JPS59195839A - 半導体ウエハ−の自動移し替え装置 - Google Patents

半導体ウエハ−の自動移し替え装置

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JPS59195839A
JPS59195839A JP7044183A JP7044183A JPS59195839A JP S59195839 A JPS59195839 A JP S59195839A JP 7044183 A JP7044183 A JP 7044183A JP 7044183 A JP7044183 A JP 7044183A JP S59195839 A JPS59195839 A JP S59195839A
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JP
Japan
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wafer
semiconductor wafer
quartz
semiconductor
receiver
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JP7044183A
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Yoshio Izawa
井沢　芳夫
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体ウェハーに不純物拡散や化学的処理を施
すために、キャリア中に収納されている半導体ウェハー
を石英テート上に自動的に移し替えを行なう装置に関す
る。
〔発明の技術的背景〕
ＩＣ等の半導体装置を製造する際には、不純物拡散、そ
の他の化学的処理等のようにプロセスチューブ内で行な
う工程が多く含まれている。
このようなプロセスチューブ内での処理を行なう場合、
第１図に示すように、半導体ウエノ・−１は石英ボート
２上に立設された状態でグロセスチューブに導入される
。石英が−ト互は、平行に配設された２本の石英棒３，
３が石英製の連結棒４，４で連結固定されてなり、石英
棒３゜３の内側には半導体ウェハー１を立設するため　
　　□の溝５・・・が形成されている。そして、これら
溝５・・・の夫々に、半導体ウェハー１が図示のように
挿入されて立設される。
ところで、半導体ウェハー１を第１図のように石英ボー
ト考上に立設する作業は、従来第２図に示すようにして
行なわれている。同図に示すように、石英ボート７上に
立設さるべき半導体ウニハート・・は、キャリア６内の
棚上に収納されている。７はキャリア６に収納されてい
る半導体ウニハート・・を、石英ボード１上に第１図に
示した形で移し替えるための自動装置である。この自動
移し替え装置Ｚは、図中矢印方向に回動および伸縮可能
な自在アーム８と、該自在アーム８の先端に設けられた
真空チャック９とを具備しヤいる。
半導体ウェハー１の移し替えに際しては、まず自在アー
ム８の回動および伸長により真空チャック９がキャリア
６内に侵入してウェハー１を吸着保持する。続いて、自
在アーム８は収縮１回動して真空チャック９に吸着保持
された半導体ウェハー１を石英デート互の溝５・・・上
に移動させた後、再び伸長してウェハー１を溝５・・・
内に挿入して立設する。
このように、従来の自動移し替え装置ヱはキャリア６内
に収納されている半導体ウェハー１を、直接石英ボート
１上に移し替えを行なっていた。
〔背景技術の問題点〕
さて、上記のようにして半導体ウェハーの移し替え作業
を行なう場合、作業スピードの向上、ウェハー品質の保
持および信頼性の向上といった要件が基本的に要求され
る。
ところが、上述のように従来の自動形し替え装置ヱでは
、吸着保持した半導体ウェハー１を石英ボートＺの溝５
・・・内に直接挿入して立設するようになっていたため
、処理スビ〜ドを上げると半導体ウェハー１と石英Ｓ−
）、？とが接触する際の衝撃が大きくなってしまう。こ
のため、作業スピードを上げると半導体ウェハー１に傷
が付いたシ、チッピングを生じたりするといった問題が
生じていた。
このように、従来用いられていた半導体ウェハーの自動
移し替え装置においては、作業スピードの向上とウニハ
ル品質の保持という二つの基本的要件が二律背反する関
係にあシ、両者を満足することができなかった。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、プロセスチ
ー−プ内での処理を施すために、キャリア内に収納され
ている半導体ウエノ・−を石英ボート上に移し替える際
に、半導体ウェハーに傷やチッピングを生じることなく
作業スピードを向上することができる半導体ウエノ・−
の自動移し替え装置を提供するものである。
〔発明の概要〕
本発明による半導体ウエノ・−の自動移し替え装置は、
伸縮および回動可能々自在アームと該自在アームの先端
に設けられた真空チャックと、半導体ウエノ・−を立設
して載置する石英ボートにおける前記半導体ウエノ１−
を立設するための溝が形成された２本の平行な石英棒間
に昇降自在に配設され、前記石英棒に形成された溝に対
応して、半導体ウエノ・−を立設するための溝を設けた
合成樹脂製のウエノ・−受けとを具備し、前記自在アー
ムを伸縮および回動させてキャリア内に収納されている
半導体ウエノ・−を前記真空チャックに吸着して搬送し
、該半導体ウェハーを前記ウェハー受けに設けた溝に立
設した後、このウェハー受けを前記石英棒のレベルよシ
も下方に下降させることによりウェハー受けに立設され
ている半導体ウェハーを前記石英棒に形成された溝に立
設するようにしたことを特徴とするものである。
上記本発明による自動移し替え装置は、半導体ウェハー
を直接石英ボート上に立設するのではなく、一旦合成樹
脂製のウエノ・−受けに立設した後に、ウェハー受けの
下降によるソフトランディングにより半導体ウェハー全
石英ホードに立設するものである。
〔発明の実施例〕
以下、第３図および第４図（４）（Ｂ）を参照して本発
明の一実施例を説明する。
第３図は不発明の一実施例になる半導体ウェハーの自動
移し替え装置を示す説明図である。
同図において、８は自動移し替え装置の自在アーム、９
は真空チャックであシ、これらは第３図における従来の
自動移し替え装置／を構成している。この実施例では、
従来の自動移し替え装置ヱに加えて、石英が−１−２の
石英棒３，３および連結棒４，４で囲まれた領域内に配
設されるウェハー受け１０が設けられている。該ウェハ
ー受け１０はポリフッ化エチレン系樹脂（テフロン）等
の不活性合成樹脂からなシ、半導体ウェハーＩｆ：立設
するための溝１１・・・が設けられている一０該溝１ノ
は石英ボート糸の溝５・・・に正確に対応する位置に設
けられている。
そして、ウェハー受け１０は図示しない駆動源により図
中矢印で示すように昇降できるようになっている。
次に、上記実施例になる自動移し替え装置の作用全説明
する。まず、ウニ・・−受け１０を石英ｙｌ？−）−？
のレベルよシも上に配置し、自在アーム８および真空チ
ャック９を動作させてウェハーキャリアの中に収容され
ている半導体ウェハー１を真空チャック９に吸着保持し
、第３図に示すようにウエノ・−受け１０上に搬送する
。
続いて、自在アーム８を伸長して半導体ウエノ・−１を
溝１１内に挿入した後、真空チャック９による吸着を解
除し、半導体ウエノ・−１全ウェハー受け１０上に立設
する。この操作を繰υ返すことによシ、ウエノｈ−受け
１０の総ての溝１ノ・・・に半導体ウエノ・−１を立設
する。第４図（Ａ）はこの状態を示す断面図である。
次に、第４図（Ａの状態から石英棒３，３間を通してウ
エノ・−受け１０ｆ徐々に下降させれば、ウェハー受け
１０に立設されている半導体ウェーハー１は石英棒３，
３に設けられた溝５，５内にソフトランディングし、第
４図（Ｂ）に示すように石英テート糸−＼の移し替えが
完了する。
上記実施例になる半導体ウエノ・−の自動移し替え装置
によれば、ウエノ・−受け１０が合成樹脂製で比較的軟
質であるため、自在アーム８および真空チャック９によ
る作業スピードを上げても半導体ウェハー１に加わる衝
撃が小さく、従って半導体ウェハー１にチッピングを生
じたυ、ウェハー面に傷を生じたりするのを防止するこ
とができる。また、ウェハー受け１０から半導体ウェハ
ー１を石英ボート糸上に立設する作業は、上記のような
ソフトランディングで行なえど るから、このときにも半導体ウェハー１のチッピングや
傷の発生を防止できる。従って、従来の自動移し替え装
置では二律背反する要素であった作業スピードの向上と
半導体ウエノ・−１の品質保持という二つの要件を同時
に達成することができる。
なお、ウェハー受け１０の溝１１は第５図＜Ａ）のよう
にＶ溝でよいが、石英ボート７の溝５は第５図（Ｂ）に
示すように断面略漏斗状とするのが望ましい。
また、上記実施例では石英ボー）２上に立設する半導体
ウニハート・・を総でウェハー受け１０上に移した後、
これらの半導体ウニハート・・を同時に石英ボート！上
に移し替える構成となっているが、ウエノ・−受け１０
への移し替え作業と石英？−ト糸への移し替え作業とを
連続したサイクルとし、半導体ウエノ・−１を１枚づつ
石英ボート２上に立設して行くよう々構成とすることも
可能である。
〔発明の効果〕
以上詳述したように、不発明による半導体ウェハーの自
動移し替え装置によれば、プロセス　′チューブ内での
処理を行なうために半導体ウェハーをキャリアから石英
ボート上に立設して移し替えを行々う際に、半導体ウエ
ノ・−のチッピングや傷の発生を防止しつつ移し替え作
業のスピードを向上できる等、顕著な効果が得られるも
のである。
【図面の簡単な説明】
第１図は石英ボート上に立設された半導体ウェハーを示
す斜視図、第２図はキャリア内に収縮されている半導体
ウエノ・−を第１図の状態に移し替えるための従来の自
動移し替え装置を示す説明図、第３図は本発明の一実施
例になる半導体ウェハーの自動移し替え装置を示す説明
図であシ、第４図（Ａｔ　（Ｂ）はその作用の説明図、
第５図（Ａ）　（Ｂ）は夫々第３図のウェハー受けと石
英ボートにおける溝形状を示す図である。 １・・・半導体ウェハー、！・・・石英ポート、３゜３
・・・石英棒、４，４・・・連結棒、５・・・溝、６・
・・キャリア、８・・・自在アーム、９・・・真空チャ
ック、１０・・・ウェハー受け、１ノ・・・溝。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 伸縮および回動可能な自在アームと、該自在アームの先
    端に設けられた真空チャックと、半導体ウェハーを立設
    して載置する石英カートにおける前記半導体ウェハーを
    立設するだめの溝が形成された２本の平行な石英棒間に
    昇降自在に配設され、前記石英棒に形成された溝に対応
    して、半導体ウェハーを立設するための溝を設けた合成
    樹脂製のウェハー受けとを具備し、前記自在アームを伸
    縮および回動させてキャリア内に収納されている半導体
    ウェハーを前記真空チャックに吸着して搬送し、該半導
    体ウエノ・−を前記ウェハー受けに設けた溝に立設した
    後、このウェハー受けを前記石英棒のレベルよりも下方
    に下降させることによりウェハー受けに立設されている
    半導体ウェハーを前記石英棒に形成された溝に立設する
    ようにしたことを特徴とする半導体ウェハーの自動移し
    替え装置。
JP7044183A 1983-04-21 1983-04-21 半導体ウエハ−の自動移し替え装置 Pending JPS59195839A (ja)

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JP (1) JPS59195839A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0547728A (ja) * 1991-08-13 1993-02-26 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハ起立方法及び装置
JPH07321176A (ja) * 1994-05-20 1995-12-08 Hitachi Ltd 基板搬送方法
CN1096112C (zh) * 1996-12-28 2002-12-11 Lg半导体株式会社 晶片支承和/或输送机

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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