JP4467720B2 - 基板搬送装置 - Google Patents
基板搬送装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4467720B2 JP4467720B2 JP2000180360A JP2000180360A JP4467720B2 JP 4467720 B2 JP4467720 B2 JP 4467720B2 JP 2000180360 A JP2000180360 A JP 2000180360A JP 2000180360 A JP2000180360 A JP 2000180360A JP 4467720 B2 JP4467720 B2 JP 4467720B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electrostatic
- electrostatic adsorption
- electrodes
- electrostatic attraction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、静電吸着装置、基板搬送装置及び真空処理装置に関し、特に平面が平坦でない基板を静電吸着することが可能な静電吸着装置と、その静電吸着装置を備えた基板搬送装置及び真空処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、真空装置内への基板の搬出入には基板搬送ロボットが用いられている。
図10(a)の符号110は、真空処理装置(スパッタリング装置)であり、真空槽112と基板搬送装置120とを有している。真空槽112内の天井側にはカソード電極113が配置されており、底壁側には基板吸着装置114が配置されている。
【0003】
基板搬送装置120は、駆動装置121と、該駆動装置121に取り付けられた腕部122と、該腕部122の先端に取り付けられた保持部123とを有している。
【0004】
保持部123の構成を図11(a)、(b)に示す。同図(a)は同図(b)のX−X線断面図に相当する。この保持部123は、金属板124と、該金属板124上に配置された誘電体層125を有している。この誘電体層125はセラミックス製であり、その表面に、導電性のカーボンからなる第1、第2の電極1271、1272が形成されている。
【0005】
第1、第2の電極1271、1272の平面図を同図(b)に示す。第1、第2の電極1271、1272は櫛状に成形されており、その歯の部分が互いに噛み合うように配置されている。
第1、第2の電極1271、1272はそれぞれ真空槽112外に設けられた電源に接続されており、その電源を駆動すると、第1、第2の電極1271、1272の間に直流電圧を印加することができる。
第1、第2の電極1271、1272上には、第1、第2の電極1271、1272と誘電体層125表面とを被覆するように保護膜130が形成されている。
【0006】
上述した真空槽112内で基板表面に成膜処理をするには、まず、保持部123表面に基板111を載置した状態で、第1、第2の電極1271、1272の間に直流電圧を印加する。
【0007】
一般に、不均一な電場E中に分極率αの誘電体を置いたとき、その誘電体には、単位面積当たり次式で表されるグラディエント力が働く。
f = 1/2・α・grad(E2)
上述した保持部123では、互いに隣接する第1、第2の電極1271、1272の間の距離が非常に小さくなっている。その結果、誘電体からなる基板がその表面に載置されたときに、上式のgrad(E2)が大きくなっている。
【0008】
その結果、基板111が、保持部123の表面方向に上述したグラディエント力を受け、基板111の裏面全面が保持部123表面に静電吸着される。図12は、その状態を模式的に示した図である。図12において、符号122は第1、第2の電極1271、1272間に直流電圧を印加する直流電源を示しており、符号Eは電場を示している。また、符号fは基板111に働くグラディエント力の方向を示している。
【0009】
こうして、保持部123表面に基板111が静電吸着された状態で、腕部122を水平移動させ、基板111を基板吸着装置114上に静止させる。
次いで、真空槽112底部に配置された昇降機構106を動作させ、基板111を保持部123上から昇降機構106上に移し替え、昇降機構106を降下させて基板111を基板吸着装置114上に載置し(図10(b))、腕部122及び保持部123を真空槽112から抜き出し、真空槽112を密閉し、スパッタリングガスを導入し、カソード電極113に配置されたターゲットをスパッタリングさせ、基板111表面に所定の薄膜を成膜する。
【0010】
所定膜厚の薄膜が成膜されたら、真空槽112を開放し、昇降機構106を上昇させて基板111を所定位置まで上昇させ、腕部122及び保持部123を真空槽112内に搬入し、保持部123を基板111の下方に位置させた後に、昇降機構106を下降させて基板111を保持部123上に移し替え、保持部123上に静電吸着させる。その後、保持部123及び腕部122を真空槽112から取り出し、基板111を装置外へと取り出す。
【0011】
上述した保持部123では、グラディエント力により基板を静電吸着しているため、例えばガラス基板等のような絶縁性基板でも静電吸着することができる。また、基板111を静電吸着力で保持しているので、保持部123を高速に移動させても、基板111が保持部123から滑落しにくく、基板111を高速に移動させることができる。
【0012】
しかしながら、成膜処理後に、基板111が成膜の際に生じる応力によって反ってしまうことがある。保持部123は、その表面が平坦に形成されているので、基板111に反りが生じた場合には、図13に示すように、保持部123の表面は、そのごく一部が基板111の表面に当接するので、保持部123の表面と基板111との接触面積は極めて小さくなってしまう。このため、基板111に反りがない場合に比して静電吸着力が小さくなり、確実に基板111を静電吸着して保持することができなくなり、搬送中に基板111が保持部123から滑落してしまうなどの問題が生じていた。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の要求に応じるために創作されたものであり、その目的は、反りが生じた基板を、確実に静電吸着して保持することが可能な技術を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項1記載の発明は、移動可能に構成された腕部と、前記腕部に設けられ、前記腕部の移動によって移動可能に構成された保持部とを有する基板搬送装置であって、前記保持部は、四辺形の支持体と、上端が前記支持体の四隅に固定された四本の取付部材と、前記取付部材の下端にそれぞれ設けられ、該取付部材に対して自由に傾くことができるように構成された静電吸着部とから成り、前記静電吸着部は、担体と、該担体に設けられた第1、第2の電極とを有し、前記静電吸着部は、グラディエント力により、絶縁性基板を吸着する静電吸着装置であり、前記静電吸着部は、その底面が、反りを有する前記絶縁性基板の上方を向く傾いた表面に対して平行になるように傾いて接触し、反った状態の前記絶縁性基板を前記グラディエント力によって吸着して吊り下げ保持して移動させられるように構成されたことを特徴とする。
【0015】
本発明の静電吸着装置は、複数の取付部材と、各取付部に取り付けられた静電吸着部を有しており、各静電吸着部は各取付部材に対して、あらゆる方向に自由に傾くことができる。
【0016】
このため、基板に反りが生じ、その表面が水平面に対して傾いた場合には、基板表面に静電吸着部を接触させると、静電吸着部は、傾いた基板の表面に対して平行になるように傾くので、静電吸着部の表面全面が、基板の傾いた表面に当接する。
【0017】
この状態で第1、第2の電極に電圧を印加して、グラディエント力で基板を静電吸着部の表面に静電吸着すると、従来に比して、静電吸着部と基板表面との接触面積が大きくなり、静電吸着力が増大するので、基板が反った場合であっても、確実にその基板を静電吸着して保持することができる。
【0018】
なお、本発明において、静電吸着部を、少なくとも四辺形の頂点に位置するように配置してもよい。矩形の基板を静電吸着する場合には、予め四辺形の大きさと形状を基板と同じにすることにより、静電吸着部は基板四隅の表面に当接し、基板四隅の表面を静電吸着して基板を保持することができる。
【0019】
また、各静電吸着部の第1、第2の電極表面に保護膜を形成してもよい。このように構成することにより、第1、第2の電極が直接基板に接触しないので、第1、第2の電極を耐磨耗性の低い材料で構成した場合には、その寿命が長くなる。
【0020】
さらに、本発明の基板搬送装置は、本発明の静電吸着装置を有しているので、基板に反りが生じた場合であっても、基板を確実に静電吸着して保持し、高速に搬送することができる。
【0021】
また、本発明の真空処理装置は、本発明の静電吸着装置を有しているので、基板に反りが生じた場合であっても、基板を確実に静電吸着して保持した状態で、真空処理を行うことができる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下で図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。
図1の符号10は、本発明の一例の真空処理装置(スパッタリング装置)を示している。真空処理装置10は、真空槽12と搬送室15とを有している。真空槽12内の天井側にはカソード電極13が配置されており、底壁側には基板吸着装置14が配置されている。
【0023】
搬送室15内には、基板搬送装置36が配置されている。この基板搬送装置36は、駆動装置31と、該駆動装置31に取り付けられた腕部32と、該腕部32の先端に取り付けられた静電吸着装置33とを有している。駆動装置31内には、図示しないモータが配置され、腕部32の一端は、このモータに接続されており、水平面内での伸縮移動と垂直方向への移動ができるように構成されている。
【0024】
静電吸着装置33は、腕部32の他端に設けられており、腕部32の移動に伴って、水平方向と垂直方向に移動できるように構成されている。
静電吸着装置33の構成の一例を図2(a)に示す。この静電吸着装置33は、矩形枠状の支持体40と、4本の支持軸211〜214と、ジョイント部221〜224と、板状の静電吸着部231〜234とを有している。
【0025】
4本の支持軸211〜214は、それぞれの一端が支持体40の四隅に固定され、他端が静電吸着部231〜234にそれぞれ固定されており、支持体40の表面と垂直になるように配置されている。
【0026】
各支持軸211〜214には、ジョイント部221〜224が設けられており、各支持軸211〜214はジョイント部221〜224を中心にして、いかなる方向にも自由に折れ曲がることができるように構成されているので、静電吸着部231〜234の表面281〜284はあらゆる方向に傾くことができる。
【0027】
各静電吸着部231〜234の構成を図3(a)、(b)に示す。同図(b)は各静電吸着部231〜234の平面図を示しており、同図(a)は同図(b)のA−A線断面図に相当する。
【0028】
これらの静電吸着部231〜234は、金属板24と、該金属板24上に配置された誘電体層25とからなる板状の担体26を有している。誘電体層25はAl2O3を主成分とするセラミックス製であり、その表面281〜284には、カーボン製の第1、第2の電極271、272が形成されている。
【0029】
第1、第2の電極271、272の平面図を同図(b)に示す。第1、第2の電極271、272は櫛状に成形されており、その歯の部分が互いに噛み合うように配置されている。
【0030】
第1、第2の電極271、272はそれぞれ図示しない直流電源に接続されており、その直流電源を駆動すると、第1、第2の電極271、272の間に直流電圧を印加することができるように構成されている。
【0031】
第1、第2の電極271、272上には、第1、第2の電極271、272と誘電体層25の表面とを被覆するように、シリコン窒化物からなる保護膜30が形成されている。
【0032】
搬送室15には、図示しない搬出入室が接続されている。かかる構成の真空処理装置10を用いて、ガラスからなる基板の表面をスパッタリング法により成膜処理する場合には、搬出入室内の図示しない載置台に成膜対象の絶縁性基板を配置し、真空槽12と、搬送室15と、搬出入室とを真空雰囲気にしておく。
【0033】
次に、基板搬送装置36を動作させ、搬送室15から、腕部32及び静電吸着装置33を搬出入室内に入れ、静電吸着装置33を基板の上方に位置させる。静電吸着装置33の支持体40は基板11とほぼ同じ大きさになっており、その四隅に配置された静電吸着部231〜234が基板11のほぼ四隅に位置するように位置合わせした後、支持体40を降下させる。
【0034】
すると、各静電吸着部231〜234は基板11の四隅と当接する。その状態を図2(b)に示す。
このとき、基板11には反りがなく、基板11の表面は至るところ平坦であるものとすると、各静電吸着部231〜234は、それぞれの表面281〜284の全部が基板11の四隅表面と接触する。この状態で、第1、第2の電極271、272間に電圧を印加すると、第1、第2の電極271、272の間に生じた電界により、基板11の表面が、各表面に接する各静電吸着部231〜234の表面281〜284方向にグラディエント力を受け、基板11表面の四隅が、各静電吸着部231〜234に静電吸着される。
【0035】
その後、腕部32を水平移動させて静電吸着装置33を搬出入室から取り出し、搬送室15を介して真空槽12内に搬入した後、基板11を基板吸着装置14上に静止させる(図5(a))。
【0036】
次いで、真空槽12底部に配置された昇降ピン6を上昇させ、その先端に基板11の裏面が当接したら、第1、第2の電極271、272への電圧印加を停止し、基板11の静電吸着状態を解除する。すると、基板11が昇降ピン6の先端に乗り、基板11が静電吸着装置33から昇降ピン6へと移し替えられる。
【0037】
その後昇降ピン6を降下させると、基板吸着装置14上に基板11が載置される(図5(b))。載置されたら、基板11を基板吸着装置14上に静電吸着させる。
次に、腕部32及び静電吸着装置33を真空槽12から抜き出し、真空槽12を密閉し、スパッタリングガスを導入し、カソード電極13に配置されたターゲットのスパッタリングを行い、基板11表面に成膜処理を行う。
【0038】
所定膜厚の薄膜が成膜されたら、昇降ピン6を上昇させて基板11を所定位置まで上昇させ、真空槽12を搬送室15と接続し、腕部22及び静電吸着装置33を真空槽12内に搬入し、静電吸着装置33を基板11の上方に位置させる。
【0039】
その状態を図4(a)に示す。ここでは、成膜の際の応力により、基板11に反りが生じてしまったものとする。図4(a)に示す状態で、昇降ピン6を上昇させて、基板11を上昇させる。すると各静電吸着部231〜234が基板11の表面と接触する。
【0040】
上述したように、各静電吸着部231〜234の表面281〜284はあらゆる方向に傾くことができるので、基板11が反り、その表面が水平面に対して傾いていても、各静電吸着部231〜234は基板11の傾いた面に対して平行になるように傾く。これにより、図4(b)に示すように、各静電吸着部231〜234の表面281〜284は、基板11の四隅の表面と平行な状態で接触し、その結果、表面281〜284のほぼ全部が基板11の表面と接触する。
【0041】
この状態で、第1、第2の電極271、272間に電圧を印加すると、第1、第2の電極271、272の間に生じた電界により、各静電吸着部231〜234に当接した基板11の四隅の表面は、各静電吸着部231〜234方向にグラディエント力を受け、各静電吸着部231〜234に静電吸着される。
【0042】
上述したように、各静電吸着部231〜234表面のほぼ全部が、基板11の表面と接触することにより、保持部123のごく一部のみが基板111に接触していた従来に比して、基板11との接触面積が大きくなる。このため、静電吸着力が従来に比して大きくなり、基板11が反った場合であっても、基板11を確実に静電吸着して保持することができる。
【0043】
その後、昇降ピン6を下降させて基板11を静電吸着装置33上に移し替える(図6)。その後、静電吸着装置33及び腕部22を真空槽12から取り出し、基板11を装置外へと取り出す。
【0044】
なお、上述した静電吸着部231〜234は、第1、第2の電極271、272が誘電体層25の表面上に形成され、保護膜30が形成されているが、本発明の静電吸着部の構成はこれに限られるものではなく、例えば、図7(a)〜(d)の符号41〜44に示すように、誘電体層25の表面に凹部を形成して、それぞれの凹部に第1、第2の電極271、272を配置し、保護膜を設けないように構成してもよい。
【0045】
同図(a)の静電吸着部41では、第1、第2の電極271、272の上端部は誘電体層25上から突き出されており、この第1、第2の電極271、272の上端部に基板11の表面が当接し、基板表面と誘電体層25との間には隙間が形成される。
【0046】
同図(b)の静電吸着部42では、第1、第2の電極271、272の上端部は、誘電体層25の表面と同じ高さに形成されている。即ち、誘電体層25表面と第1、第2の電極271、272の上端部は面一に形成されており、基板11の表面は第1、第2の電極271、272の上端部と誘電体層25の表面との両方に接触する。
【0047】
同図(c)の静電吸着部43では、第1、第2の電極271、272の上端部は、誘電体層25の表面よりも低く形成されている。即ち、第1、第2の電極271、272の上端部は凹部内の奥まった部分に位置しており、第1、第2の電極271、272間には、誘電体層25の表面部分で構成された突部29が形成されている。
【0048】
この静電吸着装置34では、その表面に基板11を配置すると基板11表面は突部29の上端部と接触するが、第1、第2の電極271、272とは接触しないようになっている。従って、基板11が比較的耐磨耗性の低い第1、第2の電極271、272と直接接触しないため、第1、第2の電極271、272の寿命が長くなる。
【0049】
さらに、同図(d)の静電吸着部44では、凹部の内部に第1の電極271を配置し、突部29の上端部に第2の電極272が配置されている。このように構成した場合には、第2の電極272の上端部に基板11の表面が当接することになる。
【0050】
また、上述の静電吸着装置33では、静電吸着部231〜234がそれぞれ矩形の支持体40の四隅に配置されるものとしたが、本発明はこれに限られるものではなく、図8(a)の符号53に示すように、支持体40の四隅のみならずほぼ全面に、あらゆる方向に傾くことが可能な静電吸着部23が配置される構成としてもよい。このように構成することにより、反った基板11のほぼ全面にわたって各静電吸着部23の表面が平行に当接する。このため、静電吸着部23と基板11との接触面積が図4(a)の静電吸着装置33に比して大きくなるので、静電吸着力が増し、基板11をさらに確実に保持することができる。同様に、静電吸着部23を、支持体40の周囲にのみ配置するように構成してもよい。このように構成した場合であっても、四隅のみに静電吸着部231〜234を配置した場合に比して、静電吸着力が大きくなる。
【0051】
さらに、本発明において静電吸着可能な基板はこれに限られるものではなく、例えばシリコン基板等の導電性基板にも適用可能である。
また、上述した静電吸着装置においては、第1、第2の電極271、272を導電性のカーボンで構成しているが、本発明の第1、第2の電極271、272の材料はこれに限られるものではなく、例えばアルミニウム、タングステン、銅、チタン等の金属で構成してもよい。
【0052】
さらに、上述した保護膜30の材料として、シリコン窒化物を用いたが、本発明の保護膜はこれに限られるものではなく、例えば、AlN、TaN、WN、GaN、BN、InN、SiAlON等の窒化物や、SiO2、Al2O3、Cr2O3、TiO2、TiO、ZnO等の酸化物を用いてもよい。さらに又、ダイヤモンド、TiC、TaC、SiCなどの炭化物を用いてもよいし、ポリイミド、ポリ尿素、シリコーンゴムなどの有機重合体を用いてもよい。
【0053】
また、本実施形態では、各静電吸着部231〜234は、それぞれが自由に折れ曲げ可能な支持軸211〜214に取り付けられているものとしているが、本発明はこれに限らず、各静電吸着部231〜234が、あらゆる方向に自由に傾くことができるように構成されていればよい。
【0054】
また、各静電吸着部231〜234は、第1、第2の電極271、272が形成された表面が下方を向いており、基板の表面を上方から静電吸着するように構成されているが、本発明の静電吸着装置33はこれに限られるものではなく、第1、第2の電極271、272が形成された表面が上方を向き、基板の裏面を下側から静電吸着するように構成してもよい。
【0055】
なお、上述した実施形態では、静電吸着装置33は基板搬送装置36に用いられるものとして説明したが、本発明の静電吸着装置33は基板搬送装置36のみに用いられるものではなく、例えば、図9の符号71に示す、スパッタリング装置に用いてもよい。
【0056】
このスパッタリング装置71は、真空槽72を有している。真空槽72内の天井側にはカソード電極73が配置されており、底壁側には基板保持装置74が配置されている。この基板保持装置74は、上述した静電吸着装置33を有しており、処理対象である基板11が真空槽72内に搬入されると、その基板11の側面を静電吸着して保持することができるように構成されている。
【0057】
このようなスパッタリング装置71においても、上述した静電吸着装置33で基板11を静電吸着するように構成されているので、基板11が反った場合であっても、確実に静電吸着して保持した状態で、スパッタリング処理をすることができる。
【0058】
【発明の効果】
絶縁性基板に反りが生じても確実に吸着することができる。また、曲率を有する絶縁性基板であっても確実に吸着し、吊り下げて保持して移動することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の基板搬送装置を説明する図
【図2】(a):本発明の一実施形態の静電吸着装置の一例を説明する斜視図
(b):本発明の一実施形態の静電吸着装置が基板を静電吸着した状態を説明する斜視図
【図3】(a):本発明の一実施形態の静電吸着部を説明する断面図
(b):本発明の一実施形態の静電吸着部を説明する平面図
【図4】(a):本発明の一実施形態の静電吸着装置が反った基板を静電吸着する工程を説明する第1の図
(b):本発明の一実施形態の静電吸着装置が反った基板を静電吸着する工程を説明する第2の図
【図5】(a):本発明の基板搬送装置の動作を説明する第1の図
(b):本発明の基板搬送装置の動作を説明する第2の図
【図6】本発明の基板搬送装置の動作を説明する第3の図
【図7】(a):本発明の他の実施形態の静電吸着部を説明する第1の断面図
(b):本発明の他の実施形態の静電吸着部を説明する第2の断面図
(c):本発明の他の実施形態の静電吸着部を説明する第3の断面図
(d):本発明の他の実施形態の静電吸着部を説明する第4の断面図
【図8】(a):本発明の他の実施形態の静電吸着装置が基板を静電吸着する工程を説明する第1の図
(b):本発明の他の実施形態の静電吸着装置が基板を静電吸着する工程を説明する第2の図
【図9】本発明の真空処理装置を説明する図
【図10】(a):従来の真空処理装置の動作を説明する第1の図
(b):従来の真空処理装置の動作を説明する第2の図
【図11】(a):従来の静電吸着装置の構成を説明する断面図
(b):従来の静電吸着装置の構成を説明する平面図
【図12】グラディエント力を説明する図
【図13】従来の静電吸着装置の問題点を説明する図
【符号の説明】
11……基板 211〜214……支持軸(取付部材) 231〜234……静電吸着部 26……担体 271……第1の電極 272……第2の電極
33……静電吸着装置 36……基板搬送装置
Claims (1)
- 移動可能に構成された腕部と、
前記腕部に設けられ、前記腕部の移動によって移動可能に構成された保持部とを有する基板搬送装置であって、
前記保持部は、四辺形の支持体と、上端が前記支持体の四隅に固定された四本の取付部材と、前記取付部材の下端にそれぞれ設けられ、該取付部材に対して自由に傾くことができるように構成された静電吸着部とから成り、
前記静電吸着部は、担体と、該担体に設けられた第1、第2の電極とを有し、
前記静電吸着部は、グラディエント力により、絶縁性基板を吸着する静電吸着装置であり、
前記静電吸着部は、その底面が、反りを有する前記絶縁性基板の上方を向く傾いた表面に対して平行になるように傾いて接触し、反った状態の前記絶縁性基板を前記グラディエント力によって吸着して吊り下げ保持して移動させられるように構成されたことを特徴とする基板搬送装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000180360A JP4467720B2 (ja) | 2000-06-15 | 2000-06-15 | 基板搬送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000180360A JP4467720B2 (ja) | 2000-06-15 | 2000-06-15 | 基板搬送装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001353682A JP2001353682A (ja) | 2001-12-25 |
JP4467720B2 true JP4467720B2 (ja) | 2010-05-26 |
Family
ID=18681478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000180360A Expired - Fee Related JP4467720B2 (ja) | 2000-06-15 | 2000-06-15 | 基板搬送装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4467720B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106395736A (zh) * | 2015-08-03 | 2017-02-15 | 美科米尚技术有限公司 | 转置头阵列与微元件的转移方法 |
US10373856B2 (en) | 2015-08-03 | 2019-08-06 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Transfer head array |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG125948A1 (en) * | 2003-03-31 | 2006-10-30 | Asml Netherlands Bv | Supporting structure for use in a lithographic apparatus |
JP4613089B2 (ja) * | 2005-04-06 | 2011-01-12 | 株式会社アルバック | インライン式処理装置におけるガラス基板のハンドリング機構 |
JP4958406B2 (ja) * | 2005-04-06 | 2012-06-20 | 株式会社アルバック | 真空雰囲気中におけるガラス基板のハンドリング方法 |
JP4774025B2 (ja) * | 2007-07-25 | 2011-09-14 | 株式会社アルバック | 吸着装置、搬送装置 |
KR100915695B1 (ko) * | 2007-12-03 | 2009-09-04 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 입체영상용 디스플레이 패널 합착 장치 |
KR101019111B1 (ko) * | 2009-03-19 | 2011-03-09 | 한재형 | 프레스 소재 흡착용 전자석의 틸팅장치 |
JPWO2010113486A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2012-10-04 | 株式会社アルバック | 保持装置、搬送装置及び回転伝達装置 |
KR20110130515A (ko) * | 2009-03-31 | 2011-12-05 | 가부시키가이샤 알박 | 홀딩장치, 반송장치 및 회전전달장치 |
US8325458B2 (en) * | 2010-02-10 | 2012-12-04 | Sri International | Electroadhesive gripping |
KR101133433B1 (ko) | 2010-04-27 | 2012-04-09 | 한재형 | 프레스 소재 이송장치의 틸팅구조 |
US8349116B1 (en) | 2011-11-18 | 2013-01-08 | LuxVue Technology Corporation | Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device |
US8646505B2 (en) | 2011-11-18 | 2014-02-11 | LuxVue Technology Corporation | Micro device transfer head |
US8573469B2 (en) | 2011-11-18 | 2013-11-05 | LuxVue Technology Corporation | Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer |
US8809875B2 (en) | 2011-11-18 | 2014-08-19 | LuxVue Technology Corporation | Micro light emitting diode |
US8518204B2 (en) | 2011-11-18 | 2013-08-27 | LuxVue Technology Corporation | Method of fabricating and transferring a micro device and an array of micro devices utilizing an intermediate electrically conductive bonding layer |
US9773750B2 (en) | 2012-02-09 | 2017-09-26 | Apple Inc. | Method of transferring and bonding an array of micro devices |
US9548332B2 (en) | 2012-04-27 | 2017-01-17 | Apple Inc. | Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack |
US9105492B2 (en) | 2012-05-08 | 2015-08-11 | LuxVue Technology Corporation | Compliant micro device transfer head |
US8415768B1 (en) | 2012-07-06 | 2013-04-09 | LuxVue Technology Corporation | Compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode |
US8791530B2 (en) | 2012-09-06 | 2014-07-29 | LuxVue Technology Corporation | Compliant micro device transfer head with integrated electrode leads |
US9162880B2 (en) | 2012-09-07 | 2015-10-20 | LuxVue Technology Corporation | Mass transfer tool |
US9558721B2 (en) | 2012-10-15 | 2017-01-31 | Apple Inc. | Content-based adaptive refresh schemes for low-power displays |
US9236815B2 (en) | 2012-12-10 | 2016-01-12 | LuxVue Technology Corporation | Compliant micro device transfer head array with metal electrodes |
US9484504B2 (en) | 2013-05-14 | 2016-11-01 | Apple Inc. | Micro LED with wavelength conversion layer |
US9217541B2 (en) | 2013-05-14 | 2015-12-22 | LuxVue Technology Corporation | Stabilization structure including shear release posts |
US9136161B2 (en) | 2013-06-04 | 2015-09-15 | LuxVue Technology Corporation | Micro pick up array with compliant contact |
US8987765B2 (en) | 2013-06-17 | 2015-03-24 | LuxVue Technology Corporation | Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device |
US8928021B1 (en) | 2013-06-18 | 2015-01-06 | LuxVue Technology Corporation | LED light pipe |
US9111464B2 (en) | 2013-06-18 | 2015-08-18 | LuxVue Technology Corporation | LED display with wavelength conversion layer |
US9035279B2 (en) | 2013-07-08 | 2015-05-19 | LuxVue Technology Corporation | Micro device with stabilization post |
US9296111B2 (en) | 2013-07-22 | 2016-03-29 | LuxVue Technology Corporation | Micro pick up array alignment encoder |
US9087764B2 (en) | 2013-07-26 | 2015-07-21 | LuxVue Technology Corporation | Adhesive wafer bonding with controlled thickness variation |
US9153548B2 (en) | 2013-09-16 | 2015-10-06 | Lux Vue Technology Corporation | Adhesive wafer bonding with sacrificial spacers for controlled thickness variation |
US9367094B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-06-14 | Apple Inc. | Display module and system applications |
US9768345B2 (en) | 2013-12-20 | 2017-09-19 | Apple Inc. | LED with current injection confinement trench |
US9583466B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-02-28 | Apple Inc. | Etch removal of current distribution layer for LED current confinement |
US9450147B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-09-20 | Apple Inc. | LED with internally confined current injection area |
US9542638B2 (en) | 2014-02-18 | 2017-01-10 | Apple Inc. | RFID tag and micro chip integration design |
US9583533B2 (en) | 2014-03-13 | 2017-02-28 | Apple Inc. | LED device with embedded nanowire LEDs |
US9522468B2 (en) | 2014-05-08 | 2016-12-20 | Apple Inc. | Mass transfer tool manipulator assembly with remote center of compliance |
US9318475B2 (en) | 2014-05-15 | 2016-04-19 | LuxVue Technology Corporation | Flexible display and method of formation with sacrificial release layer |
US9741286B2 (en) | 2014-06-03 | 2017-08-22 | Apple Inc. | Interactive display panel with emitting and sensing diodes |
US9624100B2 (en) | 2014-06-12 | 2017-04-18 | Apple Inc. | Micro pick up array pivot mount with integrated strain sensing elements |
US9570002B2 (en) | 2014-06-17 | 2017-02-14 | Apple Inc. | Interactive display panel with IR diodes |
US9425151B2 (en) | 2014-06-17 | 2016-08-23 | Apple Inc. | Compliant electrostatic transfer head with spring support layer |
US9705432B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-07-11 | Apple Inc. | Micro pick up array pivot mount design for strain amplification |
US9828244B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-11-28 | Apple Inc. | Compliant electrostatic transfer head with defined cavity |
US9478583B2 (en) | 2014-12-08 | 2016-10-25 | Apple Inc. | Wearable display having an array of LEDs on a conformable silicon substrate |
WO2023022180A1 (ja) * | 2021-08-20 | 2023-02-23 | 国立大学法人東京工業大学 | 静電吸着デバイス及び静電吸着方法 |
-
2000
- 2000-06-15 JP JP2000180360A patent/JP4467720B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106395736A (zh) * | 2015-08-03 | 2017-02-15 | 美科米尚技术有限公司 | 转置头阵列与微元件的转移方法 |
US9969078B2 (en) | 2015-08-03 | 2018-05-15 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Transfer head array and transferring method |
CN106395736B (zh) * | 2015-08-03 | 2018-09-18 | 美科米尚技术有限公司 | 转置头阵列与微元件的转移方法 |
US10373856B2 (en) | 2015-08-03 | 2019-08-06 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Transfer head array |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001353682A (ja) | 2001-12-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4467720B2 (ja) | 基板搬送装置 | |
JP5323317B2 (ja) | 静電チャック方法 | |
JP5574553B2 (ja) | 基板搬送装置及び保持装置 | |
JP4489904B2 (ja) | 真空処理装置及び基板保持方法 | |
US6389677B1 (en) | Perimeter wafer lifting | |
CN109727900B (zh) | 基板传送机械手终端受动器 | |
JP2003347394A (ja) | 分割型静電吸着装置 | |
US7204888B2 (en) | Lift pin assembly for substrate processing | |
JP4640876B2 (ja) | 基板搬送装置 | |
JP4774025B2 (ja) | 吸着装置、搬送装置 | |
JP4341592B2 (ja) | ガラス基板吸着用静電チャック及びガラス基板吸着方法 | |
JP4647122B2 (ja) | 真空処理方法 | |
JP3586931B2 (ja) | 静電チャック | |
KR102451031B1 (ko) | 기판 리프트 장치 및 기판 반송 방법 | |
JP4746167B2 (ja) | 基板搬出入方法 | |
JP4166379B2 (ja) | 基板搬送装置 | |
JP7295354B1 (ja) | めっき装置 | |
JP2008205509A (ja) | 絶縁基板搬送方法、位置合わせ方法 | |
JP3810648B2 (ja) | 板状体の取り出し装置 | |
JP6312926B2 (ja) | 吸着方法及び真空処理方法 | |
US20240128097A1 (en) | Chip ejector | |
JP2008205508A (ja) | 基板搬送装置、真空処理装置 | |
JP2001024048A (ja) | エッチング装置 | |
TW202231429A (zh) | 吸附墊及基板搬送裝置 | |
JP5373198B2 (ja) | 搬送処理装置及び処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070409 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081021 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20081219 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081219 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090804 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091104 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091104 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20091111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091208 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100128 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100223 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100224 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4467720 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160305 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |