CN107431039B - 基板保持方法、基板保持装置、处理方法和处理装置 - Google Patents

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Abstract

在平台(7)的保持面(7a)设有用于吸附晶圆(W)的微细的吸引槽(7b)。吸引槽(7b)例如被划分为9个吸引区域(61A～61I)。吸引区域(61I)用于吸附圆形的晶圆(W)的中央部分。吸引区域(61A、61B、61C、61D、61E、61F、61G、61H)用于吸附圆形的晶圆(W)的周缘部分。对于保持在平台(7)上的晶圆(W)，向与吸引区域(61A～61I)相对应的9处位置分别喷射气体。

Description

基板保持方法、基板保持装置、处理方法和处理装置
技术领域
本发明涉及例如对形成在半导体晶圆等基板上的器件进行检查等处理时保持基板的基板保持方法、该方法所使用的基板保持装置、以及处理方法和处理装置。
背景技术
在半导体器件的制造工序中，进行用于评价半导体器件的电特性的探头检查。探头检查通过使探针与形成在半导体基板上的半导体器件的电极相接触，向每个半导体器件输入电信号，观测相对于此输出的电信号，从而进行电特性评价。
探头检查所使用的探头装置包括：平台(载置台)，其用于保持形成有作为检查对象的半导体器件的被检查基板，并且能够沿水平方向、垂直方向移动并旋转；以及对准装置，其用于使探针准确地与形成在被检查基板上的半导体器件的电极相接触。为了提高探头检查的可靠性，以平台上的被检查基板不发生错位的方式可靠地保持是很重要的。
作为在半导体工艺的领域中保持基板的技术，已知有一种使基板的背面和平台之间减压并固定的真空卡盘。
例如在日本特开2013－214676号公报(专利文献1)中提出了：为了将具有翘曲的基板保持水平，在利用多孔质体形成的保持部的中心区域和外周区域能够分别调节吸引压力。
此外，虽是与基板输送装置相关的技术，但在日本特开2000－243814号公报(专利文献2)中提出了：通过从具有真空吸引孔的基板保持装置的上方吹喷气体，从而即使是具有翘曲的基板也能够可靠地吸附。
在吸附保持圆形的基板的情况下，通过在平台的基板保持面呈同心圆状设置多个槽，使该槽内减压，从而能够吸引基板。但是，在使多个同心圆状的槽内减压的机构中，存在若因基板的翘曲而使基板的周向的1处发生泄漏则无法获得充分的吸附力这样的问题。特别是近年来有基板尺寸大型化的倾向，并且基板自身也变薄，翘曲易于变大。并且，也需要应对与树脂基板、玻璃基板等半导体晶圆相比易于发生翘曲的种类的基板。
发明内容
本发明提供即使是易于产生较大的翘曲的基板也能够可靠地吸附保持的基板保持方法和基板保持装置。
本发明的基板保持方法是使基板吸附保持于平台的方法。在本发明的基板保持方法中，所述平台具有用于吸附并保持所述基板的下表面的基板保持面，所述基板保持面被划分为能够局部地吸引所述基板的多个区域。而且，本发明的基板保持方法通过依次重复在使所述基板的一部分吸附于所述多个区域中的至少一个区域之后、使所述基板的其他部分吸附于与使所述基板的一部分吸附的区域邻接的区域的操作，从而使所述基板整体吸附保持于所述平台。此外，本发明的基板保持方法在使所述基板局部地吸附时利用按压部件将所述基板的吸附部位向所述基板保持面按压。
本发明的基板保持方法也可以是，所述按压部件是用于朝向所述吸附部位的上表面吹喷气体的气体喷射装置。在该情况下，所述气体也可以是加热气体，该加热气体的温度也可以保持在所述平台的温度±10℃的范围内。
本发明的基板保持方法也可以是，所述按压部件是具有与所述吸附部位的上表面相抵接并将所述吸附部位向所述基板保持面按压的按压构件的按压装置。
在本发明的基板保持方法中，也可以是所述基板呈圆形，并且所述基板保持面呈圆形，所述多个区域也可以包含与所述基板的中央部分相对应的中央区域和与所述基板的周缘部相对应且包围所述中央区域的多个周边区域。而且，本发明的基板保持方法也可以依次进行以下的工序：
使所述基板的中央部分吸附于所述中央区域；
接着，使所述基板的周缘部的一部分吸附于所述周边区域中的一个区域；
接着，使所述基板的周缘部的其他部分吸附于与使所述基板的周缘部的一部分吸附的所述周边区域邻接的一个或两个周边区域；以及
接着，使所述基板的另外部分吸附于与使所述基板的周缘部的所述其他部分吸附的周边区域邻接的周边区域。
在本发明的基板保持方法中，也可以是所述基板呈圆形，并且所述基板保持面呈圆形，所述多个区域也可以包含与所述基板的中央部分相对应的中央区域和与所述基板的周缘部相对应且包围所述中央区域的多个周边区域。而且，本发明的基板保持方法也可以依次进行以下的工序：
使所述基板的中央部分吸附于所述中央区域；
接着，使所述基板的周缘部局部地分别吸附于所述周边区域中的两个区域；
接着，使所述基板的周缘部的其他部分分别吸附于与使所述基板的周缘部局部地吸附的所述周边区域邻接的多个周边区域；以及
接着，使所述基板的另外部分分别吸附于与使所述基板的周缘部的所述其他部分吸附的多个周边区域邻接的多个周边区域。
在本发明的基板保持方法中，所述多个周边区域也可以包含具有不同面积的两个以上周边区域，
也可以使所述基板的周缘部依次从所述周边区域中的面积较小的区域到面积较大的区域局部地吸附。
本发明的基板保持方法也可以是，对于所述多个区域，以整体或每个区域、或者包含两个以上区域的组合为单位进行在吸附着所述基板的状态下检测外部空气的进入状态的泄漏检测。
本发明的处理方法用于对基板进行规定的处理，其中，包含利用上述任一种基板保持方法使基板吸附保持于平台的工序。
本发明的处理方法也可以是检查形成在基板上的多个器件的电特性的器件的检查方法。
本发明的基板保持装置包括用于吸附并保持基板的平台和用于将所述基板的一部分向所述基板保持面按压的按压部件。在本发明的基板保持装置中，所述平台具有用于吸附并保持所述基板的下表面的基板保持面，并且该基板保持面被划分为能够局部地吸引所述基板的多个区域。而且，在本发明的基板保持装置中，所述按压部件与所述平台的所述多个区域相对应地按压所述基板的一部分即吸附部位。
本发明的基板保持装置也可以是，所述按压部件是用于朝向所述吸附部位的上表面吹喷气体的气体喷射装置。在该情况下，所述气体喷射装置也可以具有与所述平台的所述多个区域相对应以整体或每个区域、或者包含两个以上区域的组合为单位吹喷所述气体的喷嘴。在该情况下，所述气体也可以是加热气体，也可以温度保持在所述平台的温度±10℃的范围内。
本发明的基板保持装置也可以是，所述按压部件是具有与所述吸附部位的上表面相抵接并将所述吸附部位向所述基板保持面按压的按压构件的按压装置。在该情况下，所述按压构件的与所述基板相抵接的部分也可以由陶瓷、合成树脂或者橡胶形成。
本发明的基板保持装置也可以还具有对于所述多个区域以整体或每个区域、或者多个的组合为单位在吸附着所述基板的状态下检测外部空气的进入状态的泄漏检测部。
本发明的基板保持装置也可以是，所述基板呈圆形，并且所述基板保持面呈圆形，
所述多个区域包含与所述基板的中央部分相对应的中央区域和与所述基板的周缘部相对应且包围所述中央区域的多个周边区域，
所述多个周边区域也可以包含具有不同面积的两个以上周边区域。
本发明的基板保持装置中，所述中央区域也可以具有在所述基板保持面的径向上分割成的多个区域，所述周边区域也可以具有在所述基板保持面的径向上分割成的多个区域。
本发明的处理装置用于对基板上进行规定的处理，其中，具备上述任一个基板保持装置。
本发明的处理装置也可以是用于检查形成在基板上的多个器件的电特性的探头装置。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式的探头装置的外观结构的立体图。
图2是表示图1的探头装置的内部构造的概略的立体图。
图3是平台的保持面的俯视图。
图4是沿着图3的IV－IV线向视的主要部分的纵剖视图。
图5是由图4中的虚线包围的A部的放大图。
图6是表示真空卡盘机构的多个吸引区域和真空泵之间的连接状态的说明图。
图7是示意地表示气体喷射装置和保持于平台的基板之间的位置关系的说明图。
图8是示意地表示气体喷射装置的另一个结构例的说明图。
图9是表示控制部的硬件结构的一例的说明图。
图10是表示平台的保持面的吸引区域和基板的部位之间的关系的说明图。
图11是说明本发明的一实施方式的基板的保持方法的过程的例子的流程图。
图12是说明本发明的一实施方式的基板的保持方法的过程的另一例的流程图。
图13是说明本发明的一实施方式的基板的保持方法的过程的又一例的流程图。
图14是用于说明第1变形例的平台的保持面的俯视图。
图15是用于说明第2变形例的平台的保持面的俯视图。
图16是用于说明第3变形例的平台的保持面的俯视图。
图17是表示本发明的第2实施方式的探头装置的内部构造的概略的立体图。
图18是按压装置的说明图。
图19是按压装置的另一个状态的说明图。
图20是形成在平台的保持面上的多个吸引区域的说明图。
图21是图17的探头装置的基板的保持过程的说明图。
图22是接着图21的基板的保持过程的说明图。
图23是接着图22的基板的保持过程的说明图。
图24是接着图23的基板的保持过程的说明图。
图25是接着图24的基板的保持过程的说明图。
图26是接着图25的基板的保持过程的说明图。
图27是接着图26的基板的保持过程的说明图。
图28是接着图27的基板的保持过程的说明图。
图29是接着图28的基板的保持过程的说明图。
图30是接着图29的基板的保持过程的说明图。
图31是接着图30的基板的保持过程的说明图。
图32是接着图31的基板的保持过程的说明图。
图33是接着图32的基板的保持过程的说明图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。
[第1实施方式]
图1是表示本发明的第1实施方式的探头装置100的外观结构的立体图。图2是表示图1的探头装置100的内部构造的概略的立体图。
本实施方式的探头装置100用于对形成在半导体晶圆、树脂基板等基板(以下有时简记作“晶圆”)W上的半导体器件等器件(未图示)进行电特性的检查。探头装置100包括主体1、与该主体1邻接地配置的装载部3、以及以覆盖主体1的方式配置的测试头5。此外，探头装置100包括用于载置晶圆W的平台7和用于控制探头装置100的各结构部的动作的控制部50。
＜主体＞
主体1是内部空洞的壳体，其用于收容平台7。在主体1的顶部1a形成有开口部1b。开口部1b位于载置在平台7上的晶圆W的上方，用于保持具有许多个探针的圆板状的探针卡(省略图示)的大致圆板状的探针卡保持件(省略图示)卡合于该开口部1b。利用该探针卡保持件将探针卡与载置在平台7上的晶圆W相对地配置。
＜装载部＞
装载部3用于取出收容在输送容器即前开式晶圆输送盒(省略图示)中的晶圆W并向主体1的平台7输送。此外，装载部3用于从平台7接受器件的电特性的检查结束的晶圆W并收容在前开式晶圆输送盒中。
＜测试头＞
测试头5呈长方体形状，其构成为能够利用设于主体1的铰链机构11向上方向转动。测试头5在从上方覆盖主体1的状态下借助未图示的接触环与探针卡电连接。测试头5具有将从探针卡传送来的显示器件的电特性的电信号作为测量数据进行存储并且基于测量数据判定器件是否有电缺陷的功能。
＜平台＞
如图2所示，平台7配置在基台20上，其具有沿着图中所示的X方向移动的X方向移动单元21、沿着图中所示的Y方向移动的Y方向移动单元23、以及沿着图中所示的Z方向移动的Z方向移动单元25。此外，平台7具有用于吸附保持晶圆W的真空卡盘机构60。平台7的上表面成为利用真空卡盘机构60吸引保持晶圆W的保持面7a。真空卡盘机构60的详细结构见后述。此外，平台7设有未图示的加热器，构成为能够将保持面7a的温度调节到例如25℃～200℃的范围内。
X方向移动单元21沿着配置在X方向上的导轨27利用滚珠丝杠21a的转动使平台7沿X方向高精度地进行移动。滚珠丝杠21a利用电动机(未图示)进行转动。此外，能够利用与该电动机组合的编码器(未图示)检测平台7的移动量。
Y方向移动单元23沿着配置在Y方向上的导轨29利用滚珠丝杠23a的转动使平台7沿Y方向高精度地进行移动。滚珠丝杠23a利用电动机23b进行转动。此外，能够利用与该电动机23b组合的编码器23c检测平台7的移动量。
这样，X方向移动单元21和Y方向移动单元23使平台7沿着水平面且沿互相正交的X方向和Y方向进行移动。
Z方向移动单元25具有未图示的电动机和编码器，其用于使平台7沿着Z方向上下移动，并且能够检测其移动量。Z方向移动单元25使平台7朝向探针卡移动并使晶圆W上的器件的电极和探针相抵接。此外，平台7利用未图示的电动机在Z方向移动单元25上以向图中所示的θ方向旋转自如的方式配置。
＜下部摄像单元＞
此外，在主体1的内部配置有下部摄像单元35。在此，下部摄像单元35用于拍摄形成在探针卡上的探针。下部摄像单元35固定于平台7，其与平台7一同沿X方向、Y方向以及Z方向进行移动。
＜对准单元＞
此外，在主体1的内部，在平台7的上方配置有对准单元41。对准单元41构成为能够利用未图示的驱动部沿图2中的Y方向进行移动。对准单元41具有沿着与平台7、下部摄像单元35相对的水平面的下表面。
＜上部摄像单元＞
在对准单元41上设有上部摄像单元43。上部摄像单元43用于拍摄形成在晶圆W上的器件的电极，该晶圆W载置在平台7上。
＜气体喷射装置＞
在对准单元41上设有气体喷射装置45，该气体喷射装置45用于朝向载置在平台7上的晶圆W的上表面喷射气体。气体喷射装置45向晶圆W的上表面喷射例如干燥空气等气体。气体喷射装置45是在利用真空卡盘机构60使晶圆W吸附保持于平台7时使吸附容易的吸附辅助部件。而且，具有真空卡盘机构60的平台7和气体喷射装置45作为本发明的基板保持装置协作地使晶圆W吸附保持于保持面7a。气体喷射装置45的详细结构见后述。
＜真空卡盘机构＞
接着，参照图3～图6说明平台7的真空卡盘机构60。图3是平台7的上表面即保持面7a的俯视图。图4是沿着图3的IV－IV线向视的平台7的上部的剖视图。图5是由图4中的虚线包围的A部的放大图。真空卡盘机构60包括设于平台7的保持面7a的吸引槽7b、与吸引槽7b相连接的吸气路径63、以及与吸气路径63的另一端侧相连接的真空泵70。
在平台7的保持面7a设有用于吸附晶圆W的微细的吸引槽7b。在图3和图4中用线表示吸引槽7b，但如图5放大表示地那样，吸引槽7b是形成于平台7的保持面7a的凹部。吸引槽7b借助吸气路径63与真空泵70相连接，在保持面7a保持有晶圆W的状态下，该吸引槽7b被晶圆W密封，槽内维持减压。
吸引槽7b被划分为多个吸引区域61。在图3所示的例子中，吸引槽7b被划分为可独立地保持减压的9个吸引区域61A、61B、61C、61D、61E、61F、61G、61H、61I。吸引区域61I是中央区域，其设于俯视呈圆形的保持面7a的中央部分。吸引区域61A、61B、61C、61D、61E、61F、61G、61H是周边区域，其在俯视呈圆形的保持面7a上设于吸引区域61I的周围。吸引区域61I用于吸附圆形的晶圆W的中央部分。吸引区域61A、61B、61C、61D、61E、61F、61G、61H用于吸附圆形的晶圆W的周缘部分。
在各吸引区域61A～61I中，吸引槽7b以规定的图案形成。在各吸引区域61A～61I的内部，吸引槽7b相连通。另一方面，在不同的吸引区域之间，吸引槽7b成为非连通状态。
图6表示真空卡盘机构60的吸引区域61A～61I和真空泵70的连接状态。各吸引区域61A～61I的吸引槽7b分别借助形成吸气路径63的一部分的配管63A～63I与真空泵70相连接。在各配管63A～63I的中途设有切换阀65A～65I。切换阀65A～65I切换吸引区域61A～61I能够由真空泵70吸引的状态和吸引区域61A～61I借助排气管67A～67I开放于外部空气71的状态。利用以上的结构，在各吸引区域61A～61I能够独立地局部吸引晶圆W。例如，吸引区域61A和吸引区域61B能够相对于晶圆W分别成为吸附状态和非吸附状态。这样，通过能够独立地控制各吸引区域61A～61I的吸附状态和非吸附状态，从而如后所述对于翘曲较强的晶圆W也能够可靠地吸附保持晶圆整个面。此外，通过能够独立地控制各吸引区域61A～61I的吸附状态和非吸附状态，从而即便在翘曲较强的晶圆W中产生吸附不充分的部位，也能够在其他的部位可靠地吸附保持。因而，能够防止探头检查中途的晶圆W的错位。
此外，在吸气路径63设有真空计73。通过利用真空计73计量吸气路径63的压力，从而在吸引区域61A～61I中的任一个区域都能够检测是否发生了外部空气进入的泄漏。另外，真空计73除了相对于各吸引区域61A～61I整体地设置之外，既可以相对于各吸引区域61A～61I单独地设置，也可以相对于各吸引区域61A～61I以多个的组合为单位设置。
在本实施方式中，是将保持面7a划分为9个吸引区域61A～61I，但吸引区域的数量并不限定于9个。例如也可以不划分为保持面7a的中央部分和周边部分，而将保持面7a划分为在周向上排列的多个扇形的吸引区域61。但是，从容易吸附晶圆W的方面考虑，优选将吸引区域61划分为保持面7a的中央部分和周边部分。此外，从容易利用依次反复局部地吸附后述的晶圆W的方法进行保持的方面考虑，周边部分优选划分为至少4个以上吸引区域61，更优选划分为4个～12个吸引区域61，进一步优选划分为4个～8个吸引区域61。
此外，也可以将吸引区域61A～61I分割成多个组。例如也可以以吸引区域61A、61B为一组、吸引区域61C、61D为一组、吸引区域61E、61F为一组、吸引区域61G、61H为一组这样的方式分组，构成为以每个组为单位切换吸引状态和非吸引状态。
＜气体喷射装置＞
接着，参照图7说明气体喷射装置45的详细的结构。图7是表示气体喷射装置45和保持在平台7上的晶圆W之间的位置关系的说明图。在本实施方式中，气体喷射装置45包括用于朝向晶圆W的上表面局部地喷射气体的多个喷嘴81(例如3个)、用于支承各喷嘴81的喷嘴板83、与各喷嘴81相连接且用于向喷嘴81供给气体的配管85、以及与该配管85的另一端侧相连接的气体源87。在配管85的中途设有用于控制流量的质量流量控制器(MFC)89和开闭阀91。作为气体，例如能够列举出干燥空气、氮气、稀有气体等。各喷嘴81借助配管85分支而成的分支管85A～85C与气体源87相连接。在各分支管85A～85C上分别设有开闭阀93A～93C。
此外，作为从气体喷射装置45喷射的气体，也可以使用加热气体。在该情况下，加热气体的温度优选设为与平台7的保持面7a的温度相同程度的温度。例如，加热气体的温度相对于平台7的保持面7a的温度优选设定在±10℃的范围内，更优选设定在±5℃的范围内。例如在平台7的保持面7a的温度是120℃的情况下，加热气体的温度优选设在110℃～130℃的范围内，更优选设在115℃～125℃的范围内。此外，例如在平台7的保持面7a的温度是150℃的情况下，加热气体的温度优选设在140℃～160℃的范围内，更优选设在145℃～155℃的范围内。
作为从气体喷射装置45喷射的气体使用加热气体，从而也能够从上表面侧加热该晶圆W。其结果，由于能够尽量减小载置在平台7的保持面7a上的晶圆W的下表面和上表面的温度差，因此能够抑制晶圆W在加热时发生翘曲。特别是在晶圆W是层叠不同的树脂而成的构造的情况下，因材质的热膨胀率的差异而易于发生翘曲，因此使用加热气体的方式对于抑制翘曲是有效的。此外，由于利用加热气体也能够从上表面侧加热晶圆W，因此，在晶圆W的材质使用热塑性树脂的情况下，其柔软性增加，容易吸附于平台7的保持面7a。
在本实施方式中，由于喷嘴板83支承于对准单元41，因此3个喷嘴81能够沿图1中的Y方向进行移动。另一方面，平台7利用X方向移动单元21、Y方向移动单元23以及Z方向移动单元25能够沿图1中的X－Y－Z方向进行移动。因而，能够从各喷嘴81朝向保持在平台7上的晶圆W的目标部位独立地喷射气体。在本实施方式中，构成为能够在不同的时机朝向在平台7的保持面7a上划分出的9个吸引区域61A～61I喷射气体。例如，在图3中，相对于9个吸引区域61A～61I投影气体喷射位置61A1、61B1、61C1、61D1、61E1、61F1、61G1、61H1、61I1并用假想线表示。因而，能够相对于保持在平台7上的晶圆W向与吸引区域61A～61I相对应的9处位置分别喷射气体。
另外，喷嘴81并不限于3个，例如也可以是1个或两个，也可以是4个以上，也可以分别与各吸引区域61A～61I相对应地设置9个喷嘴81。
此外，也可以相对于对准单元41独立地设置气体喷射装置45。例如，图8表示利用独立的支承部支承喷嘴板83的情况的结构例。气体喷射装置45A包括用于朝向晶圆W的上表面局部地喷射气体的多个喷嘴81(例如3个)、用于支承各喷嘴81的喷嘴板83、与各喷嘴81相连接且用于向喷嘴81供给气体的配管85、与该配管85的另一端侧相连接的气体源87、用于支承喷嘴板83的喷嘴臂95、以及用于支承喷嘴臂95的支柱97。喷嘴臂95构成利用未图示的驱动部能够沿X－Y－Z方向伸缩、回旋以及上下移位。通过使喷嘴臂95移动到保持在平台7的保持面7a上的晶圆W的正上方，从而能够向晶圆W的规定的部位喷射气体。
＜控制部＞
控制部50用于控制探头装置100的各结构部的动作。控制部50通常为计算机。图9表示控制部50的硬件结构的一例。控制部50包括主控制部201、键盘、鼠标等输入装置202、打印机等输出装置203、显示装置204、存储装置205、外部接口206、以及将这些部件互相连接的总线207。主控制部201具有CPU(中央处理装置)211、RAM(随机存储器)212以及ROM(只读存储器)213。存储装置205只要能够存储信息，其形态就可以是任意的，例如是硬盘装置或者光盘装置。此外，存储装置205向能够由计算机读取的记录介质215记录信息，而且从记录介质215读取信息。记录介质215只要能够存储信息，其形态就可以是任意的，例如硬盘、光盘、闪存等。记录介质215也可以是记录有在本实施方式的探头装置100中进行的探头方法的制程的记录介质。
控制部50进行如下控制：在本实施方式的探头装置100中，能够对多个晶圆W执行对形成在晶圆W上的器件进行的检查。具体地讲，控制部50在探头装置100中控制各结构部(例如电动机23b等驱动装置、编码器23c等位置检测装置、下部摄像单元35、上部摄像单元43、气体喷射装置45、真空卡盘机构60等)。通过CPU211将RAM212用作作业区域，执行存储在ROM213或者存储装置205中的软件(程序)来实现这些控制。
在以上结构的探头装置100中，通过使平台7沿水平方向(X方向、Y方向、θ方向)和垂直方向(Z方向)移动，从而调整探针卡和保持在平台7上的晶圆W之间的相对位置，使器件的电极和探针相抵接。测试头5经由探针卡的各探针向器件通入检查电流。探针卡向测试头5传送显示器件的电特性的电信号。测试头5将传送来的电信号作为测量数据进行存储，判定检查对象的器件是否有电缺陷。
[晶圆的保持方法]
接着，说明本发明的实施方式的晶圆W的保持方法。首先，参照图10说明平台7的保持面7a的吸引区域61A～61I和吸附于该吸引区域61A～61I的晶圆W的部位之间的关系。在此，将吸附于平台7的吸引区域61A的晶圆W的一部分设为部位PA。同样，在晶圆W中，分别将吸附于吸引区域61B的部分设为部位PB、吸附于吸引区域61C的部分设为部位PC、吸附于吸引区域61D的部分设为部位PD、吸附于吸引区域61E的部分设为部位PE、吸附于吸引区域61F的部分设为部位PF、吸附于吸引区域61G的部分设为部位PG、吸附于吸引区域61H的部分设为部位PH、吸附于吸引区域61I的部分设为部位PI。
[第1过程]
图11是说明本发明的实施方式的晶圆W的保持方法的过程的一例的流程图。本过程包含步骤S1～步骤S10的处理。首先，作为准备阶段，利用未图示的输送装置将晶圆W载置于平台7的保持面7a。
(步骤S1)
在步骤S1中，使晶圆W的中央部即部位PI吸附于吸引区域61I。首先，使气体喷射装置45的任一个喷嘴81移动到晶圆W的部位PI的正上方。接着，在从喷嘴81朝向晶圆W的部位PI喷射气体的同时使真空泵70进行工作。此时，通过切换切换阀65I，从而使吸引区域61I内的吸引槽7b成为负压，但吸引区域61A～61H内的吸引槽7b保持大气开放状态。由于晶圆W的中央部即部位PI在受到从上方喷射的气压辅助的同时背面侧成为负压，因此该部位PI吸附于下方的吸引区域61I。
(步骤S2)
接着，在步骤S2中，使晶圆W的与部位PI邻接的周缘部的部位PA吸附于平台7的吸引区域61A。首先，使气体喷射装置45的任一个喷嘴81移动到晶圆W的部位PA的正上方。接着，通过在从喷嘴81朝向晶圆W的部位PA喷射气体的同时切换切换阀65A，从而使吸引区域61A内的吸引槽7b成为负压。此时，吸引区域61B～61H内的吸引槽7b保持大气开放状态。另外，吸引区域61I内的吸引槽7b与步骤S1同样维持负压。由于晶圆W的周缘部的部位PA在受到从上方喷射的气压辅助的同时背面侧成为负压，因此该部位PA吸附于下方的吸引区域61A。
(步骤S3)
接着，在步骤S3中，使晶圆W的与部位PA邻接的周缘部的部位PB吸附于平台7的吸引区域61B。具体的过程除了使喷嘴81移动到晶圆W的部位PB的正上方并喷射气体、并且切换切换阀65B并使吸引区域61B内的吸引槽7b成为负压的方面之外与步骤S2是同样的。
(步骤S4～步骤S9)
接着，在步骤S4～步骤S9中，按照吸引区域61C、61D、61E、61F、61G、61H的顺序依次使与在之前的步骤中吸附的晶圆W的部位邻接的周缘部的部位吸附于平台7的吸引区域。具体的过程除了使喷嘴81移动到晶圆W的作为目标的部位PC～PH中的任一处的正上方并依次向各部位喷射气体、并且依次切换切换阀65C～65H中的任一者并使吸引区域61C～61H内的吸引槽7b依次成为负压的方面之外与步骤S2、步骤S3是同样的。
(步骤S10)
根据以上的步骤S1～S9，只要是正常的状态，就能够利用平台7的保持面7a整体吸附保持晶圆W。但是，在晶圆W的翘曲较大的情况等时，有时在吸引区域61A～61I中的任一处，外部空气进入到吸引槽7b内并发生泄漏，保持变得不完全。因此，在本过程中，在步骤S10中进行泄漏检查。具体地讲，利用真空计73计量吸气路径63的压力。而且，通过对预先计量好的吸气路径63的正常的吸附保持状态的压力和由真空计73计量的吸气路径63的压力进行比较，从而能够在吸引区域61A～61I中的任一处检测是否发生了泄漏。在步骤S10中判明发生了泄漏的情况下，如图11中虚线所示，再次返回到步骤S1，进行步骤S1～S9的处理。
另外，在图11中设为对所有的吸引区域61A～61I整体地进行泄漏检查的结构，但例如也可以通过在配管63A～63I中单独地配备真空计73而对吸引区域61A～61I单独地进行泄漏检查。在该情况下，也可以以上述步骤S1～S9为单位进行泄漏检查。此外，也可以将吸引区域61A～61I分为多个组并以每个组为单位进行泄漏检查。并且，在泄漏检查之后，也可以仅对吸引区域61A～61I中的检测出泄漏的区域或者组进行吸附处理。另外，步骤S10的泄漏检查是任意的，也可以省略。
在本过程中，通过重复在向晶圆W局部地喷射气体的同时使晶圆W局部地吸附于细分化的吸引区域61A～61I的动作，从而能够容易地使晶圆W整体吸附保持于平台7的保持面7a。特别是在晶圆W的周缘部中，由于利用气压使与吸附的部位邻接的周缘部的部位依次吸附于吸引区域61A～61H，因此，即便是翘曲较强的晶圆W，也能够可靠地吸附保持于保持面7a。因而，在探头装置100中能够进行可靠性较高的器件检查。
[第2过程]
图12是说明本发明的实施方式的晶圆W的保持方法的过程的另一例的流程图。本过程包含步骤S11～步骤S17的处理。首先，作为准备阶段，利用未图示的输送装置将晶圆W载置于平台7的保持面7a。
(步骤S11)
在步骤S11中，使晶圆W的中央部即部位PI吸附于吸引区域61I。步骤S11能够与第1过程的步骤S1同样地进行。
(步骤S12)
接着，在步骤S12中，使晶圆W的与部位PI邻接的周缘部的部位PA吸附于平台7的吸引区域61A。首先，使气体喷射装置45的任一个喷嘴81移动到晶圆W的部位PA的正上方。接着，通过在从喷嘴81朝向晶圆W的部位PA喷射气体的同时切换切换阀65A，从而使吸引区域61A内的吸引槽7b成为负压。此时，吸引区域61B～61H内的吸引槽7b保持大气开放状态。另外，吸引区域61I内的吸引槽7b与步骤S11同样维持负压。由于晶圆W的周缘部的部位PA在受到从上方喷射的气压辅助的同时背面侧成为负压，因此该部位PA吸附于下方的吸引区域61A。
(步骤S13)
接着，在步骤S13中，使晶圆W的与部位PA邻接的周缘部的两个部位PB和部位PH分别吸附于平台7的吸引区域61B和吸引区域61H。具体的过程除了使两个喷嘴81移动到晶圆W的部位PB和部位PH的正上方并向各个部位同时喷射气体、并且切换切换阀65B和切换阀65H并分别使吸引区域61B内和吸引区域61H内的吸引槽7b同时成为负压的方面之外与步骤S12是同样的。
(步骤S14)
接着，在步骤S14中，使晶圆W的与部位PB和部位PH邻接的周缘部的两个部位PC和部位PG分别吸附于平台7的吸引区域61C和吸引区域61G。具体的过程除了使两个喷嘴81移动到晶圆W的部位PC和部位PG的正上方并向各个部位同时喷射气体、并且切换切换阀65C和切换阀65G并分别使吸引区域61C内和吸引区域61G内的吸引槽7b同时成为负压的方面之外与步骤S12是同样的。
(步骤S15)
接着，在骤S15中，使晶圆W的与部位PC和部位PG邻接的周缘部的两个部位PD和部位PF分别吸附于平台7的吸引区域61D和吸引区域61F。具体的过程除了使两个喷嘴81移动到晶圆W的部位PD和部位PF的正上方并向各个部位同时喷射气体、并且切换切换阀65D和切换阀65F并分别使吸引区域61D内和吸引区域61F内的吸引槽7b同时成为负压的方面之外与步骤S12是同样的。
(步骤S16)
接着，在步骤S16中，使晶圆W的与部位PD和部位PF邻接的周缘部的部位PE吸附于平台7的吸引区域61E。具体的过程除了使喷嘴81移动到晶圆W的部位PE的正上方并喷射气体、并且切换切换阀65E并使吸引区域61E内的吸引槽7b成为负压的方面之外与步骤S12是同样的。
(步骤S17)
根据以上的步骤S11～S16，只要是正常的状态，就能够利用平台7的保持面7a整体吸附保持晶圆W。但是，在晶圆W的翘曲较大的情况等时，有时在吸引区域61A～61I中的任一处外部空气进入到吸引槽7b内并发生泄漏，保持变得不完全。因此，在本过程中，在步骤S17中进行泄漏检查。泄漏检查的方法与第1过程的步骤S10是同样的。在步骤S17中判明发生了泄漏的情况下，如图12中虚线所示，再次返回到步骤S11，进行步骤S11～S16的处理。
另外，在图12中设为对所有的吸引区域61A～61I整体地进行泄漏检查的结构，但例如也可以通过在配管63A～63I中单独地配备真空计73而对吸引区域61A～61I单独地进行泄漏检查。在该情况下，也可以以上述步骤S11～S16为单位进行泄漏检查。此外，也可以将吸引区域61A～61I分为多个组并以每个组为单位进行泄漏检查。并且，在泄漏检查之后，也可以仅对吸引区域61A～61I中的检测出泄漏的区域或者组进行吸附处理。另外，步骤S17的泄漏检查是任意的，也可以省略。
在本过程中，由于在晶圆W的周缘部中使与吸附的部位邻接的周缘部的部位每两处同时吸附，因此与第1过程的晶圆W的保持方法相比能够在短时间内完成吸附保持。本过程的其他的结构和效果与第1过程是同样的。
[第3过程]
图13是说明本发明的实施方式的晶圆W的保持方法的过程的又一例的流程图。本过程包含步骤S21～步骤S25的处理。首先，作为准备阶段，利用未图示的输送装置将晶圆W载置于平台7的保持面7a。
(步骤S21)
在步骤S21中，使晶圆W的中央部即部位PI吸附于吸引区域61I。该步骤S21能够与第1过程的步骤S1同样地进行。
(步骤S22)
接着，在步骤S22中，使晶圆W的与部位PI邻接的周缘部的部位PA和相对于部位PA处于径向的对称位置的部位PE分别吸附于平台7的吸引区域61A和吸引区域61E。首先，使气体喷射装置45的任一个喷嘴81移动到晶圆W的部位PA和部位PE的正上方。接着，通过在从喷嘴81朝向晶圆W的部位PA和部位PE分别喷射气体的同时切换切换阀65A和切换阀65E，从而分别使吸引区域61A内和吸引区域61E内的吸引槽7b同时成为负压。此时，吸引区域61B～61D、61F～61H内的吸引槽7b保持大气开放状态。另外，吸引区域61I内的吸引槽7b与步骤S21同样维持负压的状态。由于晶圆W的周缘部的部位PA和部位PE在受到从上方喷射的气压辅助的同时背面侧成为负压，因此该部位PA和部位PE分别吸附于下方的吸引区域61A和吸引区域61E。
(步骤S23)
接着，在步骤S23中，使晶圆W的与部位PA邻接的周缘部的两个部位PB和部位PH分别吸附于平台7的吸引区域61B和吸引区域61H，并且使晶圆W的与部位PE邻接的周缘部的两个部位PD和部位PF分别吸附于吸引区域61D和吸引区域61F。具体的过程除了使4个喷嘴81移动到晶圆W的部位PB、部位PH、部位PD、部位PF的正上方并向各个部位同时喷射气体，并且切换切换阀65B、65H、65D、65F并分别使吸引区域61B内、吸引区域61H内、吸引区域61D内以及吸引区域61F内的吸引槽7b同时成为负压的方面之外与步骤S22是同样的。
(步骤S24)
接着，在步骤S24中，使残留在晶圆W的周缘部的两个邻接部位PC和部位PG分别吸附于平台7的吸引区域61C和吸引区域61G。具体的过程除了使两个喷嘴81移动到晶圆W的部位PC和部位PG的正上方并向各个部位同时喷射气体、并且切换切换阀65C和切换阀65G并分别使吸引区域61C内和吸引区域61G内的吸引槽7b同时成为负压的方面之外与步骤S22是同样的。
(步骤S25)
根据以上的步骤S21～S24，只要是正常的状态，就能够利用平台7的保持面7a整体吸附保持晶圆W。但是，在晶圆W的翘曲较大的情况等时，有时在吸引区域61A～61I中的任一处外部空气进入到吸引槽7b内并发生泄漏，保持变得不完全。因此，在本过程中，在步骤S25中进行泄漏检查。泄漏检查的方法与第1过程的步骤S10是同样的。在步骤S25中判明发生了泄漏的情况下，如图13中虚线所示，再次返回到步骤S21，进行步骤S21～S24的处理。
另外，在图13中设为对所有的吸引区域61A～61I整体地进行泄漏检查的结构，但例如也可以通过在配管63A～63I中单独地配备真空计73而对吸引区域61A～61I单独地进行泄漏检查。在该情况下，也可以以上述步骤S21～S24为单位进行泄漏检查。此外，也可以将吸引区域61A～61I分为多个组并以每个组为单位进行泄漏检查。并且，在泄漏检查之后，也可以仅对吸引区域61A～61I中的检测出泄漏的区域或者组进行吸附处理。另外，步骤S25的泄漏检查是任意的，也可以省略。
在本过程中，由于在晶圆W的周缘部中首先使两处的部位同时吸附，进而使与吸附的部位邻接的周缘部的部位最大4处同时吸附，因此与第1过程的晶圆W的保持方法相比，能够在短时间内完成吸附保持。本过程的其他的结构和效果与第1过程是同样的。
像以上那样，采用第1～第3过程的晶圆W的保持方法，即便是易于产生较大的翘曲的晶圆W也能够可靠地吸附保持。另外，在图3中列举了使晶圆W的周缘部吸附的8个吸引区域61A～61H的面积和形状相同的情况的例子，但各吸引区域61的面积、形状也可以不同。以下，列举变形例说明各吸引区域61的面积、形状不同的情况。
[变形例]
参照图14～图16说明本实施方式的晶圆W的保持方法的变形例。另外，在图14～图16中，吸引槽7b省略图示，表示了形成在平台7的保持面7a上的多个吸引区域61的大致的位置、形状及面积。在以下的说明中，仅说明晶圆W局部地吸附于各吸引区域61的吸附顺序，但与上述第1～第3过程同样，在吸附动作时从气体喷射装置45的任一个喷嘴81喷射气体。此外，在变形例中也能够进行泄漏检查。
＜第1变形例＞
首先，在图14所示的第1变形例中，平台7的保持面7a被可独立地保持减压的吸引槽7b划分为7个吸引区域61A、61B、61C、61D、61E、61F、61G。吸引区域61G是设于俯视呈圆形的保持面7a的中央部分的中央区域。吸引区域61A、61B、61C、61D、61E、61F是在俯视呈圆形的保持面7a上设于吸引区域61G的周围的周边区域。在此，在吸引区域61A～61F中包含具有不同面积的区域。具体地讲，吸引区域61A、61B是相同的面积。吸引区域61C、61D也是相同的面积，但具有比吸引区域61A、61B大的面积。吸引区域61E具有比吸引区域61C、61D更大的面积。吸引区域61F具有比吸引区域61E更大的面积。也就是说，在表示吸引区域61A～61F的面积的大小关系时，成为吸引区域61A＝吸引区域61B＜吸引区域61C＝吸引区域61D＜吸引区域61E＜吸引区域61F。
而且，在图14所示的第1变形例中，首先，在使晶圆W的中央部吸附于吸引区域61G之后，使晶圆W的周缘部依次从吸引区域61A～61F的面积较小的区域到面积较大的区域局部地吸附。具体地讲，使晶圆W的周缘部的部位吸附于吸引区域61A。接着，使与吸附于吸引区域61A的部位邻接的晶圆W的周缘部的部位吸附于吸引区域61B。接着，使与吸附于吸引区域61B的部位邻接的晶圆W的周缘部的部位吸附于吸引区域61C。接着，使与吸附于吸引区域61C的部位邻接的晶圆W的周缘部的部位吸附于吸引区域61D。接着，使与吸附于吸引区域61D的部位邻接的晶圆W的周缘部的部位吸附于吸引区域61E。接着，使与吸附于吸引区域61E的部位邻接的晶圆W的周缘部的部位吸附于吸引区域61F。通过这样使晶圆W从吸引区域61A～61F的面积较小的区域到面积较大的区域地吸附，从而能够利用平台7的保持面7a整体吸附保持晶圆W。
＜第2变形例＞
接着，在图15所示的第2变形例中，平台7的保持面7a被可独立地保持减压的吸引槽7b划分为6个吸引区域61A、61B、61C、61D、61E、61F。吸引区域61F是设于俯视呈圆形的保持面7a的中央部分的中央区域。吸引区域61A、61B、61C、61D、61E是在俯视呈圆形的保持面7a上设于吸引区域61F的周围的周边区域。在此，在吸引区域61A～61E中包含具有不同面积的区域。具体地讲，吸引区域61A是面积最小的区域。吸引区域61B、61E是相同的面积，但具有比吸引区域61A大的面积。吸引区域61C、61D是相同的面积，但具有比吸引区域61B、61E更大的面积。也就是说，在表示吸引区域61A～61E的面积的大小关系时，成为吸引区域61A＜吸引区域61B＝吸引区域61E＜吸引区域61C＝吸引区域61D。
而且，在图15所示的第2变形例中，首先，在使晶圆W的中央部吸附于吸引区域61F之后，使晶圆W的周缘部依次从吸引区域61A～61E的面积较小的区域到面积较大的区域局部地吸附。具体地讲，使晶圆W的周缘部的部位吸附于吸引区域61A。接着，使与吸附于吸引区域61A的部位邻接的晶圆W的周缘部的部位分别吸附于吸引区域61B、61E。接着，使与吸附于吸引区域61B、61E的部位邻接的晶圆W的周缘部的部位分别吸附于吸引区域61C、61D。通过这样使晶圆W从吸引区域61A～61E的面积较小的区域到面积较大的区域地吸附，从而能够利用平台7的保持面7a整体吸附保持晶圆W。
＜第3变形例＞
接着，在图16所示的第3变形例中，平台7的保持面7a被可独立地保持减压的吸引槽7b划分为9个吸引区域61A、61B、61C、61D、61E、61F、61G、61H、61I。吸引区域61I是设于俯视呈圆形的保持面7a的中央部分的中央区域。吸引区域61A、61B、61C、61D、61E、61F、61G、61H是在俯视呈圆形的保持面7a上设于吸引区域61I的周围的周边区域。在此，在吸引区域61A～61H中包含具有不同面积的区域。具体地讲，吸引区域61A、61B是相同的面积，其是在平台7的保持面7a的周边区域中划分在径向的内侧的面积最小的区域。吸引区域61C、61D是相同的面积，但具有比吸引区域61A、61B大的面积。此外，吸引区域61C、61D在平台7的保持面7a的周边区域中划分在比吸引区域61A、61B靠径向的外侧的区域。吸引区域61E、61H是相同的面积，但具有比吸引区域61C、61D更大的面积。吸引区域61F，61G是相同的面积，但具有比吸引区域61E、61H更大的面积。也就是说，在表示吸引区域61A～61H的面积的大小关系时，成为吸引区域61A＝吸引区域61B＜吸引区域61C＝吸引区域61D＜吸引区域61E＝吸引区域61H＜吸引区域61F＝吸引区域61G。
而且，在图16所示的第3变形例中，首先，在使晶圆W的中央部吸附于吸引区域61I之后，使晶圆W的周缘部依次从吸引区域61A～61H的面积较小的区域到面积较大的区域局部地吸附。具体地讲，使晶圆W的周缘部的部位吸附于吸引区域61A、61B。接着，使与吸附于吸引区域61A、61B的部位邻接的晶圆W的周缘部的部位分别吸附于吸引区域61C、61D。接着，使与吸附于吸引区域61C、61D的部位邻接的晶圆W的周缘部的部位分别吸附于吸引区域61E、61H。接着，使与吸附于吸引区域61E、61H的部位邻接的晶圆W的周缘部的部位分别吸附于吸引区域61G、61F。通过这样晶圆W从吸引区域61A～61H的面积较小的区域到面积较大的区域地吸附，从而能够利用平台7的保持面7a整体吸附保持晶圆W。
像以上那样，在第1～第3变形例中，使晶圆W的周缘部吸附的多个吸引区域61具有两个以上吸引区域61，该两个以上吸引区域61具有不同的面积。而且，能够使晶圆W的周缘部依次从面积较小的吸引区域61到面积较大的吸引区域61局部地吸附。由此，即使在晶圆W的翘曲较大、最初只能吸附较小的部位的情况下，也能够通过依次使邻接的部位吸附而增大吸附面积，逐渐缓和晶圆W的翘曲。其结果，能够在短时间内利用平台7的保持面7a整体吸附保持晶圆W的整个面。
此外，通过改变吸引区域61的面积、形状，从而能够减少吸引区域61的数量(也就是平台7的保持面7a的分割数)，因此也具有能够简化装置结构这样的优点。
[第2实施方式]
接着，参照图17～图19说明本发明的第2实施方式的探头装置。图17是表示本发明的第2实施方式的探头装置100A的内部构造的概略的立体图。探头装置100A作为按压部件具备与晶圆W的吸附部位上表面相抵接并将所述吸附部位向平台7的保持面7a按压的按压装置101。在图17的探头装置100A中，对与第1实施方式的探头装置100相同的结构标注相同的附图标记并省略说明。
在本实施方式中，多个按压装置101设于对准单元41的侧部。图18和图19是一个按压装置的说明图。如图18和图19所示，按压装置101包括作为按压构件的按压销103和用于使按压销103上下移位的驱动部105。按压销103的顶端优选由热导率比金属低的材质、例如陶瓷、合成树脂、橡胶等形成，更优选为氟橡胶等同时具有耐热性和弹性的材质。
虽省略图示，但驱动部105具有例如气缸等驱动器和弹簧等施力构件。如图18所示，通常利用施力构件的施力将按压销103的顶端保持在比对准单元41的下端靠上方的退避位置。在使驱动器进行工作时，如图19所示，按压销103克服施力构件的施力从对准单元41的下端以规定的行程进入到下方，其顶端抵接于晶圆W的吸附部位的上表面，从而局部地按压晶圆W。
这样，按压销103与从第1实施方式的气体喷射装置45喷射的气体同样地进行作用。也就是说，按压销103用于将晶圆W的上表面局部地向下方的平台7的保持面7a按压。其结果，在第2实施方式的探头装置100A中，能够按照与第1实施方式的探头装置100同样的过程吸附保持晶圆W。
按压装置101的数量并不限定于两个，也可以是1个，也可以是3个以上，但优选为多个。在本实施方式中，如图17所示，在对准单元41的侧部配置两个按压装置101，能够按压晶圆W的吸附部位。由此，在进行晶圆W的吸附保持时平台7沿XY方向移动的移动距离变短，能够抑制装置整体的占用面积。此外，在本实施方式中，通过将按压装置101安装于对准单元41，不必设置另外的支承机构，能够简化装置结构。另外，按压装置101也可以替代安装于对准单元41而设为利用独立的支承构件支承的结构。
接着，参照图20说明形成在探头装置100A的平台7的保持面7a上的多个吸引区域。在探头装置100A中，平台7的保持面7a被可独立地保持减压的吸引槽7b分割成12个吸引区域61。在图20中，为了使说明简略，按照使晶圆W吸附的顺序用1号～12号的编号表示划分设置在平台7的保持面7a上的12个吸引区域61。
在图20中，用1号和2号表示的吸引区域61是中央区域，其设于俯视呈圆形的保持面7a的中央部分。此外，用1号和2号表示的吸引区域61从平台7的保持面7a的中心侧向径向外方形成为不同的面积。这样，中央区域也可以具有在保持面7a的径向上分割成的多个区域。
另一方面，用3号～12号表示的吸引区域61是周边区域，其在俯视呈圆形的保持面7a上设于用1号和2号表示的中央区域的周围。此外，用3号、4号、5号表示的吸引区域61从平台7的保持面7a的中心侧向径向外方形成为不同的面积。这样，周边区域也可以具有在保持面7a的径向上分割成的多个区域。
本实施方式的探头装置100A的其他的结构和效果与第1实施方式是同样的。
接着，说明探头装置100A的晶圆W的保持方法。在本过程中，首先，使晶圆W的中央部依次吸附于平台7的保持面7a的中央区域即1号区域和比其稍靠外侧的2号区域。接着，使晶圆W的周缘部从中心侧朝向径向外方地依次吸附于平台7的保持面7a的周边区域即3号区域、4号区域、5号区域。接着，使晶圆W的周缘部在周向上按顺序吸附于6号区域、7号区域、8号区域、9号区域、10号区域、11号区域、12号区域。通过这样重复使晶圆W局部地吸附于邻接的区域的动作，从而能够使晶圆W整体容易地吸附保持于平台7的保持面7a。因而，即便是有翘曲的晶圆W，也能够使其整体可靠地吸附于平台7的保持面7a。
接着，参照图21～图33说明探头装置100A的晶圆W的保持方法的更具体的过程。在图21～图33中表示了设于对准单元41的侧部的两处的按压装置101的按压销103与平台7的保持面7a之间的位置关系。为了便于说明，两个按压装置101用附图标记101A、101B区分表示。平台7的保持面7a的1～12的编号是与图20相同的意思。此外，晶圆W自身省略图示。另外，对准单元41能够沿着图中的Y方向往复移动，平台7能够沿着图中的XY方向进行移动。
在图21中，使平台7移动到晶圆W的交接位置。然后，装载部3将晶圆W(未图示)输送到平台7的保持面7a。
接着，如图22所示，使对准单元41沿Y方向移动到按压装置101A的按压销103位于1号区域的正上方的位置为止。然后，将1号区域的吸引设为开启，使单侧的按压装置101A的按压销103伸出，按压晶圆W的中央部并使其吸附于1号区域。在图22中用黑点表示了按压销103的按压位置(在图23～图33中是同样的)。之后，在利用泄漏检查确认了吸附之后使按压销103退避。
接着，如图23所示，使平台7移动到按压装置101A的按压销103位于2号区域的正上方的位置为止。然后，将2号区域的吸引设为开启，使按压装置101A的按压销103伸出，按压晶圆W的中央部的径向稍靠外侧并使其吸附于2号区域。在利用泄漏检查确认了吸附之后使按压销103退避。
另外，在1号区域和2号区域的吸附中，也可以维持着利用按压装置101A的按压销103按压晶圆W的中央部的1处的状态，同时使其按顺序吸附于1号区域、2号区域。
接着，如图24所示，使平台7移动到按压装置101A的按压销103位于3号区域的正上方的位置为止。然后，将3号区域的吸引设为开启，使按压销103伸出，局部地按压晶圆W并使其吸附于3号区域。在利用泄漏检查确认了吸附之后使按压销103退避。
接着，如图25所示，使平台7移动到按压装置101A的按压销103位于4号区域的正上方的位置为止。然后，将4号区域的吸引设为开启，使按压销103伸出，局部地按压晶圆W并使其吸附于4号区域。在利用泄漏检查确认了吸附之后使按压销103退避。
接着，如图26所示，使平台7移动到按压装置101A的按压销103位于5号区域的正上方的位置为止。然后，将5号区域的吸引设为开启，使按压销103伸出，局部地按压晶圆W并使其吸附于5号区域。在利用泄漏检查确认了吸附之后使按压销103退避。
另外，在3号区域～5号区域的吸附中，也可以维持着利用按压装置101A的按压销103按压与任一个区域相对应的晶圆W上的1处的状态，同时使其按顺序吸附于3号区域、4号区域、5号区域。
接着，如图27所示，使平台7移动到按压装置101A的按压销103位于6号区域的正上方的位置为止。然后，将6号区域的吸引设为开启，使按压销103伸出，局部地按压晶圆W并使其吸附于6号区域。在利用泄漏检查确认了吸附之后使按压销103退避。
以下，同样按照7号区域(参照图28)、8号区域(参照图29)的顺序重复按压装置101A的按压销103的按压和退避并使晶圆W局部地吸附。
接着，如图30所示，替代按压装置101A，使平台7移动到按压装置101B的按压销103位于9号区域的正上方的位置为止。然后，将9号区域的吸引设为开启，使按压销103伸出，局部地按压晶圆W并使其吸附于9号区域。在利用泄漏检查确认了吸附之后使按压销103退避。通过这样在中途从按压装置101A切换到按压装置101B，从而能够不增大平台7的可动范围地实施晶圆W的吸附处理。因而，不会使包含用于使平台7沿XY方向进行移动的X方向移动单元21和Y方向移动单元23的装置的占用面积扩大，能够可靠地吸附保持晶圆W。
以下，同样按照10号区域(参照图31)、11号区域(参照图32)、12号区域(参照图33)的顺序重复按压装置101B的按压销103的按压和退避并使晶圆W局部地吸附。
通过这样使晶圆W按顺序吸附于1号区域～12号区域，从而能够利用平台7的保持面7a整体可靠地吸附保持晶圆W。另外，通过替代在对准单元41上设置两个按压装置101而在对准单元41上设置两处与第1实施方式同样的气体喷射装置45的喷嘴81，从而替代重复按压销103的按压和退避而重复气体的喷射和停止，也能够同样地实施本过程。
以上，出于例示的目的详细地说明了本发明的实施方式，但本发明并不被上述实施方式所制约，能够进行各种各样的变形。例如，在上述实施方式中，举例说明了对形成在晶圆W上的器件进行检查的探头装置，但本发明的基板保持方法和基板保持装置能够应用于具备真空吸附地保持基板的平台的所有处理装置。
此外，在上述第1～第3过程中，设为首先是使晶圆W的中央部的部位PI吸附的结构，但例如像不设置保持面7a的中央部分的吸引区域61I的情况那样，根据吸引区域61的划分方式，并不限定于此。
此外，在上述第3过程中，是设为在使晶圆W的周缘部的部位的两处吸附之后使邻接的两处～四处同时吸附的结构。但是，也可以在使晶圆W的周缘部的部位的两处吸附之后使与这两处邻接的部位中的每个单侧的部位(也就是同时每两处)依次例如顺时针或者逆时针地吸附。
并且，在上述第3过程中，是在使晶圆W的中央部的部位PI吸附之后使晶圆W的周缘部的两处部位同时吸附，但在被划分的吸引区域61的数量较多的情况等时，也可以接着部位PI使晶圆W的周缘部的3处以上部位同时吸附。
此外，作为基板，并不限于半导体晶圆、树脂基板，例如也可以是在液晶显示装置中使用的玻璃基板所代表的平板显示器用基板、安装有许多个IC(半导体集成电路)芯片的树脂基板、玻璃基板等安装检查用基板。
本国际申请基于2015年4月4日提出申请的日本特许出愿2015－077278号和2015年11月25日提出申请的日本特许出愿2015－229657号主张优先权，将该申请的全部内容引用于此。

Claims (24)

1.一种基板保持方法，其用于使呈圆形的基板吸附保持于平台，其中，
所述平台具有用于吸附并保持所述基板的下表面的圆形的基板保持面，
所述基板保持面被划分为能够局部地吸引所述基板的多个区域，该多个区域中的至少一部分在所述基板保持面上沿周向排列，
通过依次重复在使所述基板的一部分吸附于所述多个区域中的至少一个区域之后、使所述基板的其他部分吸附于与使所述基板的一部分吸附的区域邻接的区域的操作，从而使所述基板整体吸附保持于所述平台，
并且，使所述基板局部地依次沿周向吸附于所述多个区域中的在所述基板保持面上沿周向排列的区域，且在使所述基板局部地吸附时，利用按压部件将所述基板的吸附部位向所述基板保持面按压。
2.根据权利要求1所述的基板保持方法，其中，
所述多个区域中的至少一部分在所述基板保持面上沿径向排列，使所述基板局部地依次沿径向吸附于所述多个区域中的沿所述径向排列的区域。
3.根据权利要求1所述的基板保持方法，其中，
所述按压部件是用于朝向所述吸附部位的上表面吹喷气体的气体喷射装置。
4.根据权利要求3所述的基板保持方法，其中，
所述气体是温度保持在所述平台的温度±10℃的范围内的加热气体。
5.根据权利要求1所述的基板保持方法，其中，
所述按压部件是具有与所述吸附部位的上表面相抵接并将所述吸附部位向所述基板保持面按压的按压构件的按压装置。
6.根据权利要求1所述的基板保持方法，其中，
所述多个区域包含与所述基板的中央部分相对应的中央区域和与所述基板的周缘部相对应且包围所述中央区域的多个周边区域，
该基板保持方法依次进行以下的工序：
使所述基板的中央部分吸附于所述中央区域；
接着，使所述基板的周缘部的一部分吸附于所述周边区域中的一个区域；
接着，使所述基板的周缘部的其他部分吸附于与使所述基板的周缘部的一部分吸附的所述周边区域邻接的一个或两个周边区域；以及
接着，使所述基板的与周缘部的所述其他部分邻接的另外部分吸附于与使所述基板的周缘部的所述其他部分吸附的周边区域邻接的周边区域。
7.根据权利要求1所述的基板保持方法，其中，
所述多个区域包含与所述基板的中央部分相对应的中央区域和与所述基板的周缘部相对应且包围所述中央区域的多个周边区域，
该基板保持方法依次进行以下的工序：
使所述基板的中央部分吸附于所述中央区域；
接着，使所述基板的周缘部局部地分别吸附于所述周边区域中的两个区域；
接着，使所述基板的周缘部的其他部分分别吸附于与使所述基板的周缘部局部地吸附的所述周边区域邻接的多个周边区域；以及
接着，使所述基板的与周缘部的所述其他部分邻接的另外部分分别吸附于与使所述基板的周缘部的所述其他部分吸附的多个周边区域邻接的多个周边区域。
8.根据权利要求6所述的基板保持方法，其中，
所述多个周边区域包含具有不同面积的两个以上周边区域，
使所述基板的周缘部依次从所述周边区域中的面积较小的区域到面积较大的区域局部地吸附。
9.根据权利要求1所述的基板保持方法，其中，
对于所述多个区域，以每个区域、或者包含两个以上区域的组合为单位进行在吸附着所述基板的状态下检测外部空气的进入状态的泄漏检测。
10.一种处理方法，其用于对基板进行规定的处理，其中，
该处理方法包含利用权利要求1所述的基板保持方法使基板吸附保持于平台的工序。
11.根据权利要求10所述的处理方法，其中，
该处理方法是检查形成在基板上的多个器件的电特性的器件的检查方法。
12.一种基板保持装置，其包括用于吸附并保持呈圆形的基板的下表面的、具有圆形的基板保持面的平台和用于将所述基板的一部分向所述基板保持面按压的按压部件，其中，
所述基板保持面被划分为能够局部地吸引所述基板的多个区域，该多个区域中的至少一部分在所述基板保持面上沿周向排列，
所述按压部件与所述平台的所述多个区域相对应地按压所述基板的一部分，被按压的该一部分为吸附部位，且使所述基板局部地依次沿周向按压并吸附于所述多个区域中的在所述基板保持面上沿周向排列的区域。
13.根据权利要求12所述的基板保持装置，其中，
所述多个区域中的至少一部分在所述基板保持面上沿径向排列，
所述按压部件使所述基板局部地依次沿径向按压并吸附于所述多个区域中的沿所述径向排列的区域。
14.根据权利要求12所述的基板保持装置，其中，
所述按压部件是用于朝向所述吸附部位的上表面吹喷气体的气体喷射装置。
15.根据权利要求14所述的基板保持装置，其中，
所述气体喷射装置具有与所述平台的所述多个区域相对应以每个区域、或者包含两个以上区域的组合为单位吹喷所述气体的喷嘴。
16.根据权利要求15所述的基板保持装置，其中，
所述气体是温度保持在所述平台的温度±10℃的范围内的加热气体。
17.根据权利要求12所述的基板保持装置，其中，
所述按压部件是具有与所述吸附部位的上表面相抵接并将所述吸附部位向所述基板保持面按压的按压构件的按压装置。
18.根据权利要求17所述的基板保持装置，其中，
所述按压构件的与所述基板相抵接的部分由陶瓷、合成树脂或者橡胶形成。
19.根据权利要求12所述的基板保持装置，其中，
该基板保持装置还具有对于所述多个区域以每个区域、或者多个的组合为单位在吸附着所述基板的状态下检测外部空气的进入状态的泄漏检测部。
20.根据权利要求12所述的基板保持装置，其中，
所述多个区域包含与所述基板的中央部分相对应的中央区域和与所述基板的周缘部相对应且包围所述中央区域的多个周边区域，
所述多个周边区域包含具有不同面积的两个以上周边区域。
21.根据权利要求20所述的基板保持装置，其中，
所述中央区域具有在所述基板保持面的径向上分割成的多个区域。
22.根据权利要求20所述的基板保持装置，其中，
所述周边区域具有在所述基板保持面的径向上分割成的多个区域。
23.一种处理装置，其用于对基板进行规定的处理，其中，
该处理装置具备权利要求12所述的基板保持装置。
24.根据权利要求23所述的处理装置，其中，
该处理装置是用于检查形成在基板上的多个器件的电特性的探头装置。
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