JPH09167794A - 静電チャックおよびプラズマ処理方法 - Google Patents

静電チャックおよびプラズマ処理方法

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JPH09167794A
JPH09167794A JP32696095A JP32696095A JPH09167794A JP H09167794 A JPH09167794 A JP H09167794A JP 32696095 A JP32696095 A JP 32696095A JP 32696095 A JP32696095 A JP 32696095A JP H09167794 A JPH09167794 A JP H09167794A
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electrostatic chuck
sample
temperature
plasma
piece
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JP32696095A
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English (en)
Inventor
Tomohide Shirosaki
友秀 城崎
Takayuki Fukunaga
孝之 福永
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Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】冷却ジャケットとの熱膨張係数との差に起因す
る剥離や割れを防止した静電チャック、および試料の温
度安定化を図ったプラズマ処理方法の提供が望まれてい
る。 【解決手段】 試料14を冷却しあるいは加熱する温調
ジャケット12の上面に貼設されて、その上面に試料1
4を保持するための静電チャック10である。静電チャ
ック10は、導体からなる導体板11bの少なくとも表
裏両面が絶縁体からなる誘電体板11aで被着されて形
成された静電チャックピース11が、温調ジャケット1
2上にて複数隣接配置されることによって構成されてい
る。静電チャックピース11にはそれぞれにチャック電
極が設けられ、チャック電極には、それぞれに独立して
極性の切り換えが可能な高圧電源13が接続されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置や電子
デバイス部品に代表される微細加工プロセスにおいて、
薄膜形成方法として広く使用されているエッチング装
置、CVD装置、スパッタ装置等における、試料保持に
用いられる静電チャックと、これを用いたプラズマ処理
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置や電子デバイス部品に代表さ
れる微細加工プロセスにおいては、微細加工パターンを
形成するためエッチング処理が多くなされており、この
ような処理を行うエッチング装置では、高アスペクト
比、高選択比の要求からウエハを低温でエッチングする
ことが要求されている。ウエハを低温にするための冷却
方法としては、通常、冷却ジャケット上に静電チャック
を固定してこの静電チャックの上にウエハを保持し、該
静電チャックを介して冷却ジャケットによりウエハを所
望する温度に冷却するといった方法が採られている。
【0003】図9は、このような方法が、特に低温での
エッチングが可能となるプラズマエッチング装置に用い
られた例を示す図であり、図9に示すように金属製の冷
却ジャケット1上に静電チャック2が固定されてなる試
料台3の静電チャック2上に、ウエハ4が載置保持され
ている。冷却ジャケット1には、該ジャケット1内に冷
媒を循環させるための冷却機構(図示略)が接続されて
おり、さらにプラズマを発生させるための高周波電源5
が接続されている。静電チャック2は、絶縁体からなる
焼結体2a内に誘電分極可能な導体からなる導体板2b
を埋設したもので、該導体板2bには高圧電源6が接続
されている。また、この静電チャック2は、冷却ジャケ
ット1にねじ7によって固定されたもので、これにより
冷却ジャケット1からの冷熱を受けてこれを該静電チャ
ック2の上に載置されたウエハ3に伝えるものである。
【0004】ところが、図9に示した試料台3にあって
は、プラズマエッチング処理を行う際、処理室内が真空
引きされることから、静電チャック2が冷却ジャケット
1にねじ止めされているにもかかわらず、これらの間に
わずかに形成される隙間にて真空断熱が起こり、これに
よって冷却ジャケット1からの冷熱が十分静電チャック
1に伝わらず、これによりウエハ4を所望する温度に調
整することが困難であるといった問題があった。図10
に、図9に示した示した試料台3を用いてウエハ4を温
度制御したときの、ウエハ温度、冷媒の温度、静電チャ
ックの温度の関係を示す。図10より、冷媒であるN2
ガスの供給を開始しても(図10中N2 ガスONとして
示す)、静電チャック2はその温度降下が顕著であるも
のの、ウエハ4の温度は静電チャック2の温度降下に十
分追随していないことが分かる。
【0005】このような問題を解消するため、近年では
試料台3として、図11に示すように静電チャック2を
ねじ止めによって冷却ジャケット1に固定するのに代え
て、シリコーン系接着剤やエポキシ系接着剤を用いて静
電チャック2を冷却ジャケット1に接着するといったも
のが提供されている。すなわち、このような試料台によ
れば、静電チャックが接着剤によって冷却ジャケット1
に接着されているため、前述したような真空断熱現象が
起こらず、良好な熱伝導を確保することができるのであ
る。
【0006】また、一般に静電チャック2には、図9、
図11に示したようなチャック電極が一つの単極式のも
のと、複数の双極式のもの(図示略)とがあり、これら
には、該静電チャックを用いてプラズマ処理を行う場合
にそれぞれ以下に述べる不都合がある。単極式の静電チ
ャックでは、プラズマを発生させないと吸着が起こら
ず、したがって室温でプラズマ処理室内に搬送されたウ
エハ4は、低温にコントロールされた静電チャック2に
プラズマ処理中に吸着されるため、プラズマ処理中に急
激な温度変化を伴ってしまう。一方、双極式の静電チャ
ックでは、その吸着力が弱いため、プラズマ発生後イオ
ンエネルギーの衝突等に起因して静電チャックによるウ
エハ保持力が弱まり、これによって冷却ジャケット1に
よる冷却効果も弱まることから、ウエハの温度上昇を招
いてしまう。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年ウエハ
の大口径化とプロセスの多様化により幅広い温度制御が
なされるようになってきているのに伴い、焼結体で形成
された静電チャックと金属からできているジャケットと
の間の熱膨張係数の差に起因する、該静電チャックの剥
離や破損が大きな問題となっている。すなわち、静電チ
ャックはその表層部がセラミック等の絶縁体からなって
おり、一方冷却ジャケットは、高周波バイアスを印加す
る関係上、また良好な熱伝導性が要求される関係上、ア
ルミニウム等の金属からなっている。
【0008】表1にこれらの材料の線膨張係数を示す。
また、表2に、長さが200mmの場合に、これに対し
て室温から−140℃まで温度を降下させた場合と、室
温から+400℃まで温度を上昇させた場合における、
各材料の伸縮量を示す。
【表1】
【表2】 これら表1、表2の数値から分かるように、セラミック
スとアルミニウムとを接着した場合、大きな温度変化に
伴って互いの伸縮量、すなわち変位量に大きな差が生じ
てしまい、この差から大きな応力が発生することによ
り、セラミックスを表層部に有する静電チャックが、ア
ルミニウム等の金属からなる冷却ジャケットの接合面か
ら剥離し、あるいは静電チャックのセラミックス部分に
割れが生じてしまうのである。
【0009】また、前述したような静電チャックを備え
た試料台によってプラズマ処理を行った場合、静電チャ
ックとして単極式のものを用いても、双極式のものを用
いてもそれぞれウエハの温度変化を招いてしまうことか
ら、安定したプラズマ処理を行うことができないといっ
た不都合がある。ちなみに、WSix のエッチングレー
トはウエハ温度が20℃〜80℃に上昇する間に3倍も
変化してしまうといった報告がある。しかして、このよ
うな現象が生ずる場合では、特に薄膜をプラズマエッチ
ングする場合にそのエッチング時間を予め設定すること
ができず、プロセス制御上の大きな問題となっている。
【0010】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、冷却ジャケットとの熱膨
張係数との差に起因する剥離や割れを防止した静電チャ
ックと、これを用いて試料の温度安定化を図ったプラズ
マ処理方法とを提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の静電チャックで
は、試料を冷却しあるいは加熱する温調ジャケットの上
面に貼設されて、その上面に試料を保持するためのもの
であり、該静電チャックは、導体からなる導体板の少な
くとも表裏両面が絶縁体からなる誘電体板で被着されて
形成された静電チャックピースが、前記温調ジャケット
上にて複数隣接配置されることにより構成されたもので
あることを前記課題の解決手段とした。
【0012】この静電チャックによれば、複数の静電チ
ャックピースによって構成されているので、従来の単板
からなっている静電チャックに比べ、一つ一つの静電チ
ャックピースについては、例えば冷却ジャケットとの間
の熱膨張係数の差に起因する変位量の差が前記従来の静
電チャックの場合より小さくなる。したがって、この変
位量の差に起因して生ずる応力が小さくなることから、
冷却ジャケットからの静電チャックの剥離や、静電チャ
ックの割れの発生が抑制されたものとなる。また、静電
チャックピースは複数が隣接配置されて構成されている
ものの、該静電チャックピース間にはミクロ的にみて間
隙が形成されることにより、静電チャックピースと冷却
ジャケットとの間の熱膨張係数の差に起因した変位量の
差に基づく応力が前記間隙によって一部吸収され、これ
により静電チャック全体でみた場合にも該静電チャック
はその剥離や割れの発生が抑制されたものとなる。
【0013】また、本発明のプラズマ処理方法では、導
体からなる導体板の表裏両面に絶縁体からなる誘電体板
が被着された三層構造を有する静電チャックピースが、
試料を冷却しあるいは加熱する温調ジャケットの上面に
複数隣接配置された状態で貼設され、かつ該静電チャッ
クピースにそれぞれにチャック電極が設けられるととも
に、該チャック電極にそれぞれに独立して極性の切り換
えが可能な高圧電源が接続され、さらに高周波電源に接
続された試料台を備えたプラズマ処理室内にて試料をプ
ラズマ処理するに際し、まず、前記温調ジャケットを所
定の温度にするとともに試料を前記静電チャックピース
上に載置し、次に、前記高圧電源によって静電チャック
ピースのチャック電極に、正の極性に印加された静電チ
ャックピースと負の極性に印加された静電チャックピー
スとが少なくとも一つずつ存在するように電圧を印加し
て前記試料を該静電チャックピース上に吸着保持し、次
いで、前記試料が前記温調ジャケットの温度に下降しあ
るいは上昇したら、前記高周波電源をオンしてプラズマ
処理室内にプラズマを発生させるとともに、前記静電チ
ャックピースが全て同一の極性に電圧が印加されるよう
前記高圧電源の設定を切り換えることを前記課題の解決
手段とした。
【0014】このプラズマ処理方法によれば、試料を温
調ジャケット上に載置した後、静電チャックピースに電
圧を印加するにあたって、少なくとも正に印加されたも
のと負に印加されたものとが一つずつ存在するように各
高圧電源の極性を調整するので、該静電チャックピース
全体から構成される一つの静電チャックとしてみれば、
該静電チャックは双極式のものとなり、プラズマ発生の
有無に関係なく試料に対する吸着力を発揮する。したが
って、試料は該静電チャックに確実に保持されることに
より、温調ジャケットからの熱あるいは冷熱を迅速に受
けて温調ジャケットによって設定された温度に調節され
る。また、プラズマ発生時においては、静電チャックピ
ースに電圧を印加するにあたって、該静電チャックピー
スが全て同一の極性になるように高圧電源の設定を切り
換えるので、該静電チャックピース全体からなる静電チ
ャックとしてみれば、該静電チャックは単極式のものと
なり、プラズマ発生に伴って大きな吸着力を発揮する。
したがって、プラズマ発生に伴いイオンエネルギーの衝
突等が起こっても、静電チャックによる吸着が強力であ
ることから、試料と静電チャックとの間の密着度が十分
に保たれ、これにより温調ジャケットによる試料の温度
調節が十分な状態に維持される。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
図1は本発明における静電チャックの第1実施形態例の
使用状態を示す図であり、図1において符号10は静電
チャックである。この静電チャック10は、複数の静電
チャックピース11…が冷却ジャケット(温調ジャケッ
ト)12上にて複数隣接配置され、かつ該冷却ジャケッ
ト12上にシリコーン系接着剤やエポキシ系接着剤等に
よって接着されて構成されたものであり、該冷却ジャケ
ット12とともにプラズマ処理装置等において用いられ
る試料台を形成するものである。
【0016】静電チャックピース11は、絶縁体からな
る焼結体11a内に誘電分極可能な導体からなる導体板
11bを埋設したもので、すなわち導体板11bの表裏
両面を焼結体11aの一部をなす絶縁体からなる誘電体
板で被着したものである。これら静電チャックピース1
1…には、それぞれにチャック電極(図示略)が設けら
れ、該チャック電極には、それぞれに独立して高圧電源
13が接続されている。ここで、静電チャックピース1
1…の個々の形状については、特に限定されることはな
いものの、全体が集合して静電チャック10をなす状態
において、すなわち静電チャック10自体との形状とし
て、ウエハ14の形状に対応した円盤状となるのが好ま
しく、したがって静電チャックピース11…について
は、それぞれ円盤を適宜に分割したうちの一つとなる形
状とするのが好ましい。なお、円盤を分割するにあたっ
ては、等分割する必要はなく、したがって静電チャック
ピース11…は互いに等しい形状である必要はない。た
だし、不測の事故等によって一部の静電チャックピース
が破損した場合、その交換が容易になるよう、全てを同
一の形状にするのが好ましいのはもちろんである。
【0017】また、静電チャックピース11の個数につ
いて、すなわち静電チャック10を何分割するかについ
ても特に限定されるものではないが、分割の度合いを大
きくし、静電チャックピース11の数を多くすれば、静
電チャック10の大きさが一定であるとした場合当然静
電チャックピース11一個の大きさが小さくなり、した
がって後述する冷却ジャケット12と静電チャックピー
ス11との間の熱膨張係数の差に起因した変位量の差に
よって生じる応力が小さくなり、静電チャック10(静
電チャックピース11)の剥離や割れの発生を抑制する
効果が高まるので好ましい。
【0018】そして、前述した構成により静電チャック
10は、その上にウエハ14が載置され、さらに高圧電
源13…から電圧が印加されることにより、吸着力を発
揮して該ウエハ14を保持するものとなる。なお、高圧
電源13…から印加される電圧の極性が全て同一の場
合、すなわち該静電チャック10が単極式となる場合に
は、先に述べたように冷却ジャケット12に接続された
高周波電源5に電圧が印加され、プラズマが発生される
ことにより、静電チャック10はその吸着力を発揮する
ものとなる。
【0019】このような静電チャック10にあっては、
複数の静電チャックピース11…によって構成されてい
るので、図11に示した従来の単板からなっている静電
チャック2に比べ、一つ一つの静電チャックピース11
については、冷却ジャケット12との間の熱膨張係数の
差に起因する変位量の差が小さくなり、したがってこの
変位量の差に起因して生ずる応力が小さくなることか
ら、冷却ジャケット12からの剥離や、割れの発生が抑
制されたものとなる。また、静電チャックピース11…
は複数が隣接配置されて構成されているものの、該静電
チャックピース11…間にはミクロ的にみて間隙が形成
されることにより、静電チャックピース11…と冷却ジ
ャケット12との間の前記変位量の差に基づく応力が前
記間隙によって一部吸収され、これにより静電チャック
10全体でみた場合にも該静電チャック10はその剥離
や割れの発生が抑制されたものとなる。
【0020】図2は本発明における静電チャックの第2
実施形態例の使用状態を示す斜視図、図3は図2の側断
面図である。これらの図において符号20は静電チャッ
ク、21は冷却ジャケットであり、該冷却ジャケット2
1の上面に静電チャック20が接着されることによって
試料台が形成されている。図2、図3に示した静電チャ
ック20が図1に示した静電チャック10と異なるとこ
ろは、その静電チャックピース22…に、それぞれウエ
ハ14に伝熱ガスを接触させるためのガス供給路23を
形成した点である。
【0021】すなわち、静電チャック20は、図2に示
すように円盤を8等分した平面視扇形の静電チャックピ
ース21が放射状に配置されてなるものであり、該静電
チャックピース21には、その表面側にT字状に開口す
るガス供給路23が形成されている。ガス供給路23
は、図3に示すように静電チャックピース22の表層部
において表面側に開口するT字状の溝部23aと、この
溝部23aの一部から下降して静電チャックピース22
の裏面に開口する孔部23bとからなるもので、冷却ジ
ャケット21内に配設されたガス経路24に連通するよ
う形成されたものである。ガス経路24には図示しない
冷却ガス供給装置が連結され、これによりガス供給路2
3には、冷却ガス供給装置よりガス経路2を介してHe
ガス等の冷却ガスが供給されるようになっている。
【0022】また、静電チャックピース22…には、そ
れぞれにチャック電極(図示略)が設けられ、該チャッ
ク電極には、それぞれに独立して高圧電源25が接続さ
れている。高圧電源25は、この実施形態例では正負の
極性切り換えが可能なものとなっており、これによって
静電チャック20は、その静電チャックピース22毎に
印加する電圧の極性を制御できるようになっている。
【0023】このような構成の静電チャック20にあっ
ては、図1に示した静電チャック10と同様に複数の静
電チャックピース22…によって構成されているので、
冷却ジャケット21と静電チャックピース22の焼結体
22aとの熱膨張係数の差に起因する、冷却ジャケット
21からの剥離や割れを抑制することができる。また、
ガス供給路23を形成したので、該静電チャック20上
にウエハ14を載置し、高圧電源25から各静電チャッ
クピース22に電圧を印加して吸着力を発揮させ、ウエ
ハ14を静電チャック20上に保持させた後、冷却ガス
供給装置からガス経路24を介してガス供給路23中に
冷却ガスを供給すれば、該冷却ガスが直接ウエハ14に
接触することにより、該ウエハ14をより迅速にかつ効
率的に冷却することができる。なお、ガス供給路23
は、ウエハ14が静電チャックピース22に保持される
ことによってその開口が封止されることから、このガス
供給路23に供給される冷却ガスは該静電チャック20
が配置された処理室内に流れ出ないようになっている。
さらに、高圧電源25として正負の極性切り換えが可能
なものを用いていることから、該静電チャック20は、
その静電チャックピース22毎に印加する電圧の極性を
制御でき、したがって例えば図4に示すように制御する
ことによって単極式のものとして用いることが可能にな
り、また図5に示すように制御することによって双極式
のものとして用いることが可能になる。
【0024】次に、本発明のプラズマ処理方法を、図
2、図3に示した静電チャック20を備えた試料台を用
いるプラズマ処理方法を例にして説明するが、これに先
立ち、この処理方法に好適に用いられるプラズマ処理装
置について説明する。図6は、静電チャック20を備え
た試料台を処理室内に設けたプラズマ処理装置を示すも
ので、図6中符号プラズマ処理装置30である。このプ
ラズマ処理装置30は、ウエハ処理室(プラズマ処理
室)31と該ウエハ処理室31内に配設された前記試料
台32とを備えたものであり、ウエハ処理室31の外に
配設された高周波発生装置33を有したプラズマ発生手
段によってプラズマPを発生させ、試料台32上のウエ
ハ14をプラズマ処理するものである。
【0025】ウエハ処理室31には、真空ポンプ等から
なる排気装置34とガス供給器35とが接続されてい
る。試料台32には、その冷却ジャケット21にチラー
(冷凍機)36が接続されており、該チラー36から冷
媒が循環されることによって該冷却ジャケット36は、
ウエハ14を冷却するものとなっている。なお、静電チ
ャック20には、前述したようにその静電チャックピー
ス22…にそれぞれチャック電極(図示略)が設けら
れ、該チャック電極にはそれぞれに独立して正負の極性
切り換えが可能な高圧電源25が接続されている。ま
た、冷却ジャケット21には温度センサ(図示略)が設
けられており、さらに試料となるウエハ14にもその温
度を検出するための温度センサ(図示略)が接続される
ようになっている。
【0026】そして、このようなプラズマ処理装置30
によってプラズマ処理するには、まず、図7に示すよう
に室温の状態にある試料をウエハ処理室31に搬送し
(ステップ1、図7中においてはST1と略記する。以
下同様)、これを試料台32の静電チャック20上に載
置する。また、これに先立ち、あるいはこれの後、チラ
ー36より冷媒を冷却ジャケット21内に循環させるこ
とによって該冷却ジャケット21を所定の温度とする。
【0027】次に、前記高圧電源25によって静電チャ
ックピース22…のチャック電極に、図5に示したよう
に正の極性に印加されたものと負の極性に印加されたも
のとが交互に位置するようにして、高電圧を印加する
(ST2)。すると、静電チャック20は双極式のもの
となることから、プラズマ発生の有無に関係なくウエハ
14に対する吸着力を発揮してこれを吸着保持する。し
たがって、ウエハ14は該静電チャック20に確実に保
持されることにより、冷却ジャケット21からの冷熱を
迅速に受け、図8に示すように冷却ジャケット21によ
って設定された温度に速やかに降下する。なお、図12
は従来の単極式の静電チャックを用いてプラズマ処理を
行った場合のウエハの温度変化を示す図であり、図12
に示すように従来の単極式のものでは、前述したように
プラズマ処理が開始する以前では真空断熱の影響によっ
て十分な温度降下がなされず、したがってプラズマ処理
開始後に一旦温度降下が起こり、その後温度上昇が起こ
ることが分かる。一方、本実施形態例では、図8に示し
たようにプラズマ処理以前に十分温度降下が起こり、所
望する温度に調節できることが分かる。
【0028】そして、冷却ジャケット21に設けた温度
センサ、ウエハ14に接続した温度センサによって検出
された温度が同じになり、ウエハ14が設定した温度に
調節されたことが確認されたら(ST3)、高周波電源
33をオンしてウエハ処理室内にプラズマを発生させ
(ST4)、さらに静電チャックピース22…が全て同
一の極性の電圧となるよう高圧電源25の設定を切り換
える(ST5)。すると、静電チャック20は単極式の
ものとなることから、プラズマ発生に伴って大きな吸着
力を発揮する。したがって、プラズマ発生に伴いイオン
エネルギーの衝突等が起こっても、静電チャック20に
よる吸着が強力であることから、ウエハ14と静電チャ
ック20との間の密着度が十分に保たれ、これにより図
7に示したように図12に示した従来の方法による温度
調節に比べ、冷却ジャケット21によるウエハ14の温
度調節が十分な状態に維持される。よって、本実施形態
例の方法によれば、ウエハ14を設定した温度で安定し
てプラズマ処理することができることから、エッチング
等の処理を所望する形態となるよう確実に行うことがで
きる。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように本発明の静電チャッ
クは、複数の静電チャックピースによって構成されたこ
とにより、従来の単板からなっている静電チャックに比
べ、冷却ジャケット(温調ジャケット)からの剥離や割
れの発生が抑制されたものであるから、ウエハの大口径
化にも十分対応してこれの低温から高温までの幅広い温
度制御を可能にすることができる。また、静電チャック
ピースのいくつかが絶縁破壊を起こすなど破損しても、
残りの静電チャックピースは独立した静電チャックとし
て機能するのでその寿命が長いものとなり、したがって
不測の事故による破損をも考慮した場合に、本発明の静
電チャックはコストが安価なものとなる。
【0030】本発明のプラズマ処理方法は、試料を温調
ジャケット上に載置した後、静電チャックピース全体か
らなる静電チャックを双極式にして試料を吸着保持する
ことから、プラズマ発生の有無に関係なく試料を確実に
保持することができ、これにより温調ジャケットからの
熱あるいは冷熱を迅速に伝え、試料の温度を温調ジャケ
ットによって設定した温度に速やかに調節することがで
きる。また、プラズマ発生時においては、静電チャック
ピース全体からなる静電チャックを単極式にして試料を
吸着保持することから、プラズマ発生に伴って大きな吸
着力が発揮され、これにより試料と静電チャックとの間
の密着度を十分に保つことができ、したがって温調ジャ
ケットによる試料の温度調節を十分な状態に維持するこ
とができる。よって、本方法によれば、試料を設定した
温度で安定してプラズマ処理することができることか
ら、特に、試料(ウエハ)温度によってエッチングレー
トが大きく変化するエッチング処理に適用した場合に多
大な効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明における静電チャックの第1実施形態例
の、使用状態を示す側断面図である。
【図2】本発明における静電チャックの第2実施形態例
の、使用状態を示す斜視図である。
【図3】本発明における静電チャックの第2実施形態例
の、使用状態を示す側断面図である。
【図4】図2、図3に示した静電チャックの、電圧印加
状態を説明するための平面図である。
【図5】図2、図3に示した静電チャックの、電圧印加
状態を説明するための平面図である。
【図6】プラズマ処理装置の概略構成図である。
【図7】本発明におけるプラズマ処理方法の、一実施形
態例を説明するためのフローチャート図である。
【図8】本発明におけるプラズマ処理方法での、ウエハ
の温度変化を示すグラフ図である。
【図9】従来の静電チャックの一例の、使用状態を示す
側断面図である。
【図10】従来における、ウエハ温度、冷媒の温度、静
電チャックの温度の関係を示すグラフ図である。
【図11】従来の静電チャックの一例の、使用状態を示
す側断面図である。
【図12】従来のプラズマ処理方法での、ウエハの温度
変化を示すグラフ図である。
【符号の説明】
10、20 静電チャック 11、22 静電チャックピース 11a、22a 焼結体 11b 導電板 12、21 冷却ジャケット(温調ジャケット) 13、25 高圧電源 14 ウエハ 30 プラズマ処理装置 31 ウエハ処理室(プラズマ処理室) 32 試料台

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 試料を冷却しあるいは加熱する温調ジャ
    ケットの上面に貼設されて、その上面に試料を保持する
    ための静電チャックであって、 該静電チャックは、導体からなる導体板の少なくとも表
    裏両面が絶縁体からなる誘電体板で被着されて形成され
    た静電チャックピースが、前記温調ジャケット上にて複
    数隣接配置されることによって構成されたことを特徴と
    する静電チャック。
  2. 【請求項2】 前記静電チャックピースにはそれぞれに
    チャック電極が設けられ、該チャック電極には、それぞ
    れに独立して極性の切り換えが可能な高圧電源が接続さ
    れてなることを特徴とする請求項1記載の静電チャッ
    ク。
  3. 【請求項3】 導体からなる導体板の表裏両面に絶縁体
    からなる誘電体板が被着された三層構造を有する静電チ
    ャックピースが、試料を冷却しあるいは加熱する温調ジ
    ャケットの上面に複数隣接配置された状態で貼設され、
    かつ該静電チャックピースにそれぞれにチャック電極が
    設けられるとともに、該チャック電極にそれぞれに独立
    して極性の切り換えが可能な高圧電源が接続され、さら
    に高周波電源に接続された試料台を備えたプラズマ処理
    室内にて試料をプラズマ処理するに際し、 まず、前記温調ジャケットを所定の温度にするとともに
    試料を前記静電チャックピース上に載置し、 次に、前記高圧電源によって静電チャックピースのチャ
    ック電極に、正の極性に印加された静電チャックピース
    と負の極性に印加された静電チャックピースとが少なく
    とも一つずつ存在するように電圧を印加して前記試料を
    該静電チャックピース上に吸着保持し、 次いで、前記試料が前記温調ジャケットの温度に下降し
    あるいは上昇したら、前記高周波電源をオンしてプラズ
    マ処理室内にプラズマを発生させるとともに、前記静電
    チャックピースが全て同一の極性に電圧が印加されるよ
    う前記高圧電源の設定を切り換えることを特徴とするプ
    ラズマ処理方法。
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