CN113508457A - 基片保持装置和基片吸附方法 - Google Patents

Abstract

基片保持装置具有工作台和吸气路径。工作台用于载置基片，通过真空吸附基片的背面来保持基片。吸气路径与用于进行真空吸附的真空泵连接。工作台的基片载置面被划分为多个区域。能够使用设置在与多个区域各自对应的吸气路径中的阀，对多个区域各自切换真空吸附用的吸附力。在多个区域分别形成有多个微细孔。

Description

基片保持装置和基片吸附方法

技术领域

本发明涉及基片保持装置和基片吸附方法。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，要进行用于评价半导体器件的电特性的探测检查。探测检查中，使探针与形成在半导体基片上的半导体器件的电极接触，按每个半导体器件输入电信号，通过观测对此输出的电信号，进行电特性评价。

用于探测检查的探测装置能够保持形成有作为检查对象的半导体器件的被检查基片。此外，探测装置包括：工作台(载置台)，其能够进行水平方向移动、竖直方向移动和旋转；和对准装置，其用于使探针与形成在被检查基片上的半导体器件的电极精确地接触。

作为在半导体工艺领域中保持基片的技术，已知有对基片的背面与工作台之间进行减压以进行固定的真空卡盘。此外，提出了通过从具有真空抽吸孔的基片保持装置的上方吹送气体，使得对于具有翘曲的基片也能够吸附。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-214676号公报

专利文献2：日本特开2000-243814号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供能够将基片吸附于基片载置面的基片保持装置和基片吸附方法。

用于解决技术问题的手段

本发明的一个方式的基片保持装置具有工作台和吸气路径。工作台用于载置基片，通过真空吸附基片的背面来保持基片。吸气路径与用于进行真空吸附的真空泵连接。工作台的基片载置面被划分为多个区域。能够使用设置在与多个区域各自对应的吸气路径中的阀，对多个区域各自切换真空吸附用的吸附力。在多个区域分别形成有多个微细孔。

发明效果

采用本发明，能够将基片吸附在基片载置面上。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式中的探测装置的一个例子的图。

图2是表示本实施方式中的探测装置的内部构造的一个例子的图。

图3是表示本实施方式中的工作台的基片载置面的一个例子的图。

图4是表示工作台的基片载置面的纵截面和与真空泵的连接状态的一个例子的图。

图5是表示真空卡盘机构中的多个区域与真空泵的连接状态的一个例子的图。

图6是示意性地表示气体喷射装置与被保持在工作台上的基片的位置关系的一个例子的图。

图7是表示工作台的基片载置面中的多个区域与基片的部位的关系的一个例子的图。

图8是表示本实施方式中的基片吸附方法的一个例子的流程图。

图9是示意性地表示比较例1中的吸附状态的一个例子的图。

图10是示意性地表示本实施方式中的吸附状态的一个例子的图。

图11是示意性地表示变形例中的工作台的基片载置面和基片与泄漏判断阈值的关系的一个例子的图。

具体实施方式

下面，基于附图对所公开的基片保持装置和基片吸附方法的实施方式进行详细说明。另外，所公开的技术不受下述实施方式的限定。

以往，已知有在基片载置面设置有孔的真空卡盘。此外，也考虑将基片载置面分割成多个区域，对每个区域设置槽来代替孔的工作台的结构。在这样的真空卡盘或工作台中，在基片的翘曲大的情况下，即使吹送气体，在一部分的孔或槽的周围也会产生间隙，会产生在吸附开始时无法吸附的部分。例如，在将基片载置面分割成多个区域的工作台中，在按每个区域依次开始吸附的情况下，如果有无法吸附的区域，则在该区域中处理停止，难以吸附整个基片。因此，期待对在基片的吸附开始时无法吸附的区域也能够吸附。

[探测装置100的构成]

图1是表示本发明的一个实施方式中的探测装置的一个例子的图。图2是表示本实施方式中的探测装置的内部构成的一个例子的图。

本实施方式的探测装置100是对形成在半导体晶片、树脂基片等基片(下面，有时简称为“晶片”)W上的半导体器件等器件(未图示)的电特性进行检查的装置。探测装置100包括：主体1；与该主体1相邻地配置的装载部3；和以覆盖主体1的方式配置的测试头5。此外，探测装置100包括：用于载置晶片W的工作台7；和用于对探测装置100的各构成部的动作进行控制的控制部50。

＜主体＞

主体1是内部中空的壳体，能够收纳工作台7。在主体1的顶部1a形成有开口部1b。开口部1b位于被载置在工作台7上的晶片W的上方，保持具有多个探针的圆板状的探针卡(图示省略)的大致圆板状的探针卡保持器(图示省略)该开口部1b与卡合。利用该探针卡保持器，将探针卡与被载置在工作台7上的晶片W相对地配置。

＜装载部＞

装载部3能够将被收纳在作为输送容器的前开式晶片传送盒(FOUP)(图示省略)中的晶片W取出并输送到主体1的工作台7。另外，装载部3能够从工作台7接收器件的电特性的检查结束了的晶片W，并将其收纳在前开式晶片传送盒中。

＜测试头＞

测试头5呈长方体形状，构成为可通过设置在主体1上的铰链机构11向上方转动。测试头5在从上方覆盖主体1的状态下，经由未图示的接触环与探针卡电连接。测试头5具有将从探针卡传送的表示器件的电特性的电信号作为测量数据存储，并且基于测量数据来判断器件有无电缺陷的功能。

＜工作台＞

如图2所示，工作台7配置在基台20上，具有：能够沿着图中所示的X方向移动的X方向移动单元21；能够沿着图中所示的Y方向移动的Y方向移动单元23；和能够沿着图中所示的Z方向移动的Z方向移动单元25。此外，工作台7具有用于吸附保持晶片W的真空卡盘机构60。工作台7的上表面成为利用真空卡盘机构60吸附并保持晶片W的基片载置面7a。关于真空卡盘机构60的详细构成，将在后面进行说明。此外，在工作台7中设置有未图示的加热器，能够在例如25℃～200℃的范围内调节基片载置表面7a的温度。即，由配置在基台20上的工作台7、真空卡盘机构60等构成基片保持装置。

X方向移动单元21能够通过滚珠螺杆21a的转动，使工作台7沿着配置在X方向上的导轨27在X方向上高精度地移动。滚珠螺杆21a由电动机(未图示)转动。另外，能够利用与该电动机结合的编码器(未图示)来检测工作台7的移动量。

Y方向移动单元23能够通过滚珠螺杆23a的转动，使工作台7沿着配置在Y方向上的导轨29在Y方向上高精度地移动。滚珠螺杆23a由电动机23b转动。另外，能够利用与该电动机23b结合的编码器23c来检测工作台7的移动量。

这样，X方向移动单元21和Y方向移动单元23能够使工作台7沿着水平面在彼此正交的X方向和Y方向上移动。

Z方向移动单元25具有未图示的电动机和编码器，能够使工作台7沿着Z方向上下移动，并且能够检测出工作台7的移动量。Z方向移动单元25能够使工作台7向探针卡移动，从而使晶片W上的器件的电极与探针接触。另外，工作台7配置成可由未图示的电动机，在Z方向移动单元25上，在图中所示的θ方向上转动。

＜下部摄像单元＞

此外，在主体1的内部配置有下部摄像单元35。在此，下部摄像单元35用于对形成在探针卡上的探针进行拍摄。下部摄像单元35被固定在工作台7上，能够与工作台7一起在X方向、Y方向和Z方向上移动。

＜对准单元＞

此外，在主体1的内部，在工作台7的上方配置有对准单元41。对准单元41构成为可由未图示的驱动部，在图2中的Y方向上移动。对准单元41具有与工作台7、下部摄像单元35相对的沿着水平面的下表面。

＜上部摄像单元＞

在对准单元41上设置有上部摄像单元43。上部摄像单元43用于对在被载置在工作台7上的晶片W上形成的器件的电极进行拍摄。

＜气体喷射装置＞

在对准单元41上设置有气体喷射装置45，该气体喷射装置45用于向被载置在工作台7上的晶片W的上表面喷射气体。气体喷射装置45能够对晶片W的上表面喷射例如干燥空气等气体。气体喷射装置45是在利用真空卡盘机构60使工作台7吸附保持晶片W时，用于使吸附容易进行的吸附辅助装置。于是，具有真空卡盘机构60的工作台7和气体喷射装置45，作为本发明中的基片保持装置，协同地进行晶片W在基片载置面7a上的吸附保持。关于气体喷射装置45的详细构成，将在后面进行说明。

＜真空卡盘机构＞

接下来，参照图3～图5对工作台7中的真空卡盘机构60进行说明。图3是表示本实施方式中的工作台的基片载置面的一个例子的图。图4是表示工作台的基片载置面的纵截面和与真空泵的连接状态的一个例子的图。真空卡盘机构60包括：设置在工作台7的基片载置面7a的多个微细孔7b；与微细孔7b连接的空间62；与各空间62连接的吸气路径63；和与吸气路径63的另一端侧连接的真空泵70。

工作台7的基片载置面7a被划分为多个区域61。在图3所示的例子中，被划分为：与工作台7的基片载置面7a的中央部分对应的中央区域；和与工作台7的基片载置面7a的周缘部对应的、将中央区域包围的多个周边区域。中央区域是图3所示的区域61A，对应于俯视时呈圆形的基片载置面7a的中央部分。周边区域是区域61B、61C、61D、61E、61F、61G、61H、61I、61J、61K、61L、61M，设置在俯视时呈圆形的基片载置面7a的区域61A的周围。区域61A用于对圆形的晶片W的中央部分进行吸附。区域61B、61C、61D、61E、61F、61G、61H、61I、61J、61K、61L、61M用于对圆形的晶片W的周缘部分进行吸附。

微细孔7b设置在区域61A～61M的整个区域。微细孔7b例如口径φ＝0.25mm、间距p＝0.5mm，以满足φ＜p≤2φ的条件的图案竖直地设置。微细孔7b经由空间62和吸气路径63，与真空泵70连接。在晶片W被保持在基片载置面7a上的状态下，微细孔7b被晶片W封闭，空间62和微细孔7b内被维持为减压。

图4表示图3的IV-IV线箭头方向看时的工作台7的上部的截面。如图4所示，区域61A的多个微细孔7b与设置在区域61A的下部的空间62A连接。当从基片载置面7a侧看时，空间62A为与区域61A大致相同的形状。在空间62A的内部设置有用于支承空间62A的支柱。另外，各空间62彼此不连通，是独立的空间。空间62A经由与区域61A对应的配管63A和各区域61的配管合流的吸气路径63，与真空泵70连接。在配管63A上设置有真空计64A和切换阀65A。

另外，区域61B～61M与区域61A同样，例如，区域61D、61J的微细孔7b分别与空间62D、62J连接，经由配管63D、63J和吸气路径63，与真空泵70连接。此外，在配管63D、63J上分别设置有真空计64D、64J和切换阀65D、65J。

图5是表示真空卡盘机构中的多个区域与真空泵的连接状态的一个例子的图。在图5中，表示出了真空卡盘机构60中的区域61A～61M与真空泵70的连接状态。各区域61A～61M的空间62A～62M分别经由构成吸气路径63的一部分的配管63A～63M与真空泵70连接。在各配管63A～63M的中途设置有切换阀65A～65M。切换阀65A～65M能够切换：区域61A～61M能够由真空泵70吸引的状态；和区域61A～61M经由排气管67A～67M向外部空气71开放的状态。利用上述结构，在各区域61A～61M中，能够独立地在局部吸引晶片W。例如，区域61A和区域61B能够各自分别对晶片W采取吸附状态和非吸附状态。即，各区域61A～61M能够独立地控制吸附状态和非吸附状态。

此外，在吸气路径63中设置有真空计73。通过利用真空计73测量吸气路径63的压力，能够检测出在区域61A～61M的任一者中是否发生了外部空气进入的泄漏。

＜气体喷射装置＞

接下来，参照图6对气体喷射装置45的详细构成进行说明。图6是示意性地表示气体喷射装置与被保持在工作台上的基片的位置关系的一个例子的图。在本实施方式中，气体喷射装置45包括：用于向晶片W的上表面局部地喷射气体的多个喷嘴81(例如，3个)；和用于支承各喷嘴81的喷嘴板83。此外，气体喷射装置45包括：与各喷嘴81连接的用于向喷嘴81供给气体的配管85；和与该配管85的另一端侧连接的气体源87。在配管85的中途设置有用于进行流量控制的质量流量控制器(MFC)89和开关阀91。作为气体，例如可以举出干燥空气、氮气、稀有气体等。各喷嘴81经由配管85分支出来的分支管85A～85C与气体源87连接。在各分支管85A～85C上分别设置有开关阀93A～93C。

此外，作为从气体喷射装置45喷射的气体，也可以使用加热气体。在该情况下，加热气体的温度优选为与工作台7的基片载置面7a的温度相同程度的温度。例如，加热气体的温度相对于工作台7的基片载置面7a的温度优选设定在±10℃的范围内，更优选设定在±5℃的范围内。例如，当工作台7的基片载置面7a的温度为120℃时，加热气体的温度优选在110℃～130℃的范围内，更优选在115℃～125℃的范围内。此外，例如当工作台7的基片载置面7a的温度为150℃时，加热气体的温度优选在140℃～160℃的范围内，更优选在145℃～155℃的范围内。

通过使用加热气体作为从气体喷射装置45喷射的气体，能够从晶片W的上表面侧也对晶片W进行加热。其结果是，能够使被载置在工作台7的基片载置面7a上的晶片W的下表面与上表面的温度差尽可能减小，因此，能够抑制晶片W加热时的翘曲的发生。特别是，在晶片W为将不同的树脂层叠的结构的情况下，由于材质的热膨胀率的不同，容易发生翘曲，因此，使用加热气体对抑制翘曲是有效的。此外，利用加热气体能够从上表面侧也对晶片W进行加热，因此，在晶片W的材质使用热塑性树脂的情况下，其柔软性增加，在基片载置面7a上的吸附变得容易。

在本实施方式中，喷嘴板83被支承在对准单元41上，因此，3个喷嘴81能够在图2中的Y方向上移动。另一方面，工作台7能够由X方向移动单元21、Y方向移动单元23和Z方向移动单元25在图2中的X-Y-Z方向上移动。因此，能够从各喷嘴81向被保持在工作台7上的晶片W的目标部位独立地喷射气体。在本实施方式中，构成为能够向工作台7的基片载置面7a的被划分成的13个区域61A～61M，在各自的时机喷射气体。例如，在图3中，将气体喷射位置61A1、61B1、61C1、61D1、61E1、61F1、61G1、61H1、61I1、61J1、61K1、61L1、61M1对13个区域61A～61M投影并用虚拟线表示。因此，对于被保持在工作台7上的晶片W，能够在与区域61A～61M对应的13个部位的位置各自喷射气体。

另外，喷嘴81并不限于3个，例如可以是1个或2个，也可以是4个以上，也可以是与各区域61A～61M分别对应地设置13个喷嘴81。此外，也可以是与对准单元41独立地设置气体喷射装置45。

＜控制部＞

控制部50用于对探测装置100的各构成部的动作进行控制。控制部50可以是具有处理器、存储部、输入装置、显示装置等的计算机。控制部50对探测装置100的各部进行控制。在控制部50中，操作者可以使用输入装置，为了管理探测装置100而进行命令的输入操作等。此外，在控制部50中，能够利用显示装置，可视化地显示探测装置100的工作状况。另外，在控制部50的存储部中存储有用于利用处理器来控制由探测装置100执行的各种处理的控制程序、和处理方案数据。控制部50的处理器执行控制程序，按照处理方案数据对探测装置100的各部进行控制，从而由探测装置100执行想要的处理。

控制部50进行控制，使得在本实施方式的探测装置100中，能够对多个晶片W执行对在晶片W上形成的器件的检查。具体而言，控制部50对探测装置100的各构成部(例如，电动机23b等驱动装置、编码器23c等位置检测装置、下部摄像单元35、上部摄像单元43、气体喷射装置45、真空卡盘机构60等)进行控制。这些可通过控制部50的处理器执行控制程序来实现。

在上述的构成的探测装置100中，通过使工作台7在水平方向(X方向、Y方向、θ方向)和竖直方向(Z方向)上移动，来调节探针卡与被保持在工作台7上的晶片W的相对位置，使器件的电极与探针抵接。测试头5经由探针卡的各探针向器件流动检查电流。探针卡将表示器件的电特性的电信号传送至测试头5。测试头5将被传送来的电信号作为测量数据存储，判断作为检查对象的器件有无电缺陷。

[基片吸附方法]

接下来，对本发明的实施方式的基片吸附方法进行说明。首先，参照图7，对工作台7的基片载置面7a的区域61A～61M与被吸附在那里的晶片W的部位的关系进行说明。图7是表示工作台的基片载置面上的多个区域与基片的部位的关系的一个例子的图。在此，将被吸附在工作台7的区域61A的晶片W的一部分称为部位PA。同样地，分别将晶片W的被吸附在区域61B的部分称为部位PB，将晶片W的被吸附在区域61C的部分称为部位PC，将晶片W的被吸附在区域61D的部分称为部位PD，将晶片W的被吸附在区域61E的部分称为部位PE。另外，分别将晶片W的被吸附在区域61F的部分称为部位PF，将晶片W的被吸附在区域61G的部分称为部位PG，将晶片W的被吸附在区域61H的部分称为部位PH，将晶片W的被吸附在区域61I的部分称为部位PI。另外，分别将晶片W的被吸附在区域61J的部分称为部位PJ，将晶片W的被吸附在区域61K的部分称为部位PK，将晶片W的被吸附在区域61L的部分称为部位PL，将晶片W的被吸附在区域61M的部分称为部位PM。

图8是表示本实施方式的基片吸附方法的一个例子的流程图。首先，作为准备阶段，利用未图示的输送装置，将晶片W载置在工作台7的基片载置面7a上。

控制部50从多个区域61A～61M中选择1个区域(步骤S1)。控制部50对所选择的1个区域61、例如区域61A，使对应的晶片W的部位PA吸附在该区域(步骤S2)。控制部50切换切换阀65A，使区域61A的空间62A和微细孔7b为负压。此时，与其它的区域61B～61M对应的空间62B～62M和微细孔7b保持大气开放状态。另外，控制部50可以使气体喷射装置45的任一个喷嘴81移动到部位PA的正上方，从喷嘴81向部位PA喷射气体。

控制部50将所选择的区域61、例如区域61A的吸附阈值与当前的吸附力进行比较(步骤S3)。在此，吸附力例如可以用百分比表示。吸附力例如将在没有载置晶片W的状态下使真空泵70动作时的真空计64A～64M的值作为用百分比表示时的0％。此外，吸附力例如将在载置有调节用的平坦的晶片W的状态下使真空泵70动作时的真空计64A～64M的值作为用百分比表示时的100％。吸附阈值是对区域61A～61M各自设定的、用于判断是否可以前进到下一个区域61的吸附的阈值。吸附阈值可以为比没有载置晶片W的状态的值大的值。吸附阈值例如可以使用5％、10％等表示即使少也能够吸附的状态的值。即，吸附阈值可以使用与下述的状态对应的值：即使区域61的一部分浮起而发生了空气等从外部经由微细孔7b的一部分流入空间62，也能够利用没有浮起的部分的微细孔7b来吸引。另外，吸附阈值也可以设定为其它的值，例如30％等任意的值。

控制部50判断所选择的区域61的当前的吸附力是否为吸附阈值以上(步骤S4)。控制部50在判断为当前的吸附力为吸附阈值以上时(步骤S4：是)，判断是否所有区域61的吸附已完成(步骤S5)。控制部50例如在所有区域61的吸附力达到50％以上(吸附力的判断值50％)时，判断为吸附已完成。

控制部50在判断为不是所有区域61的吸附已完成时(步骤S5：否)，判断是否反复进行了规定次数的步骤S2～S7，即，是否反复进行了规定次数的吸附(步骤S6)。在此，例如，当设对区域61A～61M的一系列的吸附进行5次时，规定次数可以为区域61A～61M的个数13个×5次＝65次。另外，对吸附已完成的区域的次数要减去。控制部50在判断为没有反复进行规定次数的吸附时(步骤S6：否)，选择下一个区域61、例如区域61B(步骤S7)，返回到步骤S2。控制部50例如对区域61A～61M反复进行步骤S2～S7，直到吸附力达到50％以上。此时，吸附已完成的区域61可以跳过。

控制部50在判断为反复进行了规定次数的吸附时，即，在有即使反复进行规定次数的吸附也未完成吸附的区域61时(步骤S6：是)，输出基片无法吸附的意思的错误(步骤S8)，结束基片吸附处理。另外，控制部50在步骤S4中判断为当前的吸附力小于吸附阈值时(步骤S4：否)，输出基片无法吸附的意思的错误(步骤S8)，结束基片吸附处理。

控制部50在步骤S5中判断为所有区域61的吸附已完成时(步骤S5：是)，认为基片吸附已完成，结束基片吸附处理。由此，在本实施方式的基片吸附方法中，对于在基片的吸附开始时吸附没有完成的部分也能够吸附。即，在本实施方式的基片吸附方法中，一点一点地吸附区域61A～61M，通过重复该操作，能够使晶片W(基片)逐渐吸附在基片载置面7a上。从而，在探测装置100中，能够进行可靠性高的器件检查。

[变形例]

在上述的实施方式中，对工作台7和晶片W为圆形的情况进行了说明，但是对于工作台7和晶片W中的任一者或两者为四边形的情况，也能够使用吸附阈值进行吸附。首先，使用图9和图10，说明作为比较例1的在区域61中设置槽并将槽与吸气路径63连接来进行吸引的情况、和如上述的实施方式那样设置微细孔7b和空间62来进行吸引的情况。

图9是示意性地表示比较例1中的吸附状态的一个例子的图。如图9所示，在比较例1中，在工作台201上设置有槽202，以覆盖槽202的方式载置晶片W。在该情况下，如果像状态200a所示的那样，晶片W为平坦的，则泄漏为0％。可是，如果像状态200b所示的那样，存在晶片W翘曲的区域203，则如流路204那样，空气等流过整个槽202，泄漏为100％。

图10是示意性地表示本实施方式的吸附状态的一个例子的图。如图10所示，在本实施方式中，以覆盖设置在工作台7中的微细孔7b-1、7b-2、7b-3的方式载置晶片W。在该情况下，如果像状态205a所示的那样，晶片W为平坦的，则泄漏为0％。另一方面，在本实施方式中，如状态205b所示的那样，即使存在晶片W翘曲的区域206，空气等也如流路207那样流过微细孔7b-3，微细孔7b-1、7b-2保持吸附状态，因此，泄漏为1/3，即大约33％。通过利用该效果的差异，能够使圆形的晶片W吸附在四边形的工作台上。

图11是示意性地表示变形例中的工作台的基片载置面和基片与泄漏判断阈值的关系的一个例子的图。如图11所示，变形例的工作台的基片载置面210为四边形。基片载置面210例如被呈格子状划分为区域211A～211P的16个区域。如图11所示，在基片载置面210上例如载置有圆形的晶片W。此时，对区域211A～211P设定泄漏判断阈值。泄漏判断阈值是用百分比表示在各区域211中容许多少泄漏的值。例如，在区域211A中容许70％的泄漏。这相当于从100％减去上述实施方式中的吸附力的判断值而得到的值。因此，在区域211A中，当吸附力为30％以上时，可判断为吸附已完成。另外，对于区域211D、211M、211P，也与区域211A同样。

同样地，在区域211B中，泄漏判断阈值为30％，因此，当吸附力为70％以上时，可判断为吸附已完成。另外，对于区域211C、211E、211H、211I、211L、211N、211O，也与区域211B同样。同样地，在区域211F中，泄漏判断阈值为0％，因此，当吸附力为100％时，可判断为吸附已完成。另外，对于区域211G、211J、211K，也与区域211F同样。此外，各区域211的吸附力的判断值，在载置调节用的平坦的晶片W且将覆盖各区域211的整体的状态的值设为100％的情况下，也可以修正为将乘以规定的系数而得到的值设为100％。例如，对于区域211A的吸附力的判断值30％，可以将覆盖区域211A的整体的状态的值(100％)×0.5的修正值(50％)设为100％，使相对于修正值的判断值为30％。在该情况下，如果以修正前的值为基准，则吸附力的判断值为15％。

此外，吸附开始时的区域211A～211P的吸附阈值比吸附力的判断值低。例如，在区域211A中，当设吸附阈值为1％时，如果当前的吸附力为1％以上，则前进到下一个区域即211B的吸附。之后，依次对区域211C～211P也同样地进行吸附，当区域211A～211P的吸附力达到基于各自的泄漏判断阈值的吸附力的判断值时，可以判断为吸附已完成。即，在变形例中，例如，即使成为在某个区域211的一半以上不存在晶片W的状态，也不会判断为无法吸附，而识别为能够正常吸附。

另外，吸附的顺序可以是任意的顺序，例如，可以是从基片载置面210的中心附近的区域211F到区域211G、211K、211J、211I、211E、211A、……、211M那样呈螺旋状吸附。此外，吸附也可以是一并吸附区域211A～211P，对于没有达到吸附力的判断值的区域211，使用气体喷射装置45来辅助吸附。

另外，在变形例中，即使在将四边形晶片吸附在圆形工作台上的情况下，在将圆形晶片吸附在圆形工作台上的情况下，以及在将四边形晶片吸附在四边形工作台上的情况下，也能够同样地吸附晶片。

上面，根据本实施方式，基片保持装置具有工作台7和吸气路径63。工作台7用于载置基片，通过真空吸附基片的背面来保持基片。吸气路径63与用于进行真空吸附的真空泵70连接。工作台7的基片载置面7a被划分为多个区域61。能够使用设置在与多个区域61各自对应的吸气路径63中的切换阀65，对多个区域61各自切换真空吸附用的吸附力。在多个区域61分别形成有多个微细孔7b。其结果是，能够将基片吸附在基片载置面上。即，即使是翘曲大的基片或与基片载置面不同的形状的基片，也能够吸附在基片载置面上。

此外，根据本实施方式，工作台7和基片为圆形。其结果是，能够将圆形的基片吸附在圆形的工作台7上。

此外，根据变形例，工作台7为圆形，基片为四边形。其结果是，能够将四边形的基片吸附在圆形的工作台7上。

此外，根据本实施方式，多个区域61包括：与工作台7的中央部分对应的中央区域；和与工作台7的周缘部对应的、将中央区域包围的多个周边区域。其结果是，能够在基片的圆周方向上依次进行吸附，因此，即使是翘曲大的基片也能够吸附。

此外，根据变形例，工作台为四边形，基片为圆形。其结果是，能够将圆形的基片吸附在四边形的工作台上。

此外，根据变形例，工作台和基片为四边形，其结果是，能够将四边形的基片吸附在四边形的工作台上。

此外，根据变形例，多个区域211是将基片载置面210呈格子状划分而得到的区域。其结果是，即使在区域211的一部分没有被基片覆盖的状态下，也能够吸附基片。

此外，根据本实施方式，基片保持装置还包括从基片的上表面吹送气体的气体喷射装置45。气体喷射装置45能够对多个区域61各自吹送气体。其结果是，能够通过气体的吹送来按压基片，因此，即使是翘曲大的基片也能够吸附。

此外，根据本实施方式，基片吸附方法是由基片保持装置进行的基片吸附方法，基片保持装置包括：工作台7，其用于载置基片，通过真空吸附基片的背面来保持基片；和吸气路径63，其与用于进行真空吸附的真空泵70连接。基片保持装置利用与被划分为多个区域61的工作台7的基片载置面7a中的多个区域61各自对应的吸气路径63的吸附力，在多个区域61中的第一区域吸附基片，并且将第一区域的吸附阈值与当前的吸附力进行比较。基片保持装置判断当前的吸附力是否为吸附阈值以上。基片保持装置在判断为当前的吸附力为吸附阈值以上时，对多个区域61依次进行：下一个区域的基片的吸附、下一个区域的吸附阈值与当前的吸附力的比较、以及下一个区域的当前的吸附力是否为吸附阈值以上的判断。其结果是，能够将基片吸附在基片载置面上。即，即使是翘曲大的基片或与基片载置面不同的形状的基片，也能够吸附在基片载置面上。

本次公开的实施方式在所有方面均应认为是例示性的而不是限制性的。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下，可以以各种形式省略、替换、变更。

另外，在上述的实施方式中，作为基片使用半导体晶片进行了说明，但是所公开的技术并不限于此。基片例如也可以为以液晶显示装置中使用的玻璃基片为代表的平板显示器用基片、安装有多个IC(半导体集成电路)芯片的树脂基片、玻璃基片等安装检查用基片。

附图标记说明

1主体，5测试头，7工作台，7a基片载置面，7b微细孔，20基台，45气体喷射装置，50控制部，60真空卡盘机构，61、61A～61M区域，62、62A～62M空间，63吸气路径，63A～63M配管，64A～64M、73真空计，65A～65M切换阀，70真空泵，100探测装置，210基片载置面，211、211A～211P区域，W晶片。

Claims (9)

1.一种基片保持装置，其特征在于，包括：

工作台，其用于载置基片，通过真空吸附所述基片的背面来保持所述基片；和

吸气路径，其与用于进行所述真空吸附的真空泵连接，

所述工作台的基片载置面被划分为多个区域，

能够使用设置在与所述多个区域各自对应的所述吸气路径中的阀，对所述多个区域各自切换真空吸附用的吸附力，

在所述多个区域分别形成有多个微细孔。

2.根据权利要求1所述的基片保持装置，其特征在于：

所述工作台和所述基片为圆形。

3.根据权利要求1所述的基片保持装置，其特征在于：

所述工作台为圆形，所述基片为四边形。

4.根据权利要求2或3所述的基片保持装置，其特征在于：

所述多个区域包括：与所述工作台的中央部分对应的中央区域；和与所述工作台的周缘部对应的、将所述中央区域包围的多个周边区域。

5.根据权利要求1所述的基片保持装置，其特征在于：

所述工作台为四边形，所述基片为圆形。

6.根据权利要求1所述的基片保持装置，其特征在于：

所述工作台和所述基片为四边形。

7.根据权利要求5或6所述的基片保持装置，其特征在于：

所述多个区域是将所述基片载置面呈格子状划分而得到的区域。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的基片保持装置，其特征在于：

还包括从所述基片的上表面吹送气体的气体喷射装置，

所述气体喷射装置能够对所述多个区域各自吹送所述气体。

9.一种由基片保持装置进行的基片吸附方法，其特征在于：

所述基片保持装置包括：工作台，其用于载置基片，通过真空吸附所述基片的背面来保持所述基片；和吸气路径，其与用于进行所述真空吸附的真空泵连接，

所述基片吸附方法包括以下步骤：

利用与被划分为多个区域的所述工作台的基片载置面中的所述多个区域各自对应的所述吸气路径的吸附力，在所述多个区域中的第一区域吸附所述基片，并且将所述第一区域的吸附阈值与当前的吸附力进行比较；

判断所述当前的吸附力是否为所述吸附阈值以上；和

当判断为所述当前的吸附力为所述吸附阈值以上时，对所述多个区域依次进行：下一个区域的所述基片的吸附、所述下一个区域的吸附阈值与当前的吸附力的比较、以及所述下一个区域的所述当前的吸附力是否为所述吸附阈值以上的判断。

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