CN115605810A - 用于在表面上形成结构的系统和方法 - Google Patents

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Abstract

描述了用于在表面上形成结构(例如多个支撑峰)的系统和方法。在表面上形成结构包括：(1)遮蔽所述表面的一个或多个部分；(2)从所述表面的一个或多个未遮蔽部分去除材料；以及(3)反复地重复(1)和(2)，以重新成形所述表面的所述未遮蔽部分，直到所述多个结构(例如支撑峰)被形成为使得各个结构(支撑峰)之间的所述表面的区域具有诸如目标形貌、粗糙度等目标特性为止。

Description

用于在表面上形成结构的系统和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年4月3日提交的美国临时专利申请号63/004,694的优先权，其通过引用全部并入本文。
技术领域
本文的描述大体上涉及用于在表面上形成结构的系统和方法。
背景技术
光刻(例如投影)设备可以例如被用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案形成装置(例如掩模)可以包含或提供与IC的单个层相对应的图案(“设计布局”)，并且通过诸如通过图案形成装置上的图案照射目标部分等方法，该图案可以被转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或多个管芯)上，该目标部分已经被涂有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层。通常，单个衬底包含多个相邻的目标部分，图案由光刻投影设备连续地转移到该目标部分，一次一个目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，整个图案形成装置上的图案在一个操作中被转移到一个目标部分上。这种设备一般被称为步进器。在一般称为步进扫描设备的替代设备中，投影束沿着给定参考方向(“扫描”方向)在图案形成装置上进行扫描，同时平行于或反平行于该参考方向移动衬底。图案形成装置上的图案的不同部分被逐渐转移到一个目标部分。通常，由于光刻投影设备将具有缩小率M(例如4)，所以衬底被移动的速度F将是投影束扫描图案形成装置的1/M倍。关于本文描述的光刻装置的更多信息可以例如从US6,046,792中收集，其通过引用并入本文。
在将图案从图案形成装置转移到衬底之前，衬底可能会经历各种程序，诸如涂覆、抗蚀剂涂层和软烘烤。在曝光后，衬底可以进行其他程序(“曝光后程序”)，诸如曝光后烘烤(PEB)、显影、硬烘烤以及转移图案的测量/检查。该程序阵列被用作制造装置(例如IC)的单个层的基础。然后，衬底可以经历各种过程，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有这些过程都旨在完成装置的单个层。如果装置中需要多层，那么整个程序或其变型针对每层重复。最终，装置将存在于衬底上的每个目标部分中。然后，这些装置通过诸如切割或锯切等技术彼此分离，从而单个装置可以被安装在载体上，连接至引脚等。
制造诸如半导体器件等装置通常涉及使用许多制作过程来处理衬底(例如半导体晶片)，以形成装置的各种特征和多层。这种层和特征通常使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光、离子注入和/或其他过程来制造和处理。多个装置可以被制作在衬底上的多个管芯上，然后被分离为单独的装置。该装置制造过程可以被认为是图案化过程。图案化过程涉及图案化步骤，诸如使用光刻设备中的图案形成装置进行光学和/或纳米印刷光刻，以将图案形成装置上的图案转移到衬底，并且通常但可选地涉及一个或多个相关的图案处理步骤，诸如由显影设备进行抗蚀剂显影，使用烘烤工具进行衬底的烘烤，使用蚀刻设备使用图案进行蚀刻等。图案化过程中通常涉及一个或多个量测过程。
光刻是诸如IC等装置制造中的步骤，其中在衬底上形成的图案限定了装置的功能元件，诸如微处理器、存储器芯片等。类似的光刻技术也被用于平板显示器、微机电系统(MEMS)和其他装置的形成中。
随着半导体制造过程的不断发展，遵循一般称为“摩尔定律”的趋势，功能元件的尺寸被不断减小，而几十年来每个装置的功能元件(诸如晶体管)的数量却稳定增加。在当前的技术水平下，装置的各层是使用光刻投影设备制造的，该光刻投影设备使用来自深紫外照射源的照射将设计布局投影到衬底上，从而创建尺寸远低于100nm(即，小于来自照射源(例如193nm照射源)的辐射波长的一半)的单个功能元件。
根据分辨率公式CD＝k1×λ/NA，尺寸小于光刻投影设备的经典分辨率限制的特征被印刷的该过程一般被称为低k1光刻，其中λ是所采用的辐射的波长(当前大多数情况下为248nm或193nm)，NA是光刻投影设备中的投影光学器件的数值孔径，CD是“临界尺寸”，通常是最小的印刷特征尺寸，并且k1是经验分辨率因子。通常，k1越小，就越难在衬底上再现与设计者计划的形状和尺寸类似的图案，以实现特定的电气功能性和性能。为了克服这些困难，复杂的微调步骤被应用于光刻投影设备、设计布局或图案形成装置。例如，这些包括但不限于NA和光学相干设置的优化、定制照射方案、相移图案形成装置的使用、设计布局中的光学邻近校正(OPC，有时也称为“光学和过程校正”)或通常限定为“分辨率增强技术”(RET)的其他方法。本文使用的术语“投影光学器件”应该被广义地解释为涵盖各种类型的光学系统，例如包括折射光学器件、反射光学器件、孔径和反射折射光学器件。术语“投影光学器件”还可以包括根据这些设计类型中的任何一种操作的部件，以共同地或单独地导向、整形或控制辐射的投影束。术语“投影光学器件”可以包括光刻投影设备中的任何光学部件，而不管光学部件位于光刻投影设备的光路上的何处。投影光学器件可以包括用于在辐射经过图案形成装置之前对来自源的辐射进行整形、调整和/或投影的光学部件和/或用于在辐射经过图案形成装置之后对辐射进行整形、调整和/或投影的光学部件。投影光学器件通常不包括源和图案形成装置。
发明内容
根据实施例，提供了一种用于在表面上形成诸如多个支撑峰等结构的方法。该方法包括：(1)遮蔽表面的一个或多个部分；(2)从表面的一个或多个未遮蔽部分去除材料；以及(3)反复地重复(1)和(2)，以重新成形表面的未遮蔽部分，直到多个支撑峰被形成为使得各个支撑峰之间的表面的区域具有目标特性为止。
在实施例中，目标特性指示表面的期望形貌。在实施例中，期望形貌包括与多个支撑峰相关联的尺寸的期望偏度、峰度或p值中的一个或多个。在实施例中，目标特性与各个峰的数量和/或尺寸分离相关联。
在实施例中，去除材料包括：控制峰中的一个或多个的角度、锥度或阴影中的一个或多个。在实施例中，一个或多个单独的峰包括尖峰、块、半球、凸块、圆角、锥形、孔、棱锥、台阶、纳米硬度测试仪尖端、维氏硬度尖端、原子力显微镜(AFM尖端)或立体角中的一个或多个。
在实施例中，支撑峰被形成为具有在给定尺寸范围内的峰高。在实施例中，给定尺寸范围描述了峰的平坦度和/或共面性。
在实施例中，遮蔽由一个或多个离子束加工掩模执行。在实施例中，去除材料由离子束执行。
在实施例中，在材料从表面去除之前，表面基本上是平面和平坦的。在实施例中，表面包括突节的顶表面。在实施例中，表面在半导体制造设备中形成晶片台、晶片夹具夹持表面、掩模版夹具或者掩模版输送装置的至少一部分。
在实施例中，去除材料包括干法蚀刻过程。
在实施例中，目标特性是粗糙度。在实施例中，根据RMS，粗糙度约为100nm或更大，而支撑峰被形成为具有彼此在大约100nm或更小内的峰高。在实施例中，表面包括突节的顶表面，并且峰高的给定尺寸范围的宽度取决于突节的顶表面的尺寸。在实施例中，给定尺寸范围的宽度包括大约1um到大约500um。
根据另一实施例，提供了一种用于在表面上形成诸如支撑峰等多个结构的系统。该系统包括(1)一个或多个掩模，被配置用于遮蔽表面的一个或多个部分；以及(2)蚀刻装置，被配置用于从表面的一个或多个未遮蔽部分去除材料。一个或多个掩模和蚀刻装置被配置用于反复地重复遮蔽和从表面的未遮蔽部分的材料去除，直到多个支撑峰被形成为使得各个支撑峰之间的表面的区域具有目标特性为止。
在实施例中，目标特性指示表面的期望形貌。在实施例中，期望形貌包括与多个支撑峰相关联的尺寸的期望偏度、峰度或p值中的一个或多个。在实施例中，目标特性与各个峰的数量和/或尺寸分离相关联。
在实施例中，去除材料包括：控制峰中的一个或多个的角度、锥度或阴影中的一个或多个。在实施例中，一个或多个单独的峰包括尖峰、块、半球、凸块、圆角、锥形、孔、棱锥、台阶、纳米硬度测试仪尖端、维氏硬度尖端、原子力显微镜(AFM尖端)或立体角中的一个或多个。
在实施例中，支撑峰被形成为具有在给定尺寸范围内的峰高。在实施例中，给定尺寸范围描述了峰的平坦度和/或共面性。
在实施例中，一个或多个掩模包括一个或多个离子束加工掩模。在实施例中，蚀刻装置包括离子束。
在实施例中，在材料从表面去除之前，表面基本上是平面和平坦的。在实施例中，表面包括突节的顶表面。在实施例中，表面在半导体制造设备中形成晶片台、晶片夹具夹持表面、掩模版夹具或者掩模版输送装置的至少一部分。
在实施例中，去除材料包括干法蚀刻过程。
在实施例中，目标特性是粗糙度。在实施例中，根据RMS，粗糙度约为100nm或更大，而支撑峰被形成为具有彼此在大约100nm或更小内的峰高。
在实施例中，表面包括突节的顶表面，并且其中峰高的给定尺寸范围的宽度取决于突节的顶表面的尺寸。在实施例中，给定尺寸范围的宽度包括大约1um到大约500um。
根据另一实施例，提供了一种在其上具有指令的非瞬态计算机可读介质，在由计算机执行时，该指令使计算机：(1)促进表面的一个或多个部分的遮蔽；(2)使蚀刻装置从表面的一个或多个未遮蔽部分去除材料；以及(3)反复地重复(1)和(2)，以重新成形表面的未遮蔽部分，直到诸如支撑峰等一个或多个结构被形成为使得各个峰之间的表面的区域具有目标特性为止。
在实施例中，目标特性指示表面的期望形貌。在实施例中，期望形貌包括与多个支撑峰相关联的尺寸的期望偏度、峰度或p值中的一个或多个。在实施例中，目标特性与各个峰的数量和/或尺寸分离相关联。
在实施例中，去除材料包括：控制峰中的一个或多个的角度、锥度或阴影中的一个或多个。在实施例中，一个或多个单独的峰包括尖峰、块、半球、凸块、圆角、锥形、孔、棱锥、台阶、纳米硬度测试仪尖端、维氏硬度尖端、原子力显微镜(AFM尖端)或立体角中的一个或多个。
在实施例中，支撑峰被形成为具有在给定尺寸范围内的峰高。在实施例中，给定尺寸范围描述了峰的平坦度和/或共面性。
在实施例中，遮蔽由一个或多个离子束加工掩模执行。在实施例中，去除材料由离子束执行。
在实施例中，在材料从表面去除之前，表面基本上是平面和平坦的。在实施例中，表面包括突节的顶表面。在实施例中，表面在半导体制造设备中形成晶片台、晶片夹具夹持表面、掩模版夹具或者掩模版输送装置的至少一部分。
在实施例中，去除材料包括干法蚀刻过程。
在实施例中，目标特性是粗糙度。在实施例中，根据RMS，粗糙度约为100nm或更大，而支撑峰被形成为具有彼此在大约100nm或更小内的峰高。
在实施例中，表面包括突节的顶表面，并且其中峰高的给定尺寸范围的宽度取决于突节的顶表面的尺寸。在实施例中，给定尺寸范围的宽度包括大约1um到大约500um。
附图说明
被并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图图示了一个或多个实施例，并且与描述一起解释了这些实施例。本发明的实施例现在将仅通过示例参照所附示意图来描述，其中对应的参考符号指示对应的零件，并且其中：
图1示意性地描绘了根据实施例的光刻设备。
图2示意性地描绘了根据实施例的光刻单元或簇的实施例。
图3图示了根据实施例的表面的对比示例。
图4图示了根据实施例的用于在表面上形成结构的方法。
图5图示了根据实施例的反复地使用一系列掩模并且从表面去除材料以重新成形表面的未遮蔽部分。
图6图示了去除材料如何包括控制一个或多个结构(诸如本文描述的形成在表面上的支撑峰)的角度、锥度、阴影和/或其他特性。
图7A图示了根据实施例的在表面上形成的支撑峰结构的示例。
图7B图示了根据实施例的在表面上形成的多个支撑峰结构的示例。
图8是根据实施例的示例计算机系统的框图。
图9是根据实施例的类似于图1的光刻投影设备的示意图。
具体实施方式
以精确的取向夹持、夹紧和/或以其他方式支撑零件是具有挑战性的。例如，在半导体制造中，晶片通常由包括突节(例如来自表面的小突起)的表面夹持、夹紧和/或以其他方式支撑。突节被设计为具有具体的平坦度、与晶片的摩擦和/或其他性质。晶片负载网格(WLG)是与突节表面性质(例如摩擦)相关的问题。方法已被开发来增强WLG(例如石材粗糙化)，但这些方法并不总是按预期工作(例如特别是针对夹具)。这些方法通常包括在给定的突节上形成更粗糙的修整面以增加更多纹理。然而，半导体和/或其他类似的抓夹、夹具和/或支撑表面具有紧密的平坦度要求。随着期望粗糙度的增加(例如为了增强WLG)，紧密的平坦度要求往往无法被维持。
具有严格控制的平坦度和粗糙度(和/或其他目标表面拓扑)的表面难以生产。通常，对这种控制的尝试涉及将表面抛光为平坦的，然后通过去除材料来增加粗糙度和/或其他表面拓扑。然而，这些表面(通常在突节的平坦顶表面中包括不受控制的空隙)例如是不期望的。粗糙度控制不佳，并且空隙通常会导致被夹持、夹紧和/或以其他方式支撑的零件的损坏。例如，零件可能会捕捉到表面上的突节边缘，或者表面可能会携带被转移到零件上的颗粒等。
有利地，本系统和方法利用一系列掩模在平坦表面中成形自定义结构。例如，利用本系统和方法，表面的一个或多个部分被遮蔽；从表面的一个或多个未遮蔽部分中去除材料；并且遮蔽和材料去除被反复地重复以重新成形表面的未遮蔽部分。重新成形继续进行，直到多个表面结构(例如支撑峰和/或其他结构)被形成，并且各个结构之间的表面区域具有目标特性，它指示表面的期望形貌。这有助于精确控制各个结构形状、结构在表面上的分布、结构尺寸、结构密度、锥度、边缘形状、表面深度、阴影等。
通过简要介绍，在本文档中，在表面上形成结构在集成电路和/或半导体制造的上下文中描述。这不旨在进行限制。本领域的普通技术人员可以在需要精确结构形成的其他操作中应用表面结构形成的原理。
尽管在本文中可以具体引用集成电路(IC)的制造，但应该理解的是，本文的描述还有许多其他可能的应用。例如，它可以被用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器、液晶显示面板、薄膜磁头等的引导和检测图案。本领域技术人员将了解，在这种替代应用的上下文中，术语“掩模版”、“晶片”或“管芯”在本文中的任何使用应该被认为分别与更通用的术语“掩模”、“衬底”和“目标部分”可互换。另外，本文中对术语“掩模版”或“掩模”的任何使用都可以被认为是与更通用的术语“图案形成装置”同义。
作为介绍，图1示意性地描绘了可以被包括在本系统和/或方法中和/或与本系统和/或方法相关联的光刻设备LA的实施例。该设备包括：照射系统(照射器)IL，被配置为调节辐射束B(例如UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，被构造为支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并且被连接至第一定位器PM，该第一定位器PM被配置为根据某些参数准确地定位图案形成装置；衬底台(例如晶片台)WT(例如WTa、WTb或两者)，被配置为保持衬底(例如涂有抗蚀剂的晶片)W，并且被耦合至第二定位器PW，该第二定位器PW被配置为根据某些参数准确地定位衬底；以及投影系统(例如折射投影透镜系统)PS，被配置为将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯并且通常称为场)上。投影系统被支撑在参考框架(RF)上。
如所描绘的，该设备是透射型的(例如采用透射掩模)。备选地，该设备可以是反射型的(例如采用上面引用类型的可编程反射镜阵列，或者采用反射掩模)。
照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。源和光刻设备可以是单独的实体，例如当源是准分子激光器时。在这种情况下，源未被视为形成光刻设备的一部分，并且借助于包括例如合适的导向镜和/或扩束器的束递送系统BD，辐射束是从源SO传递到照射器IL的。在其他情况下，源可以是该设备的集成部分，例如当源是汞灯时。源SO和照射器IL以及(如果需要的话)束递送系统BD可以被称为辐射系统。
照射器IL可以更改束的强度分布。照射器可以被布置为限制辐射束的径向范围，使得强度分布在照射器IL的光瞳平面中的环形区域内不为零。附加地或备选地，照射器IL可以可操作以限制束在光瞳平面中的分布，使得光瞳平面中的多个等间距扇区中的强度分布不为零。照射器IL的光瞳平面中的辐射束的强度分布可以被称为照射模式。
照射器IL可以包括被配置为调整束的(角度/空间)强度分布的调整器AD。通常，照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ外部和σ内部)可以被调整。照射器IL可以可操作以改变束的角度分布。例如，照射器可以可操作以更改光瞳平面中的扇区(其中强度分布不为零)的数量和角度范围。通过调整照射器的光瞳平面中的束的强度分布，不同的照射模式可以被实现。例如，通过限制照射器IL的光瞳平面中的强度分布的径向和角度范围，强度分布可以具有多极分布，诸如例如偶极、四极或六极分布。例如，期望的照射模式可以通过将提供该照射模式的光学器件插入照射器IL中或使用空间光调制器来获得。
照射器IL可以可操作以更改束的偏振，并且可以可操作以使用调整器AD来调整偏振。照射器IL的光瞳平面上的辐射束的偏振态可以被称为偏振模式。使用不同的偏振模式可以允许更大的对比度在衬底W上形成的图像中实现。辐射束可以是非偏振的。备选地，照射器可以被布置为线性偏振辐射束。辐射束的偏振方向可以在照射器IL的光瞳平面上变化。在照射器IL的光瞳平面的不同区域中，辐射的偏振方向可能不同。辐射的偏振态可以根据照射模式选择。针对多极照射模式，辐射束的每个极的偏振可以通常垂直于该极在照射器IL的光瞳平面中的位置向量。例如，针对偶极照射模式，辐射可以在基本上垂直于平分偶极的两个相对扇区的线的方向上被线性偏振。辐射束可以在两个不同的正交方向中的一个方向上被偏振，这可以被称为X偏振态和Y偏振态。针对四极照射模式，每个极的扇区中的辐射可以在基本上垂直于平分该扇区的线的方向上被线性偏振。这种偏振模式可以被称为XY偏振。类似地，针对六极照射模式，每个极的扇区中的辐射可以在基本上垂直于平分该扇区的线的方向上被线性偏振。这种偏振模式可以被称为TE偏振。
另外，照射器IL通常包括各种其他部件，诸如积分器IN和聚光器CO。照射系统可以包括各种类型的光学部件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其他类型的光学部件或其任何组合，用于导向、整形或控制辐射。因此，照射器提供调节后的辐射束B，在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。
支撑结构MT以取决于图案形成装置的定向、光刻设备的设计以及诸如例如图案形成装置是否被保持在真空环境中等其他条件的方式来支撑图案形成装置。支撑结构可以使用机械、真空、静电或其他夹紧技术来保持图案形成装置。支撑结构可以是框架或工作台，例如这可以根据需要固定或可移动。支撑结构可以确保图案形成装置例如相对于投影系统位于期望位置处。
本文使用的术语“图案形成装置”应该被广义地解释为指可以被用于在衬底的目标部分中赋予图案的任何装置。在实施例中，图案形成装置是可以被用于在其横截面中赋予辐射束图案以在衬底的目标部分中创建图案的任何装置。应该注意的是，赋予辐射束的图案可能不与衬底的目标部分中的期望图案完全对应，例如如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征。通常，赋予辐射束的图案将与在装置的目标部分中创建的装置(诸如集成电路)中的特定功能层相对应。
图案形成装置可以是透射或反射的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻中是众所周知的，并且包括诸如二进制掩模类型、交替相移掩模类型和衰减相移掩模类型以及各种混合掩模类型等掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每个小反射镜都可以被单独地倾斜，以便在不同方向上反射传入辐射束。倾斜的反射镜在由反射镜阵列反射的辐射束中赋予图案。
本文使用的术语“投影系统”应该被广义地解释为涵盖任何类型的投影系统，包括折射、反射、反射折射、磁性、电磁和静电光学系统或其任何组合，如对于所使用的曝光辐射或者诸如使用浸液或使用真空等其他因素来说所适合的。本文中的术语“投影透镜”的任何使用都可以被认为与更通用的术语“投影系统”同义。
投影系统PS具有可能不均匀的光学传送函数，这可能会影响成像在衬底W上的图案。针对非偏振辐射，这种效应可以通过两个标量图很好地描述，这两个标量图描述了离开投影系统PS的辐射的透射(变迹)和相对相位(像差)作为其光瞳平面中的位置的函数。可以被称为透射图和相对相位图的这些标量图可以被表达为完整的基函数集合的线性组合。一个方便的集合是泽尔尼克多项式，它形成了在单位圆上定义的正交多项式集合。每个标量图的确定可以涉及确定这种扩展中的系数。由于泽尔尼克多项式在单位圆上正交，因此泽尔尼克系数可以通过依次计算测量的标量图与每个泽尔尼克多项式的内积并且将其除以该泽尔尼克多项式的范数的平方来确定。
透射图和相对相位图是场和系统相关的。即，通常，每个投影系统PS针对每个场点(即，针对其图像平面中的每个空间位置)都将具有不同的泽尔尼克扩展。投影系统PS在其光瞳平面中的相对相位可以通过将例如来自投影系统PS的物体平面(即，图案形成装置MA的平面)中的点状源的辐射投影通过投影系统PS并且使用剪切干涉仪测量波前(即，具有相同相位的点的轨迹)来确定。剪切干涉仪是一种共同路径干涉仪，因此有利地，不需要次级参考束来测量波前。剪切干涉仪可以包括在投影系统(即，衬底台Wta或WTb)的图像平面中的衍射光栅，例如二维网格，以及被布置为检测与投影系统PS的光瞳平面共轭的平面中的干涉图案的检测器。干涉图案与辐射的相位相对于剪切方向上的光瞳平面中的坐标的导数相关。检测器可以包括感测元件阵列，诸如例如电荷耦合装置(CCD)。
光刻设备的投影系统PS可能不会产生可见条纹，因此确定波前的准确性可以使用相位步进技术(诸如例如移动衍射光栅)来增强。步进可以在衍射光栅的平面中以及在垂直于测量的扫描方向的方向上被执行。步进范围可以是一个光栅周期，并且至少三个(均匀分布的)相位步进可以被使用。因此，例如三个扫描测量可以在y方向上被执行，每个扫描测量针对x方向上的不同位置执行。衍射光栅的这种步进有效地将相位变化变换为强度变化，允许相位信息被确定。光栅可以在垂直于衍射光栅的方向(z方向)上步进以校准检测器。
衍射光栅可以在两个垂直方向上被顺序扫描，这两个方向可以与投影系统PS的坐标系的轴(x和y)重合，或者可以与这些轴成一定角度(诸如45度)。扫描可以在整数数量个光栅周期上被执行，例如一个光栅周期。扫描使一个方向上的相位变化平均化，允许另一方向上的相位变化被重构。这允许波前被确定为两个方向的函数。
投影系统PS在其光瞳平面中的透射(变迹)可以通过将例如来自投影系统PS的物体平面(即，图案形成装置MA的平面)中的点状源的辐射投影通过投影系统PS并且使用检测器测量与投影系统PS的光瞳平面共轭的平面中的辐射强度来确定。与被用于测量波前以确定像差的相同检测器可以被使用。
投影系统PS可以包括多个光学(例如透镜)元件，并且还可以包括调整机构，该调整机构被配置为调整一个或多个光学元件以便校正像差(在整个场中穿过光瞳平面的相位变化)。为了实现这一点，调整机构可以可操作来以一种或多种不同方式操纵投影系统PS内的一个或多个光学(例如透镜)元件。投影系统可以具有其中其光轴在z方向上延伸的坐标系。调整机构可以可操作以进行以下任何组合：位移一个或多个光学元件；倾斜一个或多个光学元件；和/或使一个或多个光学元件变形。光学元件的位移可以在任何方向(x、y、z或其组合)上。尽管围绕z轴的旋转可以被用于非旋转对称的非球面光学元件，但通过围绕x和/或y方向上的轴旋转，光学元件的倾斜通常在垂直于光轴的平面之外。光学元件的变形可以包括低频形状(例如散光)和/或高频形状(例如自由形式非球面)。光学元件的变形可以例如通过使用一个或多个致动器在光学元件的一侧或多侧施加力和/或通过使用一个或多个加热元件加热光学元件的一个或多个所选区域来执行。通常，可能无法调整投影系统PS以校正变迹(穿过光瞳平面的透射变化)。当设计用于光刻设备LA的图案形成装置(例如掩模)MA时，投影系统PS的透射图可以被使用。使用计算光刻技术，图案形成装置MA可以被设计为至少部分地校正变迹。
光刻设备可以是具有两个(双工作台)或多个工作台(例如两个或多个衬底台WTa、WTb、两个或多个图案形成装置台、位于投影系统下方的衬底台WTa以及没有专用于例如促进测量和/或清洁的衬底的各种台WTb等)的类型。在这种“多工作台”机器中，附加工作台可以被并行地使用，或者在一个或多个其他工作台正被用于曝光的同时，预备步骤可以对一个或多个工作台执行。例如，使用对准传感器AS的对准测量和/或使用水平传感器LS的水平(高度、倾斜等)测量可以被进行。
光刻设备也可以是其中衬底的至少一部分可以被具有相对较高的折射率的液体(例如水)覆盖的类型，以填充投影系统和衬底之间的空间。浸液也可以被应用于光刻设备中的其他空间，例如图案形成装置与投影系统之间的空间。浸没技术在本领域中是众所周知的，以增大投影系统的数值孔径。本文使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底等结构必须被淹没在液体中，相反，浸没仅意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。
在光刻设备的操作中，辐射束由照射系统IL调节和提供。辐射束B被入射到图案形成装置(例如掩模)MA上，并且由图案形成装置图案化，该图案形成装置MA被保持在支撑结构(例如掩模台)MT上。在遍历图案形成装置MA之后，辐射束B穿过投影系统PS，该投影系统PS将束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如干涉装置、线性编码器、2D编码器或电容传感器)，衬底台WT可以被准确移动，例如以在辐射束B的路径中定位不同的目标部分C。类似地，例如在从掩模库机械取回之后或者在扫描期间，第一定位器PM和另一位置传感器(未在图1中明确描绘)可以被用于相对于辐射束B的路径准确地定位图案形成装置MA。通常，支撑结构MT的移动可以借助于形成第一定位器PM的一部分的长冲程模块(粗略定位)和短冲程模块(精细定位)来实现。类似地，使用形成第二定位器PW的一部分的长冲程模块和短冲程模块，衬底台WT的移动可以被实现。在步进器(与扫描器相对)的情况下，支撑结构MT可以仅被连接至短冲程致动器，或者可以是固定的。图案形成装置MA和衬底W可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准。尽管所图示的衬底对准标记占用了专用目标部分，但它们可以位于目标部分之间的空间中(这些被称为划线对准标记)。类似地，在多于一个管芯被设置在图案形成装置MA上的情况下，图案形成装置对准标记可以位于管芯之间。
所描绘的设备可以被用于以下模式中的至少一种：1.1.在步进模式下，在将赋予辐射束的图案被一次投影到目标部分C上(即，单次静态曝光)时，支撑结构MT和衬底台WT基本上保持静止。然后，衬底台WT在X和/或Y方向上移位，使得不同的目标部分C可以被曝光。在步进模式下，曝光场的最大尺寸限制在单次静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。2.2.在扫描模式下，在赋予辐射束的图案被投影到目标部分C上(即，单次动态曝光)时，支撑结构MT和衬底台WT被同步地扫描。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向由投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性确定。在扫描模式下，曝光场的最大尺寸限制单次动态曝光中目标部分(在非扫描方向上)的宽度，而扫描运动的长度确定目标部分(在扫描方向上)的高度。3.3.在另一模式下，在赋予辐射束的图案被投影到目标部分C上的同时，支撑结构MT基本上保持静止，从而保持可编程图案形成装置，并且衬底台WT被移动或扫描。在这种模式下，通常脉冲式辐射源被采用，并且在衬底台WT的每次移动之后或者在扫描期间的连续辐射脉冲之间，可编程图案形成装置根据需要来更新。这种操作模式可以被容易地应用于无掩模光刻，它利用可编程图案形成装置(诸如上面引用类型的可编程反射镜阵列)。
上述使用模式的组合和/或变化或者完全不同的使用模式也可以被采用。
本文引用的衬底可以是在曝光之前或之后处理的，例如在轨道(典型地将抗蚀剂层施加到衬底并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)或者量测或检查工具中。在适用情况下，本文的本公开可以被应用于这种和其他衬底处理工具。进一步地，衬底可以被处理一次以上，例如以创建多层IC，使得本文使用的术语衬底也可以指已经包括多个已处理层的衬底。
本文使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)或深紫外(DUV)辐射(例如波长为365、248、193、157或126nm)和极紫外(EUV)辐射(例如波长在5至20nm的范围内)以及粒子束，诸如离子束或电子束。
在图案形成装置上或由图案形成装置提供的各种图案可以具有不同的过程窗口，即，处理变量的空间，在该处理变量的空间下将在规范内产生图案。与潜在系统缺陷相关的图案规范示例包括检查颈缩、线回拉、线变细、CD、边缘放置、重叠、抗顶部损耗、抗咬边和/或桥接。图案形成装置上的图案或其区域的过程窗口可以通过合并(例如重叠)每个单独图案的过程窗口来获得。一组图案的过程窗口的边界包括一些单独图案的过程窗口的边界。换言之，这些单独图案限制了该组图案的过程窗口。这些图案可以被称为“热点”或“过程窗口限制图案(PWLP)”，它们在本文中可互换使用。在控制图案化过程的一部分时，关注热点是可能且经济的。当热点没有缺陷时，其他图案很可能没有缺陷。
如图2所示，光刻设备LA可以形成光刻单元LC的一部分，有时也称为光刻单元或簇，它还包括对衬底执行曝光前和曝光后过程的设备。常规来说，这些包括用于沉积一个或多个抗蚀剂层的一个或多个旋涂机SC、用于显影曝光后的抗蚀剂的一个或多个显影剂DE、一个或多个冷却板CH和/或一个或多个烘烤板BK。衬底输送装置或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取一个或多个衬底，使它们在不同的过程设备之间移动，然后递送给光刻设备的装载机架LB。通常被统称为轨道的这些设备受轨道控制单元TCU的控制，该轨道控制单元TCU本身由监控系统SCS控制，该监控系统SCS也经由光刻控制单元LACU控制光刻设备。因此，不同的设备可以被操作，以最大化吞吐量和处理效率。
为了使由光刻设备曝光的衬底被正确且一致地曝光和/或为了监测包括至少一个图案转移步骤(例如光学光刻步骤)的图案化过程(例如装置制造过程)的一部分，期望检查衬底或其他物体以测量或确定一个或多个性质，诸如对准、叠加(例如可以在叠加层中的结构之间或同一层中的结构之间，通过例如双图案化过程被单独提供给层)、线厚度、临界尺寸(CD)、聚焦偏移、材料性质等。例如，掩模版夹具上的污染物(例如本文描述的)可能会对叠加产生不利影响，因为将掩模版夹紧在这种污染上会使掩模版失真。因此，光刻单元LC所处的制造设施通常还包括量测系统，该量测系统测量已经在光刻单元中处理的一些或所有衬底W(图1)或光刻单元中的其他物体。量测系统可以是光刻单元LC的一部分，例如它可以是光刻设备LA(诸如对准传感器AS(图1))的一部分。
一个或多个测量参数可以包括例如对准、形成在图案化衬底中或上的连续层之间的叠加、例如形成在图案化衬底中或上的特征的临界尺寸(CD)(例如临界线宽)、光学光刻步骤的聚焦或聚焦误差、光学光刻步骤的剂量或剂量误差、光学光刻步骤的光学像差等。该测量可以对产品衬底本身的目标和/或设置在衬底上的专用量测目标执行。测量可以在抗蚀剂显影之后但在蚀刻之前、蚀刻之后、沉积之后和/或在其他时间执行。
有多种技术用于测量在图案化过程中形成的结构，包括使用扫描电子显微镜、基于图像的测量工具和/或各种专用工具。如上面讨论的，一种快速且非侵入形式的专用检查工具是辐射束被导向到衬底表面上的目标上并且散射(衍射/反射)束的性质被测量的工具。通过评估由衬底散射的辐射的一个或多个性质，衬底的一个或多个性质可以被确定。这可以被称为基于衍射的量测。这种基于衍射的量测的一种这种应用是测量目标内的特征不对称性。例如，这可以被用作叠加的度量，但其他应用也是已知的。例如，不对称性可以通过比较衍射光谱的相反部分来测量(例如比较周期性光栅的衍射光谱中的-1级和+1级)。这可以如上面描述的那样完成，并且例如在美国专利申请公开US 2006-066855中描述的那样，该申请公开通过引用全部并入本文。基于衍射的量测的另一应用是测量目标内的特征宽度(CD)。
因此，在器件制作过程(例如图案化过程、光刻过程等)中，衬底或其他物体可以在过程期间或之后经受各种类型的测量。测量可以确定特定衬底是否有缺陷，可以建立对过程和过程中使用的设备的调整(例如将衬底上的两层对准或将图案形成装置与衬底对准)，可以测量过程和设备的性能，或可能用于其他目的。测量的示例包括光学成像(例如光学显微镜)、非成像光学测量(例如基于衍射的测量，诸如ASML YieldStar量测工具、ASML SMASH量测系统)、机械测量(例如使用手写笔、原子力显微镜(AFM)进行分析)和/或非光学成像(例如扫描电子显微镜(SEM))。SMASH(智能对准传感器混合)系统(如美国专利号6,961,116中描述的，其通过引用全部并入本文)采用自参考干涉仪，它产生对准标记的两个重叠和相对旋转的图像，检测导致图像的傅里叶变换干涉的光瞳平面中的强度，并且从两个图像的衍射级之间的相位差中提取位置信息，这表现为干涉顺序的强度变化。
量测结果可以被直接或间接地提供给监控系统SCS。如果误差被检测到，则调整可以对后续衬底的曝光和/或曝光衬底的后续曝光进行(特别是如果检查可以马上足够快地完成，以致该批次的一个或多个其他衬底仍要被曝光)。而且，已经曝光的衬底可以被剥离和返工以提高产量，或者被丢弃，从而避免对已知有故障的衬底执行进一步处理。在衬底的仅一些目标部分有故障的情况下，进一步的曝光可以仅对满足规范的那些目标部分执行。
在量测系统MET内，量测设备被用于确定衬底的一个或多个性质，特别是不同衬底的一个或多个性质如何变化或者同一衬底的不同层在层与层之间如何变化。如上面提到的，量测设备可以被集成到光刻设备LA或光刻单元LC中，或者可以是独立装置。
为了实现量测，一个或多个目标可以被设置在衬底上。在实施例中，目标是专门设计的，并且可以包括周期性结构。在实施例中，目标是装置图案的一部分，例如装置图案的周期性结构。在实施例中，衬底上的目标可以包括一个或多个1D周期性结构(例如光栅)，它被印刷，使得在显影之后，周期性结构特征由实心抗蚀剂线形成。在实施例中，目标可以包括一个或多个2D周期性结构(例如光栅)，它被印刷，使得在显影之后，一个或多个周期性结构由抗蚀剂中的实心抗蚀剂支柱或过孔形成。备选地，条、支柱或过孔可以被蚀刻到衬底中(例如蚀刻到衬底上的一层或多层中)。
随着光刻节点不断缩小，越来越复杂的晶片设计可以被实现。各种工具和/或技术可以由设计者使用，以确保复杂的设计被准确地转移到物理晶片。这些工具和技术可以包括掩模优化、源掩模优化(SMO)、OPC、控制设计和/或其他工具和/或技术。例如，源掩模优化过程是在标题为“Optimization Flows of Source,Mask and Projection Optics(源、掩模和投影光学器件的优化流程)的美国专利号9,588,438中描述的，其通过引用全部并入本文。
如上面关于图1和2提及的，光刻设备、量测工具和/或光刻单元通常包括多个工作台系统、支撑件、抓夹、夹具和/或其他输送装置，用于相对于参考或另一部件定位样本、衬底、掩模或传感器布置。示例包括掩模支撑件MT和第一定位器PM、衬底支撑件WT和第二定位器PW、被布置为保持传感器和/或衬底的测量工作台、在检查工具MT中使用的工作台，其中衬底W相对于例如扫描电子显微镜或某种散射仪、抓夹、夹具和/或与这些部件和/或其他物体相关联的支撑表面定位。这些设备可以包括抓夹、夹具和/或受益于本文描述的表面结构形成系统和方法的其他表面。本系统和/或方法可以被用作独立工具和/或技术，和/或与其他半导体制造过程结合使用，以准确地定位、保持和/或以其他方式支撑衬底，诸如具有支持表面上的自定义设计结构的晶片，这增强了复杂设计到晶片的准确转移。这些示例并非旨在限制。尽管本系统和方法在半导体制造的上下文中描述，但本文描述的原理可以被用于其他应用。
如上所述，以精确的取向夹持、夹紧和/或以其他方式支撑零件是具有挑战性的。半导体和/或其他类似的抓夹、夹具和/或支撑表面具有紧密的平坦度和表面拓扑要求。具有严格控制的平坦度和表面拓扑结构的表面很难生产。通常，对这种控制的尝试涉及将表面抛光为平坦的，然后增加粗糙度(通过去除材料)。然而，例如粗糙度可能没有得到充分控制，和/或可能出现其他问题。对粗糙度的控制通常很差，并且表面中的空隙通常会导致损坏被夹持、夹紧和/或以其他方式支撑的零件(例如晶片)。
有利地，本系统和方法利用一系列掩模在平坦表面中对自定义结构进行整形。例如，利用本系统和方法，表面的一个或多个部分被遮蔽；材料从表面的一个或多个未遮蔽部分中去除；并且遮蔽和材料去除被反复地重复以重新成形表面的未遮蔽部分。重新成形继续进行，直到多个表面结构(例如支撑峰和/或其他结构)被形成，并且各个结构之间的表面区域具有目标特性，它指示表面的期望形貌(例如不仅仅是竖直蚀刻)。这有助于精确控制各个结构形状、结构在表面上的分布、结构尺寸、结构密度、锥度、边缘形状、表面深度、阴影等。
图3图示了表面300和302的对比示例。表面300和302可以是例如突节的顶表面和/或其他表面(但是突节的示例不旨在限制)。突节是来自较大表面的凸块和/或其他突起。一系列突节可以被用于半导体工作台系统部件、支撑件、抓夹、夹具和/或其他输送装置部件中，以接触和夹持、夹紧和/或以其他方式支撑诸如晶片等零件。例如，晶片可以放置在从晶片台突出的多个突节上。
表面300已被抛光为平坦的，然后被粗糙化(例如用石材粗糙化或其他已知过程)。表面300包括一系列不受控制的空隙304。空隙304具有不同的形状、宽度、深度和/或其他性质。表面300还包括平坦区域306。平坦区域306具有不同的尺寸和形状。这可以产生在夹持、夹紧和/或以其他方式支撑零件(例如半导体晶片)时具有不同摩擦，和/或具有其他效果的表面300的区域。空隙304的不同形状、宽度、深度和/或其他性质可能导致零件捕捉到突节和/或空隙304的边缘，表面300可以携带被转移到零件的空隙304中的颗粒，和/或可能会出现其他问题。
相反，表面302包括一系列尖峰310，在尖峰310之间具有受控的表面形貌312。尖峰310和表面形貌312是使用本系统和方法形成的。例如，尖峰310和表面形貌通过以下方式形成：(1)遮蔽表面302的一个或多个部分；(2)从表面302的一个或多个未遮蔽部分(例如形成表面形貌312的尖峰310之间的区域)去除材料；以及(3)反复地重复(1)和(2)以重新成形表面302的未遮蔽部分，直到多个尖峰(例如支撑峰)被形成为使得各个尖峰310之间的表面302的区域具有表面形貌312和/或其他目标特性为止。尖峰310只是自定义结构的一个示例，诸如可以在表面302中形成的支撑峰。在该示例中，尖峰310的尖端314是共面的，使得它们可以在大致平坦的取向上支撑零件(例如半导体晶片)。例如，使用本系统和方法，尖峰310的尺寸和/或共面性可以被控制到纳米级。
图4图示了用于在表面上形成结构(例如图3所示的尖峰310)的方法400。例如，这些结构可以包括支撑峰和/或其他结构。下面呈现的方法400的操作旨在是说明性的。在一些实施例中，方法400可以用未描述的一个或多个附加操作和/或不用所讨论的一个或多个操作来完成。例如，在一些实施例中，方法400不需要包括反复地重复下面描述的遮蔽和材料去除步骤(例如可能仅需要单个遮蔽步骤和单个材料去除步骤)。附加地，方法400的操作在图4中图示并且在下面描述的顺序不旨在进行限制。
在一些实施例中，方法400的一个或多个部分可以在一个或多个处理装置(例如数字处理器、模拟处理器、被设计为处理信息的数字电路、被设计为处理信息的模拟电路、状态机和/或以电子方式处理信息的其他机构)中实现和/或由其控制。一个或多个处理装置可以包括响应于电子存储在电子存储介质上的指令而执行方法400的一些或所有操作的一个或多个装置。一个或多个处理装置可以包括一个或多个装置，该装置通过硬件、固件和/或软件被配置为专门设计用于执行方法400的一个或多个操作(例如参见与下面的图8相关的讨论)。
在操作402中，表面(例如图3所示的表面302)的一个或多个部分被遮蔽。该表面基本上是平面和平坦的。在先前的研磨、抛光和/或先前在表面上执行的其他操作之后，该表面可以是平面和平坦的。在一些实施例中，表面包括例如突节的顶表面和/或其他表面。在一些实施例中，表面在半导体制造设备中形成晶片台、晶片夹具夹持表面、掩模版夹具、掩模版输送装置和/或其他部件的至少一部分。表面可以由不同的材料制成。例如，表面可以由钢、硅、金刚石、Si-SiC、DLC、氮化铬、氮化钛、CrN、Cr、TiN、SiC、WC、熔融石英/光学玻璃、铝和/或其他材料制成。
为结构形成而遮蔽表面的一个或多个部分可以与上述用于光刻的遮蔽共享相似性但不同(尽管遮蔽的基础原理—促进图案化材料调整—保持相同)。用于结构形成的遮蔽可以包括覆盖、阻挡、保护和/或屏蔽表面的具体区域。覆盖或阻挡可以由一个或多个掩模和/或其他装置来执行。单独的掩模可以包括具体的图案或设计，其中一些区域被配置为覆盖、阻挡、保护、屏蔽等表面的对应区域；并且其他区域未被配置用于这种覆盖、阻挡、保护、屏蔽等。在一些实施例中，掩模可以被配置为与表面物理接触。例如，掩模可以靠在表面上、被施加到表面和/或以其他方式与表面耦合。在一些实施例中，掩模可以被配置为不接触表面。例如，掩模可以被放置在靠近但不接触表面的位置。无论掩模被配置为接触或不接触表面，掩模被配置成真空兼容，承受热负荷和/或具有与本文描述的材料去除操作兼容的其他性质。
作为非限制性示例，遮蔽可以由一个或多个离子束加工掩模和/或其他掩模来执行。离子束加工掩模可以是被配置为用于离子束加工室中的任何掩模。这种掩模可以包括使用选择性激光蚀刻制成的熔融石英玻璃掩模(参见下面描述的图6)、使用激光烧蚀制成的锥形蓝宝石掩模、现成的不锈钢网格(参见下面描述的图7B)和/或其他掩模。这些示例并非旨在限制。遮蔽可以由被配置为如本文描述的那样起作用的任何掩模来执行。
在操作404中，从表面的一个或多个未遮蔽部分中去除材料。去除材料包括从表面的一个或多个未遮蔽部分以物理方式消除材料。去除材料可以包括将能量投影和/或以其他方式传递通过(多个)掩模并且投影到表面的未遮蔽部分上。例如，这可以在真空环境中执行，使得传递到表面的未遮蔽部分上的能量不会被大气颗粒中断。将能量传递通过掩模可能会在掩模上创建热负荷，和/或具有其他影响。(多个)掩模和真空环境和/或本系统和方法的其他方面被配置为承受这种热负荷。
在一些实施例中，去除材料包括干法蚀刻过程。例如，干法蚀刻可以包括没有湿化学物质的蚀刻。在一些实施例中，去除材料通过离子束(例如离子束蚀刻)和/或其他部件来执行。离子束是由离子组成的带电粒子束。在一些实施例中，离子束可以是带正电的氩原子束。这种离子束可以具有具体的可控电流密度(例如强度)。离子束可以被用于撞击和烧蚀未被掩模的一部分覆盖的表面区域。离子束以受控方式从掩模未覆盖的区域中的表面去除材料。例如，离子束可以被用于从表面的未遮蔽区域逐个原子地从表面去除原子。
去除材料包括：控制一个或多个结构(诸如峰)的角度、锥度或阴影中的一个或多个。在一些实施例中，一个或多个单独的峰包括尖峰、块、半球、凸块、圆角、锥形、孔、棱锥、台阶、纳米硬度测试仪尖端、维氏硬度尖端、原子力显微镜(AFM尖端)、立体角和/或其他峰中的一个或多个。这种特征的示例在下面关于图5至7B进一步描述。
形成具有这些和其他形状和/或特征的结构可以通过调整掩模(例如掩模尺寸、形状等)，调整用于材料去除的能量(例如离子源角度、孔径尺寸、离子源(气体、能量等)类型和/或其他操作来完成。例如，掩模的尺寸和/或形状可以被用于控制表面结构形状。使掩模更薄或更厚可以改变结构边缘锐度(例如较厚的掩模可以柔化边缘，而较薄的掩模可以使结构边缘锐化。改变掩模侧壁角度(例如使用或不使用锥形掩模侧壁、改变侧壁的锥度等)可以进一步锐化或柔化这种边缘。通常，掩模也可以被用于调整表面上形成的结构的结构形状、结构分布、密度、尺寸和/或其他特性。
作为另一示例，改变用于烧蚀表面的未遮蔽区域的能量的强度、曝光时间和/或其他性质可以被用于调整结构深度和/或表面拓扑的其他特性，便于在由多种材料制成的多种表面上使用本系统和方法和/或具有其他用途。在一些实施例中，增加能量强度和/或暴露时间可以在表面中产生更深的结构。相反，减少能量强度和/或曝光时间可能会产生更浅的结构。
作为第三示例，掩模和表面之间的距离可以被调整。该距离可以使用电子定位装置(例如被配置为在“z”方向上或下移动掩模和/或表面的装置)、垫片和/或其他部件来调整。在一些实施例中，掩模和表面之间的距离可以是大约30、40、50、60、70、80、90或100微米、它们之间的距离和/或其他距离。这些示例距离并非旨在限制。在一些实施例中，该距离可以对应于本系统和/或方法与其他距离相比得到增强的光学甜蜜点。在一些实施例中，该点(例如距离)可以基于人们想要制作的特征的尺寸而改变。
在操作406中，遮蔽(操作402)和材料去除(操作404)操作被反复地重复，以重新成形表面的未遮蔽部分。表面的未遮蔽部分被重新成形，直到多个支撑峰和/或其他结构被形成为使得各个支撑峰之间的表面区域具有目标特性为止。在一些实施例中，目标特性指示表面的期望形貌。形貌可以是表面上的结构和/或特征的分布。例如，目标特性可以指示支持峰的期望分布、它们的形状和尺寸和/或其他信息(例如期望的形貌)。在一些实施例中，期望形貌包括与多个支撑峰相关联的尺寸的期望偏度、峰度、p值和/或指示期望形貌的其他信息。
在一些实施例中，目标特性与各个峰的数量和/或尺寸分离相关联。例如，目标特性是和/或指示应该被形成的单个结构，诸如原子力显微镜(AFM)尖端、维氏硬度测试仪尖端和/或其他结构。作为其他示例，目标特性可以是给定区域中的峰密度、应该有一些给定数量的峰的规范、峰应该在一个或多个方向上由具体尺寸分离等。
在一些实施例中，表面的未遮蔽部分被形成为使得形成在表面上的峰具有在给定尺寸范围内的峰高。在一些实施例中，给定尺寸范围描述了峰的平坦度和/或共面性。例如，在一些实施例中，诸如支撑峰等结构被形成为具有彼此在大约500nm或更小内的峰高。在一些实施例中，诸如支撑峰等结构被形成为具有彼此在大约100nm或更小内的峰高。在一些实施例中，诸如支撑峰等结构被形成为具有彼此在大约50nm或更小内的峰高。例如，在一些实施例中，给定的峰高(例如峰从其底部延伸的量)可以是大约1μm到大约1000μm。例如，在一些实施例中，给定的峰高可以是大约1μm到大约500μm。例如，在一些实施例中，给定的峰高可以是大约1μm到大约250μm。
在一些实施例中，该表面包括突节的顶表面(例如本文描述的)和/或其他部件，并且峰高的给定尺寸范围的宽度和/或峰的高度取决于突节(或其他部件)的顶表面的尺寸。例如，较大的突节可能需要较短的峰和/或更窄的峰高范围，以确保给定零件保持平坦。该示例不旨在进行限制。具有足够紧密峰高范围的相对较高或较短的峰的任何组合可以被使用。
在一些实施例中，目标特性是粗糙度。粗糙度可以通过表面的测量的峰和谷的均方根(RMS)和/或其他粗糙度度量来测量。例如，在一些实施例中，目标特性可以是大约200nm或更大的根据RMS的粗糙度。例如，在一些实施例中，目标特性可以是大约100nm或更大的根据RMS的粗糙度。例如，在一些实施例中，目标特性可以是大约50nm或更大的根据RMS的粗糙度。
图5图示了反复地使用500一系列掩模502、504并且从表面510去除材料506、508，以重新成形表面510的未遮蔽部分512、514(例如图4中的操作402、404和406)。表面510的未遮蔽部分512、514被重新成形，直到多个支撑峰520(在该示例中)和/或其他结构被形成为使得各个支撑峰520之间的表面510的区域522具有目标表面拓扑和/或其他特性为止。在该示例中，区域522在峰520之间具有扇形或圆形轮廓。例如，该过程可以被用于在表面302中形成尖峰310，如图3所示。
在图5中，基本上平坦的表面510用第一掩模502(例如可以是离子束加工掩模和/或本文描述的其他掩模)进行遮蔽。材料506然后在未遮蔽部分512中从表面510去除。材料去除可以包括蚀刻(例如使用离子束)和/或其他材料去除操作。表面510可以再次用第二掩模504遮蔽，创建不同的未遮蔽部分514，其中材料508被去除。如图5所示，这重新成形了表面510的未遮蔽区域。该过程可以根据需要被反复地重复，直到多个支撑峰520(在该示例中)和/或其他结构被形成为使得各个支撑峰520之间的表面510的区域522具有目标表面拓扑和/或其他特性为止。
图6图示了去除材料(例如图4中的操作404)如何包括控制一个或多个结构(诸如本文描述的形成在表面上的支撑峰)的角度、锥度、阴影和/或其他特性。如上所述，在一些实施例中，一个或多个单独的峰可以包括尖峰、块、半球、凸块、圆角、锥形、孔、棱锥、台阶、纳米硬度测试仪尖端、维氏硬度尖端、原子力显微镜(AFM尖端)、立体角和/或其他结构中的一个或多个。
图6图示了掩模600、602、604的尺寸和/或形状如何可以被用于控制表面610、612、614的结构形状(例如在该示例中的峰之间的圆形和/或圆柱形孔的阴影)。例如，在一些实施例中，掩模600可以包括用于在表面610中形成圆孔620的1mm厚的熔融二氧化硅掩模。这可能导致相对大量的阴影622(如灰度颜色变化指示的)。在一些实施例中，掩模602可以包括用于在表面612中形成圆孔630的0.5mm厚的熔融二氧化硅掩模。这可能导致中等(在该示例中)量的阴影632(如灰度颜色变化指示的)。在一些实施例中，掩模604可以包括用于在表面614中形成圆孔640的0.44mm厚的蓝宝石掩模(具有六度锥度)。这可能导致很少或没有阴影642(如缺少灰度颜色变化指示的)。尽管图6中未明确示出，但掩模600、602和604和/或类似的掩模可以被用于控制孔形状、分布、尺寸、密度、锥度、边缘形状和/或其他形貌特性。
图6还图示了撞击在表面610、612和614的未遮蔽区域上的辐射650、652、654(作为蚀刻剂的一个可能示例)。例如，辐射650、652和/或654可以包括离子束和/或其他辐射。辐射可以被用于控制孔620、630和/或640的深度，可以允许处理多种表面材料(例如硅、金刚石等)和/或具有其他优点。例如，离子束的强度和/或曝光时间可以被改变，以在表面中创建不同深度的孔。与掩模变化组合有目的地改变辐射和/或其他蚀刻剂有助于精确控制和/或调整表面结构形状、分布、尺寸、密度、锥度、边缘形状、深度、阴影、角度和/或其他特性。这些特性可以一次被控制和/或调整一个，并行、串行和/或以其他方式控制和/或调整。
图7A图示了形成在表面702上的支撑峰结构700的示例。图7A图示了结构700的顶视图704和轮廓图706。图7A图示了每个视图中的示例尺寸。结构700的形状和尺寸受到严格控制。形状和尺寸仅是示例，并且不旨在限制。结构700使用本文描述的系统和方法形成。如视图704所示，结构700通常为菱形或棱锥形，但在棱锥的面上包括圆形表面710。如视图706所示，结构700从表面702突出712。
图7B图示了形成在表面752上的多个支撑峰结构750的示例。结构750例如形成纳米凹坑的图案。图7B图示了结构700的透视图754和轮廓图756。轮廓图756针对视图754中图示的切片758示出。图7A图示了每个视图中的示例尺寸。结构750的形状和尺寸受到严格控制。形状和尺寸仅是示例，并且不旨在限制。结构750使用本文描述的系统和方法形成。如视图754所示，结构750通常为华夫格形状，在华夫格图案的峰762和谷764处具有圆形表面760。在该示例中，结构750是使用以50微米(掩模和表面之间的距离)填隙的现成不锈钢网格形成的。使用这种网格对于诸如晶片台和/或晶片夹具等部件可能是有利的，因为网格可以减少类似光学接触的面积，同时保持表面基本上平坦到纳米级。
图8是根据实施例的示例计算机系统CS的框图。计算机系统CS可以辅助实现本文公开的方法、流程或设备。计算机系统CS包括总线BS或用于传递信息的其他通信机构以及与总线BS耦合以用于处理信息的处理器PRO(或多个处理器)。计算机系统CS还包括主存储器MM，诸如随机存取存储器(RAM)或其他动态存储装置，它被耦合至总线BS以用于存储信息和要由处理器PRO执行的指令。例如，主存储器MM还可以被用于在执行要由处理器PRO执行的指令期间存储临时变量或其他中间信息。计算机系统CS包括只读存储器(ROM)ROM或被耦合至总线BS的其他静态存储装置，以用于存储静态信息和处理器PRO的指令。诸如磁盘或光盘等存储装置SD被提供并且耦合至总线BS，以用于存储信息和指令。
计算机系统CS可以经由总线BS被耦合至显示器DS，诸如阴极射线管(CRT)或者平板或触摸板显示器，以用于向计算机用户显示信息。包括字母数字键和其他键的输入装置ID被耦合至总线BS，以用于将信息和命令选择传递给处理器PRO。另一类型的用户输入装置是光标控件CC，诸如鼠标、轨迹球或光标方向键，以用于将方向信息和命令选择传递给处理器PRO并且控制显示器DS上的光标移动。该输入装置通常在两个轴(第一轴(例如x)和第二轴(例如y))上具有两个自由度，允许装置指定平面中的位置。触摸板(屏幕)显示器也可以被用作输入装置。
在一些实施例中，响应于处理器PRO执行主存储器MM中所包含的一个或多个指令的一个或多个序列，本文描述的一种或多种方法的部分可以由计算机系统CS执行。这种指令可以从另一计算机可读介质(诸如存储装置SD)被读取到主存储器MM中。执行主存储器MM中所包含的指令序列导致处理器PRO执行本文描述的过程步骤。多处理布置中的一个或多个处理器也可以被采用，以执行主存储器MM中所包含的指令序列。在一些实施例中，硬连线电路系统可以代替软件指令使用或与软件指令组合使用。因此，本文的描述不被限于硬件电路系统和软件的任何具体组合。
本文使用的术语“计算机可读介质”是指参与向处理器PRO提供指令以供执行的任何介质。这种介质可以采取许多形式，包括但不限于非易失性介质、易失性介质和传输介质。非易失性介质包括例如光盘或磁盘，诸如存储装置SD。易失性介质包括动态存储器，诸如主存储器MM。传输介质包括同轴电缆、铜线和光纤，包括构成总线BS的电线。传输介质还可以采用声波或光波的形式，诸如在射频(RF)和红外(IR)数据通信期间生成的那些。计算机可读介质可以是非瞬态的，例如软盘、可折叠磁盘、硬盘、磁带、任何其他磁性介质、CD-ROM、DVD、任何其他光学介质、穿孔卡片、纸带、具有孔洞图案的任何其他物理介质、RAM、PROM和EPROM、闪存EPROM、任何其他存储器芯片或者存储器匣。非瞬态计算机可读介质可以在其上记录有指令。在由计算机执行时，指令可以实现本文描述的任何特征。瞬态计算机可读介质可以包括载波或其他传播电磁信号。
各种形式的计算机可读介质可以涉及将一个或多个指令的一个或多个序列携带到处理器PRO以供执行。例如，指令最初可能被承载在远程计算机的磁盘上。远程计算机可以将指令加载到其动态存储器中，并且使用调制解调器通过电话线发送指令。计算机系统CS本地的调制解调器可以在电话线上接收数据，并且使用红外发送器将数据转换为红外信号。被耦合至总线BS的红外检测器可以接收红外信号中携带的数据，并且将数据放置在总线BS上。总线BS将数据携带到主存储器MM，处理器PRO从该主存储器MM取回和执行指令。在由处理器PRO执行之前或之后，由主存储器MM接收的指令可以可选地被存储在存储装置SD上。
计算机系统CS还可以包括被耦合至总线BS的通信接口CI。通信接口CI提供与被连接至本地网络LAN的网络链路NDL的双向数据通信耦合。例如，通信接口CI可以是集成服务数字网络(ISDN)卡或调制解调器，以提供与对应类型的电话线的数据通信连接。作为另一示例，通信接口CI可以是局域网(LAN)卡，以提供与兼容LAN的数据通信连接。无线链路也可以被实现。在任何这种实施方式中，通信接口CI发送和接收电信号、电磁信号或光学信号，这些信号携带表示各种类型的信息的数字数据流。
网络链路NDL通常通过一个或多个网络向其他数据装置提供数据通信。例如，网络链接NDL可以通过本地网络LAN提供与主机计算机HC的连接。这可以包括通过全球分组数据通信网络(现在通常称为“互联网”INT)提供的数据通信服务。本地网络LAN(互联网)都使用携带数字数据流的电信号、电磁信号或光学信号。通过各种网络的信号以及在网络数据链路NDL上并且通过通信接口CI的信号(将数字数据携带到计算机系统CS并且从计算机系统CS携带数字数据)是输送信息的载波的示例性形式。
计算机系统CS可以通过(多个)网络、网络数据链路NDL和通信接口CI发送消息并且接收数据，包括程序代码。在互联网示例中，主机计算机HC可以通过互联网INT、网络数据链路NDL、本地网络LAN和通信接口CI来传输应用程序的请求代码。例如，一个这种下载应用可以提供本文描述的方法的全部或部分。接收到的代码可以在被接收到时由处理器PRO执行，和/或被存储在存储装置SD或其他非易失性存储设备中，以供稍后执行。通过这种方式，计算机系统CS可以获得载波形式的应用代码。
图9示意性地描绘了示例性光刻投影设备1000，它与可以结合本文描述的技术使用的图1所示的设备类似和/或相同。设备1000通常可以表示DUV设备，例如具有双扫描设置(该示例不旨在进行限制)。该设备包括：
-照射系统IL，以调节辐射束B。在这种特定情况下，照射系统还包括辐射源SO；
-第一载物台(例如图案形成装置台)MT，它被提供有图案形成装置保持器以保持图案形成装置MA(例如掩模版)，并且被连接至第一定位器以相对于物品PS准确地定位图案形成装置；
-第二载物台(衬底台)WT，它被提供有衬底保持器以保持衬底W(例如涂有抗蚀剂的硅晶片)，并且被连接至第二定位器以相对于物品PS准确地定位衬底；
-投影系统(“透镜”)PS(例如折射、反射或反射折射光学系统)，以将图案形成装置MA的照射部分成像到衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上。
如本文描绘的，该设备是透射型的(即，具有透射式图案形成装置)。然而，通常，它也可以是反射型的，例如(具有反射式图案形成装置)。该设备可以采用与经典掩模不同种类的图案形成装置；示例包括可编程反射镜阵列或LCD矩阵。
源SO(例如汞灯或准分子激光器、LPP(激光产生的等离子体)EUV源)产生辐射束。例如，该束直接地或者在遍历诸如扩束器Ex等调节部件之后被馈送到照射系统(照射器)IL中。照射器IL可以包括调整部件，以用于设置束中的强度分布的外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ外部和σ内部)。另外，它通常将包括各种其他部件，诸如积分器和聚光器。通过这种方式，撞击到图案形成装置MA上的束B在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。
关于图9应该注意的是，源SO可以在光刻投影设备的外壳内(例如当源SO是汞灯时通常是这种情况)，但是它也可以远离光刻投影设备，其产生的辐射束被引入设备中(例如借助于合适的导向镜)；当源SO是准分子激光器(例如基于KrF、ArF或F2激光照射)时，该后一种场景通常是这种情况。
束随后拦截图案形成装置MA，该图案形成装置MA被保持在图案形成装置台MT上。在遍历图案形成装置MA之后，束PB穿过透镜PL，它将束B聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位部件(和干涉测量部件)，衬底台WT可以被准确地移动，例如以将不同的目标部分C定位在束的路径中。类似地，例如在从图案形成装置库机械地取回图案形成装置MA之后或在扫描期间，第一定位部件可以被用于相对于束B的路径准确地定位图案形成装置MA。通常，借助于未被明确描绘的长冲程模块(粗略定位)和短冲程模块(精细定位)，载物台MT、WT的移动将被实现。然而，在步进器(与步进扫描工具相对)的情况下，图案形成装置台MT可以被恰好连接至短冲程致动器，或者可以是固定的。
所描绘的工具可以在两种不同的模式下使用：
-在步进模式下，图案形成装置台MT基本上保持静止，并且整个图案形成装置图像在一个操作(即，单次“闪光”)中被投影到目标部分C上。衬底台WT然后在x和/或y方向上移位，使得不同的目标部分C可以由束照射；
-在扫描模式下，基本上相同的场景适用，除了给定的目标部分C不在单次“闪光”中曝光之外。相反，图案形成装置台MT以速度v在给定方向(所谓的“扫描方向”，例如y方向)上可移动，使得投射束B被用于在图案形成装置图像上扫描；并发地，衬底台WT同时在相同或相反方向上以速度V＝Mv移动，其中M是透镜PL的放大率(典型地，M＝1/4或1/5)。通过这种方式，相对较大的目标部分C可以被曝光，而不必牺牲分辨率。
实施例还可以使用以下条款来描述：
1.一种用于在表面上形成多个支撑峰的方法，包括：
(1)遮蔽表面的一个或多个部分；
(2)从表面的一个或多个未遮蔽部分去除材料；以及
(3)反复地重复(1)和(2)，以重新成形表面的未遮蔽部分，直到多个支撑峰被形成为使得各个支撑峰之间的表面的区域具有目标特性为止。
2.根据条款1的方法，其中目标特性指示表面的期望形貌。
3.根据条款2的方法，其中期望形貌包括与多个支撑峰相关联的尺寸的期望偏度、峰度或p值中的一个或多个。
4.根据条款1至3中任一项的方法，其中目标特性与各个峰的数量和/或尺寸分离相关联。
5.根据条款1至4中任一项的方法，其中去除材料包括：控制峰中的一个或多个的角度、锥度或阴影中的一个或多个。
6.根据条款1至5中任一项的方法，其中一个或多个单独的峰包括尖峰、块、半球、凸块、圆角、锥形、孔、棱锥、台阶、纳米硬度测试仪尖端、维氏硬度尖端、原子力显微镜(AFM尖端)或立体角中的一个或多个。
7.根据条款1至6中任一项的方法，其中峰被形成为具有在给定尺寸范围内的峰高。
8.根据条款7的方法，其中给定尺寸范围描述了峰的平坦度和/或共面性。
9.根据条款1至8中任一项的方法，其中遮蔽由一个或多个离子束加工掩模执行。
10.根据条款1至9中任一项的方法，其中去除材料由离子束执行。
11.根据条款1至10中任一项的方法，其中在材料从表面去除之前，表面基本上是平面和平坦的。
12.根据条款1至11中任一项的方法，其中表面包括突节的顶表面。
13.根据条款1至12中任一项的方法，其中表面在半导体制造设备中形成晶片台、晶片夹具夹持表面、掩模版夹具或者掩模版输送装置的至少一部分。
14.根据条款1至13中任一项的方法，其中去除材料包括干法蚀刻过程。
15.根据条款1至14中任一项的方法，其中目标特性是粗糙度。
16.根据条款15的方法，其中根据RMS，粗糙度约为100nm或更大，而支撑峰被形成为具有彼此在大约100nm或更小内的峰高。
17.根据条款1至16中任一项的方法，其中表面包括突节的顶表面，并且其中峰高的给定尺寸范围的宽度取决于突节的顶表面的尺寸。
18.根据条款17的方法，其中给定尺寸范围的宽度包括大约1um到大约500um。
19.一种用于在表面上形成多个支撑峰的系统，该系统包括：
(1)一个或多个掩模，被配置用于遮蔽表面的一个或多个部分；以及
(2)蚀刻装置，被配置用于从表面的一个或多个未遮蔽部分去除材料；
其中一个或多个掩模和蚀刻装置被配置用于反复地重复遮蔽和从表面的未遮蔽部分的材料去除，直到多个支撑峰被形成为使得各个支撑峰之间的表面的区域具有目标特性为止。
20.根据条款19的系统，其中目标特性指示表面的期望形貌。
21.根据条款20的系统，其中期望形貌包括与多个支撑峰相关联的尺寸的期望偏度、峰度或p值中的一个或多个。
22.根据条款19至21中任一项的系统，其中目标特性与各个峰的数量和/或尺寸分离相关联。
23.根据条款19至22中任一项的系统，其中去除材料包括：控制峰中的一个或多个的角度、锥度或阴影中的一个或多个。
24.根据条款19至23中任一项的系统，其中一个或多个单独的峰包括尖峰、块、半球、凸块、圆角、锥形、孔、棱锥、台阶、纳米硬度测试仪尖端、维氏硬度尖端、原子力显微镜(AFM尖端)或立体角中的一个或多个。
25.根据条款19至24中任一项的系统，其中峰被形成为具有在给定尺寸范围内的峰高。
26.根据条款25的系统，其中给定尺寸范围描述了峰的平坦度和/或共面性。
27.根据条款19至26中任一项的系统，其中一个或多个掩模包括一个或多个离子束加工掩模。
28.根据条款19至27中任一项的系统，其中蚀刻装置包括离子束。
29.根据条款19至28中任一项的系统，其中在材料从表面去除之前，表面基本上是平面和平坦的。
30.根据条款19至29中任一项的系统，其中表面包括突节的顶表面。
31.根据条款19至30中任一项的系统，其中表面在半导体制造设备中形成晶片台、晶片夹具夹持表面、掩模版夹具或者掩模版输送装置的至少一部分。
32.根据条款19至31中任一项的系统，其中去除材料包括干法蚀刻过程。
33.根据条款19至32中任一项的系统，其中目标特性是粗糙度。
34.根据条款33的系统，其中根据RMS，粗糙度约为100nm或更大，而支撑峰被形成为具有彼此在大约100nm或更小内的峰高。
35.根据条款19至34中任一项的系统，其中表面包括突节的顶表面，并且其中峰高的给定尺寸范围的宽度取决于突节的顶表面的尺寸。
36.根据条款35的系统，其中给定尺寸范围的宽度包括大约1um到大约500um。
37.一种在其上具有指令的非瞬态计算机可读介质，在由计算机执行时，该指令使计算机：
(1)促进表面的一个或多个部分的遮蔽；
(2)使蚀刻装置从表面的一个或多个未遮蔽部分去除材料；以及
(3)反复地重复(1)和(2)，以重新成形表面的未遮蔽部分，直到一个或多个支撑峰被形成为使得各个峰之间的表面的区域具有目标特性为止。
38.根据条款37的介质，其中目标特性指示表面的期望形貌。
39.根据条款38的介质，其中期望形貌包括与多个支撑峰相关联的尺寸的期望偏度、峰度或p值中的一个或多个。
40.根据条款37至39中任一项的介质，其中目标特性与各个峰的数量和/或尺寸分离相关联。
41.根据条款37至40中任一项的介质，其中去除材料包括：控制峰中的一个或多个的角度、锥度或阴影中的一个或多个。
42.根据条款37至41中任一项的介质，其中一个或多个单独的峰包括尖峰、块、半球、凸块、圆角、锥形、孔、棱锥、台阶、纳米硬度测试仪尖端、维氏硬度尖端、原子力显微镜(AFM尖端)或立体角中的一个或多个。
43.根据条款37至42中任一项的介质，其中峰被形成为具有在给定尺寸范围内的峰高。
44.根据条款43的介质，其中给定尺寸范围描述了峰的平坦度和/或共面性。
45.根据条款37至44中任一项的介质，其中遮蔽由一个或多个离子束加工掩模执行。
46.根据条款37至45中任一项的介质，其中去除材料由离子束执行。
47.根据条款37至46中任一项的介质，其中在材料从表面去除之前，表面基本上是平面和平坦的。
48.根据条款37至47中任一项的介质，其中表面包括突节的顶表面。
49.根据条款37至48中任一项的介质，其中表面在半导体制造设备中形成晶片台、晶片夹具夹持表面、掩模版夹具或者掩模版输送装置的至少一部分。
50.根据条款37至49中任一项的介质，其中去除材料包括干法蚀刻过程。
51.根据条款37至50中任一项的介质，其中目标特性是粗糙度。
52.根据条款51的介质，其中根据RMS，粗糙度约为100nm或更大，而支撑峰被形成为具有彼此在大约100nm或更小内的峰高。
53.根据条款37至52中任一项的介质，其中表面包括突节的顶表面，并且其中峰高的给定尺寸范围的宽度取决于突节的顶表面的尺寸。
54.根据条款53的介质，其中给定尺寸范围的宽度包括大约1um到大约500um。
尽管本文公开的概念可以被用于诸如硅晶片等衬底上的晶片制造，但是应该理解的是，所公开的概念可以与任何类型的制造系统(例如用于在除硅晶片之外的衬底上制造的那些制造系统)一起使用。另外，所公开的元件的组合和子组合可以包括单独的实施例。
以上描述旨在是说明性的，而不是限制性的。因此，对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离下面陈述的权利要求的范围的情况下，修改可以如所描述的那样进行。

Claims (20)

1.一种用于在表面上形成多个支撑峰的方法，包括：
(1)遮蔽所述表面的一个或多个部分；
(2)从所述表面的一个或多个未遮蔽部分去除材料；以及
(3)反复地重复步骤(1)和(2)，以重新成形所述表面的所述未遮蔽部分，直到所述多个支撑峰被形成为使得各个支撑峰之间的所述表面的区域具有目标特性为止。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标特性指示所述表面的期望形貌。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述期望形貌包括与所述多个支撑峰相关联的尺寸的期望偏度、峰度或p值中的一个或多个。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述目标特性与所述各个峰的数量和/或尺寸分离相关联。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中去除材料包括：控制所述峰中的一个或多个的角度、锥度或阴影中的一种或多种。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中一个或多个单独的峰包括尖峰、块、半球、凸块、圆角、锥形、孔、棱锥、台阶、纳米硬度测试仪尖端、维氏硬度尖端、原子力显微镜(AFM尖端)或立体角中的一种或多种。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述峰被形成为具有在给定尺寸范围内的峰高。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述给定尺寸范围描述了所述峰的平坦度和/或共面性。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述遮蔽由一个或多个离子束加工掩模执行。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中去除材料由离子束执行。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中在材料从所述表面去除之前，所述表面基本上是平面和平坦的。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中所述表面包括突节的顶表面。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其中所述表面在半导体制造设备中形成晶片台、晶片夹具夹持表面、掩模版夹具或者掩模版输送装置的至少一部分。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中去除材料包括干法蚀刻过程。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其中所述目标特性是粗糙度。
16.根据权利要求15所述的方法，其中根据RMS，所述粗糙度约为100nm或更大，而所述支撑峰被形成为具有彼此在大约100nm或更小内的峰高。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的方法，其中所述表面包括突节的顶表面，并且其中峰高的给定尺寸范围的宽度取决于所述突节的所述顶表面的尺寸。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述给定尺寸范围的宽度包括大约1um到大约500um。
19.一种用于在表面上形成多个支撑峰的系统，所述系统包括：
(1)一个或多个掩模，被配置用于遮蔽所述表面的一个或多个部分；以及
(2)蚀刻装置，被配置用于从所述表面的一个或多个未遮蔽部分去除材料；
其中所述一个或多个掩模和所述蚀刻装置被配置用于反复地重复所述遮蔽和从所述表面的所述未遮蔽部分的所述材料去除，直到所述多个支撑峰被形成为使得各个支撑峰之间的所述表面的区域具有目标特性为止。
20.一种在其上具有指令的非瞬态计算机可读介质，在由计算机执行时，所述指令使所述计算机：
(1)促进表面的一个或多个部分的遮蔽；
(2)使蚀刻装置从所述表面的一个或多个未遮蔽部分去除材料；以及
(3)反复地重复步骤(1)和(2)，以重新成形所述表面的未遮蔽部分，直到一个或多个支撑峰被形成为使得各个峰之间的所述表面的区域具有目标特性为止。
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