JP2021086989A - 真空チャック、及び接合装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の歪みを低減できる、技術を提供する。【解決手段】真空チャックは、基板との間に前記基板を吸引する吸引室を形成する第１プレートと、前記第１プレートの前記基板との対向面に設けられ、前記吸引室を複数の部屋に仕切るリブとを有する。前記リブは、前記基板と接触する網状の先端面を含む。【選択図】図１２

Description

本開示は、真空チャック、及び接合装置に関する。

特許文献１のチャックは、第１基板と第２基板を接合する接合装置に用いられる。そのチャックは、環状部分に２つの負圧通路を有し、負圧によって半導体基板を吸着する。また、そのチャックは、環状部分の内側に凹部を有し、凹部内に平面視で六角形の位置固定部材を複数有する。位置固定部材は、帯電可能であり、基板を局所的に変形させる。

特許文献２のチャックも、第１基板と第２基板を接合する接合装置に用いられる。そのチャックは、ピンチャックであって、基板の周縁部を支持する円環状の外側リブと、外側リブと同心円状の内側リブと、外側リブ及び内側リブと同じ高さの複数のピンとを有する。外側リブの内側の吸引領域は、内側リブで第１吸引領域と第２吸引領域とに区画される。第１吸引領域と第２吸引領域は、個別に負圧を制御する。

特開２０１８−４１９７１号公報 特開２０１８−９３０１８号公報

本開示の一態様は、基板の歪みを低減できる、技術を提供する。

本開示の一態様に係る真空チャックは、基板との間に前記基板を吸引する吸引室を形成する第１プレートと、前記第１プレートの前記基板との対向面に設けられ、前記吸引室を複数の部屋に仕切るリブとを有する。前記リブは、前記基板と接触する網状の先端面を含む。

本開示の一態様によれば、基板の歪みを低減できる。

図１は、一実施形態に係る接合装置を含む接合システムを示す平面図である。 図２は、図１の接合システムを示す側面図である。 図３は、図１の接合システムで接合される第１基板と第２基板を示す側面図である。 図４は、一実施形態に係る接合システムの動作を示すフローチャートである。 図５は、一実施形態に係る接合装置を示す側面断面図である。 図６は、図５の接合装置の動作を示す側面断面図である。 図７は、図６に続き、図５の接合装置の動作を示す側面断面図である。 図８は、一実施形態に係る真空チャックを示す平面図である。 図９は、図８のリブの網目形状を示す平面図である。 図１０は、変形例に係るリブの網目形状を示す平面図である。 図１１は、一実施形態に係る真空チャックの吸引室のゾーンを示す平面図である。 図１２は、一実施形態に係る真空チャックを示す断面図であって、図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿った断面図である。

特許文献２のチャックは、上記の通り、ピンチャックであって、基板の周縁部を支持する円環状の外側リブと、外側リブと同心円状の内側リブと、外側リブ及び内側リブと同じ高さの複数のピンとを有する。外側リブの内側の吸引領域は、内側リブで第１吸引領域と第２吸引領域とに区画される。第１吸引領域と第２吸引領域は、個別に負圧を制御する。なお、内側リブの形状は、同心円状には限定されず、例えば放射状でもよい。

内側リブとピンは、同じ高さを有するように、同時に研磨される。しかし、内側リブとピンとで、研磨レートが異なり、高低差が生じる。その高低差は、吸着時に基板が歪む原因になる。また、内側リブとピンは、仮に高さが同じでも、太さが異なるので、剛性が異なる。剛性の差は、吸着時の高さ方向の縮み量の差になるので、吸着時に基板が歪む原因になる。更に、内側リブは局所的に配置されるので、基板の歪みが偏在する。

本開示の真空チャックは、基板との間に基板を吸引する吸引室を形成する第１プレートと、第１プレートの基板との対向面に設けられ、吸引室を複数の部屋に仕切るリブとを有する。リブは、基板と接触する網状の先端面を含む。網状の先端面で基板を等方的に支持するので、基板の歪みを低減できる。また、リブで基板を全体的に支持でき、ピンの使用数を削減でき、基板の歪みを低減できる。ピンの使用数をゼロにすることも可能である。

以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。本明細書において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向である。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。

図１に示す接合システム１は、図３に示す第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａと第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａを向い合せ、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２を接合し、重合基板Ｔを形成する。第１基板Ｗ１は、シリコンウェハなどの半導体基板を含み、更に半導体素子などのデバイスを複数含んでもよい。複数のデバイスは、行列状に配列され、複数のチップに分割される。なお、半導体基板の代わりに、ガラス基板が用いられてもよい。第２基板Ｗ２も、第１基板Ｗ１と同様に構成される。

図１に示すように、接合システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３と、制御装置９とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは、この順番で、Ｘ軸方向負側からＸ軸方向正側に並ぶ。

搬入出ステーション２は載置台２１備え、載置台２１は複数の載置板２２を備える。複数の載置板２２には、複数のカセットＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４が載置される。例えば、カセットＣ１は第１基板Ｗ１を収容し、カセットＣ２は第２基板Ｗ２を収容し、カセットＣ３は重合基板Ｔの良品を収容し、カセットＣ４は重合基板Ｔの不良品を収容する。なお、載置板２２の数は特に限定されない。同様に、カセットＣ１〜Ｃ４の数も特に限定されない。

搬入出ステーション２は第１搬送領域２３を備え、第１搬送領域２３は載置台２１に隣接しており載置台２１のＸ軸方向正側に配置される。第１搬送領域２３には、第１搬送装置２４が設けられる。第１搬送装置２４は搬送アームを有し、搬送アームは水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）及び鉛直方向に移動し、鉛直軸を中心に旋回する。搬送アームは、複数のカセットＣ１〜Ｃ４と、後述の第３処理ブロックＧ３との間で、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２及び重合基板Ｔの搬送を行う。

処理ステーション３は、例えば第１処理ブロックＧ１と、第２処理ブロックＧ２と、第３処理ブロックＧ３と、第２搬送領域３１とを備える。第２搬送領域３１は、第１処理ブロックＧ１と第２処理ブロックＧ２と第３処理ブロックＧ３とに隣接しており、第１処理ブロックＧ１のＹ軸方向負側、第２処理ブロックＧ２のＹ軸方向正側、第３処理ブロックＧ３のＸ軸方向正側に配置される。

第２搬送領域３１には、第２搬送装置３２が配置される。第２搬送装置３２は搬送アームを有し、搬送アームは水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）及び鉛直方向に移動し、鉛直軸を中心に旋回する。搬送アームは、第１処理ブロックＧ１と、第２処理ブロックＧ２と、第３処理ブロックＧ３との間で、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２及び重合基板Ｔの搬送を行う。搬送アームの数は、１つでも複数でもよい。

第１処理ブロックＧ１には、図２に示すように、表面改質装置３３と、表面親水化装置３４とが配置される。なお、図２において、第１処理ブロックＧ１の装置を図示すべく、図１に示す第２処理ブロックＧ２の装置、及び第２搬送装置３２の図示を省略する。第１処理ブロックＧ１の装置の種類及び配置は、図２に示すものには限定されない。例えば、表面改質装置３３と、表面親水化装置３４とは、上下逆に配置されてもよい。

表面改質装置３３は、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａを改質する。例えば、表面改質装置３３は、接合面Ｗ１ａのＳｉＯ_２の結合を切断し、Ｓｉの未結合手を形成し、接合面Ｗ１ａの親水化を可能にする。表面改質装置３３では、例えば減圧雰囲気下において処理ガスである酸素ガスが励起されてプラズマ化され、イオン化される。酸素イオンが接合面Ｗ１ａに照射され、接合面Ｗ１ａが改質される。処理ガスは、酸素ガスには限定されず、例えば窒素ガスなどでもよい。表面改質装置３３は、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａと同様に、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａも改質する。表面改質装置３３の数は複数でもよく、第１基板Ｗ１用のものと第２基板Ｗ２用のものとが別々に配置されてもよい。

表面親水化装置３４は、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａを親水化する。例えば、表面親水化装置３４は、スピンチャックで第１基板Ｗ１を保持し、スピンチャックと共に回転する第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａにＤＩＷ（脱イオン水）などの純水を供給する。接合面Ｗ１ａのＳｉの未結合手にＯＨ基が付き、接合面Ｗ１ａが親水化される。表面親水化装置３４は、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａと同様に、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａも親水化する。表面親水化装置３４の数は複数でもよく、第１基板Ｗ１用のものと第２基板Ｗ２用のものとが別々に配置されてもよい。

第２処理ブロックＧ２には、図１に示すように、接合装置３５が配置される。第２処理ブロックＧ２の装置の種類及び配置は、図１に示すものには限定されない。

接合装置３５は、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａと第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａとを向い合せ、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２を接合する。第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２は、ファンデルワールス力（分子間力）及びＯＨ基同士の水素結合などで接合される。その後、接合強度を高めるべく、加熱処理が実施されてもよい。加熱処理によって、脱水反応が生じる。接合装置３５の詳細は、後述する。

第３処理ブロックＧ３には、図２に示すように、第１トランジション装置３６と、第２トランジション装置３７と、第３トランジション装置３８とが配置される。第１トランジション装置３６は、第１基板Ｗ１を一時的に保管する。第２トランジション装置３７は、第２基板Ｗ２を一時的に保管する。第３トランジション装置３８は、重合基板Ｔを一時的に保管する。なお、第３処理ブロックＧ３の装置の種類及び配置は、特に限定されない。

制御装置９は、例えばコンピュータであり、図１に示すように、ＣＰＵ（Central Processing Unit）９１と、メモリなどの記憶媒体９２とを備える。記憶媒体９２には、接合システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置９は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、接合システム１の動作を制御する。

次に、図４を参照して、上記接合システム１の動作、つまり、接合方法について説明する。図４に示す処理は、制御装置９による制御下で実施される。

先ず、第１基板Ｗ１を収容したカセットＣ１、第２基板Ｗ２を収容したカセットＣ２、及び空のカセットＣ３、Ｃ４が、搬入出ステーション２の所定の載置板２２に載置される。第１基板Ｗ１は、その接合面Ｗ１ａを上に向けて、カセットＣ１に収容される。第２基板Ｗ２も、その接合面Ｗ２ａを上に向けて、カセットＣ２に収容される。

次に、第１搬送装置２４が、カセットＣ１内の第１基板Ｗ１を取り出し、第１トランジション装置３６に搬送する。続いて、第２搬送装置３２が、第１トランジション装置３６から第１基板Ｗ１を受け取り、表面改質装置３３に搬送する。

次に、表面改質装置３３が、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａを改質する（図４のＳ１）。その後、第２搬送装置３２が、第１基板Ｗ１を、表面改質装置３３から表面親水化装置３４に搬送する。

次に、表面親水化装置３４が、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａを親水化する（図４のＳ２）。その後、第２搬送装置３２が、第１基板Ｗ１を、表面親水化装置３４から接合装置３５に搬送する。

次に、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の接合（図４のＳ６）が行われる前に、後述するように、第２基板Ｗ２の改質（図４のＳ３）、親水化（図４のＳ４）、及び上下反転（図４のＳ５）が行われる。

先ず、第１搬送装置２４が、カセットＣ２内の第２基板Ｗ２を取り出し、第２トランジション装置３７に搬送する。続いて、第２搬送装置３２が、第２トランジション装置３７から第２基板Ｗ２を受け取り、表面改質装置３３に搬送する。

次に、表面改質装置３３が、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａを改質する（図４のＳ３）。その後、第２搬送装置３２が、第２基板Ｗ２を、表面改質装置３３から表面親水化装置３４に搬送する。

次に、表面親水化装置３４が、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａを親水化する（図４のＳ４）。その後、第２搬送装置３２が、第２基板Ｗ２を、表面親水化装置３４から接合装置３５に搬送する。

その後、接合装置３５が、第２基板Ｗ２を上下反転し、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａを下に向ける（図４のＳ５）。なお、第２基板Ｗ２を上下反転する反転装置は、本実施形態では接合装置３５の内部に設けられるが、接合装置３５の外部に設けられてもよい。

次に、接合装置３５は、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａと第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａを向い合せ、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２を接合する（図４のＳ６）。第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２を含む重合基板Ｔが得られる。

その後、第２搬送装置３２が、重合基板Ｔを、接合装置３５から第３トランジション装置３８に搬送する。続いて、第１搬送装置２４が、第３トランジション装置３８から重合基板Ｔを受け取り、カセットＣ３に収納する。その後、重合基板Ｔは、カセットＣ３と共に接合システム１の外部に搬出され、複数のチップに分割される。

なお、本実施形態では、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との接合前に、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａと第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａとの両方が、改質され、親水化されるが、本開示の技術はこれに限定されない。第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａと第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａとの一方のみが、改質され、親水化されてもよい。

次に、図５、図６及び図７を参照して、接合装置３５の詳細について説明する。接合装置３５は、第１チャック５０と、第２チャック６０と、押圧部７０とを有する。第１チャック５０は、第１基板Ｗ１を保持する。第２チャック６０は、第２基板Ｗ２を保持し、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の間に予め設定されたギャップＧを形成する。押圧部７０は、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２を接合すべく、第２チャック６０で保持された第２基板Ｗ２を変形させる。第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａは、下に凸の曲面に変形され、中心から周縁に向けて徐々に接合され、最終的に平坦面に戻る。

第１チャック５０は、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａを上に向けて、第１基板Ｗ１を下方から水平に保持する。第１チャック５０は、第１基板Ｗ１を真空吸着する真空チャックである。第１チャック５０は、第１基板Ｗ１の歪みを制御すべく、個別に負圧の制御が行われる複数のゾーンを有してもよい。第１チャック５０の詳細は、後述する。

第２チャック６０は、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａを下に向けて、第２基板Ｗ２を上方から水平に保持する。第２チャック６０は、第２基板Ｗ２を真空吸着する真空チャックである。第２チャック６０は、第２基板Ｗ２の吸着を第２基板Ｗ２の中心から周縁に向けて段階的に解除すべく、個別に負圧の制御が行われる複数のゾーンを有してもよい。

押圧部７０は、第２基板Ｗ２の中心を上方から押圧する。押圧部７０は、押圧ピン７１と、アクチュエータ７２と、昇降機構７３とを有する。押圧ピン７１は、第２チャック６０の中心部を鉛直方向に貫通する貫通穴に配置される。アクチュエータ７２は、例えば電空レギュレータから供給される空気により、一定の力で押圧ピン７１を下方に押圧する。昇降機構７３は、第２チャック６０に対して固定され、アクチュエータ７２を昇降させる。

次に、接合装置３５の動作について説明する。接合装置３５は、制御装置９による制御下で下記の動作を行う。

先ず、図５に示すように、接合装置３５は、第２チャック６０で第２基板Ｗ２の径方向全体を吸着すると共に、第１チャック５０で第１基板Ｗ１の径方向全体を吸着する。第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２は、それぞれ、平坦に吸着される。第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａと第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａのギャップＧは、例えば５０μｍ〜２００μｍである。

次に、図６に示すように、接合装置３５は、第２基板Ｗ２の中央の吸着を解除すると共に、押圧部７０で第２基板Ｗ２の中心を上方から押圧する。これにより、第２基板Ｗ２の中心が第１基板Ｗ１の中心に接触し、接合が始まる。その後、第２基板Ｗ２と第１基板Ｗ１とは、中心から周縁に向けて徐々に接合される。

最後に、図７に示すように、接合装置３５は、押圧部７０で第２基板Ｗ２の中心を第１基板Ｗ１の中心に押し付けた状態で、第２基板Ｗ２の周縁の吸着を解除する。第２基板Ｗ２の周縁の吸着を解除すると、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ１ａと第１基板Ｗ１の接合面Ｗ２ａが全面で当接し、第２基板Ｗ２と第１基板Ｗ１が接合される。その後、接合装置３５は、第１基板Ｗ１の吸着を解除する。

次に、図８〜図１２を参照して、第１チャック５０の詳細について説明する。第１チャック５０は、図１２に示すように、第１プレート５１と、リブ５２とを有する。第１プレート５１は、第１基板Ｗ１との間に第１基板Ｗ１を吸引する吸引室Ｒを形成する。リブ５２は、第１プレート５１の第１基板Ｗ１との対向面５１ａに設けられ、吸引室Ｒを複数の部屋Ｒａに仕切る。

リブ５２は、第１基板Ｗ１と接触する網状の先端面５２ａを含む。網状の先端面５２ａで第１基板Ｗ１を等方的に支持するので、第１基板Ｗ１の歪みを低減できる。また、リブ５２で第１基板Ｗ１を全体的に支持でき、特許文献２の技術に比べてピンの使用数を削減でき、第１基板Ｗ１の歪みを低減できる。ピンの使用数をゼロにすることも可能である。平面視にてリブ５２の輪郭で囲まれる面積は、例えば第１基板Ｗ１の主面の面積の８０％以上１２０％以下である。

平面視で、リブ５２の網目形状は、例えば図８及び図９に示す正六角形、図１０に示す正三角形、又は正四角形である。平面視でリブ５２の網目形状が正三角形、正四角形、又は正六角形であれば、平面視でリブ５２の網目を吸引室Ｒに隙間なく敷き詰めることができ、第１基板Ｗ１をより等方的に支持でき、第１基板Ｗ１の歪みをより低減できる。

図９に示すように平面視でリブ５２の網目形状が正六角形であれば、正六角形の一辺に作用する応力を、残りの五辺から五方向に応力を分散できる。図１０に示すように平面視でリブ５２の網目形状が正三角形であって、正三角形の一辺に作用する応力を残りの二辺から二方向に応力を分散する場合に比べて、応力を等方的に分散でき、リブ５２の変形を抑制できる。

平面視にて、リブ５２の網目の円相当直径Ｄは、例えば２ｍｍ〜１０ｍｍ、好ましくは４ｍｍ〜１０ｍｍである。円相当直径が２ｍｍ以上であれば、後述の吸引孔５１ｂの加工が容易である。円相当直径Ｄは、接合後の切断によって得られるチップの円相当直径よりも小さくてもよい。リブ５２の網目をチップよりも密に配置でき、複数のチップ間で歪みを同程度に制御できる。

平面視にて、リブ５２の先端面５２ａの幅Ｗは、例えば０．０５ｍｍ〜１ｍｍである。幅Ｗが０．０５ｍｍ以上であれば、加工が容易である。また、幅Ｗが１ｍｍ以下であれば、リブ５２の網の太さが細いので、リブ５２の網模様が吸着時に第１基板Ｗ１に表れるのを抑制できる。

リブ５２の高さＨは、例えば５０μｍ〜２５０μｍである。高さＨが２５０μｍ以下であれば、ブラスト加工でリブ５２を容易に作製できる。また、高さＨが５０μｍ以上であれば、第１基板Ｗ１と第１プレート５１の接触を防止できる。

図１２に示すように、リブ５２は、高さ方向に積層される基部５３と先端部５４とを有してもよい。先端部５４は、基部５３の第１基板Ｗ１との対向面５３ａに設けられ、第１基板Ｗ１に接触する。先端部５４は、平面視にて基部５３よりも狭い幅Ｗを有する。リブ５２の剛性の低下を抑制しつつ、リブ５２の先端面５２ａの幅Ｗを狭窄できる。

リブ５２は、例えばブラスト加工などで第１プレート５１と一体に作製される。ブラスト加工では、網状のマスクで素板を保護し、マスクの網目を介して粒状の研削材を素板の表面に打ち付け、素板の表面を網目状に削る。先ず、基部５３と同じ線幅の網状のマスクを用いてブラスト加工を実施し、次いで、先端部５４と同じ線幅の網状のマスクを用いてブラスト加工を実施する。先端部５４は、ブラスト加工の代わりに、レーザ加工で作製されてもよい。レーザ加工は、基部５３の作製にも適用可能である。

なお、リブ５２は、本実施形態では第１プレート５１と一体に作製されるが、第１プレート５１とは別に作製されてもよい。後者の場合、リブ５２は、ボルト又は接着剤などで第１プレート５１に着脱自在に取付けられてもよい。リブ５２を交換でき、リブ５２の網目の形状又は寸法を容易に変更できる。

第１プレート５１は、第１基板Ｗ１との対向面５１ａに、吸引室Ｒに連通する吸引孔５１ｂを含む。吸引室Ｒを構成する複数の部屋Ｒａのそれぞれに、吸引孔５１ｂが配置される。複数の部屋Ｒａのそれぞれに負圧を供給すべく、網状のリブ５２に横穴を加工する場合に比べて、加工が容易である。

第１チャック５０は、第１プレート５１を基準としてリブ５２とは反対側に、第２プレート５５を更に有してもよい。第２プレート５５は、吸引孔５１ｂを介して吸引室Ｒに負圧を供給する複数の負圧供給路Ｌ１〜Ｌ５を含む。複数の負圧供給路Ｌ１〜Ｌ５は異なる外部ラインに接続され、複数の外部ラインのそれぞれの途中に圧力制御器５７が設けられる。圧力制御器５７は負圧を制御する。複数の外部ラインのそれぞれの端には、真空ポンプなどの負圧発生源５８が設けられる。

図１１に示すように、吸引室Ｒは、負圧が個別に制御される複数のゾーンを含み、例えば５つのゾーンＡ１〜Ａ５を含む。第１基板Ｗ１は例えば単結晶シリコンウェハを含む。単結晶シリコンウェハのヤング率、ポアソン比、及びせん断弾性係数は、第１基板Ｗ１の周方向に９０°周期で変化する。

そこで、２つのゾーンＡ１、Ａ２は、第１基板Ｗ１の周方向に交互に繰り返し配置され、それぞれ９０°周期で配置され、円環状の第１ゾーン群Ｂ１を形成する。なお、第１ゾーン群Ｂ１を構成する２つのゾーンＡ１、Ａ２は、それぞれ４５°周期で配置されてもよい。また、第１ゾーン群Ｂ１を構成するゾーンの数は２つには限定されず、３つ以上でもよい。

第１ゾーン群Ｂ１の内側にて、他の２つのゾーンＡ３、Ａ４は、第１基板Ｗ１の周方向に交互に繰り返し配置され、それぞれ９０°周期で配置され、円環状の第２ゾーン群Ｂ２を形成する。第２ゾーン群Ｂ２は、第１ゾーン群Ｂ１と同心円状に配置される。なお、第２ゾーン群Ｂ２を構成する２つのゾーンＡ３、Ａ４は、それぞれ４５°周期で配置されてもよい。また、第２ゾーン群Ｂ２を構成するゾーンの数は２つには限定されず、３つ以上でもよい。

第２ゾーン群Ｂ２の内側に、残りのゾーンＡ５が配置される。ゾーンＡ５は、例えば円状であって、第１ゾーン群Ｂ１及び第２ゾーン群Ｂ２と同心円状に配置される。なお、本実施形態の吸引室Ｒは第１基板Ｗ１の径方向に３つのゾーンに分割されるが、４つ以上のゾーンに分割されてもよい。つまり、第２ゾーン群Ｂ２と、ゾーンＡ５との間に、第３ゾーン群が配置されてもよい。

図１２に示すように、複数の負圧供給路Ｌ１〜Ｌ５は、互いに交差しないように独立に形成される。吸引孔５１ｂは、第１プレート５１を貫通しており、ゾーンＡ１〜Ａ５毎に異なる負圧供給路Ｌ１〜Ｌ５につながる。例えば、ゾーンＡ１の吸引孔５１ｂは負圧供給路Ｌ１に、ゾーンＡ２の吸引孔５１ｂは負圧供給路Ｌ２に、ゾーンＡ３の吸引孔５１ｂは負圧供給路Ｌ３に、ゾーンＡ４の吸引孔５１ｂは負圧供給路Ｌ４に、ゾーンＡ５の吸引孔５１ｂは負圧供給路Ｌ５につながる。ゾーンＡ１〜Ａ５毎に負圧を制御でき、第１基板Ｗ１の歪みを低減できる。

第２プレート５５は、第１プレート５１とは別に作製されてもよい。第２プレート５５は、ボルト又は接着剤などで第１プレート５１に着脱自在に取付けられてもよい。第２プレート５５を交換でき、第２プレート５５の負圧供給路のパターンを変更でき、ゾーンのパターンを容易に変更できる。

本実施形態によれば、ゾーンのパターンの変更を、第２プレート５５の負圧供給路のパターンの変更で実現できるので、リブ５２のパターンを変更せずに済む。その分、第１チャック５０の製造にかかる時間を短縮でき、コストも低減できる。

第２プレート５５は、複数の分割プレートを積層したものであってもよい。第２プレート５５を複数の分割プレートに分割し、分割プレート毎に溝加工又は穴加工を実施できるので、複数の負圧供給路Ｌ１〜Ｌ５の加工が容易である。

なお、負圧供給路の数は、ゾーンの数と同数であればよく、５つには限定されない。また、吸引室Ｒが複数のゾーンに分割されない場合、吸引室Ｒの全体に同一の負圧を供給すればよいので、負圧供給路の数は１つであればよい。

第１チャック５０は、図８に示すように、第１基板Ｗ１の周縁を支持するリング５６を更に有してもよい。リング５６の内側に、平面視で網状のリブ５２が配置される。なお、本実施形態の第１チャック５０はリング５６を有するが、リング５６は無くてもよく、リブ５２のみで第１基板Ｗ１を支持することも可能である。

なお、第２チャック６０も、第１チャック５０と同様に構成されてもよい。但し、第２チャック６０の中心部には、上記の通り貫通穴が形成される。その貫通穴には、押圧ピン７１が配置される。

以上、本開示に係る真空チャック、及び接合装置の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。

５０ 第１チャック（真空チャック）
５１ 第１プレート
５２ リブ
５２ａ 先端面

Claims (10)

1. 基板との間に前記基板を吸引する吸引室を形成する第１プレートと、
   前記第１プレートの前記基板との対向面に設けられ、前記吸引室を複数の部屋に仕切るリブとを有し、
   前記リブは、前記基板と接触する網状の先端面を含む、真空チャック。
2. 平面視で、前記リブの網目形状は、正三角形、正四角形、又は正六角形である、請求項１に記載の真空チャック。
3. 平面視で、前記リブの網目形状は、正六角形である、請求項２に記載の真空チャック。
4. 前記リブは、前記第１プレートに対して着脱自在である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の真空チャック。
5. 前記第１プレートは、前記基板との対向面に、前記吸引室に連通する吸引孔を含み、
   複数の前記部屋のそれぞれに、前記吸引孔が配置される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の真空チャック。
6. 前記第１プレートを基準として前記リブとは反対側に、前記吸引孔を介して前記吸引室に負圧を供給する負圧供給路を含む第２プレートを有し、
   前記吸引孔は、前記第１プレートを貫通しており、前記負圧供給路につながる、請求項５に記載の真空チャック。
7. 前記吸引室は複数のゾーンを含み、
   前記第２プレートは前記負圧供給路を複数含み、複数の前記負圧供給路は互いに交差しないように独立に形成され、
   前記吸引孔は、ゾーン毎に異なる前記負圧供給路につながる、請求項６に記載の真空チャック。
8. 複数の前記ゾーンは、前記基板の径方向又は周方向に配列される、請求項７に記載の真空チャック。
9. 前記第２プレートは、前記第１プレートに対して着脱自在である、請求項６〜８のいずれか１項に記載の真空チャック。
10. 第１基板を保持する第１チャックと、
    前記第１基板と接合される第２基板を保持し、前記第１基板と前記第２基板との間に予め設定されたギャップを形成する第２チャックと、
    前記第１基板と前記第２基板とを接合すべく、前記第２チャックで保持された前記第２基板を変形させる押圧部と
    を備え、
    前記第１チャック又は前記第２チャックは、請求項１〜９のいずれか１項に記載の真空チャックである、接合装置。

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