JP2001274227A - ウェーハ保持用セラミック部材の製造法 - Google Patents

ウェーハ保持用セラミック部材の製造法

Info

Publication number
JP2001274227A
JP2001274227A JP2000090684A JP2000090684A JP2001274227A JP 2001274227 A JP2001274227 A JP 2001274227A JP 2000090684 A JP2000090684 A JP 2000090684A JP 2000090684 A JP2000090684 A JP 2000090684A JP 2001274227 A JP2001274227 A JP 2001274227A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
holding
wafer
projection
ceramic
ceramic member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000090684A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuichiro Shimoda
修一郎 下田
Akihito Iwai
明仁 岩井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2000090684A priority Critical patent/JP2001274227A/ja
Publication of JP2001274227A publication Critical patent/JP2001274227A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェーハ、LCDガラス基板、磁気デ
ィスク基板等の搬送、保持部材等に適したウェーハ保持
用セラミック部材の製造法を提供する。 【解決手段】 セラミック基材の所定の位置にサンドブ
ラスト加工法により突起部を形成し、かつ突起部先端の
エッジ部分を曲面状に仕上げてウェーハ保持用セラミッ
ク部材を製造する方法において、突起部先端のエッジ部
分をバレル研磨により曲面状に仕上げることを特徴とす
るウェーハ保持用セラミック部材の製造法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ、
液晶ディスプレイ(以下LCDとする)ガラス基板、磁
気ディスク基板等の搬送、保持部材等に適したウェーハ
保持用セラミック部材の製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、LSIなどの半導体製造工程
において、半導体ウェーハの搬送、保持部材等にはアル
ミナ、炭化珪素、窒化アルミニウム等のセラミック部材
が用いられていた。例えば、半導体ウェーハの搬送、保
持部材等は、ウェーハ保持面に異物、塵埃等が付着しな
いことが望ましいが、もしこの部分に異物、塵埃等が付
着すると露光時に焦点ずれを起こしたり、フォトレジス
トなどの塗布液のスピンコート時に厚みのばらつきが生
じる。
【0003】このような異物、塵埃等の問題をウェーハ
保持面の接触面積を小さくして解決しようとするピンコ
ンタクト方式が、特開昭62−24639号公報、特開
平3−229442号公報等により提案されている。ま
たウェーハ保持面の突起部(ピン)を形成する方法とし
て、ウェーハ保持面となる基材表面にブラストマスクを
貼付け、露光、現像してセラミック基材表面の削り取る
部分を露出させた後、砂などの砥材を吹き付けて露出部
分のみを削り取り、ブラストマスクを貼付けた部分のみ
を突起部として残すサンドブラスト加工法が特開昭62
−24639号公報、特開昭62−221130号公報
等により提案されている。
【0004】しかし、上記に示すサンドブラスト加工法
では、ブラストマスクの面積をあまり小さくすることが
できず、そのためウェーハと接触する突起部先端(ウェ
ーハ保持面)の面積が大きくなってしまうという欠点が
あった。即ち、通常は、ブラストマスクを貼付けた後、
露光、硬化、現像して削り取る部分を露出させるが、残
すブラストマスクの面積(突起部となる部分)が小さい
と、現像中にブラストマスクの大きさ及び形状にばらつ
きが生じたり、残したい箇所のブラストマスクが溶けて
消失したりするためである。仮に、小さい面積のブラス
トマスクが形成できたとしても、サンドブラスト加工中
にブラストマスクが剥がれてしまい、突起部の一部が形
成されなかったり、欠けが生じ易い。さらにはサンドブ
ラスト加工後の突起部の先端が角張っているため、ウェ
ーハ表面を傷付けたり、このエッジ部に異物、塵埃等が
付着し易くなる欠点もあった。
【0005】上記の欠点を解消するため、特開平9−2
83605号公報などに示されるようにナイロンブラシ
を回転させて突起部の先端周辺を丸める方法や特開平8
−139169号公報などに示されるようにセラミック
基材表面にサンドブラスト加工法で突起部を形成した
後、ダイヤモンド、アルミナ等の砥粒を油(ラード)と
混ぜ合わせ、これを耐熱ナイロン、ピアノ線等からなる
ブラシに塗り、該ブラシを回転させてセラミック基材表
面の突起部を研磨し、先端周辺を丸める方法が提案され
ている。
【0006】しかしながら、前記した単にナイロンブラ
シを回転運動させただけでは、ナイロンブラシだけが摩
耗して研磨効果はなく、突起部の先端周辺を丸くするこ
とは困難である。一方、前記した砥粒と油とを混ぜ合わ
せものをブラシに塗り付けた後、ブラシを回転させる方
法では、砥粒が遊離するため研磨速度が極めて低く、突
起部毎の研磨速度のばらつきが生じ易く、さらには研磨
加工に非常に長時間を要し、かつ砥粒と油の混合物を頻
繁に加えなければならずコスト高になる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体ウェ
ーハ、LCDガラス基板、磁気ディスク基板等の搬送、
保持部材等に適したウェーハ保持用セラミック部材の製
造法を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、セラミック基
材の所定の位置にサンドブラスト加工法により突起部を
形成し、かつ突起部先端のエッジ部分を曲面状に仕上げ
てウェーハ保持用セラミック部材を製造する方法におい
て、突起部先端のエッジ部分をバレル研磨により曲面状
に仕上げることを特徴とするウェーハ保持用セラミック
部材の製造法に関する。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明に用いられるセラミック基
材の材質については、剛性、耐摩耗性、硬度等の機械的
特性に問題がなければ特に制限はなく、例えばアルミ
ナ、ジルコニア、コージェライト等の酸化物系セラミッ
クや炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム等の非酸化
物系セラミックを用いることができる。
【0010】サンドブラスト加工法により突起部を形成
する方法としては、例えば平坦なセラミック基材の表面
にブラストマスクを貼付け、露光、硬化、現像により必
要な形状にパターンニングしてセラミック基材の表面の
削り取る部分を露出させた後、該露出部分のみをサンド
ブラスト加工機で削り取り、残った部分、詳しくはブラ
ストマスクを貼付けた部分を突起部とする方法がある。
なお、上記において、ブラストマスクはセラミック基材
の表面に貼付けた後パターンニングした例で説明した
が、パターンニングした後セラミック基材の表面に貼付
けても差し支えない。
【0011】突起部を形成するのに用いられるブラスト
マスクは、ウレタン系、アクリル系等の紫外線感光性樹
脂をシート状にしたものを用いることが好ましい。突起
部先端の直径は、0.2〜1mmの範囲であることが好ま
しく、0.22〜0.8mmの範囲であることがさらに好
ましい。また高さは、30〜200μmの範囲であるこ
とが好ましく、50〜150μmの範囲であることがさ
らに好ましい。なお本発明において、ブラストマスクを
貼付ける前のセラミック基材の表面は、研削、ラッピン
グ等によって平面度を5μm以下になるように平坦に加
工しておくことが好ましい。平面度は、オプチカルフラ
ットを用いて測定することができる。
【0012】サンドブラスト加工に用いる砥粒について
は特に制限はなく、例えば炭化珪素、アルミナ等の平均
粒径が10〜250μm程度の大きさの砥粒を用いるこ
とができる。このサンドブラスト加工用の砥粒を100
〜500KPaの圧力でセラミック基材の表面に吹き付け
ることにより、ブラストマスクを貼付けた箇所は削られ
ずそのまま残り、それ以外の箇所は一定の深さに削ら
れ、所望の形状及び高さの突起部(ピン)を形成するこ
とができる。突起部の形状は、円錐形、円柱形、四角柱
形、四角錐形等が好ましい。
【0013】突起部先端のエッジ部分は、バレル研磨を
行うことにより曲面状にすることができる。バレル研磨
の方法については特に制限はないが、例えば遠心流動式
バレル研磨法、回転式バレル研磨法、振動式バレル研磨
法等の方法が挙げられる。バレル研磨に用いる研磨メデ
ィアについても特に制限はないが、その材質はアルミ
ナ、ジルコニア、炭化珪素等を主成分としたセラミック
を用いることが好ましい。研磨メディアの大きさについ
ては、セラミック基材の突起部の径が小さいため、直径
が0.1〜6mmの範囲の小さな研磨メディアを用いるこ
とが好ましい。
【0014】研磨メディアの他、適宜研磨砥粒をバレル
容器内に添加してもよい。研磨砥粒は、アルミナ、炭化
珪素、シリカ、セリア、ボロンカーバイト等のセラミッ
ク砥粒を用いることが好ましい。突起部先端の形状は、
最終的にはエッジ部分がなく、曲面状になっていればよ
く、例えばR5〜50μmの範囲であることが好まし
く、10〜30μmの範囲であることがさらに好まし
い。Rは(株)東京精密製の表面粗さ・輪部形状測定機を
用いて測定することができる。
【0015】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。 実施例1 平面度が5μm、直径が200mm及び厚さが10mmのセ
ラミック基材の表面にシート状の紫外線感光性樹脂
((株)不二製作所製のフジベースフィルム)を貼付けた
後、その上に所定のポジフイルムを載置し、その上部か
ら紫外線をあてて露光し、紫外線をあてた部のみを硬化
させ、次いで現像して紫外線の未露光部分の紫外線感光
性樹脂を除去し、所望の形状にパターンニングした紫外
線感光性樹脂を貼付け、部分的に表面を露出したセラミ
ック基材を得た。
【0016】次に、該セラミック基材の露出部分をサン
ドブラスト加工機を用いて、平均粒径が60μmの炭化
珪素砥粒を300KPaの圧力で、かつ横移動速度が0.
01m/秒及び縦移動速度が0.05m/秒の速度で1
5回吹き付け、その後紫外線感光性樹脂を剥離して図1
に示すように先端にエッジ部1を有する突起部2を12
00個形成した。なお得られた突起部2の先端の直径は
0.22〜0.26mmの範囲で、突起部2の高さは90
μmであった。
【0017】この後、突起部2を形成したセラミック基
材3を、水及び直径が3mmの炭化珪素製の研磨メディア
を入れた回転式バレル容器内に投入し、60min-1の回
転数で15時間回転して、突起部先端のエッジ部1を図
2に示すように曲面状に仕上げたセラミック基材3を得
た。図2において4は曲面状部である。なお曲面状部4
の任意の20箇所について形状測定を行ったところ、R
20〜30μmの範囲であった。
【0018】次いで、突起部先端をラップ加工により直
径が0.16〜0.20mmの範囲になるように研磨し、
さらに真空吸引用の貫通孔などを形成して、ウェーハ保
持用セラミック部材を得た。
【0019】実施例2 実施例1で行った回転式バレル研磨に変えて遠心流動式
研磨機を用い、180min-1の回転数で15分間回転し
てバレル研磨した以外は、実施例1と同様の工程を経
て、実施例1と同形状のウェーハ保持用セラミック部材
を得た。
【0020】
【発明の効果】本発明の方法により得られるウェーハ保
持用セラミック部材は、半導体ウェーハ、LCDガラス
基板、磁気ディスク基板等の搬送、保持部材等に適した
ウェーハ保持用セラミック部材である。
【図面の簡単な説明】
【図1】セラミック基材に形成された突起部を示す部分
拡大図である。
【図2】突起部先端のエッジ部を丸く加工した状態を示
す部分拡大図である。
【符号の説明】
1 エッジ部 2 突起部 3 セラミック基材 4 曲面状部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 セラミック基材の所定の位置にサンドブ
    ラスト加工法により突起部を形成し、かつ突起部先端の
    エッジ部分を曲面状に仕上げてウェーハ保持用セラミッ
    ク部材を製造する方法において、突起部先端のエッジ部
    分をバレル研磨により曲面状に仕上げることを特徴とす
    るウェーハ保持用セラミック部材の製造法。
JP2000090684A 2000-03-27 2000-03-27 ウェーハ保持用セラミック部材の製造法 Pending JP2001274227A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000090684A JP2001274227A (ja) 2000-03-27 2000-03-27 ウェーハ保持用セラミック部材の製造法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000090684A JP2001274227A (ja) 2000-03-27 2000-03-27 ウェーハ保持用セラミック部材の製造法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001274227A true JP2001274227A (ja) 2001-10-05

Family

ID=18606258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000090684A Pending JP2001274227A (ja) 2000-03-27 2000-03-27 ウェーハ保持用セラミック部材の製造法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001274227A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006147724A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Ngk Insulators Ltd 静電チャック及びその製造方法
JP2007258668A (ja) * 2006-02-23 2007-10-04 Kyocera Corp 試料保持具
JP2010016176A (ja) * 2008-07-03 2010-01-21 Kyocera Corp 試料保持具
JP2011082579A (ja) * 2006-02-23 2011-04-21 Kyocera Corp 試料保持具
JP2019044249A (ja) * 2017-09-06 2019-03-22 キヤノン株式会社 アライメント装置、および、成膜装置
JP2020013983A (ja) * 2018-05-16 2020-01-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 高温静電チャック

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08139169A (ja) * 1994-11-11 1996-05-31 Sumitomo Metal Ind Ltd ウエハ保持台用セラミックス部材の作製方法
JPH09283605A (ja) * 1996-04-09 1997-10-31 Canon Inc 基板の吸着保持装置およびその製造方法
JPH10242255A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Kyocera Corp 真空吸着装置
JPH10308643A (ja) * 1997-05-07 1998-11-17 Murata Mfg Co Ltd 電子部品

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08139169A (ja) * 1994-11-11 1996-05-31 Sumitomo Metal Ind Ltd ウエハ保持台用セラミックス部材の作製方法
JPH09283605A (ja) * 1996-04-09 1997-10-31 Canon Inc 基板の吸着保持装置およびその製造方法
JPH10242255A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Kyocera Corp 真空吸着装置
JPH10308643A (ja) * 1997-05-07 1998-11-17 Murata Mfg Co Ltd 電子部品

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006147724A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Ngk Insulators Ltd 静電チャック及びその製造方法
JP2007258668A (ja) * 2006-02-23 2007-10-04 Kyocera Corp 試料保持具
JP2011082579A (ja) * 2006-02-23 2011-04-21 Kyocera Corp 試料保持具
JP4722006B2 (ja) * 2006-02-23 2011-07-13 京セラ株式会社 試料保持具
JP2010016176A (ja) * 2008-07-03 2010-01-21 Kyocera Corp 試料保持具
JP2019044249A (ja) * 2017-09-06 2019-03-22 キヤノン株式会社 アライメント装置、および、成膜装置
JP2020013983A (ja) * 2018-05-16 2020-01-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 高温静電チャック

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0154610B1 (ko) 반도체기판의 연마방법 및 연마장치
EP0737546B1 (en) Apparatus for holding substrate to be polished and apparatus and method for polishing substrate
EP0147094B1 (en) Vacuum suction device
US4239567A (en) Removably holding planar articles for polishing operations
EP1205280B1 (en) Wafer polishing method and wafer polishing device
JP2002305168A (ja) 研磨方法及び研磨装置および半導体装置の製造方法
JP2000094307A (ja) ポリッシング装置
KR20010107745A (ko) 평탄화 가공 방법 및 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US20140120198A1 (en) Rectangular mold-forming substrate
JPH10180599A (ja) 薄板ワーク平面研削装置及び方法
JP3582116B2 (ja) ウエハ保持台用セラミックス部材の作製方法
JP2001274227A (ja) ウェーハ保持用セラミック部材の製造法
US6402594B1 (en) Polishing method for wafer and holding plate
JP3378015B2 (ja) 洗浄用スポンジローラ
KR101052325B1 (ko) Cmp 패드 컨디셔너 및 그 제조방법
CN108153111A (zh) 形成模板的衬底以及检测方法
JP2001293650A (ja) ウェーハ保持用セラミック部材の製造法
JP2016046326A (ja) モールド製造用構造体の製造方法、およびモールドの製造方法
JPH03173129A (ja) 研磨装置
JPH0417332A (ja) 半導体ウェーハの研磨方法
JPH08323615A (ja) 研磨装置
JPS6133831A (ja) 真空吸着装置
JPH0957611A (ja) 基板の研磨装置及び基板の研磨方法
JPH03251370A (ja) 超精密研削用ダイヤモンド砥石およびその製造法
JP2000271864A (ja) ウェーハの研磨方法および研磨ブロック

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070130

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090515

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090521

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100318