬가지로 하여 소성하고, 체적 저항율이 3×10¹⁰Ωㆍ㎝인 소성체를 얻었다. 이것과 동시에, 절연층용 질화 알루미늄 소결체의 평판(두께가 5 mm이고, 체적 저항율이 1×10¹⁴Ωㆍ㎝)을 준비했다. 상기한 전극이 매설된 소성체와 절연층용 평판을 적층하여 고상 접합법에 의해서 접합했다.

이렇게 해서 얻어진 정전척에 관해서, 실리콘 웨이퍼에 대한 흡착력을 측정한 바, 50-70 Torr의 값을 나타냈다. 또한, 정전척의 후면에 은 페이스트를 베이킹한 후, 흡착력을 측정한 바, 50-70 Torr의 값을 나타냈다.

(비교예)

실시예 1과 마찬가지로 하여 정전척을 제작했다. 단, 정전척의 기판 전체를 상기한 유전체층용 질화 알루미늄에 의해서 형성하고, 절연층용 질화 알루미늄은 사용하지 않았다.

이렇게 해서 얻어진 정전척에 관해서, 실리콘 웨이퍼에 대한 흡착력을 측정한 바, 50-70 Torr의 값을 나타냈다. 또한, 정전척의 후면에 은 페이스트를 베이킹한 후, 흡착력을 측정한 바, 38 Torr였다.

이상 상기한 바와 같이, 본 발명의 정전척에 따르면, 정전척을 도전성 부재로 접합한 후에 발생하는 흡착력의 저하를 방지할 수 있다.

Claims

웨이퍼 설치면과 그에 대향하는 후면을 지니는 기판과,

상기 기판 내에 매설된 정전척 전극과,

상기 기판의 상기 후면측에 설치된 절연층을 포함하는 존센-라벡(Johnsen-Rahbek) 효과 정전척으로서,

상기 기판은 적어도 상기 웨이퍼 설치면에 면하고 있고 상기 정전척 전극을 둘러싸는 유전체층을 더 포함하며,

상기 절연층은 상기 유전체층의 체적 저항율보다도 높은 체적 저항율을 갖는 절연성 재료를 포함하며,

상기 정전척 전극과 접촉하는 상기 유전체층의 영역은 상기 유전체층의 나머지 부분의 체적 저항율보다도 높은 체적 저항율을 가지며,

상기 정전척 전극으로부터 기인하는 누설 전류는 감소되고 상기 절연층을 통하여 흐르는 것이 방지되는 것을 특징으로 하는 존센-라벡 효과 정전척.
제1항에 있어서, 상기 정전척 전극은 서로 부하 전위가 상이한 적어도 두 개의 전극을 포함하는 것인 존센-라벡 효과 정전척.
제1항에 있어서, 상기 기판의 상기 후면에 전기 도전성 부재를 더 설치하고, 상기 웨이퍼 설치면측으로부터 투입된 열을 상기 도전성 부재로 방출시키는 것인 존센-라벡 효과 정전척.
제1항에 있어서, 상기 정전척 전극은 망 또는 펀칭 메탈을 포함하는 것인 존센-라벡 효과 정전척.
제1항에 있어서, 상기 정전척 전극은 몰리브덴 금속 또는 몰리브덴 합금을 포함하는 것인 존센-라벡 효과 정전척.
웨이퍼를 흡착하기 위한 존센-라벡 효과 정전척 및 상기 정전척의 후면에 접합되어 있는 도전성 부재를 구비하고 있는 정전 흡착 구조로서,

상기 정전척은 웨이퍼 설치면과 그에 대향하는 후면을 지니는 기판을 구비하고, 정전척 전극은 상기 기판 내에 매설되며,

상기 기판은 적어도 상기 웨이퍼 설치면을 포함하며 상기 정전척 전극을 둘러싸는 것인 유전체층을 더 포함하고, 절연층은 상기 기판의 상기 후면에 제공되며,

상기 절연층은 상기 유전체층의 체적 저항율보다도 높은 체적 저항율을 갖는 절연성 재료를 포함하며,

상기 정전척 전극과 접촉하는 상기 유전체층의 영역은 상기 유전체층의 나머지 부분의 체적 저항율보다도 높은 체적 저항율을 가지며,

상기 정전척 전극으로부터 기인하는 누설 전류는 감소되고 상기 절연층을 통하여 상기 도전성 부재를 향하여 흐르는 것이 방지되는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 구조.
제6항에 있어서, 상기 정전척 전극은 서로 부하 전위가 상이한 적어도 두 개의 전극을 포함하는 것인 정전 흡착 구조.
제6항에 있어서, 상기 정전척 전극은 망 또는 펀칭 메탈을 포함하는 것인 정전 흡착 구조.
제6항에 있어서, 상기 정전척 전극은 몰리브덴 금속 또는 몰리브덴 합금을 포함하는 것인 정전 흡착 구조.
제6항에 있어서, 상기 도전성 부재는 냉각용 부재를 포함하는 것인 정전 흡착 구조.
웨이퍼 설치면을 한정하고 그에 대향하는 후면을 가지는 유전체층과,

상기 유전체층에 의해 둘러싸이고 그 내부에 매설되며 서로 부하 전위가 상이한 두 개 이상의 정전척 전극과,

상기 유전체층의 체적 저항율보다도 높은 체적 저항율을 갖는 절연성 재료를 포함하며, 상기 유전체층의 상기 후면측에 제공되고 상기 유전체층과 같이-가열되는(co-fired) 절연층

을 포함하는 존센-라벡 효과 정전척으로서,

상기 두 개 이상의 정전척 전극 각각과 접촉하는 상기 유전체층의 영역은 상기 유전체층의 나머지 부분의 체적 저항율보다도 높은 체적 저항율을 가지며,

상기 두 개 이상의 정전척 전극으로부터 기인하는 누설 전류는 감소되고 상기 절연층을 통하여 흐르는 것이 방지되는 것을 특징으로 하는 존센-라벡 효과 정전척.
제11항에 있어서, 상기 절연층에 제공되는 도전성 부재로서, 상기 웨이퍼-설치면으로부터 투입된 열을 상기 도전성 부재로 방출시키는 것인 도전성 부재를 더 포함하는 존센-라벡 효과 정전척.
제11항에 있어서, 상기 두 개 이상의 정전척 전극은 망 또는 펀칭 메탈을 포함하는 것인 존센-라벡 효과 정전척.
제1항에 있어서, 상기 두 개 이상의 정전척 전극은 몰리브덴 금속 또는 몰리브덴 합금을 포함하는 것인 존센-라벡 효과 정전척.
웨이퍼를 흡착하기 위한 존센-라벡 효과 정전척 및 상기 정전척의 후면에 접합되어 있는 도전성 부재를 포함하는 정전 흡착 구조로서,

상기 정전척은,

웨이퍼 설치면을 한정하고 그에 대향하는 후면을 가지는 유전체층과,

상기 유전체층에 의해 둘러싸이고 그 내부에 매설되며 서로 부하 전위가 상이한 두 개 이상의 정전척 전극과,

상기 유전체층의 상기 후면측에 제공되고 상기 유전체층과 같이-가열되는 절연층을 포함하며,

상기 절연층은 상기 정전척의 상기 후면을 한정하며,

상기 절연층은 상기 유전체층의 체적 저항율보다도 높은 체적 저항율을 갖는 절연성 재료를 포함하며,

상기 두 개 이상의 정전척 전극과 접촉하는 상기 유전체층의 영역은 상기 유전체층의 나머지 부분의 체적 저항율보다도 높은 체적 저항율을 가지며,

상기 두 개 이상의 정전척 전극으로부터 기인하는 누설 전류는 감소되고 상기 절연층을 통하여 상기 도전성 부재를 향하여 흐르는 것이 방지되는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 구조.
제15항에 있어서, 상기 두 개 이상의 정전척 전극은 망 또는 펀칭 메탈을 포함하는 것인 정전 흡착 구조.
제15항에 있어서, 상기 두 개 이상의 정전척 전극은 몰리브덴 금속 또는 몰리브덴 합금을 포함하는 것인 정전 흡착 구조.
제15항에 있어서, 상기 도전성 부재는 냉각용 부재를 포함하는 것인 정전 흡착 구조.