JP2022079225A - 基板保持機構、基板載置方法及び基板離脱方法 - Google Patents

基板保持機構、基板載置方法及び基板離脱方法 Download PDF

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史 加賀美
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Abstract

【課題】反りのある基板を載置台に吸着保持できる基板保持機構、基板載置方法及び基板離脱方法を提供する。【解決手段】基板保持機構１００は、基板が載置される載置台１１０と、基板の周縁部の下面を保持する上面１２１と、載置台に載置された基板の周縁部の上面を押下する下面１２２とを含む複数の保持部１２０と、複数の保持部に設けられ、載置台に載置された基板の端面に接触して基板の位置を補正する突出部１３０と、複数の保持部を昇降させる昇降機構１４０と、複数の保持部を水平移動させる水平移動機構１５０と、を有する。【選択図】図９

Description

本開示は、基板保持機構、基板載置方法及び基板離脱方法に関する。
基板の下面を吸着して保持する基板保持面を有し、該基板保持面にウエハを吸着するための複数の領域に区分された吸引溝を設けたステージが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１では、複数の領域の少なくとも一つの領域において基板の一部分を吸着された後、該領域に隣接する領域に基板の別の部分を吸着させることを繰り返すことによって、基板の全体をステージに吸着保持させている。
特開２０１６－１９７７０７号公報
本開示は、反りのある基板を載置台に吸着保持できる技術を提供する。
本開示の一態様による基板保持機構は、基板が載置される載置台と、前記基板の周縁部の下面を保持する上面と、前記載置台に載置された前記基板の周縁部の上面を押下する下面とを含む複数の保持部と、前記複数の保持部に設けられ、前記載置台に載置された前記基板の端面に接触して前記基板の位置を補正する突出部と、前記複数の保持部を昇降させる昇降機構と、前記複数の保持部を水平移動させる水平移動機構と、を有する。
本開示によれば、反りのある基板を載置台に吸着保持できる。
基板の反りを説明するための図 基板の反りにより生じ得る課題を説明するための図 基板の反りにより生じ得る課題を説明するための図 基板の反りにより生じ得る課題を説明するための図 基板の反りにより生じ得る課題を説明するための図 実施形態の基板保持機構を含む検査装置の一例を示す図 図６の検査装置の平面図 実施形態の基板保持機構の一例を示す概略平面図 実施形態の基板保持機構の一例を示す概略断面図 実施形態の基板載置方法の一例を示す図 実施形態の基板載置方法の一例を示す図 実施形態の基板載置方法の一例を示す図 実施形態の基板載置方法の一例を示す図 実施形態の基板載置方法の一例を示す図 実施形態の基板載置方法の一例を示す図 実施形態の基板載置方法の一例を示す図 実施形態の基板離脱方法の一例を示す図 実施形態の基板離脱方法の一例を示す図 実施形態の基板離脱方法の一例を示す図 実施形態の基板離脱方法の一例を示す図 実施形態の基板離脱方法の一例を示す図 実施形態の基板離脱方法の一例を示す図
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
〔基板の反り〕
図１を参照し、基板の反りについて説明する。図１は、基板の反りを説明するための図であり、基板を側方から見た図である。
図１（ａ）に示されるように、基板Ｗは、上方が凸となるように湾曲した上反り形状を有する場合がある。また、図１（ｂ）に示されるように、基板Ｗは、下方が凸となるように湾曲した下反り形状を有する場合がある。例えば、サイズが３００ｍｍ×３００ｍｍ、厚さが５００μｍ～３０００μｍ、重量が１００ｇ～１０００ｇの矩形基板である場合、基板反り量Ｐは１０ｍｍ程度となる場合がある。
図２～図５を参照し、基板Ｗの反りにより生じ得る課題について説明する。図２～図５は、基板Ｗの反りにより生じ得る課題を説明するための図であり、基板Ｗを側方から見た図である。以下では、基板Ｗを載置台９１０の載置面９１１に載置して真空吸着する場合を例示して説明する。
図２に示されるように、搬送アーム（図示せず）により載置台９１０の上方に搬送された基板Ｗを、基板Ｗの中央部近傍の下面を支持する３本の支持ピン９１２で受け取る場合、基板Ｗの反りの影響により３本の支持ピン９１２上で基板Ｗが滑り得る。そのため、安定して基板Ｗを搬送することが困難である。
また、図３（ａ）に示されるように、基板Ｗが上反り形状を有する場合、基板Ｗを真空吸着する際、載置面９１１と基板Ｗとの隙間９１３からバキュームが漏れ得る。そのため、載置面９１１に基板Ｗを吸着することが困難である。また、図３（ｂ）に示されるように、基板Ｗが下反り形状を有する場合も同様に、基板Ｗを真空吸着する際、載置面９１１と基板Ｗとの隙間９１３からバキュームが漏れ得る。そのため、載置面９１１に基板Ｗを吸着することが困難である。
また、図４に示されるように、基板Ｗが下反り形状を有する場合、載置面９１１に基板Ｗを載置した際、載置面９１１と基板Ｗとの接触面積が小さいので、載置面９１１上を基板Ｗが滑り得る（矢印９１４を参照）。そのため、載置台９１０の所望の位置に基板Ｗを載置することが困難である。
また、図５（ａ）に示されるように、載置面９１１に真空吸着した基板Ｗの吸着を解除する場合、図５（ｂ）に示されるように、反りの復元力で基板Ｗが跳ねたり、滑ったりするおそれがある。
以下、反りのある基板を載置台に吸着保持できる実施形態の基板保持機構、基板載置方法及び基板離脱方法について説明する。
〔検査装置〕
図６及び図７を参照し、実施形態の基板保持機構が適用される装置の一例として、検査装置を説明する。ただし、実施形態の基板保持機構は、検査装置以外の装置にも適用できる。
検査装置１は、ローダ部１０、検査部２０及び装置コントローラ３０を有する。検査装置１は、装置コントローラ３０の制御の下、ローダ部１０から検査部２０へ検査対象の基板Ｗを搬送し、基板Ｗに形成された被検査デバイス（ＤＵＴ：Device Under Test）に電気信号を与えて種々の電気特性を検査する。基板Ｗは、例えば矩形基板であってよい。矩形基板としては、例えばＰＬＰ（Panel Level Package）が挙げられる。
ローダ部１０は、ロードポート１１、アライナ１２及び基板搬送機構１３を有する。ロードポート１１は、基板Ｗを収容したカセットＣを載置する。アライナ１２は、基板Ｗの位置合わせを行う。基板搬送機構１３は、ロードポート１１に載置されたカセットＣ、アライナ１２及び後述する載置台２１の間で基板Ｗを搬送する。ローダ部１０では、まず、基板搬送機構１３は、カセットＣに収容された基板Ｗをアライナ１２に搬送する。続いて、アライナ１２は、基板Ｗの位置合わせを行う。続いて、基板搬送機構１３は、位置合わせされた基板Ｗをアライナ１２から検査部２０に設けられた載置台２１に搬送する。
検査部２０は、ローダ部１０に隣接して配置されている。検査部２０は、載置台２１、昇降機構２２、ＸＹステージ２３、プローブカード２４及びアライメント機構２５を有する。
載置台２１は、矩形状の載置面を有する。載置台２１は、載置面に基板Ｗを載置する。載置台２１は、例えば真空チャックを含む。
昇降機構２２は、載置台２１の下部に設けられており、載置台２１をＸＹステージ２３に対して昇降させる。昇降機構２２は、例えばステッピングモータを含む。
ＸＹステージ２３は、昇降機構２２の下部に設けられており、載置台２１及び昇降機構２２を２軸方向（図中のＸ方向及びＹ方向）に移動させる。ＸＹステージ２３は、検査部２０の底部に固定されている。ＸＹステージ２３は、例えばステッピングモータを含む。
プローブカード２４は、載置台２１の上方に配置されている。プローブカード２４の載置台２１側には、複数のプローブ２４ａが形成されている。プローブカード２４は、ヘッドプレート２４ｂに着脱可能に取り付けられている。プローブカード２４には、テストヘッドＴを介してテスタ（図示せず）が接続されている。
アライメント機構２５は、カメラ２５ａ、ガイドレール２５ｂ及びアライメントブリッジ２５ｃを有する。カメラ２５ａは、アライメントブリッジ２５ｃの中央に下向きに取り付けられており、載置台２１、基板Ｗ等を撮像する。カメラ２５ａは、例えばＣＣＤカメラやＣＭＯＳカメラである。ガイドレール２５ｂは、アライメントブリッジ２５ｃを水平方向（図中のＹ方向）に移動可能に支持する。アライメントブリッジ２５ｃは、左右一対のガイドレール２５ｂによって支持されており、ガイドレール２５ｂに沿って水平方向（図中のＹ方向）に移動する。これにより、カメラ２５ａは、アライメントブリッジ２５ｃを介して、待機位置とプローブカード２４の中心の真下（以下「プローブセンタ」という。）との間を移動する。プローブセンタに位置するカメラ２５ａは、アライメントの際、載置台２１がＸＹ方向に移動する間に載置台２１上の基板Ｗの電極パッドを上方から撮像し、画像処理して表示装置４０に撮像画像を表示する。
係る検査部２０では、まず、アライメント機構２５は、載置台２１上の基板Ｗに形成された被検査デバイスの電極パッドと、プローブカード２４の複数のプローブ２４ａとの位置合わせを行う。続いて、昇降機構２２は、載置台２１を上昇させて、プローブカード２４の複数のプローブ２４ａを対応する電極パッドに接触させる。続いて、装置コントローラ３０は、テスタからの検査用信号をテストヘッドＴ及びプローブカード２４の複数のプローブ２４ａを介して基板Ｗに形成された被検査デバイスに印加することにより、被検査デバイスの電気特性を検査する。
装置コントローラ３０は、載置台２１の下方に設けられ、検査装置１の全体の動作を制御する。装置コントローラ３０に設けられたＣＰＵは、ＲＯＭ、ＲＡＭ等のメモリに格納された品種パラメータに従って、所望の検査を実行する。なお、品種パラメータは、ハードディスクやＲＯＭ、ＲＡＭ以外の半導体メモリに記憶されてもよい。また、品種パラメータは、コンピュータにより読み取り可能な、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ等の記録媒体に記録された状態で所定位置に挿入され、読み出されるようにしてもよい。
〔基板保持機構〕
図８及び図９を参照し、実施形態の基板保持機構の一例について説明する。図８は、実施形態の基板保持機構の一例を示す概略平面図である。図９は、実施形態の基板保持機構の一例を示す概略断面図であり、図８における一点鎖線IX－IXにおいて切断した断面を示す。実施形態の基板保持機構は、例えば前述の検査装置１の載置台２１として適用できる。
基板保持機構１００は、載置台１１０、複数の保持部１２０、突出部１３０、昇降機構１４０及び水平移動機構１５０を有する。
載置台１１０は、矩形状の載置面１１１を有する。載置台１１０は、載置面１１１に基板Ｗを載置する。基板Ｗは、例えば矩形基板であってよい。載置台１１０は、例えば真空チャックを含む。載置台１１０は、下部に接続された昇降機構１１２により昇降する。
複数の保持部１２０は、載置面１１１の４辺に対応して設けられている。複数の保持部１２０は、保持部１２０ａ～１２０ｅを含む。載置面１１１の４辺のうち、第１方向で対向する２辺のうちの一方の辺に対応して保持部１２０ａが設けられ、他方の辺に対応して保持部１２０ｃが設けられている。すなわち、保持部１２０ａと保持部１２０ｃとは、載置面１１１を挟んで対向して配置されている。また、載置面１１１の４辺のうち、第１方向と直交する第２方向で対向する２辺のうち一方の辺に対応して保持部１２０ｂが設けられ、他方の辺に対応して保持部１２０ｄ，１２０ｅが設けられている。すなわち、保持部１２０ｂと保持部１２０ｄ，１２０ｅとは、載置面１１１を挟んで対向して配置されている。保持部１２０ａ～１２０ｅは、長手方向が載置面１１１の辺と平行である略矩形状を有する。保持部１２０ａ～１２０ｃは、それぞれ長手方向の長さが載置面１１１の１辺と略同じ長さを有する。保持部１２０ｄ，１２０ｅは、それぞれ長手方向の長さが載置面１１１の１辺の１／３程度の長さを有する。保持部１２０ｄは載置面１１１の１辺の一方の端部側に設けられ、保持部１２０ｅは載置面１１１の該１辺の他方の端部側に設けられている。これにより、保持部１２０ｄと保持部１２０ｅとの間には隙間Ｄが形成され、該隙間Ｄを介して搬送アーム（図示せず）が載置台１１０の上方に挿入される。各保持部１２０ａ～１２０ｅは、上面１２１、下面１２２及び壁部１２３を含む。上面１２１は、基板Ｗの周縁部の下面を保持する。下面１２２は、載置台１１０に載置された基板Ｗの周縁部の上面を押下する。壁部１２３は、上面１２１から上方に延び、上面１２１に保持された基板Ｗの端面と接触可能に構成される。
突出部１３０は、各保持部１２０ａ～１２０ｅの下面から突出し、載置台１１０に載置された基板Ｗの端面と接触して基板Ｗの位置を補正する。突出部１３０は、例えば棒状を有する。突出部１３０は、各保持部１２０ａ～１２０ｃの長手方向における中心を挟んで対称に２つ設けられている。また、突出部１３０は、各保持部１２０ｄ，１２０ｅの長手方向における略中心に設けられている。ただし、突出部１３０の数は一例であって、これに限定されない。また、突出部１３０は、例えば各保持部１２０ａ～１２０ｅの長手方向に沿って延びる板状を有していてもよい。
昇降機構１４０は、載置台１１０の外周壁に固定されている。昇降機構１４０は、載置台１１０に対して複数の保持部１２０を昇降させる。昇降機構１４０は、例えばガイド付きシリンダであってよい。
水平移動機構１５０は、昇降機構１４０に昇降自在に取り付けられている。水平移動機構１５０は、複数の保持部１２０を閉位置と開位置との間で水平移動させる。閉位置は、基板Ｗの周縁部の下面を保持したり、基板Ｗの周縁部の上面を押下したりする位置であり、複数の保持部１２０が載置台１１０に近づいた位置である。開位置は、閉位置よりも載置台１１０から外方に離間した位置である。水平移動機構１５０は、例えばロータリーアクチュエータであってよい。
〔基板載置方法〕
図１０～図１６を参照し、実施形態の基板保持機構１００の動作の一例として、載置台１１０に基板Ｗを載置する方法（以下「基板載置方法」という。）について説明する。
図１０（ａ）に示されるように、初期状態において、載置台１１０の載置面１１１に基板Ｗが載置されておらず、複数の保持部１２０が下降した状態で閉位置にある待機状態であるものとする。
まず、図１０（ｂ）に示されるように、装置コントローラ３０は、昇降機構１４０を制御し、複数の保持部１２０を上昇させる。
続いて、図１０（ｃ）及び図１１（ａ）に示されるように、基板Ｗを保持した搬送アーム２００が載置台１１０の上方に挿入される。実施形態において、基板Ｗは下反り形状を有する。搬送アーム２００は、図６及び図７に示される検査装置１における基板搬送機構１３に相当する。
続いて、図１１（ｂ）に示されるように、搬送アーム２００が下降すると、搬送アーム２００に保持された基板Ｗの周縁部の下面が複数の保持部１２０の上面１２１に保持される。このとき、複数の保持部１２０は、基板Ｗの周縁部の下面を保持するので、基板Ｗに反りがある場合でも基板Ｗを確実に保持できる。また、搬送アーム２００は、保持部１２０ｄと保持部１２０ｅとの隙間Ｄを通って下降するので、搬送アーム２００と保持部１２０ｄ，１２０ｅとは接触しない。
続いて、図１１（ｃ）に示されるように、搬送アーム２００が更に下降すると、搬送アーム２００から基板Ｗが離間し、搬送アーム２００から複数の保持部１２０に基板Ｗが受け渡される。
続いて、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示されるように、搬送アーム２００が載置台１１０の上方から退避する。このとき、搬送アーム２００は、保持部１２０ｄと保持部１２０ｅとの隙間Ｄを通って退避するので、搬送アーム２００と保持部１２０ｄ，１２０ｅとは接触しない。
続いて、図１２（ｃ）に示されるように、装置コントローラ３０は、昇降機構１４０を制御し、複数の保持部１２０を下降させる。このとき、複数の保持部１２０は、上面１２１で基板Ｗの周縁部の下面を保持し、壁部１２３で基板Ｗの動きを規制できるので、安定した状態で基板Ｗを下降させることができる。
続いて、図１３（ａ）に示されるように、複数の保持部１２０が更に下降すると、基板Ｗが載置台１１０の載置面１１１上に載置される。
続いて、図１３（ｂ）に示されるように、装置コントローラ３０は、水平移動機構１５０を制御し、複数の保持部１２０を閉位置から開位置に水平移動させる。
続いて、図１３（ｃ）に示されるように、装置コントローラ３０は、昇降機構１４０を制御し、複数の保持部１２０を、その下面１２２が基板Ｗの最上部Ｗａよりも上方に位置するまで上昇させる。
続いて、図１４（ａ）～図１４（ｃ）に示されるように、装置コントローラ３０は、水平移動機構１５０を制御し、複数の保持部１２０を開位置から徐々に閉じる。これにより、突出部１３０が基板Ｗの端面と接触して基板Ｗの位置が補正される。例えば、基板Ｗの中心位置が載置台１１０の中心位置からずれている場合、複数の保持部１２０が閉じ始めると、図１４（ａ）に示されるように、複数の保持部１２０の少なくとも１つの保持部１２０ｂの下面から突出する突出部１３０が基板Ｗの端面に接触する。そして、複数の保持部１２０が更に閉じると、図１４（ｂ）に示されるように、保持部１２０ｂの下面から突出する突出部１３０により、基板Ｗが保持部１２０ｂと対向する保持部１２０ｄの方向へ移動する。そして、複数の保持部１２０を更に閉じると、図１４（ｃ）に示されるように、複数の保持部１２０の全ての保持部１２０ａ～１２０ｅの下面から突出する突出部１３０が基板Ｗの端面に接触する。これにより、基板Ｗの中心が載置台１１０の中心に位置合わせされる。
続いて、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示されるように、装置コントローラ３０は、昇降機構１４０を制御し、複数の保持部１２０を下降させことにより、下面１２２で載置台１１０に載置された基板Ｗの周縁部の上面を押下する。
続いて、図１５（ｂ）に示されるように、装置コントローラ３０は、真空チャックによる吸着を開始することにより、周縁部の上面が押下された基板Ｗを載置台１１０の載置面１１１に吸着させる。
続いて、図１５（ｃ）に示されるように、装置コントローラ３０は、昇降機構１４０を制御し、複数の保持部１２０を上昇させる。
続いて、図１６（ａ）に示されるように、装置コントローラ３０は、水平移動機構１５０を制御し、複数の保持部１２０を閉位置から開位置に水平移動させる。
続いて、図１６（ｂ）に示されるように、装置コントローラ３０は、昇降機構１４０を制御し、複数の保持部１２０を下降させる。
続いて、図１６（ｃ）に示されるように、装置コントローラ３０は、水平移動機構１５０を制御し、複数の保持部１２０を開位置から閉位置に移動させる。これにより、基板保持機構１００は、待機状態に戻る。以上により、実施形態の基板載置方法が終了する。
以上に説明したように、実施形態の基板載置方法によれば、複数の保持部１２０は、搬送アーム２００から基板Ｗを受け取る際、上面１２１で基板Ｗの周縁部の下面を保持する。これにより、基板Ｗに反りがある場合でも基板Ｗを確実に保持できる。
また、実施形態の基板載置方法によれば、複数の保持部１２０の上面１２１で基板Ｗの周縁部の下面を保持した状態で複数の保持部１２０を下降させて基板Ｗを載置面１１１に載置する。これにより、安定した状態で基板Ｗを下降させることができる。
また、実施形態の基板載置方法によれば、突出部１３０が載置面１１１に載置された基板Ｗの端面に接触して基板Ｗの位置を補正する。これにより、基板Ｗを載置面１１１に載置したときに基板Ｗが載置面１１１を滑ってしまい、基板Ｗの中心が載置台１１０の中心からずれた場合でも、基板Ｗの中心と載置台１１０の中心とを一致させることができる。
また、実施形態の基板載置方法によれば、複数の保持部１２０の下面１２２で載置面１１１に載置された基板Ｗの周縁部の上面を押下した状態で、真空チャックにより載置面１１１に基板Ｗを吸着させる。これにより、真空チャックによる基板Ｗの吸着の際にバキュームが漏れてしまうことを抑制できる。
〔基板離脱方法〕
図１７～図２２を参照し、実施形態の基板保持機構１００の動作の別の一例として、載置台１１０に真空吸着された基板Ｗを離脱する方法（以下「基板離脱方法」という。）について説明する。
図１７（ａ）に示されるように、初期状態において、載置台１１０の載置面１１１に基板Ｗが載置されており、複数の保持部１２０が下降した状態で閉位置にある待機状態であるものとする。
まず、図１７（ｂ）に示されるように、装置コントローラ３０は、水平移動機構１５０を制御し、複数の保持部１２０を閉位置から開位置に移動させる。
続いて、図１７（ｃ）に示されるように、装置コントローラ３０は、昇降機構１４０を制御し、複数の保持部１２０を、その下面１２２が基板Ｗの上面よりも上方に位置するまで上昇させる。
続いて、図１８（ａ）に示されるように、装置コントローラ３０は、水平移動機構１５０を制御し、複数の保持部１２０を開位置から徐々に閉じることにより、突出部１３０を基板Ｗの端面と接触させて基板Ｗを軽く押さえる。
続いて、図１８（ｂ）に示されるように、装置コントローラ３０は、真空チャックによる吸着を解除する。このとき、基板Ｗの端面が突出部１３０により軽く押さえられているので、反りがある基板Ｗであっても、反りの復元力で基板Ｗが跳ねたり、滑ったりすることを抑制できる。また、基板Ｗが跳ねても、複数の保持部１２０の下面１２２により基板Ｗが抑え込まれるため、跳ね返りによる位置ずれは防止される。
続いて、図１８（ｃ）に示されるように、装置コントローラ３０は、水平移動機構１５０を制御し、複数の保持部１２０を開位置に移動させる。
続いて、図１９（ａ）に示されるように、装置コントローラ３０は、昇降機構１４０を制御し、複数の保持部１２０を下降させる。
続いて、図１９（ｂ）に示されるように、装置コントローラ３０は、水平移動機構１５０を制御し、複数の保持部１２０を開位置から閉位置に移動させる。
続いて、図１９（ｃ）に示されるように、装置コントローラ３０は、昇降機構１４０を制御し、複数の保持部１２０を上昇させる。このとき、複数の保持部１２０は、上面１２１で基板Ｗの周縁部の下面を保持し、壁部１２３で基板Ｗの動きを規制できるので、安定した状態で基板Ｗを上昇させることができる。
続いて、図２０（ａ）及び図２０（ｂ）に示されるように、基板Ｗを保持していない搬送アーム２００が載置台１１０の載置面１１１と基板Ｗの下面との間に挿入される。このとき、搬送アーム２００は、保持部１２０ｄと保持部１２０ｅとの隙間Ｄを通って挿入されるので、搬送アーム２００と保持部１２０ｄ，１２０ｅとは接触しない。
続いて、図２０（ｃ）に示されるように、搬送アーム２００が上昇すると、複数の保持部１２０に保持された基板Ｗが搬送アーム２００により保持される。このとき、搬送アーム２００は、保持部１２０ｄと保持部１２０ｅとの隙間Ｄを通って上昇するので、搬送アーム２００と保持部１２０ｄ，１２０ｅとは接触しない。
続いて、図２１（ａ）に示されるように、搬送アーム２００が更に上昇すると、複数の保持部１２０から基板Ｗが離間し、複数の保持部１２０から搬送アーム２００に基板Ｗが受け渡される。
続いて、図２１（ｂ）及び図２１（ｃ）に示されるように、基板Ｗを保持した搬送アーム２００が載置台１１０の上方から退避する。
続いて、図２２に示されるように、装置コントローラ３０は、昇降機構１４０を制御し、複数の保持部１２０を下降させる。これにより、基板保持機構１００は、待機状態に戻る。以上により、実施形態の基板離脱方法が終了する。
以上に説明したように、実施形態の基板離脱方法によれば、複数の保持部１２０の上面１２１で基板Ｗの周縁部の下面を保持した状態で複数の保持部１２０を上昇させて基板Ｗを載置面１１１から離間させる。これにより、安定した状態で基板Ｗを上昇させることができる。
また、実施形態の基板離脱方法によれば、基板Ｗの端面を突出部１３０により軽く押さえた状態で、真空チャックによる吸着を解除する。これにより、反りがある基板Ｗであっても、反りの復元力で基板Ｗが跳ねたり、滑ったりすることを抑制できる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
上記の実施形態では、基板Ｗが矩形基板である場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、基板Ｗは円形基板であってもよい。円形基板としては、例えばＷＬＰ（Wafer Level Package）が挙げられる。基板Ｗが円形基板である場合、例えば載置台は円形状の載置面を有するように構成され、複数の保持部は略円弧状を有するように構成される。
１００ 基板保持機構
１１０ 載置台
１２０ 保持部
１３０ 突出部
１４０ 昇降機構
１５０ 水平移動機構
Ｗ 基板

Claims (10)

  1. 基板が載置される載置台と、
    前記基板の周縁部の下面を保持する上面と、前記載置台に載置された前記基板の周縁部の上面を押下する下面とを含む複数の保持部と、
    前記複数の保持部に設けられ、前記載置台に載置された前記基板の端面に接触して前記基板の位置を補正する突出部と、
    前記複数の保持部を昇降させる昇降機構と、
    前記複数の保持部を水平移動させる水平移動機構と、
    を有する、基板保持機構。
  2. 前記突出部は、前記複数の保持部の各々の下面から下方に突出するように設けられる、
    請求項１に記載の基板保持機構。
  3. 前記載置台は、矩形状の載置面を有する、
    請求項１又は２に記載の基板保持機構。
  4. 前記複数の保持部は、前記載置面の４辺のうち、少なくとも対向する２辺と対応して設けられている、
    請求項３に記載の基板保持機構。
  5. 前記複数の保持部は、前記載置台の４辺の全てと対応して設けられている、
    請求項３又は４に記載の基板保持機構。
  6. 前記複数の保持部の各々は、前記上面から上方に延び、前記上面に保持された前記基板の端面と接触可能な壁部を有する、
    請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板保持機構。
  7. 前記昇降機構は、前記保持部、前記突出部及び前記水平移動機構を昇降させる、
    請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板保持機構。
  8. 前記載置台は、前記基板を吸着する真空チャックを含む、
    請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板保持機構。
  9. 基板の周縁部の下面を保持する上面と載置台に載置された基板の周縁部の上面を押下する下面とを含む複数の保持部により載置台に基板を載置する方法であって、
    前記載置台の上方において前記複数の保持部の前記上面で前記基板の周縁部の下面を保持する工程と、
    前記基板の前記周縁部の下面を保持した前記複数の保持部を下降させて前記基板を前記載置台に載置する工程と、
    前記載置台に載置された前記基板の端面に前記複数の保持部に設けられた突出部を接触させて前記基板の位置を補正する工程と、
    前記位置が補正された前記基板の周縁部の上面を前記複数の保持部の前記下面で押下する工程と、
    前記周縁部の上面が押下された前記基板を前記載置台に吸着させる工程と、
    を有する、基板載置方法。
  10. 基板の周縁部の下面を保持する上面と載置台に載置された基板の周縁部の上面を押下する下面とを含む複数の保持部により載置台に吸着された基板を離脱させる方法であって、
    前記載置台に吸着した前記基板の端面に前記複数の保持部に設けられた突出部を接触させる工程と、
    前記突出部が端面に接触した状態で前記基板の吸着を解除する工程と、
    吸着が解除された前記基板の周縁部の下面を前記複数の保持部の前記上面で保持して前記載置台の上方に離間させる工程と、
    を有する、基板離脱方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US4788994A (en) * 1986-08-13 1988-12-06 Dainippon Screen Mfg. Co. Wafer holding mechanism
JPH02268427A (ja) * 1989-04-11 1990-11-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US6168668B1 (en) * 1998-11-25 2001-01-02 Applied Materials, Inc. Shadow ring and guide for supporting the shadow ring in a chamber
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