JP6568781B2 - 基板保持方法、基板保持装置、処理方法及び処理装置 - Google Patents
基板保持方法、基板保持装置、処理方法及び処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6568781B2 JP6568781B2 JP2015229657A JP2015229657A JP6568781B2 JP 6568781 B2 JP6568781 B2 JP 6568781B2 JP 2015229657 A JP2015229657 A JP 2015229657A JP 2015229657 A JP2015229657 A JP 2015229657A JP 6568781 B2 JP6568781 B2 JP 6568781B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- suction
- stage
- holding
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
まず、前記基板の中央部分を、前記中央領域に吸着させ、
次に、前記周辺領域の一つに、前記基板の周縁部の一部分を吸着させ、
次に、前記基板の周縁部の一部分を吸着させた前記周辺領域に隣接する、一つ又は二つの周辺領域に、前記基板の周縁部の別の部分を吸着させ、
さらに、前記基板の周縁部の別の部分を吸着させた周辺領域に隣接する周辺領域に、前記基板のさらに別の部分を吸着させることを、順次、繰り返してもよい。
まず、前記基板の中央部分を、前記中央領域に吸着させ、
次に、前記周辺領域の二つに、それぞれ、前記基板の周縁部を部分的に吸着させ、
次に、前記基板の周縁部を部分的に吸着させた前記周辺領域に隣接する複数の周辺領域に、それぞれ、前記基板の周縁部の別の部分を吸着させ、
さらに、前記基板の周縁部の別の部分を吸着させた複数の周辺領域に隣接する複数の周辺領域に、それぞれ、前記基板のさらに別の部分を吸着させることを、順次、繰り返してもよい。
前記周辺領域の中の面積が小さい領域から面積が大きな領域へ、順次、前記基板の周縁部を部分的に吸着させていくようにしてもよい。
前記複数の領域は、前記基板の中央部分に対応する中央領域と、前記基板の周縁部に対応し、前記中央領域を囲む複数の周辺領域と、を含んでいてもよく、
前記複数の周辺領域は、異なる面積を有する2つ以上の周辺領域を含んでいてもよい。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係るプローブ装置100の外観構成を示す斜視図である。図2は、図1のプローブ装置100の内部構造の概略を示す斜視図である。
本体1は、内部が空洞の筐体であり、ステージ7を収容する。本体1の天井部1aには、開口部1bが形成されている。開口部1bは、ステージ7に載置されたウエハWの上方に位置しており、この開口部1bに、多数のプローブ針を有する円板状のプローブカード(図示省略)を保持する略円板状のプローブカードホルダ(図示省略)が係合する。このプローブカードホルダによって、プローブカードは、ステージ7に載置されたウエハWと対向して配置される。
ローダー部3は、搬送容器であるフープ(図示省略)に収容されているウエハWを取り出して本体1のステージ7へ搬送する。また、ローダー部3は、デバイスの電気的特性の検査が終了したウエハWをステージ7から受け取り、フープへ収容する。
テストヘッド5は、直方体形状をなし、本体1に設けられたヒンジ機構11によって上方向へ回動可能に構成されている。テストヘッド5は、上方から本体1を覆った状態で、図示しないコンタクトリングを介してプローブカードと電気的に接続される。テストヘッド5は、プローブカードから伝送されるデバイスの電気的特性を示す電気信号を測定データとして記憶するとともに、測定データに基づいてデバイスの電気的な欠陥の有無を判定する機能を有している。
図2に示すように、ステージ7は、基台20上に配置されており、図中に示すX方向に沿って移動するX方向移動ユニット21と、図中に示すY方向に沿って移動するY方向移動ユニット23と、図中に示すZ方向に沿って移動するZ方向移動ユニット25とを有している。また、ステージ7は、ウエハWを吸着保持するバキュームチャック機構60を有している。ステージ7の上面は、バキュームチャック機構60によってウエハWを吸引して保持する保持面7aとなっている。バキュームチャック機構60の詳細な構成については後述する。また、ステージ7は、図示しないヒーターが設けられており、保持面7aの温度を例えば25℃〜200℃の範囲内に調節できるように構成されている。
また、本体1の内部には、下部撮像ユニット35が配置されている。ここで、下部撮像ユニット35は、プローブカードに形成されたプローブ針を撮像する。下部撮像ユニット35は、ステージ7に固定されており、ステージ7とともにX方向、Y方向及びZ方向に移動する。
また、本体1の内部において、ステージ7の上方には、アライメントユニット41が配置されている。アライメントユニット41は、図示しない駆動部によって、図2中、Y方向に移動可能に構成されている。アライメントユニット41は、ステージ7や下部撮像ユニット35と対向する水平面に沿う下面を有している。
アライメントユニット41には、上部撮像ユニット43が設けられている。上部撮像ユニット43は、ステージ7上に載置されたウエハWに形成されたデバイスの電極を撮像する。
アライメントユニット41には、ステージ7に載置されたウエハWの上面へ向けてガスを噴射するガス噴射装置45が設けられている。ガス噴射装置45は、ウエハWの上面に例えば乾燥空気などのガスを噴射する。ガス噴射装置45は、バキュームチャック機構60によって、ウエハWをステージ7に吸着保持させる際に、吸着を容易にする吸着補助手段である。そして、バキュームチャック機構60を有するステージ7及びガス噴射装置45は、本発明における基板保持装置として、協働してウエハWの保持面7aへの吸着保持を行う。ガス噴射装置45の詳細な構成については後述する。
次に、ステージ7におけるバキュームチャック機構60について、図3〜図6を参照しながら説明する。図3は、ステージ7の上面である保持面7aの平面図である。図4は、図3のIV−IV線矢視におけるステージ7の上部の断面図である。図5は、図4中の破線で囲むA部の拡大図である。バキュームチャック機構60は、ステージ7の保持面7aに設けられた吸引溝7bと、吸引溝7bに接続する吸気路63と、吸気路63の他端側に接続する真空ポンプ70と、を備えている。
次に、図7を参照しながら、ガス噴射装置45の詳細な構成について説明する。図7は、ガス噴射装置45とステージ7に保持されたウエハWとの位置関係を示す説明図である。本実施の形態において、ガス噴射装置45は、ウエハWの上面に向かって部分的にガスを噴射する複数のノズル81(例えば3つ)と、各ノズル81を支持するノズルプレート83と、各ノズル81に接続されてノズル81へガスを供給する配管85と、該配管85の他端側に接続されたガス源87と、を備えている。配管85の途中には、流量制御のためのマスフローコントローラ(MFC)89と開閉バルブ91が設けられている。ガスとしては、例えば乾燥空気、窒素ガス、希ガスなどを挙げることができる。各ノズル81は、配管85が分岐した分岐管85A〜85Cを介してガス源87へ接続されている。各分岐管85A〜85Cには、それぞれ開閉バルブ93A〜93Cが設けられている。
制御部50は、プローブ装置100の各構成部の動作を制御する。制御部50は、典型的にはコンピュータである。図9は、制御部50のハードウェア構成の一例を示している。制御部50は、主制御部201と、キーボード、マウス等の入力装置202と、プリンタ等の出力装置203と、表示装置204と、記憶装置205と、外部インターフェース206と、これらを互いに接続するバス207とを備えている。主制御部201は、CPU(中央処理装置)211、RAM(ランダムアクセスメモリ)212およびROM(リードオンリメモリ)213を有している。記憶装置205は、情報を記憶できるものであれば、その形態は問わないが、例えばハードディスク装置または光ディスク装置である。また、記憶装置205は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体215に対して情報を記録し、また記録媒体215より情報を読み取るようになっている。記録媒体215は、情報を記憶できるものであれば、その形態は問わないが、例えばハードディスク、光ディスク、フラッシュメモリなどである。記録媒体215は、本実施の形態のプローブ装置100において行われるプローブ方法のレシピを記録した記録媒体であってもよい。
次に、本発明の実施の形態に係るウエハWの保持方法について説明する。まず、図10を参照して、ステージ7の保持面7aの吸引領域61A〜61Iと、そこに吸着されるウエハWの部位との関係について説明する。ここでは、ステージ7の吸引領域61Aに吸着されるウエハWの一部分を部位PAとする。同様に、ウエハWにおいて、それぞれ、吸引領域61Bに吸着される部分を部位PB、吸引領域61Cに吸着される部分を部位PC、吸引領域61Dに吸着される部分を部位PD、吸引領域61Eに吸着される部分を部位PE、吸引領域61Fに吸着される部分を部位PF、吸引領域61Gに吸着される部分を部位PG、吸引領域61Hに吸着される部分を部位PH、吸引領域61Iに吸着される部分を部位PIとする。
図11は、本発明の実施の形態に係るウエハWの保持方法の手順の一例を説明するフロー図である。本手順は、ステップS1〜ステップS10の処理を含んでいる。まず、準備段階として、図示しない搬送装置によって、ウエハWをステージ7の保持面7aに載置する。
ステップS1では、ウエハWの中央部である部位PIを吸引領域61Iに吸着させる。まず、ガス噴射装置45のいずれか1つのノズル81をウエハWの部位PIの直上まで移動させる。次にノズル81からウエハWの部位PIに向けてガスを噴射しながら、真空ポンプ70を作動させる。このとき、切替バルブ65Iを切り替えることによって、吸引領域61I内の吸引溝7bを負圧にするが、吸引領域61A〜61H内の吸引溝7bは大気開放状態のままにする。ウエハWの中央部である部位PIは、上方から噴射されるガス圧に補助されながら、裏面側が負圧になるため、下方の吸引領域61Iに吸着される。
次に、ステップS2では、ウエハWの部位PIに隣接する周縁部の部位PAをステージ7の吸引領域61Aに吸着させる。まず、ガス噴射装置45のいずれか1つのノズル81をウエハWの部位PAの直上まで移動させる。次にノズル81からウエハWの部位PAに向けてガスを噴射しながら、切替バルブ65Aを切り替えることによって、吸引領域61A内の吸引溝7bを負圧にする。このとき、吸引領域61B〜61H内の吸引溝7bは大気開放状態のままにする。なお、吸引領域61I内の吸引溝7bは、ステップS1と同様に負圧のまま維持される。ウエハWの周縁部の部位PAは、上方から噴射されるガス圧に補助されながら、裏面側が負圧になるため、下方の吸引領域61Aに吸着される。
次に、ステップS3では、ウエハWの部位PAに隣接する周縁部の部位PBをステージ7の吸引領域61Bに吸着させる。具体的手順は、ノズル81をウエハWの部位PBの直上まで移動させてガスを噴射するとともに、切替バルブ65Bを切り替えて吸引領域61B内の吸引溝7bを負圧にする点以外は、ステップS2と同様である。
次に、ステップS4〜ステップS9では、順次、吸引領域61C、61D、61E、61F、61G、61Hの順に、前のステップで吸着させたウエハWの部位に隣接する周縁部の部位をステージ7の吸引領域に吸着させていく。具体的手順は、ノズル81をウエハWの目的とする部位PC〜PHのいずれかの直上まで移動させて、順次、各部位に対してガスを噴射するとともに、切替バルブ65C〜65Hのいずれかを順次切り替えて吸引領域61C〜61H内の吸引溝7bを順次負圧にする点以外は、ステップS2、ステップS3と同様である。
以上のステップS1〜S9により、正常な状態であれば、ウエハWをステージ7の保持面7aの全体で吸着保持することができる。しかし、ウエハWの反りが大きい場合などは、吸引領域61A〜61Iのいずれかで吸引溝7b内に外気が進入してリークが発生し、保持が不完全になる場合がある。そこで、本手順では、ステップS10において、リークチェックを行う。具体的には、真空計73によって、吸気路63の圧力を計測する。そして、予め計測しておいた吸気路63の正常な吸着保持状態における圧力と、真空計73によって計測される吸気路63の圧力を比較することによって、吸引領域61A〜61Iのいずれかにおいて、リークが発生しているか否かを検出することができる。ステップS10でリークが発生していることが判明した場合は、図11中に破線で示すように、再びステップS1に戻り、ステップS1〜S9までの処理を行う。
図12は、本発明の実施の形態に係るウエハWの保持方法の手順の別の例を説明するフロー図である。本手順は、ステップS11〜ステップS17の処理を含んでいる。まず、準備段階として、図示しない搬送装置によって、ウエハWをステージ7の保持面7aに載置する。
ステップS11では、ウエハWの中央部である部位PIを吸引領域61Iに吸着させる。ステップS11は、第1の手順のステップS1と同様に行うことができる。
次に、ステップS12では、ウエハWの部位PIに隣接する周縁部の部位PAをステージ7の吸引領域61Aに吸着させる。まず、ガス噴射装置45のいずれか1つのノズル81をウエハWの部位PAの直上まで移動させる。次にノズル81からウエハWの部位PAに向けてガスを噴射しながら、切替バルブ65Aを切り替えることによって、吸引領域61A内の吸引溝7bを負圧にする。このとき、吸引領域61B〜61H内の吸引溝7bは大気開放状態のままにする。なお、吸引領域61I内の吸引溝7bは、ステップS11と同様に負圧のまま維持される。ウエハWの周縁部の部位PAは、上方から噴射されるガス圧に補助されながら、裏面側が負圧になるため、下方の吸引領域61Aに吸着される。
次に、ステップS13では、ウエハWの部位PAに隣接する周縁部の2つの部位PB及び部位PHをステージ7の吸引領域61B及び吸引領域61Hにそれぞれに吸着させる。具体的手順は、2つのノズル81をウエハWの部位PB及び部位PHの直上まで移動させ、それぞれの部位に同時にガスを噴射するとともに、切替バルブ65B及び切替バルブ65Hを切り替えて吸引領域61B内及び吸引領域61H内の吸引溝7bをそれぞれ同時に負圧にする点以外は、ステップS12と同様である。
次に、ステップS14では、ウエハWの部位PB及び部位PHに隣接する周縁部の2つの部位PC及び部位PGをステージ7の吸引領域61C及び吸引領域61Gにそれぞれ吸着させる。具体的手順は、2つのノズル81をウエハWの部位PC及び部位PGの直上まで移動させ、それぞれの部位に同時にガスを噴射するとともに、切替バルブ65C及び切替バルブ65Gを切り替えて、吸引領域61C内及び吸引領域61G内の吸引溝7bをそれぞれ同時に負圧にする点以外は、ステップS12と同様である。
次に、ステップS15では、ウエハWの部位PC及び部位PGに隣接する周縁部の2つの部位PD及び部位PFをステージ7の吸引領域61D及び吸引領域61Fにそれぞれ吸着させる。具体的手順は、2つのノズル81をウエハWの部位PD及び部位PFの直上まで移動させ、それぞれの部位に同時にガスを噴射するとともに、切替バルブ65D及び切替バルブ65Fを切り替えて、吸引領域61D内及び吸引領域61F内の吸引溝7bをそれぞれ同時に負圧にする点以外は、ステップS12と同様である。
次に、ステップS16では、ウエハWの部位PD及び部位PFに隣接する周縁部の部位PEをステージ7の吸引領域61Eに吸着させる。具体的手順は、ノズル81をウエハWの部位PEの直上まで移動させてガスを噴射するとともに、切替バルブ65Eを切り替えて、吸引領域61E内の吸引溝7bを負圧にする点以外は、ステップS12と同様である。
以上のステップS11〜S16により、正常な状態であれば、ウエハWをステージ7の保持面7aの全体で吸着保持することができる。しかし、ウエハWの反りが大きい場合などは、吸引領域61A〜61Iのいずれかで吸引溝7b内に外気が進入してリークが発生し、保持が不完全になる場合がある。そこで、本手順では、ステップS17において、リークチェックを行う。リークチェックの方法は、第1の手順におけるステップS10と同様である。ステップS17でリークが発生していることが判明した場合は、図12中に破線で示すように、再びステップS11に戻り、ステップS11〜S16までの処理を行う。
図13は、本発明の実施の形態に係るウエハWの保持方法の手順のさらに別の例を説明するフロー図である。本手順は、ステップS21〜ステップS25の処理を含んでいる。まず、準備段階として、図示しない搬送装置によって、ウエハWをステージ7の保持面7aに載置する。
ステップS21では、ウエハWの中央部である部位PIを吸引領域61Iに吸着させる。このステップS21は、第1の手順のステップS1と同様に行うことができる。
次に、ステップS22では、ウエハWの部位PIに隣接する周縁部の部位PAと、部位PAに対して径方向の対称位置にある部位PEをステージ7の吸引領域61A及び吸引領域61Eにそれぞれ吸着させる。まず、ガス噴射装置45のいずれか1つのノズル81をウエハWの部位PA及び部位PEの直上まで移動させる。次にノズル81からウエハWの部位PA及び部位PEに向けて、それぞれ、ガスを噴射しながら、切替バルブ65A及び切替バルブ65E内を切り替えることによって、吸引領域61A内及び吸引領域61Eの吸引溝7bをそれぞれ同時に負圧にする。このとき、吸引領域61B〜61D、61F〜61H内の吸引溝7bは大気開放状態のままにする。なお、吸引領域61I内の吸引溝7bは、ステップS21と同様に負圧のまま維持される。ウエハWの周縁部の部位PA及び部位PEは、上方から噴射されるガス圧に補助されながら、裏面側が負圧になるため、下方の吸引領域61A及び吸引領域61Eにそれぞれ吸着される。
次に、ステップS23では、ウエハWの部位PAに隣接する周縁部の2つの部位PB及び部位PHを、それぞれ、ステージ7の吸引領域61B及び吸引領域61Hに吸着させるとともに、ウエハWの部位PEに隣接する周縁部の2つの部位PD及び部位PFを、それぞれ、吸引領域61D及び吸引領域61Fに吸着させる。具体的手順は、4つのノズル81をウエハWの部位PB、部位PH、部位PD、部位PFの直上まで移動させ、それぞれの部位に同時にガスを噴射するとともに、切替バルブ65B、65H、65D、65Fを切り替えて、吸引領域61B内、同61H内、同61D内、及び同61F内の吸引溝7bを、それぞれ同時に負圧にする点以外は、ステップS22と同様である。
次に、ステップS24では、ウエハWの周縁部に残された2つの隣接部位PC及び部位PGをステージ7の吸引領域61C及び吸引領域61Gにそれぞれ吸着させる。具体的手順は、2つのノズル81をウエハWの部位PC及び部位PGの直上まで移動させ、それぞれの部位に同時にガスを噴射するとともに、切替バルブ65C及び切替バルブ65Gを切り替えて、吸引領域61C内及び吸引領域61G内の吸引溝7bをそれぞれ同時に負圧にする点以外は、ステップS22と同様である。
以上のステップS21〜S24により、正常な状態であれば、ウエハWをステージ7の保持面7aの全体で吸着保持することができる。しかし、ウエハWの反りが大きい場合などは、吸引領域61A〜61Iのいずれかで吸引溝7b内に外気が進入してリークが発生し、保持が不完全になる場合がある。そこで、本手順では、ステップS25において、リークチェックを行う。リークチェックの方法は、第1の手順におけるステップS10と同様である。ステップS25でリークが発生していることが判明した場合は、図13中に破線で示すように、再びステップS21に戻り、ステップS21〜S24までの処理を行う。
図14〜図16を参照しながら、本実施の形態のウエハWの保持方法の変形例について説明する。なお、図14〜図16では、吸引溝7bは図示を省略し、ステージ7の保持面7aに形成された複数の吸引領域61の大まかな位置、形状及び面積を示している。以下の説明では、各吸引領域61へのウエハWの部分的な吸着順序のみを説明するが、上記第1〜第3の手順と同様に、吸着動作時には、ガス噴射装置45のいずれか1つのノズル81からガスの噴射を行うものとする。また、変形例においても、リークチェックを行うことができる。
次に、図17〜図19を参照して、本発明の第2の実施の形態のプローブ装置について説明する。図17は、本発明の第2の実施の形態に係るプローブ装置100Aの内部構造の概略を示す斜視図である。プローブ装置100Aは、押圧手段として、ウエハWの吸着部位の上面に当接してステージ7の保持面7aへ押し付ける押圧装置101を備えている。図17のプローブ装置100Aにおいて、第1の実施の形態のプローブ装置100と同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。
Claims (12)
- ステージに基板を吸着保持させる基板保持方法であって、
前記ステージは、前記基板の下面を吸着して保持する基板保持面を有し、
前記基板保持面は、前記基板を部分的に吸引可能な複数の領域に区分されており、
前記複数の領域の少なくとも一つの領域において、前記基板の一部分を吸着させた後、前記基板の一部分を吸着させた領域に隣接する領域に、前記基板の別の部分を吸着させることを順次繰り返すことによって、前記基板の全体を前記ステージに吸着保持させるとともに、
前記基板を部分的に吸着させるときに、押圧手段によって前記基板の吸着部位を前記基板保持面へ押し付け、
前記押圧手段が、前記吸着部位の上面に向けて加熱ガスを吹き付けるガス噴射装置であることを特徴とする基板保持方法。 - 前記加熱ガスが、前記ステージの温度の±10℃の範囲内に保持されている請求項1に記載の基板保持方法。
- ステージに円形をなす基板を吸着保持させる基板保持方法であって、
前記ステージは、前記基板の下面を吸着して保持する円形の基板保持面を有し、
前記基板保持面は、前記基板を部分的に吸引可能な複数の領域に区分されており、
前記複数の領域は、前記基板の中央部分に対応する中央領域と、前記基板の周縁部に対応し、前記中央領域を囲む複数の周辺領域と、を含み、
まず、前記基板の中央部分を、前記中央領域に吸着させ、
次に、前記周辺領域の二つに、それぞれ、前記基板の周縁部を部分的に吸着させ、
次に、前記基板の周縁部を部分的に吸着させた前記周辺領域に隣接する複数の周辺領域に、それぞれ、前記基板の周縁部の別の部分を吸着させ、
さらに、前記基板の周縁部の別の部分を吸着させた複数の周辺領域に隣接する複数の周辺領域に、それぞれ、前記基板のさらに別の部分を吸着させることを、順次繰り返すことによって、前記基板の全体を前記ステージに吸着保持させるとともに、
前記基板を部分的に吸着させるときに、押圧手段によって前記基板の吸着部位を前記基板保持面へ押し付けることを特徴とする基板保持方法。 - 前記複数の周辺領域は、異なる面積を有する2つ以上の周辺領域を含んでおり、
前記周辺領域の中の面積が小さい領域から面積が大きな領域へ、順次、前記基板の周縁部を部分的に吸着させていく請求項3に記載の基板保持方法。 - ステージに基板を吸着保持させる基板保持方法であって、
前記ステージは、前記基板の下面を吸着して保持する基板保持面を有し、
前記基板保持面は、前記基板を部分的に吸引可能な複数の領域に区分されており、
前記複数の領域の少なくとも一つの領域において、前記基板の一部分を吸着させた後、前記基板の一部分を吸着させた領域に隣接する領域に、前記基板の別の部分を吸着させることを順次繰り返すことによって、前記基板の全体を前記ステージに吸着保持させるとともに、
前記基板を部分的に吸着させるときに、複数の押圧手段によって前記基板の吸着部位を前記基板保持面へ押し付け、
前記基板を部分的に順次吸着させていく途中で、前記複数の押圧手段のいずれか一つから他の押圧手段へ切り替えて前記基板の吸着部位を押圧することを特徴とする基板保持方法。 - 基板に対して所定の処理を行う処理方法であって、
請求項1から5のいずれか1項に記載の基板保持方法によって、ステージに基板を吸着保持させる工程を含むことを特徴とする処理方法。 - 基板上に形成された複数のデバイスの電気的特性を検査するデバイスの検査方法である請求項6に記載の処理方法。
- 基板を吸着して保持するステージと、
前記基板の一部分を前記ステージの基板保持面へ押し付ける押圧手段と、
を備えた基板保持装置であって、
前記基板保持面は、前記基板の下面を吸着して保持するとともに、前記基板を部分的に吸引可能な複数の領域に区分されており、
前記押圧手段は、前記ステージの前記複数の領域に対応して、前記基板の一部分である吸着部位を押圧するものであって、前記吸着部位の上面に向けて加熱ガスを吹き付けるガス噴射装置である基板保持装置。 - 前記加熱ガスが、前記ステージの温度の±10℃の範囲内に保持されている請求項8に記載の基板保持装置。
- 基板を吸着して保持するステージと、
前記基板の一部分を前記ステージの基板保持面へ押し付ける複数の押圧手段と、
を備えた基板保持装置であって、
前記基板保持面は、前記基板の下面を吸着して保持するとともに、前記基板を部分的に吸引可能な複数の領域に区分されており、
前記複数の押圧手段は、前記ステージの前記複数の領域に対応して、前記基板の一部分である吸着部位を押圧するものであり、かつ、前記基板を部分的に吸着させていく途中で、いずれか一つの押圧手段から他の押圧手段へ切り替えられることを特徴とする基板保持装置。 - 基板に対して所定の処理を行う処理装置であって、請求項8から10のいずれか1項に記載の基板保持装置を備えていることを特徴とする処理装置。
- 基板上に形成された複数のデバイスの電気的特性を検査するプローブ装置である請求項11に記載の処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020177031887A KR102044085B1 (ko) | 2015-04-04 | 2016-02-10 | 기판 보지 방법, 기판 보지 장치, 처리 방법 및 처리 장치 |
CN201680019629.8A CN107431039B (zh) | 2015-04-04 | 2016-02-10 | 基板保持方法、基板保持装置、处理方法和处理装置 |
PCT/JP2016/053953 WO2016163147A1 (ja) | 2015-04-04 | 2016-02-10 | 基板保持方法、基板保持装置、処理方法及び処理装置 |
EP16776316.8A EP3282475B1 (en) | 2015-04-04 | 2016-02-10 | Substrate holding method, substrate holding device, processing method and processing device |
TW105109853A TWI681497B (zh) | 2015-04-04 | 2016-03-29 | 基板保持方法、基板保持裝置、處理方法及處理裝置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015077278 | 2015-04-04 | ||
JP2015077278 | 2015-04-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016197707A JP2016197707A (ja) | 2016-11-24 |
JP6568781B2 true JP6568781B2 (ja) | 2019-08-28 |
Family
ID=57358546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015229657A Active JP6568781B2 (ja) | 2015-04-04 | 2015-11-25 | 基板保持方法、基板保持装置、処理方法及び処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3282475B1 (ja) |
JP (1) | JP6568781B2 (ja) |
KR (1) | KR102044085B1 (ja) |
CN (1) | CN107431039B (ja) |
TW (1) | TWI681497B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6658491B2 (ja) * | 2016-12-15 | 2020-03-04 | 三菱電機株式会社 | ダイシング装置および半導体装置の製造方法 |
JP6906980B2 (ja) * | 2017-02-27 | 2021-07-21 | 株式会社東京精密 | 研削装置 |
JP6914078B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2021-08-04 | 株式会社荏原製作所 | 真空吸着パッドおよび基板保持装置 |
KR102397545B1 (ko) * | 2017-05-02 | 2022-05-12 | 삼성전자주식회사 | 척 스테이지 이물질 감지 장치 |
EP3712929B1 (en) | 2017-11-17 | 2023-09-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Suction method |
TWI818942B (zh) * | 2018-01-17 | 2023-10-21 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 接合裝置及接合方法 |
KR20200103849A (ko) * | 2018-01-23 | 2020-09-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
CN109746881A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-05-14 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 基板载台 |
JP2020145323A (ja) * | 2019-03-06 | 2020-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板保持装置および基板吸着方法 |
JP2022079225A (ja) | 2020-11-16 | 2022-05-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板保持機構、基板載置方法及び基板離脱方法 |
JP2022085481A (ja) | 2020-11-27 | 2022-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置、チェンジキット、チェンジキットの交換方法 |
TWI819623B (zh) * | 2022-05-24 | 2023-10-21 | 友威科技股份有限公司 | 電漿製程系統的載體吸附機構 |
CN117798814B (zh) * | 2024-03-01 | 2024-05-28 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种抛光垫、抛光垫的制备方法及抛光方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3105201B2 (ja) * | 1998-10-20 | 2000-10-30 | 株式会社東京精密 | ウェーハの搬送保持機構 |
JP4283926B2 (ja) | 1999-02-22 | 2009-06-24 | 株式会社アルバック | ウエハカセットのウエハ保持システム |
KR20030042907A (ko) * | 2001-11-26 | 2003-06-02 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 고정용 진공 장치 |
JP4201564B2 (ja) * | 2001-12-03 | 2008-12-24 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハ搬送方法およびこれを用いた半導体ウエハ搬送装置 |
JP5329191B2 (ja) * | 2008-11-27 | 2013-10-30 | 日置電機株式会社 | 吸着装置および検査装置 |
JP2012201437A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送装置及び基板搬送方法 |
JP5877005B2 (ja) * | 2011-07-29 | 2016-03-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板保持装置、および、基板保持方法 |
JP2013120902A (ja) * | 2011-12-08 | 2013-06-17 | Tokyo Electron Ltd | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム |
JP5829171B2 (ja) | 2012-04-04 | 2015-12-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP5913162B2 (ja) * | 2012-04-04 | 2016-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板保持装置および基板保持方法 |
US8919528B2 (en) * | 2012-07-13 | 2014-12-30 | Hewlett-Packard Industrial Printing Ltd. | Nozzled device to align a substrate on a surface |
JP2014195016A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-09 | Sharp Corp | 半導体検査装置 |
JP6348500B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2018-06-27 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 吸着ステージ、貼合装置、および貼合基板の製造方法 |
-
2015
- 2015-11-25 JP JP2015229657A patent/JP6568781B2/ja active Active
-
2016
- 2016-02-10 KR KR1020177031887A patent/KR102044085B1/ko active IP Right Grant
- 2016-02-10 CN CN201680019629.8A patent/CN107431039B/zh active Active
- 2016-02-10 EP EP16776316.8A patent/EP3282475B1/en active Active
- 2016-03-29 TW TW105109853A patent/TWI681497B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107431039A (zh) | 2017-12-01 |
JP2016197707A (ja) | 2016-11-24 |
CN107431039B (zh) | 2021-01-12 |
TWI681497B (zh) | 2020-01-01 |
KR20170135899A (ko) | 2017-12-08 |
EP3282475A4 (en) | 2018-12-12 |
EP3282475B1 (en) | 2021-09-08 |
TW201703183A (zh) | 2017-01-16 |
KR102044085B1 (ko) | 2019-11-12 |
EP3282475A1 (en) | 2018-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6568781B2 (ja) | 基板保持方法、基板保持装置、処理方法及び処理装置 | |
US11346861B2 (en) | Contact accuracy assurance method, contact accuracy assurance mechanism, and inspection apparatus | |
US6739208B2 (en) | Method of delivering target object to be processed, table mechanism of target object and probe apparatus | |
KR101335146B1 (ko) | 프로브 카드 검출 장치, 웨이퍼의 위치 정렬 장치 및 웨이퍼의 위치 정렬 방법 | |
JPH0883825A (ja) | プローブ装置 | |
KR20160079700A (ko) | 기판 흡착 보조 부재 및 기판 반송 장치 | |
WO2020179486A1 (ja) | 基板保持装置および基板吸着方法 | |
KR101386331B1 (ko) | 웨이퍼 반송 장치 | |
US20100225345A1 (en) | Apparatus and method for testing a semiconductor device | |
US20090287341A1 (en) | Pre-aligner search | |
JP2995134B2 (ja) | プローブ装置 | |
JP7267058B2 (ja) | 検査装置 | |
WO2016163147A1 (ja) | 基板保持方法、基板保持装置、処理方法及び処理装置 | |
JPH0737941A (ja) | プローブ装置 | |
KR20180013316A (ko) | 반도체 소자 테스트 장치 및 방법 | |
JP2769372B2 (ja) | Lcdプローブ装置 | |
JP2005123293A (ja) | プローブ検査方法 | |
KR100825861B1 (ko) | 탐침 본딩 방법 | |
JP2528509Y2 (ja) | ウエハプロービング装置 | |
JP2005332839A (ja) | 試験装置 | |
JPH10221058A (ja) | ガラス基板の異物検査装置 | |
KR100283444B1 (ko) | 프로우브장치 | |
KR20100080025A (ko) | 웨이퍼 검사장치 및 검사방법 | |
JPH02290036A (ja) | 半導体ウエハの検査方法 | |
JPS6115340A (ja) | ウエハプロ−バ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190514 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190619 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190709 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190805 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6568781 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |