JP2022039031A - ワーク分離装置及びワーク分離方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】積層体の自重による撓み変形を吸収して安定した保持を達成するワーク分離装置及びそれを用いたワーク分離方法を提供する。【解決手段】ワーク分離装置Ａにおいて、ワーク１又は支持体２のいずれか一方を着脱自在に保持する保持部材１０と、保持部材に保持された積層体Ｓの支持体又はワークの他方を透して分離層に向け光照射する光照射部２２と、を備える。保持部材は、積層体のワーク又は支持体のいずれか一方と対向するステージ１１と、ステージから積層体に向け突出して先端に突出方向へ移動不能な静止吸引パッド１２ａを有する固定支持部１２と、ステージから積層体に向け突出して先端に突出方向へ移動自在で且つ弾性変形可能な応動吸引パッド１３ａを有する可動支持部１３と、を有し、固定支持部及び可動支持部を組み合わせて複数個それぞれ分散して配置されるとともに、静止吸引パッドよりも応動吸引パッドが積層体に向け突出可能に配置される。【選択図】図３

Description

本発明は、ＷＬＰ（wafer level packaging）やＰＬＰ（panel level packaging）、又は厚さが比較的に薄い半導体ウエハの処理工程などのような、製品となるワークの製造過程において、支持体に仮止め保持されたワークを支持体から剥離するために用いられるワーク分離装置、及び、ワーク分離装置を用いたワーク分離方法に関する。
従来、この種のワーク分離装置及びワーク分離方法として、上に凸又は凹に変形したワークをステージから突出する３本の支持棒で、ワークを変形した状態のまま三点支持して、レーザ源からのレーザ光とワークを相対的に移動させながらレーザ光を照射することにより、材料層が分解されて基板から剥離するレーザリフトオフ装置及びレーザリフトオフ方法がある（例えば、特許文献１参照）。
３本の支持棒には、円筒状の弾性部材が設けられ、弾性部材に対しワークを搭載することにより、弾性部材が弾性的に変形してワークを吸着保持する。
特許文献１のワークは、紫外線領域のレーザ光を透過する基板（サファイア基板）と材料層が積層され、材料層を挟んでサポート基板が接着される。例えば下に凸に変形したワークの反り量は、直径４インチの円形状ワークの場合が４００μｍ程度になる。
特許文献１では、パルスレーザ光を発生するレーザ源と、レーザ光を所定の形状に成形するためのレーザ光学系と、が備えられ、隣接する照射領域に照射される各レーザ光の重畳度が所望の値になるように、レーザ源で発生するレーザ光のパルス間隔を制御している。レーザ光学系（投影レンズ）とワークとの距離が（４００μｍ程度）変動しても、パルスレーザ光が重ね合わせて照射される領域におけるレーザ光強度が、材料層を分解して基板から剥離させるために必要な分解閾値を越える値になるように設定している。これにより、材料層を基板から剥離させるために十分なレーザエネルギーが与えられて、基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、材料層を基板から剥離可能にしている。
特開２０１２－１８２２７８号公報
ところで、基板やワーク（積層体）は、特許文献１に記載された円形のウエハ形状に限らず、矩形（長方形及び正方形を含む角が直角の四辺形）のパネル形状が含まれる。基板や積層体の大きさ（全体サイズ）は、特許文献１に記載の直径４インチに限らず、ウエハ形状の直径やパネル形状の一辺が５００ｍｍ以上の大型なものも含まれる。基板や積層体の厚みは、例えば１５～３，０００μｍに薄化したウエハ形状やパネル形状も含まれる。
このように全体サイズの大型化や厚みの薄化された積層体は、積層体の全体（平面）サイズに対する厚みの比率（厚み／全体サイズ）が小さくなるため、積層体の全体的な剛性が低くなって、積層体の自重により撓み変形し易くなる。この撓み変形は、凸又は凹の変形（反り変形）と関係なく発生し、その変形量は積層体の反り変形よりも遥かに大きくなることがある。
特許文献１では、ワーク（積層体）を反り変形した状態のまま３本の支持棒で三点支持するため、比較的に全体的な剛性が高い積層体の場合には、安定した三点支持が行える。
しかし、全体サイズの大型化や厚みの薄化で全体的な剛性が低い積層体の場合には、積層体を三点支持した箇所とは別の箇所で自重による撓み変形が発生してしまい、三点支持のみでは積層体を安定して保持できなかった。最悪の場合には、積層体の自重による撓み変形で、三点支持のうち特定な支持棒のみに積層体の重量のほとんどが集中的に掛かって、積層体の自重による部分的な撓み変形を増大させる可能性もあった。これにより、積層体の一部に無理な力を掛けてしまい、部分的な損傷が生じるという問題があった。
さらに、三点支持のみによる積層体の不安定な保持は、レーザ源からのレーザ光の照射時における積層体との相対移動により、ステージに対して積層体が位置ズレを起こす要因となった。積層体の位置ズレに伴い、パルスレーザ光が重ね合わせて照射される領域では、パルスレーザ光の未照射部分や過照射が部分的に発生してしまい、未照射部分は剥離不良の原因となり、過照射部分はダメージとなるという問題があった。
また、３本の支持棒に設けられた円筒状の弾性部材は、弾性変形可能であるが、それぞれの絶対位置が固定されている。このため、反り変形した積層体に対して各弾性部材が接触するものの、積層体の反り形状によっては、各弾性部材の弾性変形が積層体の反り面に対応できず、両者間に隙間が生じて安定した吸着保持を行えない場合がある。
これに加えて、積層体を三点支持した箇所とは別の箇所で、自重による撓み変形が発生すると、レーザ光学系（投影レンズ）から撓み変形部までのレーザ照射距離が、反り変形よりも遥かに大きく変わる場合がある。この場合には、レーザ照射距離の変化に伴って撓み変形部に対するレーザ光の照射形状が安定せず、このため、レーザ光の未照射や過照射が発生し易くなるという問題があった。
このような課題を解決するために本発明に係るワーク分離装置は、回路基板を含むワークが支持体と分離層を介して積層される積層体に対し、光照射に伴う前記分離層の変性により前記ワークから前記支持体を剥離するワーク分離装置であって、前記ワーク又は前記支持体のいずれか一方を着脱自在に保持する保持部材と、前記保持部材に保持された前記積層体の前記支持体又は前記ワークの他方を透して前記分離層に向け前記光照射する光照射部と、を備え、前記保持部材は、前記積層体の前記ワーク又は前記支持体のいずれか一方と対向するステージと、前記ステージから前記積層体に向け突出して先端に突出方向へ移動不能な静止吸引パッドを有する固定支持部と、前記ステージから前記積層体に向け突出して先端に突出方向へ移動自在で且つ弾性変形可能な応動吸引パッドを有する可動支持部と、を有し、前記固定支持部及び前記可動支持部を組み合わせて複数個それぞれ分散して配置されるとともに、前記静止吸引パッドよりも前記応動吸引パッドが前記積層体に向け突出可能に配置されることを特徴とする。
さらに、このような課題を解決するために本発明に係るワーク分離方法は、回路基板を含むワークが支持体と分離層を介して積層される積層体に対し、光照射に伴う前記分離層の変性により前記ワークから前記支持体を剥離するワーク分離方法であって、前記ワーク又は前記支持体のいずれか一方を保持部材に着脱自在に保持する保持工程と、前記保持部材に保持された前記積層体の前記支持体又は前記ワークの他方を透して前記分離層に向け光照射部から前記光照射する光照射工程と、を含み、前記保持部材は、前記積層体の前記ワーク又は前記支持体のいずれか一方と対向するステージと、前記ステージから前記積層体に向け突出して先端に突出方向へ移動不能な静止吸引パッドを有する固定支持部と、前記ステージから前記積層体に向け突出して先端に突出方向へ移動自在で且つ弾性変形可能な応動吸引パッドを有する可動支持部と、を有し、前記固定支持部及び前記可動支持部を組み合わせて複数個それぞれ分散して配置されるとともに、前記静止吸引パッドよりも前記応動吸引パッドが前記積層体に向け突出可能に配置され、前記保持工程では、前記積層体の自重による撓み変形に伴い、前記応動吸引パッドが前記突出方向へ移動して、前記ワーク又は前記支持体のいずれか一方と弾性的に圧接することを特徴とする。
本発明の実施形態（第一実施例）に係るワーク分離装置及びワーク分離方法の全体構成を示す説明図であり、保持前状態（搬入工程）の縦断正面図である。 同横断平面図である。 同保持後状態（保持工程）の部分的に拡大した縦断正面図である。 本発明の実施形態（第二実施例）に係るワーク分離装置及びワーク分離方法の全体構成を示す説明図であり、保持前状態（搬入工程）の縦断正面図である。 同保持後状態（保持工程）の部分的に拡大した縦断正面図である。 本発明の実施形態（第三実施例）に係るワーク分離装置及びワーク分離方法の全体構成を示す説明図であり、保持前状態（搬入工程）の縦断正面図である。 同保持後状態（保持工程）の部分的に拡大した縦断正面図である。 本発明の実施形態（第四実施例）に係るワーク分離装置及びワーク分離方法の全体構成を示す説明図であり、保持前状態（搬入工程）の縦断正面図である。 同保持後状態（保持工程）の部分的に拡大した縦断正面図である。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
本発明の実施形態に係るワーク分離装置Ａ及びワーク分離方法は、図１～図９に示すように、回路基板（図示しない）を含むワーク１が支持体２と分離層３を介して積層されてなる積層体Ｓに対し、ワーク１や支持体２を透した分離層３への光照射により、光吸収で分離層３が剥離可能に変性（変質）して、ワーク１から支持体２を剥離させるレーザリフトオフ装置とレーザリフトオフ方法である。ＷＬＰ（wafer level packaging）やＰＬＰ（panel level packaging）のような半導体パッケージなどを製造することや半導体ウエハの処理工程などのために用いられる。
詳しく説明すると、本発明の実施形態に係るワーク分離装置Ａは、積層体Ｓを着脱自在に保持するように設けられる保持部材１０と、積層体Ｓの分離層３に向け剥離用の光線Ｌを照射するように設けられる光学系２０の光照射部２２と、を主要な構成要素として備えている。
さらに、支持体２及び分離層３に対する光照射部２２からの光照射位置Ｐを相対的に移動させるように設けられる駆動部３０と、光照射部２２から支持体２及び分離層３の照射面までの間隔を測定するように設けられる測長部４０と、光照射部２２及び駆動部３０や測長部４０などを作動制御するように設けられる制御部５０と、を備えることが好ましい。
なお、図１～図９に示されるように、保持部材１０に対して積層体Ｓは通常、上下方向へ載置され、保持部材１０上の積層体Ｓに向けて光照射部２２から剥離用の光線Ｌが下方向へ照射される。保持部材１０に対する積層体Ｓの保持方向や、剥離用の光線Ｌの照射方向を以下「Ｚ方向」という。剥離用の光線Ｌの照射方向（Ｚ方向）と交差する二方向を以下「ＸＹ方向」という。
ワーク１は、後述する支持体２に貼り合わされた積層状態で、回路形成処理や薄化処理などの半導体プロセスが供された回路基板を含む搬送可能な基板などからなり、シリコンなどの材料で薄板状に形成される。
ワーク１の全体形状は、矩形（長方形及び正方形を含む角が直角の四辺形）のパネル形状や、円形のウエハ形状などが含まれる。
ワーク１の厚みは、例えば１５～３，０００μｍとなどに薄化された矩形や円形の基板も含まれる。特にワーク１の厚みが数十μｍ程度などのように極めて薄い（以下「極薄」という）パネル形状やウエハ形状の場合には、ダイシングテープなどのようなテープ状の保持用粘着シートにワーク１の全面を貼り付けてサポートすることや、ダイシングフレームなどのような四角枠状や円形枠状（リング状）の保持フレームで外周部が補強されたテープ状の保持用粘着シートに対しワーク１を貼り付けることでサポートすることも可能である。
支持体２は、ワーク１の薄化工程や各種処理工程や搬送工程などでワーク１を支持することにより、ワーク１の破損や変形などが防止されるように必要な強度を有するサポート基板やキャリア基板と呼ばれるものである。このため、支持体２は、硬質な剛性材料で、ワーク１に対応したサイズの矩形や円形に形成される。
ワーク１又は支持体２のいずれか一方若しくは両方は、特定の波長のレーザ光Ｌが透過可能な透明又は半透明な剛性材料で形成される。支持体２の具体例として図示例の場合には、特定波長のレーザ光Ｌが透過する透明又は半透明のガラス板やセラミック板やアクリル系樹脂製の板などが用いられ、厚みを例えば３００～３，０００μｍに設定している。
分離層３は、ワーク１又は支持体２を介して照射されたレーザ光Ｌを吸収することにより、接着力を低下させるように変質して、僅かな外力を受けると接着性を失い剥離するか、又は破壊し得るように変質する層である。
分離層３の材料としては、例えばポリイミド樹脂などのような接着性を有しており、ワーク１と支持体２とが接着剤からなる接着層を介装することなく貼り合わせ可能な材料を用いることが好ましい。さらにワーク１と支持体２の剥離後において、容易に洗浄除去できる別の層を積層することも可能である。また分離層３が接着性を有していない材料からなる場合には、分離層３とワーク１の間に接着剤からなる接着層（図示しない）を設けて、接着層により分離層３とワーク１を接着する必要がある。
積層体Ｓとしては、矩形の場合に一辺が５００ｍｍ以上、円形の場合に直径が２００ｍｍや３００ｍｍ以上など、ＸＹ方向の全体サイズが大型であるものの、Ｚ方向の厚みを薄化したものが主に用いられる。
積層体Ｓの具体例として図１～図５に示される場合には、ワーク１となる矩形（正方形）の基板と、支持体２となる矩形（正方形）のサポート基板（キャリア基板）を分離層３で貼り合わせたパネル形状（正方形）の積層体Ｓを用いている。パネル形状の積層体Ｓは、ファンアウト型ＰＬＰ技術などで製造されるワーク１と、ワーク１の表面に複数の半導体素子Ｓｃが搭載されるとともに樹脂などの封止材Ｓｒで封止した封止体と、封止体の表面に積層される分離層３と、分離層３を挟んで積層される支持体２と、を有する四層構造になっている。複数の半導体素子Ｓｃを備えた封止体は、最終的にダイシングなどでＸＹ方向へ切断した後に、再配線層などを介して電極取り出し部を取り付けるなどの最終工程を経ることにより、最終製品である複数の電子部品が製造される。
図示例では、積層体Ｓを支持体２側が後述する光照射部２２と対向するように配置することで、剥離用の光線Ｌが支持体２を透して分離層３に照射される設定にしている。
また、その他の例として図示しないが、ワーク１となる円形のウエハと、支持体２となる円形のサポート基板（キャリア基板）を分離層３で貼り合わせたウエハ形状の積層体Ｓを用いることも可能である。さらに、積層体Ｓをワーク１と分離層３と支持体２からなる三層構造に変更することや、積層体Ｓをワーク１側が後述する光照射部２２と対向するように配置して、剥離用の光線Ｌがワーク１を透して分離層３に照射されるように設定変更することも可能である。
保持部材１０は、積層体Ｓの供給源（図示しない）から搬入機構Ｒで搬送された分離前の積層体Ｓを、保持部材１０の所定位置に対して移動不能に支持するための保持機構である。この保持機構により、積層体Ｓのワーク１又は支持体２のいずれか一方を着脱自在に保持し、この保持状態で後述する光照射部２２から、積層体Ｓの支持体２又はワーク１の他方を透して分離層３に向け剥離用の光線Ｌが位置ズレせず照射される。
保持部材１０は、搬入された積層体Ｓを移動不能に支持するために設けられるステージ１１と、ステージ１１から積層体Ｓに向け突出して設けられる固定支持部１２及び可動支持部１３と、を有している。
ステージ１１は、金属などの剛体で歪み（撓み）変形しない厚さの定盤などの表面に、積層体Ｓの外形寸法よりも大きな平滑状に形成される。
ステージ１１には、積層体Ｓのワーク１又は支持体２のいずれか一方とＺ方向へ対向するように、固定支持部１２と可動支持部１３を組み合わせて複数個それぞれ分散して配置される。
搬入機構Ｒは、積層体Ｓの供給源（図示しない）と保持部材１０に亘って移動可能な搬送ロボットなどが用いられ、ステージ１１に対して接近移動させることが好ましい。搬入機構Ｒとなる搬送ロボットは、複数のロボットハンドＲ１を有し、積層体Ｓの供給源（図示しない）から受け取った分離前の積層体Ｓにおいて下面の複数部位を、複数のロボットハンドＲ１で下から支え持ち、保持部材１０のステージ１１に向け搬送するように制御される。複数のロボットハンドＲ１は、図１などに示される積層体Ｓが保持される前の状態で、ステージ１１とＺ方向に対向する空間位置Ｒｐまで積層体Ｓを搬送してから、固定支持部１２及び可動支持部１３に向けて積層体Ｓを下降させるように制御される。さらに複数のロボットハンドＲ１は、図３などに示される固定支持部１２及び可動支持部１３に対して積層体Ｓの受け渡しが完了した保持後の状態で、積層体Ｓの支えを解除して、積層体Ｓの供給源に向けて戻るように制御される。
固定支持部１２は、硬質な材料で伸縮不能な管状に形成され、ステージ１１に対してＸＹ方向及びＺ方向へ移動不能に立設される。固定支持部１２において積層体Ｓのワーク１又は支持体２のいずれか一方（図示例ではワーク１）に向かう先端部位には、Ｚ方向へ移動不能な静止吸引パッド１２ａが設けられる。
静止吸引パッド１２ａは、弾性変形可能な材料で円筒などの筒状に形成され、ステージ１１からＺ方向へ所定長さ離して配置するとともに、その内部に第一吸気孔１２ｂを有する。第一吸気孔１２ｂは、固定支持部１２の内部に形成された第一通気路１２ｃを通って真空ポンプやコンプレッサーなどの第一吸排気源１２ｄに連通している。第一吸排気源１２ｄの吸引作動により、積層体Ｓ（図示例ではワーク１）に沿って静止吸引パッド１２ａが弾性変形して吸着するように構成される。
可動支持部１３は、硬質な材料からなる管体にスプリングばねなどの弾性体を内装するなどすることにより、ＸＹ方向へ移動不能であるが、Ｚ方向へは弾性的に伸縮自在に立設される。可動支持部１３において積層体Ｓのワーク１又は支持体２のいずれか一方に向かう先端部位には、Ｚ方向へ弾性的に移動（昇降）自在な応動吸引パッド１３ａが設けられる。
応動吸引パッド１３ａは、弾性変形可能な材料で円筒などの筒状に形成され、静止吸引パッド１２ａとＸＹ方向へ接近した位置に配設することが好ましい。応動吸引パッド１３ａは、その内部に第二吸気孔１３ｂを有し、第二吸気孔１３ｂが、可動支持部１３の内部に形成された第二通気路１３ｃを通って第二吸排気源１３ｄに連通している。第二吸排気源１３ｄの吸気作動により、積層体Ｓのワーク１又は支持体２のいずれか一方に沿って応動吸引パッド１３ａが弾性変形して吸着するように構成される。
これに加えて応動吸引パッド１３ａは、少なくとも保持部材１０に対して積層体Ｓが保持される前の初期状態で、積層体Ｓ（図示例ではワーク１）に向けて静止吸引パッド１２ａよりも突出させるように配置設定すればよい。応動吸引パッド１３ａの弾性的な移動量は、静止吸引パッド１２ａの高さ配置を基準として、それよりもＺ方向へ所定長さ突出及び没入可能に設定されている。
さらに、静止吸引パッド１２ａ及び応動吸引パッド１３ａは、積層体Ｓのワーク１又は支持体２のいずれか一方に対する吸着位置で、ワーク１又は支持体２へのダメージを減らすために吸着痕防止用の部材を取り付けることが好ましい。
ステージ１１に対する固定支持部１２（静止吸引パッド１２ａ）及び可動支持部１３（応動吸引パッド１３ａ）の分散配置は、積層体Ｓの全体サイズ，厚み，剛性，重量の違いに対応して適切な数が適切に配置される。例えば積層体Ｓの重心位置とＺ方向へ対向するステージ１１の基点１１ａを中心とした仮想円上の略等間隔箇所にそれぞれ接近して三組以上配置される。
可動支持部１３（応動吸引パッド１３ａ）の配設位置は、ステージ１１の基点１１ａを中心として固定支持部１２（静止吸引パッド１２ａ）の配設位置よりも外側近傍位置に設定することが好ましい。
静止吸引パッド１２ａの高さ位置は、ステージ１１からＺ方向へ所定長さ（約３０ｍｍ以上）離して配置される。これにより、搬入機構Ｒとなる複数のロボットハンドＲ１の侵入を可能にするとともに、後述する光照射部２２から照射される剥離用の光線（レーザ光）Ｌでステージ１１が不意に加工される事故を防いでいる。
静止吸引パッド１２ａ及び応動吸引パッド１３ａの分散配置例として図１～図５に示される場合には、パネル形状（正方形）の積層体Ｓに対応して、ステージ１１の基点１１ａを中心とした放射線状に四つ応動吸引パッド１３ａが配置され、それぞれの内側近くに四つの静止吸引パッド１２ａを配置している。これに加えて、ステージ１１の基点１１ａや、基点１１ａを中心とした十字状にも合計五つの固定支持部１２を配置することも可能である。
これら可動支持部１３の応動吸引パッド１３ａは、図１などに示される積層体Ｓの保持前状態で、静止吸引パッド１２ａの高さ配置よりも積層体Ｓに向け最大約５ｍｍ以上突出しており、図３などに示される積層体Ｓの保持後状態では、静止吸引パッド１２ａの高さ配置よりも最大約５ｍｍ以上没入するように設定されている。
また、その他の例として図示しないが、静止吸引パッド１２ａ及び応動吸引パッド１３ａの分散配置や配置個数を図示例以外の分散配置や配置個数に変更することも可能である。これに加え、積層体Ｓの全体サイズや厚みに対応して、静止吸引パッド１２ａの高さ配置を中心とした応動吸引パッド１３ａの突出量及び没入量を変更することなども可能である。
光照射部２２は、レーザ発振器などの光源２１から剥離用の光線Ｌを目標となる光照射位置Ｐに向けて導く光学系２０の一部として設けられ、保持部材１０に保持された積層体ＳとＺ方向へ対向するように配置している。光照射部２２は、光学系２０で導かれたレーザ光などの光線Ｌを積層体Ｓに沿って移動させる走査（掃引）機能を有する。これにより、光学系２０で導かれたレーザ光Ｌが積層体Ｓの支持体２を透過して分離層３の全面に照射される。
光照射部２２から積層体Ｓに向け照射する剥離用の光線Ｌとしては、レーザ光や赤外線などが挙げられ、その中でもワーク１又は支持体２を透過し且つ分離層３が吸収可能な波長のレーザ光を用いることが好ましい。
詳しく説明するとレーザ光の中でも、投影形状がライン（スリット）状のレーザ光よりは、高出力なレーザが容易に得られるスポット（点）状のレーザ光が好ましい。連続発振されるレーザ（連続波レーザ）よりは、分離層３内に吸収されたレーザエネルギーによる熱の影響を抑えられ、且つ高エネルギーを分離層３内に与えるため、パルス発振されるレーザ光（パルスレーザ光）が好ましい。
すなわち、光照射部２２には、剥離用の光線Ｌとして光源２１で発生されたスポット状などのレーザ光の光軸（主軸）Ｌ１を動かすための光掃引手段（レーザスキャナ）２２ａが設けられ、レーザスキャナ２２ａにより積層体Ｓに対してレーザ光を走査（掃引）させるように構成することが好ましい。
光照射部２２としては、図１～図９に示されるように、光源２１で発生されたスポット状のレーザ光Ｌの光軸Ｌ１を積層体Ｓに沿って動かすレーザスキャナ２２ａと、レーザスキャナ２２ａからのレーザ光Ｌを分離層３に向けて導くレンズ２２ｂと、を有することが好ましい。
レーザスキャナ２２ａとしては、回転自在に設けられるポリゴンスキャナやガルバノスキャナなどが用いられ、レーザスキャナ２２ａから分離層３へ向かう光照射方向（Ｚ方向）と交差するＸＹ方向のいずれか一方、又はＸＹ方向の両方へ掃引させることが好ましい。
レンズ２２ｂは、レーザスキャナ２２ａからのレーザ光Ｌを集光する機能を有しており、ポリゴンスキャナやガルバノスキャナなどと組み合わせて使用されるｆθレンズを用いることが好ましい。ｆθレンズは、レンズの中心部やその周辺部で走査速度を一定にし、且つ一つの平面上に焦点を置くことが可能になる。
さらにレンズ２２ｂとしては、レンズ中心を通りレンズ面に垂直な光軸Ｌ１に対して主光線Ｌ２が平行に配置可能なテレセントリック系レンズや、光軸Ｌ１に対して主光線Ｌ２が様々な角度に配置可能な非テレセントリック系レンズを用いることが好ましい。
特に非テレセントリック系レンズの場合には、レーザ光Ｌの照射が安定するレンズ中心部（レンズ中央とその周辺部分）を主に使用し、レーザ光Ｌの照射が不安定なレンズ外周端部は使用しないことが好ましい。
光学系２０及び光照射部２２の具体例として図１～図９に示される場合には、先ずレーザ光源２１となるレーザ発振器で発生されたレーザ光Ｌを、ビームエキスパンダ２３に通すことでビーム径が調整される。これに続きステアリングミラーなどの反射鏡２４，２５でレーザ光Ｌの向きを変えて、レーザスキャナ２２ａに導かれる。最後にレーザスキャナ２２ａから超短パルスのレーザ光Ｌがレンズ２２ｂを通して、保持部材１０に保持した積層体Ｓの目標位置に対し、順次照射されて掃引する。
レーザスキャナ２２ａ及びレンズ２２ｂの一例として図１～図５に示される場合には、レーザスキャナ２２ａとしてポリゴンスキャナを用い、ポリゴンスキャナは回転駆動する筒体の周囲に正Ｎ角形に配置されたミラー部を有している。レンズ２２ｂとしては、非テレセントリック系レンズ（非テレセントリック系ｆθレンズ）を用いている。
ポリゴンスキャナに向けて入射したレーザ光Ｌは、ミラー部に当たって反射し、レンズ２２ｂを通って積層体Ｓに向け略垂直又は所定角度の光路に変換される。ポリゴンスキャナのミラー部の回転駆動による掃引方向は、ＸＹ方向のいずれか一方のみである。図示例では、正Ｎ角形のミラー部に対するレーザ入射方向（Ｘ方向）と平行な直線方向へ所定幅だけレーザ光Ｌを一方のみに移動させている。
また、その他の例として図示しないが、レーザスキャナ２２ａとしてガルバノスキャナ又はポリゴンスキャナとガルバノスキャナを組み合わせて用いることや、これらとは別な構造のものを用いて、ＸＹ方向のいずれか一方又はＸＹ方向の両方へ掃引する若しくはレーザ光Ｌを双方に往復移動させるなどの変更も可能である。レンズ２２ｂとしてテレセントリック系レンズ（テレセントリック系ｆθレンズ）を用いることも可能である。
一方、光照射部２２（レーザスキャナ２２ａ）から積層体Ｓに対してレーザ光Ｌが照射可能な範囲には限界があり、比較的に大きな面積の積層体Ｓでは、分離層３の全体に亘ってレーザスキャナ２２ａからのレーザ光Ｌを一度に照射することが困難である。
またワーク１から支持体２を確実に剥離するには、レーザスキャナ２２ａから分離層３に照射したレーザ光Ｌのエネルギー量（エネルギー密度）により、分離層３の全面を均一に分解して剥離可能な程度まで変質させる必要がある。分離層３の材質によっても分解変質に必要なエネルギー量が異なる。
このような状況下で例えば特開２０１２－０２４７８３号公報に記載されるように、分離層３の全体を複数の領域に分割して、これら分割領域に対しレーザスキャナ２２ａからレーザ光Ｌを１回（１ショット）ずつ照射することが考えられる。
しかし、分離層３の全体を複数の照射領域に分割した程度では、各照射領域のサイズが大き過ぎて、各照射領域に対してレーザ光Ｌを十分に集中させることができず、各照射領域に照射したレーザ光Ｌのエネルギー量（エネルギー密度）が、分離層３の全面を均一に分解させるレベルまで達しないことがあった。分離層３の材質によっては、各照射領域の全面を均一に分解して剥離可能な程度まで変質できず、剥離ムラが発生した。
このような課題を解決するために、積層体Ｓ（分離層３）の全体を複数の照射領域に分割するとともに、複数の照射領域に対してレーザスキャナ２２ａからスポット状のレーザ光Ｌを整列照射することが好ましい。
すなわち、保持部材１０に保持された積層体Ｓ（分離層３）に向けてレーザスキャナ２２ａから照射されるレーザ光Ｌの領域は、図２に示されるように、分離層３の照射面全体を複数の照射領域Ｐａに分割し、複数の照射領域Ｐａに対してレーザスキャナ２２ａからスポット状のレーザ光Ｌを各照射領域Ｐａ毎（単位照射領域毎）にそれぞれ整列照射する。
詳しく説明すると、複数の照射領域Ｐａは、積層体Ｓ（分離層３）の全体面積よりも小さい面積となるように分割され、分割された各照射領域Ｐａの形状を矩形（正方形及び長方形を含む角が直角の四辺形）形状やＸＹ方向のいずれか一方へ長尺な帯状とすることが好ましい。複数の照射領域Ｐａの分割方向（配列方向）は、レーザスキャナ２２ａによるレーザ光Ｌ（光軸Ｌ１）の移動方向や、後述する駆動部３０による相対的な移動方向と同じＸ方向やＹ方向に配列される。複数の照射領域Ｐａのサイズは、後述する制御部５０によって調整可能に設定することが好ましい。複数の照射領域Ｐａに対してレーザスキャナ２２ａからレーザ光Ｌをレーザ照射する順序についても、後述する制御部５０によって調整可能に設定し、任意に設定された順序でレーザスキャナ２２ａからレーザ光Ｌを各照射領域Ｐａの全面にそれぞれ照射することが好ましい。
積層体Ｓ（分離層３）における複数の照射領域Ｐａに対してレーザスキャナ２２ａから照射されるスポット状のレーザ光Ｌは、各レーザ光Ｌのビーム形状（断面形状）が円形や略円形又は矩形などである。特にガウシャンビームの断面形状と同じ円形に設定することが好ましい。
各照射領域Ｐａ毎に対するレーザ光Ｌの照射は、各レーザ光Ｌの一部が互いに重なり合うように少なくともレーザスキャナ２２ａの作動又は後述する駆動部３０との組み合わせでＸ方向及びＹ方向へ並べて順次それぞれ整列照射させることが好ましい。
この場合には、複数の照射領域Ｐａのうち一つの照射領域Ｐａの全体が、多数のスポット状のレーザ光Ｌで隙間なく埋め尽くされる。一つの照射領域Ｐａの全体が多数のスポット状のレーザ光Ｌで埋め尽くされた後は、次の照射領域Ｐａに対するスポット状のレーザ光Ｌの整列照射が同様に繰り返し行われる。最終的には複数の照射領域Ｐａのすべてが整列照射される。
これに加えて、複数の照射領域Ｐａの境目Ｐｂを挟んで整列照射されるスポット状のレーザ光Ｌの間隔は、レーザ光Ｌのビーム径よりも小さく設定され、境目Ｐｂの反対側に配置されるスポット状のレーザ光Ｌをそれぞれの端部同士が互いに接するように整列照射させることが好ましい。
複数の照射領域Ｐａの境目Ｐｂとは、Ｘ方向及びＹ方向へ配列された隣り合う照射領域Ｐａの間に形成される境界線である。境目Ｐｂの間隔とは、境目Ｐｂを挟んで整列照射されるスポット状のレーザ光Ｌにおいてビーム中心の間に亘る距離をいう。これにより、照射領域Ｐａの全体がすべて多数のスポット状のレーザ光Ｌで埋め尽くされるとともに、照射領域Ｐａの境目Ｐｂにおいても、多数のスポット状のレーザ光Ｌで埋め尽くされる。
駆動部３０は、保持部材１０又は光照射部２２（レーザスキャナ２２ａ）のいずれか一方か若しくは保持部材１０及び光照射部２２（レーザスキャナ２２ａ）の両方を移動することにより、レーザスキャナ２２ａから照射したレーザ光Ｌが、保持部材１０に保持した積層体Ｓに対して、少なくともレーザスキャナ２２ａからのレーザ光Ｌの照射方向（Ｚ方向）と交差する二方向（ＸＹ方向）へ相対的に移動するように構成した光軸相対移動機構である。
駆動部３０による相対的な移動方向は、ＸＹ方向のみに限られず、必要に応じてＺ方向も含まれる。
駆動部３０となる光軸相対移動機構には、主に保持部材１０及び積層体Ｓを動かすワーク側移動タイプと、レーザスキャナ２２ａを動かす光軸側移動タイプがある。
駆動部３０の具体例として図１～図９に示されるワーク側移動タイプの場合は、保持部材１０に駆動部３０が設けられ、駆動部３０で保持部材１０をＸ方向及びＹ方向やＺ方向へ動かすことにより、レーザスキャナ２２ａからの光照射位置ＰをＸＹ方向やＺ方向へ移動させる。この場合の駆動部３０としては、ＸＹステージやＸＹテーブルなどが用いられ、モータ軸などからなるＹ軸移動機構３１及びＸ軸移動機構３２を有している。さらに必要に応じて保持部材１０をＺ方向へ動かすＺ軸移動機構３３を設けることが好ましい。
また、光軸側移動タイプの場合は、図示しないが光学系２０の一部のみに駆動部３０を設けて、保持部材１０が動かずレーザスキャナ２２ａからの光照射位置ＰをＸＹ方向やＺ方向へ移動させるように構成される。この場合の駆動部３０としては、ポリゴンスキャナやガルバノスキャナなどからなるＸＹ軸移動機構を有している。さらに必要に応じてＺ方向へ相対移動させる場合には、保持部材１０にＺ軸移動機構３３を設けるか、或いはレーザスキャナ２２ａを駆動部３０によってＺ方向へ動かす。
測長部４０は、光照射部２２から保持部材１０に保持された積層体Ｓの支持体２や分離層３の照射面までの照射距離を測定する非接触式の変位計や変位センサなどからなり、保持部材１０に保持された積層体ＳとＺ方向へ対向するように配置される。
測長部４０の具体例として図１～図９に示される場合には、光照射部２２（レーザスキャナ２２ａ）に測長部４０となるレーザ変位計を設け、レーザスキャナ２２ａから分離層３の照射面までＺ方向への長さを測定し、この測定値を後述する制御部５０へ出力している。
これにより、図４～図９に示されるように、積層体Ｓに反り変形がある場合には、レーザスキャナ２２ａからスポット状のレーザ光Ｌを複数の照射領域Ｐａ毎に整列照射する際に、レーザスキャナ２２ａから複数の照射領域Ｐａまでの照射距離が略一定となるように、測長部４０による測定値に基づいてＺ軸移動機構３３を作動制御することが可能になる。このため、保持部材１０に保持した反りがある積層体Ｓの分離層３とレーザスキャナ２２ａとの照射距離が略一定となるように調整可能となる。
また、その他の例として図示しないが、測長部４０としてレーザ変位計以外の変位計や変位センサを用いることも可能である。
制御部５０は、保持部材１０において固定支持部１２の第一吸排気源１２ｄ及び可動支持部１３の第二吸排気源１３ｄと、光学系２０，光源２１及び光照射部２２（レーザスキャナ２２ａ）や駆動部３０による光軸移動機構と、測長部４０にそれぞれ電気的に接続するコントローラーである。
さらに制御部５０は、それ以外にも分離前の積層体Ｓを保持部材１０に向けて搬送するための搬入機構Ｒ，光照射後の積層体Ｓから支持体２のみを保持して引き離す剥離機構（図示しない），剥離後の積層体Ｓ（ワーク１）を保持部材１０から搬送するための搬出機構（図示しない）などにも電気的に接続するコントローラーでもある。
制御部５０となるコントローラーは、その制御回路（図示しない）に予め設定されたプログラムに従って、予め設定されたタイミングで順次それぞれ作動制御している。すなわち制御部５０は、光源２１から光照射位置Ｐに照射される剥離用の光線（レーザ光）ＬのＯＮ／ＯＦＦ制御を始めとするワーク分離装置Ａの全体的な作動制御を行うだけでなく、これに加えてレーザ光Ｌの各種パラメーターの設定などの各種設定も行っている。
制御部５０によって光学系２０の光照射部２２（レーザスキャナ２２ａ）や駆動部３０は、保持部材１０に保持された積層体Ｓの分離層３を分割した複数の照射領域Ｐａに対して、レーザスキャナ２２ａからのレーザ光Ｌの照射を各照射領域Ｐａ毎に行い、且つレーザ光Ｌの照射角度が分離層３の表面と略垂直又は所定角度になるように制御している。
これに加えて制御部５０となるコントローラーは、タッチパネルなどの入力手段５１や表示部（図示しない）などを有し、入力手段５１の操作によりレーザスキャナ２２ａの走査距離や、複数の照射領域Ｐａのサイズや、複数の照射領域Ｐａに対するレーザスキャナ２２ａからのレーザ光Ｌの照射順序などが設定可能に構成されている。
そして、制御部５０の制御回路に設定されたプログラムを、ワーク分離装置Ａによるワーク分離方法として説明する。
本発明の実施形態に係るワーク分離装置Ａを用いたワーク分離方法は、保持部材１０に積層体Ｓのワーク１又は支持体２のいずれか一方を着脱自在に保持する保持工程と、保持部材１０に保持された積層体Ｓの支持体２又はワーク１の他方を透して分離層３に向け光照射部２２から剥離用の光線（レーザ光）Ｌを照射する光照射工程と、を主要な工程として含んでいる。
さらに、保持工程の前工程として、積層体Ｓの供給源（図示しない）から分離前の積層体Ｓを搬入機構Ｒで搬送する搬入工程を含んでいる。
光照射工程の後工程としては、保持部材１０に保持された積層体Ｓの分離層３に対する光照射部２２からの光照射位置Ｐを相対的に移動させる相対移動工程と、積層体Ｓのワーク１から支持体２を剥離する分離工程と、を含んでいる。
また、分離工程の後工程として、分離層３から分離したワーク１に残留している分離層３の残渣を洗浄液で除去する洗浄工程と、洗浄工程後のワーク１をダイシングなどで切断する切り離し工程と、を含むことが好ましい。
搬入工程では、搬入機構Ｒとなる複数のロボットハンドＲ１の作動により、分離前の積層体Ｓを保持部材１０のステージ１１へ向けて搬入し、ステージ１１の所定位置で突出状に待機する固定支持部１２と可動支持部１３に向けて、複数のロボットハンドＲ１が接近移動する。
保持工程では、ステージ１１に対する複数のロボットハンドＲ１の接近移動により、積層体Ｓのワーク１又は支持体２のいずれか一方が、可動支持部１３と固定支持部１２に順次接触して、可動支持部１３の応動吸引パッド１３ａ及び固定支持部１２の静止吸引パッド１２ａの吸着で、積層体Ｓの全体を移動不能に保持する。
ここで、保持部材１０のステージ１１に搬入される積層体Ｓは、その大きさ（全体サイズ）と厚みの違いにより、自重による撓み変形を生じて、固定支持部１２及び可動支持部１３による保持形態が異なる。
つまり、積層体ＳにおいてＸＹ方向の全体サイズが大型化されることや、Ｚ方向の厚みが薄化された場合には、全体サイズに対する厚みの比率（厚み／全体サイズ）が小さくなるため、積層体Ｓの全体的な剛性が低くなる。このような全体的に剛性が低い積層体Ｓを、複数の固定支持部１２のみで保持すると、複数の固定支持部１２により支持した箇所とは別の箇所で、積層体Ｓの自重による撓み変形が発生してしまう。この撓み変形は、反り変形と関係なく発生し、その変形量は積層体Ｓの反り変形よりも遥かに大きくなることがある。
そこで、このような課題を解決するため、保持部材１０の所定位置に積層体Ｓを移動不能に支持するための保持機構として固定支持部１２に加え、可動支持部１３が具備され、固定支持部１２及び可動支持部１３を組み合わせて複数個それぞれ分散配置している。さらに保持部材１０に対して積層体Ｓが保持される前の初期状態で、固定支持部１２の静止吸引パッド１２ａよりも可動支持部１３の応動吸引パッド１３ａを、積層体Ｓのワーク１又は支持体２のいずれか一方に向け突出状に配置している。
次に、ステージ１１に搬入した積層体Ｓが自重による撓み変形や反り変形の違いで、固定支持部１２及び可動支持部１３の保持形態が異なる場合の代表例について説明する。
図１～図３に示される第一実施例は、反り変形が無い第一の積層体Ｓ１の場合である。
図１に示される第一の積層体Ｓ１の保持前状態では、第一の積層体Ｓ１に反り変形が無くても、搬入機構Ｒとなる複数のロボットハンドＲ１で、第一の積層体Ｓ１の下面において複数部位を下方から支え持つことにより、その支持部位以外の不支持部位Ｓоが自重で下方へ部分的に撓み変形し易い。
図示例では、二つのロボットハンドＲ１で第一の積層体Ｓ１の複数部位を支えるものの、図１の二点鎖線に示されるように、第一の積層体Ｓ１の中央部位や外周部位などの不支持部位Ｓоは、自重で部分的に撓み変形し垂れ下がってしまう。
この場合は、搬入機構Ｒとなる複数のロボットハンドＲ１で空間位置Ｒｐから第一の積層体Ｓ１が下降することに伴い、第一の積層体Ｓ１（図示例ではワーク１）の下面が静止吸引パッド１２ａよりも先に、不支持部位Ｓоが応動吸引パッド１３ａに突き当たって可動支持部１３をＺ方向へ圧縮させ、応動吸引パッド１３ａが相対的に弾性移動する。この突き当り（接触）に伴い応動吸引パッド１３ａの形状が弾性変形して圧接すると同時に、第二吸排気源１３ｄの吸引作動により、応動吸引パッド１３ａの形状が更に弾性変形して吸着を開始する。このため、第一の積層体Ｓ１の下面において応動吸引パッド１３ａと接触した不支持部位Ｓоは、応動吸引パッド１３ａで吸着保持される。
これに続くロボットハンドＲ１の下降に伴い、第一の積層体Ｓ１の下面は、静止吸引パッド１２ａに突き当たって、第一吸排気源１２ｄの吸引作動により、静止吸引パッド１２ａが弾性変形して吸着を開始する。このため、第一の積層体Ｓ１の下面において静止吸引パッド１２ａと接触した不支持部位Ｓоは、静止吸引パッド１２ａで吸着保持される。
これにより、図３に示される第一の積層体Ｓ１の保持後状態では、応動吸引パッド１３ａのＺ方向への相対的な弾性移動と、吸引作動に伴う応動吸引パッド１３ａの弾性変形が相まって、不支持部位Ｓоの自重による部分的な撓み変形を抑制する。このため、分散配置された複数の応動吸引パッド１３ａ及び静止吸引パッド１２ａで、第一の積層体Ｓ１の全体が移動不能に支えられる。
図４及び図５に示される第二実施例は、上方へ凹状に反り変形した第二の積層体Ｓ２の場合である。
図４に示される第二の積層体Ｓ２の保持前状態では、第二の積層体Ｓ２の反り変形に加え、複数のロボットハンドＲ１で、第二の積層体Ｓ２の下面の複数部位を下から支え持つことにより、その支持部位以外の不支持部位Ｓоが自重で部分的に撓み変形し易い。
しかし、この場合も第一実施例と同様に、複数のロボットハンドＲ１による空間位置Ｒｐからの第二の積層体Ｓ２の下降に伴い、第二の積層体Ｓ２（図示例ではワーク１）の下面が静止吸引パッド１２ａよりも先に、不支持部位Ｓоが応動吸引パッド１３ａに突き当たって可動支持部１３をＺ方向へ圧縮させ、応動吸引パッド１３ａが相対的に弾性移動する。この突き当り（接触）に伴い応動吸引パッド１３ａの形状が弾性変形して圧接すると同時に、第二吸排気源１３ｄの吸引作動により、応動吸引パッド１３ａの形状が更に弾性変形して吸着を開始する。このため、第二の積層体Ｓ２の下面において応動吸引パッド１３ａと突き当たった不支持部位Ｓоは、応動吸引パッド１３ａで吸着保持される。
これに続くロボットハンドＲ１の下降に伴い、第二の積層体Ｓ２の下面は、静止吸引パッド１２ａに突き当たって、第一吸排気源１２ｄの吸気作動により、静止吸引パッド１２ａが弾性変形して吸着を開始する。このため、第二の積層体Ｓ２の下面において静止吸引パッド１２ａと接触した不支持部位Ｓоは、静止吸引パッド１２ａで吸着保持される。
これにより、図５に示される第二の積層体Ｓ２の保持後状態では、応動吸引パッド１３ａのＺ方向への相対的な弾性移動と、吸引作動に伴う応動吸引パッド１３ａの弾性変形が相まって、第二の積層体Ｓ２の反り変形とは関係ない不支持部位Ｓоの自重による部分的な撓み変形を抑制する。このため、分散配置された複数の応動吸引パッド１３ａ及び静止吸引パッド１２ａで、第二の積層体Ｓ２の反り変形を無理に矯正することなく第二の積層体Ｓ２の全体が移動不能に支えられる。
図６及び図７に示される第三実施例は、上方へ凸に反り変形した第三の積層体Ｓ３の場合である。
図６に示される第三の積層体Ｓ３の保持前状態では、第三の積層体Ｓ３の反り変形に加え、複数のロボットハンドＲ１による支持部位以外の不支持部位Ｓоが自重で部分的に撓み変形し易い。
図８及び図９に示される第四実施例は、上下方向へ略Ｓ字状に反り変形した第四の積層体Ｓ４の場合である。
図８に示される第四の積層体Ｓ４の保持前状態では、第四の積層体Ｓ４の反り変形に加え、複数のロボットハンドＲ１による支持部位以外の不支持部位Ｓоが自重で部分的に撓み変形し易い。
しかし、これらの場合も第二実施例と同様に、複数のロボットハンドＲ１による第三の積層体Ｓ３や第四の積層体Ｓ４の下降に伴い、静止吸引パッド１２ａよりも先に不支持部位Ｓоが応動吸引パッド１３ａに突き当たって可動支持部１３をＺ方向へ圧縮させ、応動吸引パッド１３ａが相対的に弾性移動する。この突き当り（接触）に伴い応動吸引パッド１３ａの形状が弾性変形して圧接すると同時に、第二吸排気源１３ｄの吸引作動により、応動吸引パッド１３ａの形状が更に弾性変形して吸着を開始する。これに続くロボットハンドＲ１の下降に伴い、第三の積層体Ｓ３や第四の積層体Ｓ４の下面は、静止吸引パッド１２ａに突き当たって、第一吸排気源１２ｄの吸引作動により、静止吸引パッド１２ａが弾性変形して吸着を開始する。
これにより、図７に示される第三の積層体Ｓ３の保持後状態や、図９に示される第四の積層体Ｓ４の保持後状態では、応動吸引パッド１３ａのＺ方向への相対的な弾性移動と、吸引作動に伴う応動吸引パッド１３ａの弾性変形が相まって、第三の積層体Ｓ３や第四の積層体Ｓ４の反り変形とは関係ない不支持部位Ｓоの自重による部分的な撓み変形を抑制する。このため、分散配置された複数の応動吸引パッド１３ａ及び静止吸引パッド１２ａで、積層体Ｓ３，Ｓ４の反り変形を無理に矯正することなく積層体Ｓ３，Ｓ４の全体が移動不能に支えられる。
このような本発明の実施形態に係るワーク分離装置Ａ及びワーク分離方法によると、分散配置された複数の固定支持部１２及び可動支持部１３に向けて積層体Ｓを接近移動させることにより、積層体Ｓが先に応動吸引パッド１３ａに突き当たって、応動吸引パッド１３ａが突出方向（Ｚ方向）へ相対的に弾性移動する。この突き当りに伴い応動吸引パッド１３ａの形状が弾性変形して圧接すると同時に、応動吸引パッド１３ａの吸引作動により応動吸引パッド１３ａの形状が更に弾性変形して吸着する。
次に積層体Ｓが静止吸引パッド１２ａに突き当たって吸着する。
これにより、全体サイズの大型化や厚みの薄化に伴い剛性が低い積層体Ｓであっても、応動吸引パッド１３ａの相対的な弾性移動と、吸引作動に伴う応動吸引パッド１３ａの弾性変形が相まって、積層体Ｓの反り変形とは関係ない自重による部分的な撓み変形を抑制する。
このため、分散配置された複数の応動吸引パッド１３ａ及び静止吸引パッド１２ａで、積層体Ｓの反り変形を無理に矯正することなく積層体Ｓの全体が移動不能に支えられる。
したがって、積層体Ｓの自重による撓み変形を吸収して安定した保持を達成することができる。
その結果として、積層体を反り変形した状態のまま３本の支持棒で三点支持する従来のものに比べ、大型化や薄化に伴い全体的な剛性が低い積層体Ｓであっても、積層体Ｓの自重による部分的な撓み変形を増大させることがなく、積層体Ｓの一部に無理な力がかかることによる部分的な損傷を防止できる。
さらに、応動吸引パッド１３ａの相対的な弾性移動と、吸引作動に伴う応動吸引パッド１３ａの弾性変形が相まって、積層体Ｓの自重による部分的な撓み変形を抑制するため、積層体Ｓの反り変形を考慮しても、光照射部２２から分離層３までの光照射距離が大きく変わることがない。これにより、分離層３に対する剥離用の光線Ｌの照射形状を安定でき、剥離用の光線Ｌの未照射や過照射の発生を確実に防止できる。
これに加えて、積層体Ｓとの突き当りに伴い応動吸引パッド１３ａが突出方向（Ｚ方向）へ相対的に弾性移動するため、種々の形状に反り変形した積層体Ｓの反り面に対応して応動吸引パッド１３ａの形状が弾性変形可能となる。これにより、両者間の隙間の発生を防いで安定した吸着保持を行える。
特に、静止吸引パッド１２ａの近傍に応動吸引パッド１３ａを配置することが好ましい。
静止吸引パッド１２ａが突出方向（Ｚ方向）へ移動不能であるため、積層体Ｓにおいて静止吸引パッド１２ａで吸着された支持部位を中心としてその周囲近くの部位が自重により撓み変形が発生し易くなる。
このような場合でも、静止吸引パッド１２ａで吸着された支持部位近くの不支持部位Ｓоを、応動吸引パッド１３ａが弾性的に移動して吸着するため、自重による部分的な撓み変形が抑制される。
したがって、静止吸引パッド１２ａの近くに発生した自重による部分的な撓み変形を確実に抑制することができる。
その結果、積層体Ｓの自重による部分的な撓み変形が増大せず、積層体Ｓの一部に無理な力がかかることによる部分的な損傷を確実に防止できる。
さらに、光照射部２２を作動制御する制御部５０を備え、光照射部２２（レーザスキャナ２２ａ）から剥離用の光線Ｌとしてパルス発振されたスポット状のレーザ光の照射が、光照射方向（Ｚ方向）と交差する平面上でスポット状のレーザ光の一部が重なり合うように並んだ整列照射であり、制御部５０は、少なくとも光照射部２２の作動により、保持部材１０に保持された積層体Ｓと光照射部２２とを光照射方向（Ｚ方向）と交差する方向（ＸＹ方向）へ相対的に移動させ、整列照射の繰り返しで分離層３のすべてが整列照射されるように制御することが好ましい。
この場合には、ステージ１１に対して積層体Ｓが位置ズレ不能に保持されるため、光照射部２２からのレーザ光Ｌの照射時において積層体Ｓと相対移動しても、応動吸引パッド１３ａ及び静止吸引パッド１２ａでステージ１１に対し積層体Ｓが位置ズレ不能に保持される。
このため、スポット状のレーザ光Ｌの一部が重なり合うように並んだ整列照射の領域では、積層体Ｓに向け照射したスポット状のレーザ光Ｌが位置ズレせず、ワーク１又は支持体２を透して分離層３の全体にレーザ光Ｌが均一に照射される。
したがって、スポット状のレーザ光Ｌによる整列照射において未照射部分や過照射の発生を防止することができる。
その結果、レーザ光Ｌの未照射による部分的な剥離不良が発生しないとともに、レーザ光Ｌの過照射で出力が強くなり過ぎず、ワーク１の回路基板に形成されているデバイスにダメージを起こすことや、部分的な過照射により煤の発生を起こすこともない。
これにより、積層体Ｓからのワーク１の高精度な剥離を実現できる。
なお、前示の実施形態において積層体Ｓは、ワーク１と支持体２とが接着性を有する材料からなる分離層３で貼り合わせているが、これに限定されず、接着性を有していない材料からなる分離層３を用いた場合には、分離層３とワーク１の間に接着剤からなる接着層（図示しない）を設けて、接着層により分離層３とワーク１を接着してもよい。
さらに図示例では、積層体Ｓとしてパネル形状（正方形）のみを示したが、これに限定されず、パネル形状（正方形）の積層体Ｓに代えて、パネル形状（長方形）の積層体Ｓや、ウエハ形状（円形）の積層体Ｓに変更することも可能である。
また図示例では、積層体Ｓのワーク１又は支持体２のいずれか一方としてワーク１を固定支持部１２と可動支持部１３で保持したが、これに限定されず、上下反転させて支持体２を固定支持部１２と可動支持部１３で保持してもよい。
これらの場合においても、前述した実施形態と同様な作用と利点が得られる。
Ａ ワーク分離装置 Ｓ 積層体
１ ワーク ２ 支持体
３ 分離層 １０ 保持部材
１１ ステージ １２ 固定支持部
１２ａ 静止吸引パッド １３ 可動支持部
１３ａ 応動吸引パッド ２２ 光照射部
５０ 制御部 Ｌ 剥離用の光線（レーザ光）

Claims (4)

  1. 回路基板を含むワークが支持体と分離層を介して積層される積層体に対し、光照射に伴う前記分離層の変性により前記ワークから前記支持体を剥離するワーク分離装置であって、
    前記ワーク又は前記支持体のいずれか一方を着脱自在に保持する保持部材と、
    前記保持部材に保持された前記積層体の前記支持体又は前記ワークの他方を透して前記分離層に向け前記光照射する光照射部と、を備え、
    前記保持部材は、前記積層体の前記ワーク又は前記支持体のいずれか一方と対向するステージと、前記ステージから前記積層体に向け突出して先端に突出方向へ移動不能な静止吸引パッドを有する固定支持部と、前記ステージから前記積層体に向け突出して先端に突出方向へ移動自在で且つ弾性変形可能な応動吸引パッドを有する可動支持部と、を有し、前記固定支持部及び前記可動支持部を組み合わせて複数個それぞれ分散して配置されるとともに、前記静止吸引パッドよりも前記応動吸引パッドが前記積層体に向け突出可能に配置されることを特徴とするワーク分離装置。
  2. 前記静止吸引パッドの近傍に前記応動吸引パッドが配置されることを特徴とする請求項１記載のワーク分離装置。
  3. 前記光照射部を作動制御する制御部を備え、
    前記光照射部から剥離用の光線としてパルス発振されたスポット状のレーザ光の照射が、光照射方向と交差する平面上で前記スポット状の前記レーザ光の一部が重なり合うように並んだ整列照射であり、
    前記制御部は、少なくとも前記光照射部の作動により、前記保持部材に保持された前記積層体と前記光照射部とを前記光照射方向と交差する方向へ相対的に移動させ、前記整列照射の繰り返しで前記分離層のすべてが整列照射されるように制御することを特徴とする請求項１又は２記載のワーク分離装置。
  4. 回路基板を含むワークが支持体と分離層を介して積層される積層体に対し、光照射に伴う前記分離層の変性により前記ワークから前記支持体を剥離するワーク分離方法であって、
    前記ワーク又は前記支持体のいずれか一方を保持部材に着脱自在に保持する保持工程と、
    前記保持部材に保持された前記積層体の前記支持体又は前記ワークの他方を透して前記分離層に向け光照射部から前記光照射する光照射工程と、を含み、
    前記保持部材は、前記積層体の前記ワーク又は前記支持体のいずれか一方と対向するステージと、前記ステージから前記積層体に向け突出して先端に突出方向へ移動不能な静止吸引パッドを有する固定支持部と、前記ステージから前記積層体に向け突出して先端に突出方向へ移動自在で且つ弾性変形可能な応動吸引パッドを有する可動支持部と、を有し、前記固定支持部及び前記可動支持部を組み合わせて複数個それぞれ分散して配置されるとともに、前記静止吸引パッドよりも前記応動吸引パッドが前記積層体に向け突出可能に配置され、
    前記保持工程では、前記積層体の自重による撓み変形に伴い、前記応動吸引パッドが前記突出方向へ移動して、前記ワーク又は前記支持体のいずれか一方と弾性的に圧接することを特徴とするワーク分離方法。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06244093A (ja) * 1993-02-17 1994-09-02 Hitachi Ltd 基板保持方法ならびにそれを用いた薄膜多層基板の製造方法および装置
JP2001267271A (ja) * 2000-03-22 2001-09-28 Yoshioka Seiko:Kk 吸着装置
JP2004179399A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Seiko Epson Corp 基板固定方法、基板固定装置、印刷装置および表示装置製造方法
JP2004251641A (ja) * 2003-02-18 2004-09-09 Sharp Corp 半導体ウエハ検査装置および半導体ウエハの検査方法
JP2008159644A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Shinkawa Ltd ボンディング装置及びボンディング装置における回路基板の吸着方法
JP2012182278A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Ushio Inc レーザリフトオフ装置およびレーザリフトオフ方法
JP2017228696A (ja) * 2016-06-23 2017-12-28 東京エレクトロン株式会社 基板載置装置及び基板載置方法
WO2020080276A1 (ja) * 2018-10-16 2020-04-23 富士フイルム株式会社 レーザ剥離用の積層体、組成物およびキット

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004172318A (ja) * 2002-11-19 2004-06-17 Seiko Epson Corp ワークテーブル、ワーク搬送装置、液滴吐出装置、ワーク受け渡し方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器
JP5574553B2 (ja) * 2010-07-28 2014-08-20 株式会社アルバック 基板搬送装置及び保持装置
JP5323867B2 (ja) * 2011-01-19 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 基板反転装置、基板反転方法、剥離システム、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5639617B2 (ja) * 2012-05-11 2014-12-10 東京応化工業株式会社 貼付装置および貼付方法
JP2015023137A (ja) * 2013-07-18 2015-02-02 株式会社ディスコ 剥離装置及び剥離方法
JP6345611B2 (ja) * 2015-02-04 2018-06-20 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム、および情報記憶媒体
JP6631888B2 (ja) * 2015-02-07 2020-01-15 株式会社クリエイティブテクノロジー 被加工物保持装置及びレーザカット加工方法
JP6548006B2 (ja) * 2015-02-10 2019-07-24 Ａｇｃ株式会社 積層体の剥離装置、及び剥離方法並びに電子デバイスの製造方法
JP2017041391A (ja) * 2015-08-21 2017-02-23 旭硝子株式会社 積層体の剥離装置及び剥離方法並びに電子デバイスの製造方法
KR102240325B1 (ko) * 2018-06-18 2021-04-13 신에츠 엔지니어링 가부시키가이샤 워크 분리 장치 및 워크 분리 방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06244093A (ja) * 1993-02-17 1994-09-02 Hitachi Ltd 基板保持方法ならびにそれを用いた薄膜多層基板の製造方法および装置
JP2001267271A (ja) * 2000-03-22 2001-09-28 Yoshioka Seiko:Kk 吸着装置
JP2004179399A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Seiko Epson Corp 基板固定方法、基板固定装置、印刷装置および表示装置製造方法
JP2004251641A (ja) * 2003-02-18 2004-09-09 Sharp Corp 半導体ウエハ検査装置および半導体ウエハの検査方法
JP2008159644A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Shinkawa Ltd ボンディング装置及びボンディング装置における回路基板の吸着方法
JP2012182278A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Ushio Inc レーザリフトオフ装置およびレーザリフトオフ方法
JP2017228696A (ja) * 2016-06-23 2017-12-28 東京エレクトロン株式会社 基板載置装置及び基板載置方法
WO2020080276A1 (ja) * 2018-10-16 2020-04-23 富士フイルム株式会社 レーザ剥離用の積層体、組成物およびキット

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