TW202231429A - 吸附墊及基板搬送裝置 - Google Patents

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稲尾吉浩
対馬修吾
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日商東京應化工業股份有限公司
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Abstract

即使是具有翹曲的基板，也能夠確實地將其保持同時防止基板的帶電，並且將構造簡化而抑制製造成本的增加。 一種吸附基板(W)的吸附墊(10)，具備：第1層(11)，接觸於基板(W)；第2層(12)，被層積於第1層(11)並支撐第1層(11)；吸引孔(10A)，貫通第1層(11)與第2層(12)；第1層(11)由具有耐熱性及導電性的材質形成，第2層(12)由剛性低於第1層(11)且可變形的材質形成。

Description

吸附墊及基板搬送裝置
本發明有關吸附墊及基板搬送裝置。
以往，基板搬送裝置具有用來搬送基板的搬送臂，在搬送臂具備用來將基板吸附並保持的吸附墊。近年來，基板變得大型化、薄型化，例如當在基板形成有樹脂層的情形下，有時樹脂層會因高溫處理等而收縮導致基板翹曲。若基板翹曲，則在吸附墊不擺動的情形下，有時吸附墊無法追隨基板的翹曲而無法吸附基板。專利文獻1中記載一種構造，是以彈簧支撐具有耐熱性的吸附墊，藉此使吸附墊可擺動而使其追隨基板的翹曲。
此外，當吸附墊為介電質的情形下(沒有導電性的情形下)，在將吸附墊從基板拉離時，可能會導致使基板帶電，故擔心會對設置在基板的電子元件造成影響。專利文獻2中，記載一種具有由導電性的橡膠等彈性材料所成的4個吸附墊之構造。此外，專利文獻3中，記載一種具備由具有導電性的橡膠形成的吸附墊之構造。專利文獻2及專利文獻3的吸附墊運用了橡膠，設計成藉由該橡膠部分變形來使其追隨基板的翹曲。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開第2005-288595號公報 專利文獻2：日本特開第2012-055993號公報 專利文獻3：日本特開第2020-035841號公報
發明所欲解決之問題
專利文獻1的吸附墊是將具有耐熱性的吸附墊設為可擺動來使其追隨基板的翹曲，但關於具有導電性一事則無記載，當將吸附墊從基板剝離時無法有效地防止對基板造成的帶電。此外，由於專利文獻1的吸附墊需要包含彈簧等在內的複數個構件，因此結構複雜，零件數量也多，導致吸附墊的成本增加。專利文獻2及專利文獻3的吸附墊由於運用橡膠，耐熱性有其極限，因直接受到基板的熱而經年劣化的影響變大。此外，由於與基板的接觸部分會變形，與基板之間容易產生間隙，有時無法充分地吸附基板。
本發明的目的在於提供一種吸附墊及基板搬送裝置，即使是具有翹曲的基板仍確實地保持同時防止基板的帶電，並且將構造簡化而可抑制製造成本的增加。 解決問題之技術手段
本發明的態樣中提供一種吸附墊，係吸附基板的吸附墊，具備：第1層，接觸於基板；及第2層，被層積於第1層支撐第1層；及吸引孔，貫通第1層與第2層；第1層由具有耐熱性及導電性的材質形成，第2層由剛性比第1層低且可變形的材質形成。
本發明的態樣中提供一種基板搬送裝置，係具備保持基板的搬送臂的基板搬送裝置，其中，搬送臂具備上述態樣的吸附墊。 發明的效果
按照本發明的態樣的吸附墊，第1層由具有耐熱性及導電性的材質形成，第2層由剛性比第1層低且可變形的材質形成，故即使是具有翹曲的基板也能夠使其追隨基板的翹曲，而藉由第1層確實地吸附基板。此外，第1層具有耐熱性，故即使在將基板做高溫處理的工程之後，也能夠毫無問題地吸附基板。又，第1層具有導電性，故即使在將吸附墊從基板拉離時也能夠防止基板的帶電。此外，能夠以簡單的構造製造，故能夠降低吸附墊的製造成本。
按照本發明的態樣的基板搬送裝置，是在搬送臂具備上述本發明的態樣的吸附墊，故即使是具有翹曲的基板也能夠確實地將基板保持並搬送。
以下，參照附圖說明本發明的實施形態。但是，本發明不限定於以下說明的實施形態。此外，在附圖中，為了容易理解實施形態的各構成而放大或強調一部分或者簡化一部分來表示，有時與實際的構造或者形狀、比例尺等不同。此外，在圖10及圖11中，有時使用XYZ正交坐標系說明圖中的方向。在XYZ正交坐標系中，將鉛直方向訂為Z方向，將水平方向訂為X方向及Y方向。此外，在各方向中，將箭頭所指的方向稱為+方向、+側(例如，+X方向、+X側)，將與箭頭所指的方向相反的方向稱為-方向、-側(例如，-X方向、-X側)。
[第1實施形態] 圖1是示意在搬送臂20具備第1實施形態的吸附墊10時的一例的截面圖。圖2是具備了圖1所示的吸附墊10的搬送臂20的俯視圖。如圖1及圖2所示，3個吸附墊10分別被設置於搬送臂20的上面側。搬送臂20具有棒狀(板狀)的第1臂22(基部)、從第1臂22的端部分支為2根並延伸的2根的前端部分23。2根的前端部分23的間隔及長度按照所搬送的基板W的形狀、大小而設定。基板W例如為半導體、玻璃、樹脂、金屬製的板狀體。此外，本實施形態中，雖舉例說明在俯視下為矩形形狀的基板W，但不限定於該形狀。例如，基板W也可以是圓形狀、橢圓形狀、長圓形狀、除了四邊形以外的多邊形狀等。
另外，搬送臂20的形狀不限定於上述形態。例如，搬送臂20可以是前端部分23從第1臂22分支為3根以上的形態，也可以是不分支的形態(即1根前端部分23)。搬送臂20的材質沒有特別限定，例如可使用不銹鋼等金屬材料、陶瓷、樹脂材料等。在對搬送臂20要求耐熱性等的情形下，使用具有耐熱性的材料。
在搬送臂20形成有與吸附墊10的吸引孔10A連通的吸引路徑21。另外，針對吸附墊10的細節後述。吸引路徑21被設置為與3個吸附墊10的各者連接，又，被設置為在第1臂22中集中成一個。吸引路徑21可以以通過前端部分23及第1臂22的內部的方式形成，也可以在前端部分23及第1臂22的外側(例如前端部分23及第1臂22的下面側)形成。吸引路徑21與未圖示的吸引裝置連接，藉由驅動該吸引裝置來將吸引孔10A內設為負壓。另外，在吸引路徑21也可以設置有可開閉的閥。該閥例如可以是被設置在第1臂22內，同時進行對3個吸附墊10的吸附、釋放的形態，也可以是在與3個吸附墊10連接的各個吸引路徑21設置閥，使3個吸附墊10個別地吸附、釋放的形態。
3個吸附墊10被配置於2根前端部分各自的端部附近和2根前端部分23所分支的部分，在俯視下形成以各吸附墊10為頂點的三角形。3個吸附墊10距離搬送臂20的上面的高度大致相等。是故，被3個吸附墊10吸附的基板W例如可沿水平方向正確地被保持。另外，針對吸附墊10的配置及個數可任意設定。例如也可配置4個以上的吸附墊。吸附墊10的配置及個數是按照所吸附的基板W的形狀、大小或者搬送臂20的形狀適當設定。
吸附墊10吸附基板W。吸附墊10具備第1層11、第2層12、吸引孔10A。第1層11的上面側形成為平面並接觸基板W。第2層12配置在第1層11與搬送臂20之間，被層積於第1層11並支撐第1層11。吸引孔10A貫通第1層11及第2層12，在俯視下形成於吸附墊10的中央部。吸引孔10A藉由設置於第1層11的中央部的貫通孔11A與設置於第2層12的中央部的貫通孔12A連通而形成。吸引孔10A與在搬送臂20中形成的吸引路徑21連通。
第1層11與第2層12例如藉由雙面膠或接著劑等貼合。藉由雙面膠或接著劑將第1層11與第2層12之間密封，防止吸引孔10A的洩漏。但是，並不限定於使用雙面膠或接著劑等，例如也可以藉由熔接等使雙方貼合。第2層12與搬送臂20也同樣地藉由雙面膠或接著劑等貼合。藉由雙面膠或接著劑將第2層12與搬送臂20之間密封，防止吸引孔10A的洩漏。但是，並不限定於使用雙面膠或接著劑等，例如也可以是藉由螺栓等緊固構件將第2層12固定於搬送臂20的形態。第1層11的外徑大於第2層12的外徑，故吸附墊10成為第1層11比第2層12更向外側伸出的凸緣形狀。
圖3的(A)是示意吸附墊10的第1層11的俯視圖，圖3的(B)是示意吸附墊10的第1層11的截面圖。如圖3的(A)及(B)所示，第1層11為厚度T1及外徑D1的圓形的板狀。第1層11的厚度T1例如被設定為0.3mm～1.0mm。較佳是厚度T1為0.5mm～1.0mm。若第1層11過薄，則可能導致在使用時破裂。此外，若第1層11過厚，則難以實現搬送臂20的高度的降低。第1層11的上面側成為與基板W的接觸面。是故，第1層11的上面較佳是被平滑化以便與基板W密合。此外，第1層11的上面也可以藉由覆膜等而受到表面處理，以便提高與基板W的密合。
此外，第1層11在俯視下的中央部分具備內徑D2的貫通孔11A。內徑D2例如被設定為外徑D1的四分之一至五分之一。為了吸附基板W而將內徑D2設定為能夠充分地施加負壓那樣的尺寸。藉由該構成，能夠確實地吸附基板W，同時使第1層11的上面與基板W廣泛接觸來提高密封性。又，藉由使第1層11與基板W廣泛接觸，能夠提高對基板W的翹曲的追隨性。另外，在本實施形態中，俯視下的第1層11的形狀為圓形狀，但不限定於該形態。例如，第1層11在俯視下也可以是橢圓形狀、長圓形狀、多邊形狀。
第1層11由具有耐熱性及導電性的高剛性(硬質)的材質(材料)形成。作為具有耐熱性及導電性且硬質的材質，例如可舉出防靜電聚醚醚酮(PEEK)、防靜電聚醯胺醯亞胺、防靜電聚苯硫醚等樹脂材料，鋁等金屬材料。防靜電聚醚醚酮例如是實施了碳纖維的混入處理等防靜電處理的聚醚醚酮。防靜電聚醯胺醯亞胺例如是實施了防靜電處理的聚醯胺醯亞胺。防靜電聚苯硫醚例如是實施了防靜電處理的聚苯硫醚。其中，特別優選防靜電聚醚醚酮來作為第1層11的材質。此外，就導電率而言，例如優選具有10 6～10 9(S/m)左右的導電率的材質。由於第1層11具有導電性，因此在將第1層11從基板W拉離時，能夠防止基板W的帶電。
圖4的(A)是示意吸附墊10的第2層12的俯視圖，(B)是示意吸附墊10的第2層12的截面圖。如圖4的(A)及(B)所示，第2層12為厚度T2及外徑D3的圓柱狀。厚度T2大於第1層11的厚度T1。第2層12的厚度T2例如被設定為1.0mm～2.0mm。較佳是厚度T2為1.5mm～2.0mm。若第2層12過薄，則可變形的區域少，第1層11的擺動幅度變小而有可能損及對基板W的追隨性。此外，若第2層12過厚，則難以實現搬送臂20的高度的降低。又，若第2層12過厚，則上下方向的變形量變大，在藉由3個吸附墊10吸附基板W時，基板W的振盪有可能變大。
第2層12的外徑D3小於第1層11的外徑D1。其結果為，在俯視下(從第1層11與第2層的層積方向觀察)，第1層11的面積變得大於第2層12的面積。此外，藉由該構成，能夠提高第1層11的擺動性。但是，並不限定於第2層12的外徑D3小於第1層11的外徑D1的形態。例如，可以是第2層12的外徑D3與第1層11的外徑D1相同，也可以是第2層12的外徑D3大於第1層11的外徑D1。
第2層12的厚度T2及外徑D3可由材質的柔軟性決定。即，第2層12的厚度T2被設定為能夠將第1層11的擺動確保在規定範圍的厚度，例如，在第2層12的材質較軟的情形下可以將厚度T2設定為較薄，在第2層12的材質較硬的情形下可以將厚度T2設定為較厚。是故，第2層12的厚度T2不限定於大於第1層11的厚度T1，例如可以是厚度T1與厚度T2相同，也可以是厚度T2薄於厚度T1。
此外，第2層12在俯視下的中央部分具備內徑D4的貫通孔12A。內徑D4例如被設定為外徑D3的二分之一至三分之一。內徑D4與第1層11的貫通孔11A的內徑D2相同，但不限定於該形態。例如，可以是貫通孔12A的內徑D4大於貫通孔11A的內徑D2，也可以是貫通孔12A的內徑D4小於貫通孔11A的內徑D2。另外，在本實施形態中，與第1層11同樣地，俯視下的第2層12的形狀為圓形狀，但不限定於該形態。例如，第2層12在俯視下也可以是橢圓形狀、長圓形狀、多邊形狀。
此外，第1層11與第2層12在俯視下也可以是不同的形狀。例如，可以使用圓形狀作為第1層11，使用橢圓形狀作為第2層12。在該情形下，可以以橢圓形狀的短軸朝向由3個吸附墊10形成的三角形的中心的方式配置第2層12。藉由該構成，第1層11變得容易從三角形的中心向放射方向擺動，並變得難以向與放射方向正交的方向擺動。像這樣，藉由使用橢圓形狀或長圓形狀作為第2層12，能夠在第1層11中設定容易擺動的方向。
第2層12具有耐熱性，由剛性低於第1層11且可變形的軟質的材質形成。作為第2層12的材質，例如可舉出聚四氟乙烯、矽橡膠等樹脂材料。其中，特別優選聚四氟乙烯。第2層12具有柔軟性，因此能夠使第1層11容易地擺動(或傾動)。是故，即使在基板W的吸附對象部分傾斜的情形下，也能夠藉由第1層11追隨吸附對象部分來傾斜，使第1層11與吸附對象部分密合，藉由在該狀態下經由吸引孔10A吸引，能夠確實地吸附基板W。
另外，第2層12是否具有導電性是任意的，可以具有導電性，也可以不具有導電性。此外，第2層12不限定於由耐熱性高的材質形成，也可以由耐熱性低的材質形成。例如，在第1層11的隔熱性高的情形下(導熱率低的情形下)，會減輕來自所吸附的基板W的熱的影響，故第2層12可以由耐熱性低的材質形成。
吸附墊10是在使圓形的第1層11的中心與圓形的第2層12的中心一致的狀態下將第1層11與第2層12貼合，但不限定於該形態。也可以在第1層11的中心與第2層12的中心偏離的狀態下將第1層11與第2層12貼合。該情形下，可以使貫通孔11A及貫通孔12A的一方或雙方的形成位置偏離第1層11的中心或第2層12的中心而形成，以便使第1層11的貫通孔11A與第2層12的貫通孔12A有效率地連通。
接著，對以上這樣構成的吸附墊10的使用方法及作用效果進行說明。圖5是示意吸附墊10吸附了基板W的狀態的截面圖。圖6是示意吸附墊10吸附了基板W的狀態的另一例的截面圖。圖7是示意比較例的吸附墊40吸附了基板W的狀態的截面圖。圖5～圖7中，分別示意了在搬送臂20進入了基板W的下方之後，將基板W提起的狀態。另外，針對搬送臂20的動作將在後述的基板搬送裝置30(參照圖10)中說明。
如圖5所示，在基板W以向下呈凸狀的方式翹曲的情形下，吸附墊10各自的第2層12因基板W的荷重而變形，第1層11追隨基板W的翹曲(傾斜)而成為傾斜的狀態。其結果為，第1層11成為與基板W的吸附對象部分密合的狀態。藉由在該狀態下從吸附墊10各自的吸引孔10A經由吸引路徑21吸引，各吸附墊10能夠吸附基板W並在搬送臂20上確實地保持基板W。另外，即使在第1層11未與基板W的吸附對象部分密合的情形下，由於其間隙較小，故也能夠藉由從吸引孔10A吸引來使第1層11的上面與吸附對象部分密合，而保持基板W。
圖5所示般的基板W的翹曲例如是由於在基板W的上面形成的覆膜因熱處理而收縮而產生。此外，也會由於在基板W的下面形成的覆膜膨脹，使基板W向下產生凸狀的翹曲。此外，即使在基板W的上面或下面未形成覆膜的情形下(或者即使在覆膜未發生熱收縮、熱膨脹的情形下)，有時藉由對基板W反覆進行加熱、冷卻，也會使基板W自身變形，而使基板W向下產生凸狀的翹曲。
如圖6所示，在基板W以向上呈凸狀的方式翹曲的情形下，與圖5所示的情形同樣地，吸附墊10各自的第2層12因基板W的荷重而變形，第1層11追隨基板W的翹曲(傾斜)而成為傾斜的狀態。其結果為，第1層11成為與基板W的吸附對象部分密合的狀態，藉由從吸附墊10各自的吸引孔10A吸引，各吸附墊10能夠吸附基板W並在搬送臂20上確實地保持基板W。另外，與圖5所示的情形同樣地，即使在第1層11未與基板W的吸附對象部分密合的情形下，由於其間隙較小，故也能夠藉由從吸引孔10A吸引來使第1層11的上面與吸附對象部分密合，而保持基板W。
圖6所示般的基板W的翹曲例如是由於在基板W的下面形成的覆膜因熱處理而收縮而產生。此外，也會由於在基板W的上面形成的覆膜膨脹，而使基板W向下產生凸狀的翹曲。此外，如上所述，有時藉由對基板W反覆進行加熱、冷卻，也會使基板W自身變形，而使基板W向上產生凸狀的翹曲。
[比較例] 圖7是示意比較例的吸附墊40吸附基板W的狀態的截面圖。圖7所示的吸附墊40是藉由高剛性的(硬質的)材質藉由單一構件而形成。如圖7所示，在基板W以向下呈凸狀的方式產生翹曲的情形下，吸附墊40的上面無法追隨基板W的吸附對象部分的傾斜，而導致基板W與吸附墊40之間產生間隙。即使在該狀態下從吸引孔40A吸引，也會從間隙大量吸引外部的空氣，因此可能變得無法保持基板W。
此外，也可設想由具有柔軟性的橡膠(軟質的素材)等形成吸附墊40，但由於橡膠等的耐熱性差，可能會因保持加熱處理後的基板W而導致吸附墊40自身變形或破損。此外，若吸附墊40使用沒有導電性的橡膠，則有時在將吸附墊40從基板拉離時會使基板W帶電，有可能對設置在基板W上的電子元件造成影響。
與比較例相比，本實施形態的吸附墊10即使在基板W翹曲等而導致吸附對象部分傾斜的情形下，也能夠藉由第2層12變形並由第1層11追隨該傾斜而傾斜，而使第1層11的上面與吸附對象部分密合。藉由在該狀態下經由吸引孔10A吸引，各吸附墊10能夠確實地吸附基板W。此外，第1層11具有耐熱性，故即使在保持加熱處理後的基板W的情形下，也能夠防止因熱導致第1層11變形或損傷。此外，在第2層12具有耐熱性的情形下，即使在保持加熱處理後的基板W的情形下，也能夠防止因熱導致第2層12變形或損傷。即，能夠防止吸附墊10的變形或損傷同時確實地保持基板W。此外，第1層11具有導電性，故即使吸附墊10從基板W分離，基板W也不會帶電，能夠防止對形成於基板W的電子元件造成影響。
[第2實施形態] 接著，對第2實施形態的吸附墊110進行說明。圖8是示意第2實施形態的吸附墊110的一例的截面圖。另外，在本實施形態中，對於與第1實施形態相同的部分標注相同的符號並省略或簡化其說明。如圖8所示，吸附墊110具有接地線60。接地線60與第1層11連接。接地線60例如被設置在搬送臂20的內部或搬送臂20的外部。
此外，接地線60也可以是與吸引路徑21連接，經由吸引路徑21接地的形態。此外，在第2層12具有導電性的情形下，接地線60也可以與第2層12連接，經由第2層12與第1層11連接。具有導電性的第1層11藉由接地線60而成為接地位準，能夠防止在第1層11產生不需要的電壓。另外，在第2層12及搬送臂20具有導電性，並且搬送臂20接地的情形下，也可以不設置接地線60。
[第3實施形態] 接著，對第3實施形態的吸附墊210進行說明。圖9的(A)是示意第3實施形態的吸附墊210的一例的截面圖。另外，在本實施形態中，對於與第1實施形態相同的部分標注相同的符號並省略或簡化其說明。如圖9的(A)所示，吸附墊210具有第1層11、2個第2層212、213。以下，將第2層212稱為上側第2層212，將第2層213稱為下側第2層213。上側第2層212與下側第2層213形成為相同的外徑(例如圖4所示的外徑D3)。但是，上側第2層212與下側第2層213不限定於相同的外徑，也可以是相互不同的外徑。
上側第2層212形成為厚度T3。下側第2層213形成為厚度T4。可以設定為若合併厚度T3與厚度T4，則例如變得與圖4所示的厚度T2相同。在本實施形態中，厚度T3與厚度T4相同。但是，不限定於厚度T3與厚度T4相同，也可以是厚度T3與厚度T4不同。上側第2層212與下側第2層213之間藉由雙面膠或接著劑而貼合。
上側第2層212及下側第2層213均由剛性低於第1層11且可變形的軟質的材質形成。所使用的材質與上述第1實施形態相同。上側第2層212與下側第2層213可以由相同的材質形成，也可以由不同的材質形成。例如，可以是上側第2層212由比下側第2層213更軟質的材質形成，也可以是下側第2層213由比上側第2層212更軟質的材質形成。另外，上述厚度T3及厚度T4可以根據在上側第2層212及下側第2層213中使用的材質來設定。
上側第2層212在俯視下的中央部分具備貫通孔212A。下側第2層213在俯視下的中央部分具備貫通孔213A。貫通孔212A及貫通孔213A形成為相同的內徑(例如圖4所示的內徑D4)。貫通孔212A與貫通孔213A不限定於相同的內徑，也可以是相互不同的內徑。貫通孔212A與貫通孔213A連通，並進一步藉由與第1層11的貫通孔11A連通來形成吸引孔210A。
本實施形態具備這2個上側第2層212及下側第2層213，因此與使用1個第2層12的情形相比，藉由改變兩者的材質，能夠對第1層11中的擺動的方式進行微調。此外，本實施形態中，雖層積使用了2個上側第2層212及下側第2層213來作為第2層，但也可以是層積3個以上來形成第2層的形態。該情形下，各自的材質可以相同，也可以不同。藉由如本實施形態這樣將第2層設為層積體，能夠藉由層積的數量容易地調整第2層的厚度。
[第4實施形態] 接著，對第4實施形態的吸附墊310進行說明。圖9的(B)是示意第4實施形態的吸附墊310的一例的截面圖。另外，在本實施形態中，對於與第1實施形態相同的部分標注相同的符號並省略或簡化其說明。如圖9的(B)所示，吸附墊310具有第1層11、2個的第2層312、313。以下，將第2層312稱為內側第2層312，將第2層313稱為外側第2層313。內側第2層312以與外側第2層313的內側密合的狀態被插入。
內側第2層312與外側第2層313之間可以利用接著劑接著，也可以是兩者間未被接著而僅將內側第2層312插入外側第2層313的內側的形態。內側第2層312及外側第2層313形成為相同的厚度(例如圖4所示的厚度T2)。但是，不限定於內側第2層312與外側第2層313的厚度相同，也可以不同。內側第2層312為具有壁厚V1的圓筒狀。外側第2層313為具有壁厚V2的圓筒狀。壁厚V1與壁厚V2可以相同，也可以不同。例如，可以是壁厚V1大於壁厚V2，也可以是壁厚V2大於壁厚V1。
內側第2層312及外側第2層313均由剛性低於第1層11且可變形的軟質的材質形成。所使用的材質與上述第1實施形態相同。內側第2層312與外側第2層313可以由相同的材質形成，也可以由不同的材質形成。例如，可以是內側第2層312由比外側第2層313更軟質的材質形成，也可以是外側第2層313由比內側第2層312更軟質的材質形成。另外，上述壁厚V1及壁厚V2可以根據在內側第2層312及外側第2層313中使用的材質來設定。
內側第2層312的內側的貫通孔312A例如形成為與第1層11的貫通孔11A相同。貫通孔312A藉由與第1層11的貫通孔11A連通來形成吸引孔310A。
本實施形態由於具備2個內側第2層312及外側第2層313，因此與使用1個第2層12的情形相比，藉由改變兩者的材質，能夠對第1層11中的擺動的方式進行微調。此外，本實施形態中，是將1個內側第2層312插入外側第2層313來作為第2層，但也可以是進一步將1個以上的內側第2層312插入內側第2層312的內側的形態。該情形下，各自的材質可以相同，也可以不同。
像這樣，按照本實施形態的吸附墊10、110、210、310，第1層11由具有耐熱性及導電性的材質形成，第2層12(包含上側第2層212、下側第2層213、內側第2層312、外側第2層313)由剛性低於第1層11且可變形的材質形成，故即使是具有翹曲的基板W，也能夠使其追隨基板W的翹曲，藉由第1層11確實地吸附基板W。此外，第1層11具有耐熱性，故即使在將基板W做高溫處理的工程之後，也能夠毫無問題地吸附基板W。又，第1層11具有導電性，故即使在將吸附墊10等從基板W拉離時也能夠防止基板W的帶電。此外，能夠以簡單的構造製造，故能夠降低吸附墊10等的製造成本。
[基板搬送裝置] 接著，對實施形態的基板搬送裝置30進行說明。圖10是示意實施形態的基板搬送裝置30的一例的俯視圖。另外，在本實施形態中，對於與第1實施形態相同的部分標注相同的符號並省略或簡化其說明。如圖10所示，基板搬送裝置30具有搬送臂20、框體30A、導軌31。基板搬送裝置30例如是搬送機器人。搬送臂20配置在框體30A的上面側。
框體30A具有未圖示的動力源、動力傳遞機構、控制部等。此外，框體30A也可以具備用來對基板搬送裝置30進行遠端操作的通訊部、記憶基板W的搬送位置及控制程式等的記憶部、與吸附墊10連接的吸引裝置等。未圖示的控制部統一控制框體30A的移動、搬送臂20等的動作等。導軌31與Y方向平行地設置有2根，在Y方向上引導框體30A。框體30A具備未圖示的走行驅動部，藉由驅動該走行驅動部而能夠在導軌31上沿+Y方向或-Y方向移動。
搬送臂20從具有前端部分23的第1臂22開始按順序配置有第2臂24、第3臂26。搬送臂20具有多關節結構。第1臂22與第2臂24藉由第1軸部25連結。第1臂22相對於第2臂24能夠繞第1軸部25的軸旋轉。第2臂24與第3臂26藉由第2軸部27連結。第2臂24相對於第3臂26能夠繞第2軸部27的軸旋轉。第3臂26與框體30A藉由第3軸部28連結。第3臂26相對於框體30A能夠繞第3軸部28的軸旋轉。
第1臂22、第2臂24及第3臂26各自受到未圖示的驅動源的驅動力而分別旋轉，能夠將前端部分23的方向朝向任意的方向(例如-X方向或+X方向)，還能夠使前端部分23在任意的方向(例如X方向)上進退。此外，框體30A具備用來使搬送臂20在Z方向上升降的未圖示的升降裝置。藉由搬送臂20的動作及升降裝置的動作，能夠使前端部分23在任意的方向及高度上移動。
當藉由該基板搬送裝置30接收基板W的情形下，在使框體30A沿導軌31移動至成為對象的基板W的前方之後，使搬送臂20動作來將前端部分23朝向基板W。此外，以前端部分23的高度低於基板W的方式使上述升降裝置動作。接著，在使搬送臂20動作而將前端部分23插入基板W的下方之後，使升降裝置動作來使搬送臂20上升，藉由前端部分23將基板W提起。又，驅動未圖示的吸引裝置，使基板W吸附在前端部分23中具備的吸附墊10。此時，吸附墊10如上所述地，即使在基板W有翹曲的情形下，也確實地保持基板W。接著，使搬送臂20動作，使保持了基板W的前端部分23向框體30A上移動。
當藉由基板搬送裝置30遞交基板W的情形下，在使框體30A沿導軌31移動至遞交基板W的對象位置的前方之後，使搬送臂20動作來將前端部分23朝向對象位置。接著，在使搬送臂20動作將前端部分23伸出至對象位置的上方之後，使升降裝置動作來使搬送臂20下降，將基板W從前端部分23遞交至對象位置。接著，使搬送臂20動作來使前端部分23從對象位置的下方退避。另外，這樣的基板搬送裝置30的動作由未圖示的控制部控制。
像這樣，按照本實施形態的基板搬送裝置30，具備上述吸附墊10，藉此即使在基板W產生翹曲的情形下，也能夠確實地搬送基板W。另外，上述基板搬送裝置30為一例，只要是具備用來吸附基板W的吸附墊10的形態，就能夠採用任意的構造。例如，基板搬送裝置30可以是採用了將4根以上的臂組合而得的多關節結構的形態，也可以是採用了不使用多關節結構地使前端部分23移動的機構的形態。
圖11是示意具備基板搬送裝置30的基板處理系統50的一例的俯視圖。如圖11所示，基板處理系統50具有基板搬送裝置30、複數個處理裝置51、52、53、54、55、56。處理裝置51、52、53在基板處理系統50的-X側沿Y方向排列配置。處理裝置54、55、56在基板處理系統50的+X側沿Y方向排列配置。處理裝置51、52、53與處理裝置54、55、56之間設置有搬送區域57。搬送區域57中配置基板搬送裝置30，並沿Y方向設置有2根導軌31。另外，具有搬送臂20的框體30A在搬送區域57中不限定於1個，也可以如圖11的虛線所示那樣配置2個以上的框體30A。
處理裝置51、52、53、54、55、56例如為載盒(cassette)台、反轉裝置、乾洗裝置、剝離裝置、雷射照射裝置、清洗裝置等。載盒台例如具備收納未處理或處理完畢的基板W的載盒，經由該載盒將基板W搬入基板處理系統50，或者將由基板處理系統50處理後的基板W從基板處理系統50搬出。反轉裝置例如使基板W反轉以便藉由其他處理裝置進行處理。乾洗裝置例如對基板W噴射乾燥空氣、氮氣等來去除附著在基板W的液體。剝離裝置例如當基板W為層積體的情形下將層積體的一部分的層從其他層剝離。雷射照射裝置例如對基板W照射雷射來處理基板W上形成的薄膜等。清洗裝置例如對基板W供給液體來去除附著在基板W的垃圾等。
基板搬送裝置30以規定的順序將基板W搬送至各處理裝置51等。另外，在圖11所示的基板處理系統50中，處理裝置51等的數量及配置為一例，能夠按照對基板W的處理任意設定。基板搬送裝置30能夠藉由框體30A向Y方向的移動、以及搬送臂20的旋轉及伸縮，對各處理裝置51等進行基板W的交接。
例如，對藉由基板搬送裝置30從處理裝置51向處理裝置56搬送基板W的情形進行說明。首先，基板搬送裝置30的框體30A在導軌31上移動並在處理裝置51的+X側停止。接著，使搬送臂20旋轉並朝向處理裝置51，同時配合收納著基板W的高度而使搬送臂20升降。接著，在將搬送臂20伸出並插入基板W的下方之後，使搬送臂20上升藉此將基板W提起。此時，藉由吸附墊10將基板W吸附並保持。接著，收縮搬送臂20而將基板W從處理裝置51搬出。被吸附墊10保持的基板W配置在框體30A的上方。
接著，框體30A在導軌31上移動並在處理裝置56的-X側停止。接著，使搬送臂20旋轉並朝向處理裝置56，同時配合收納基板W的高度而使搬送臂20升降。接著，在將搬送臂20伸出並插入收容位置的上方之後，使搬送臂20下降藉此將基板W載置於收容位置。接著，收縮搬送臂20而使搬送臂20從處理裝置56退避。藉由這樣的一系列動作，能夠藉由基板搬送裝置30從處理裝置51向處理裝置56搬送基板W。
在其他處理裝置51等之間，也能夠藉由與上述相同的動作來搬送基板W。另外，上述動作中，是在處理裝置51、56中藉由使搬送臂20升降來進行基板W的交接，但不限定於該形態。例如，當將基板W載置於可升降的升降銷上的情形下，也可以是藉由升降銷的升降來代替搬送臂20的升降而在搬送臂20與升降銷之間交接基板W的形態。此外，在基板處理系統50中，例如也可以在搬送區域57的+Y側、-Y側配置處理裝置。在該情形下，也能夠藉由與上述相同的動作在與處理裝置之間交接基板W。
以上對實施形態進行了說明，但本發明不限定於上述說明，在不脫離本發明的主旨的範圍內可進行各種變更。此外，也可以將上述實施形態進行組合。例如，也可以是使上述第2實施形態的接地線60與第3實施形態或第4實施形態的吸附墊210、310的第1層11連接的形態。此外，上述實施形態中，雖舉例說明了將3個吸附墊10等的高度設為相同來將基板W沿水平面保持的形態，但不限定於該形態。例如，也可以是使3個吸附墊10等的高度相異地配置以便將基板W傾斜保持的形態。
10,110,210,310:吸附墊 10A,210A,310A:吸引孔 11:第1層 11A:貫通孔 12:第2層 12A:貫通孔 20:搬送臂 21:吸引路徑 22:第1臂 23:前端部分 24:第2臂 25:第1軸部 26:第3臂 27:第2軸部 28:第3軸部 30:基板搬送裝置 30A:框體 31:導軌 50:基板處理系統 51,52,53,54,55,56:處理裝置 57:搬送區域 60:接地線 212:上側第2層 213:下側第2層 312:內側第2層 313:外側第2層
[圖1]是示意第1實施形態的吸附墊的一例的截面圖。 [圖2]是圖1所示的吸附墊的俯視圖。 [圖3]的(A)是示意吸附墊的第1層的俯視圖，(B)是示意吸附墊的第1層的截面圖。 [圖4]的(A)是示意吸附墊的第2層的俯視圖，(B)是示意吸附墊的第2層的截面圖。 [圖5]是示意吸附墊吸附了基板的狀態的截面圖。 [圖6]是示意吸附墊吸附了基板的狀態的另一例的截面圖。 [圖7]是示意比較例的吸附墊吸附基板的狀態的截面圖。 [圖8]是示意第2實施形態的吸附墊的一例的截面圖。 [圖9]的(A)是示意第3實施形態的吸附墊的一例的截面圖，(B)是示意第4實施形態的吸附墊的一例的截面圖。 [圖10]是示意實施形態的基板搬送裝置的一例的俯視圖。 [圖11]是示意具備基板搬送裝置的基板處理系統的一例的俯視圖。
10:吸附墊
10A:吸引孔
11:第1層
11A:貫通孔
12:第2層
12A:貫通孔
20:搬送臂
21:吸引路徑
W:基板

Claims (8)

  1. 一種吸附墊，係吸附基板的吸附墊，具備： 第1層，接觸於基板； 第2層，被層積於前述第1層並支撐前述第1層；及 吸引孔，貫通前述第1層與前述第2層； 前述第1層由具有耐熱性及導電性的材質形成， 前述第2層由剛性低於前述第1層且可變形的材質形成。
  2. 如請求項1記載的吸附墊，其中， 前述第1層及前述第2層均由樹脂形成。
  3. 如請求項2記載的吸附墊，其中， 前述第1層由防靜電聚醚醚酮、防靜電聚醯胺醯亞胺、或者防靜電聚苯硫醚這樣的具有耐熱性而硬質且具有一定的導電性的材質形成， 前述第2層由聚四氟乙烯、矽橡膠這樣的軟質且具有耐熱性的材質形成。
  4. 如請求項1～3中的任一項記載的吸附墊，其中， 從前述第1層與前述第2層的層積方向觀察，前述第1層的面積大於前述第2層的面積。
  5. 如請求項1～4中的任一項記載的吸附墊，其中， 前述第1層的厚度小於前述第2層的厚度。
  6. 如請求項5記載的吸附墊，其中， 前述第1層的厚度為0.3mm至1.0mm， 前述第2層的厚度為1.0mm至2.0mm。
  7. 如請求項1～6中的任一項記載的吸附墊，其中， 前述第1層與前述第2層藉由耐熱性的雙面膠或接著劑貼合。
  8. 一種基板搬送裝置，係具備保持基板的搬送臂的基板搬送裝置，其中， 前述搬送臂具備如請求項1～7中的任一項記載的吸附墊。
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