TW201703183A - 基板保持方法、基板保持裝置、處理方法及處理裝置 - Google Patents

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Abstract

提供即使針對容易產生大的翹曲之基板，亦 可以確實地吸附保持的基板保持方法及基板保持裝置。 在平台(7)之保持面(7a)設置有用以吸附 晶圓(W)之微細之吸引溝(7b)。吸引溝(7b)被區分成9個吸引區域(61A~61I)。吸引區域(61I)吸附圓形之晶圓(W)之中央部分。吸引區域(61A、61B、61C、61D、61E、61F、61G、61H)吸附圓形之晶圓(W)之周緣部分。對被保持於平台(7)之晶圓(W)，在與吸引區域(61A~61I)對應之9個位置，分別被噴射氣體。

Description

基板保持方法、基板保持裝置、處理方法及處理裝置
本發明係關於在進行被形成在例如半導體晶圓等之基板上的裝置之檢查等之處理時，保持基板之基板保持方法、用在該方法的基板保持裝置，以及處理方法及處理裝置。
在半導體裝置之製造工程中，進行用以評估半導體裝置之電特性的探針檢查。探針檢查係使探針接觸於被形成在半導體基板之半導體裝置之電極，對每個半導體裝置輸入電訊號，藉由觀測對此被輸出的電訊號，進行電特性評估。
用在探針檢查之探針裝置具備：保持形成有成為檢查對象之半導體裝置之被檢查基板，同時能夠水平方向及垂直方向及旋轉的平台(載置台)；和用以使探針正確地接觸於被形成在被檢查基板之半導體裝置之電極的對準裝置。為了提高探針檢查之可靠性，確實地保持平台上之被檢查基板使不會產生位置偏移為重要。
在半導體製程之領域中，作為保持基板之技 術，所知的有減壓且固定基板之背面和平台之間的真空夾頭。
例如，在專利文獻1中，為了將具有翹曲之基板保持水平，提案有可以在藉由多孔質體所形成之保持部之中心區域和外周區域分別調節吸引壓力。
再者，雖然為與基板搬運裝置有關之技術，在專利文獻2中，藉由從具備有真空吸引孔之基板保持裝置之上方噴吹氣體，使得即使針對具有翹曲之基板亦可以確實地吸附。
〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2013-214676號公報(圖3等)
[專利文獻2]日本特開2000-243814號公報(申請專利範圍等)
於吸附保持圓形之基板之時，在平台之基板保持面以同心圓狀設置複數溝部，藉由減壓該溝內，可以吸引基板，但是，在使複數同心圓狀之溝內減壓的機構中，由於基板之翹曲，當針對基板之周方向之1處，產生洩漏時，有無法取得充分之吸附力的問題。尤其，近年 來，有基板尺寸大型化之傾向，同時基板本身變薄，翹曲容易變大。並且，也必須對應於比起樹脂基板、玻璃基板等之半導體晶圓更容易產生翹曲之種類的基板。
因此，本發明之目的在於即使針對容易產生大的翹曲之基板也可確實吸附保持的基板保持方法及基板保持裝置。
本發明之基板保持方法係使基板吸附保持於平台之方法。在本發明之基板保持方法中，上述平台具有吸附且保持上述基板之下面的基板保持面，且上述基板保持面被區分成能夠部分性地吸引上述基板之複數區域。而且，本發明之基板保持方法係在上述複數區域之至少一個區域，使吸附上述基板之一部分之後，在與吸附上述基板之一部分的區域相鄰接之區域，藉由依序重覆吸附上述基板之另外的部分，使上述基板之全體吸附保持在上述平台。再者，本發明之基板保持方法係部分性地吸附上述基板時，藉由推壓手段將上述基板之吸附部位朝上述基板保持面推壓。
本發明之基板保持方法即使為上述推壓手段朝向上述吸附部位之上面噴吹氣體之氣體噴射裝置亦可。此時，即使上述氣體為加熱氣體亦可，即使被保持在上述平台之溫度之±10℃之範圍內亦可。
本發明之基板保持方法中，即使上述推壓手 段為具有抵接於上述吸附部位之上面而朝上述基板保持面推壓之推壓構件的推壓裝置亦可。
在本發明之基板保持方法中，即使上述基板構成圓形，同時上述基板保持面構成圓形，上述複數區域包含與上述基板之中央部分對應之中央區域，和與上述基板之周緣部對應，且包圍上述中央區域之複數周邊區域亦可。而且，本發明之基板保持方法即使依序重覆下述步驟亦可，首先，使上述基板之中央部分吸附於上述中央區域，接著，使上述基板之周緣部之一部分吸附於上述周邊區域之一個，接著，使上述基板之周緣部之另外的部分，吸附於與吸附上述基板之周緣部之一部分的上述周邊區域相鄰接的一個或兩個周邊區域，而且，使上述基板還有的另外部分，吸附於與吸附上述基板之周緣部之另外部分的周邊區域相鄰接之周邊區域。
在本發明之基板保持方法中，即使上述基板構成圓形，同時上述基板保持面構成圓形，上述複數區域包含與上述基板之中央部分對應之中央區域，和與上述基板之周緣部對應，且包圍上述中央區域之複數周邊區域亦可。而且，本發明之基板保持方法即使依序重覆下述步驟亦可， 首先，使上述基板之中央部分吸附於上述中央區域， 接著，使上述基板之周緣部部分性地分別吸附於上述周邊區域之兩個，接著，使上述基板之周緣部之另外部分，分別吸附於與部分性地吸附上述基板之周緣部之上述周邊區域相鄰接之複數周邊區域，而且，使上述基板還有的另外部分，吸附於與吸附上述基板之周緣部之另外部分的複數周邊區域相鄰接之複數周邊區域。
在本發明之基板保持方法中，即使上述複數周邊區域包含具有不同面積的兩個以上之周邊區域亦可。
即使從上述周邊區域之中的面積小的區域往面積大的區域，依序部分性地吸附上述基板之周緣部亦可。
本發明之基板保持方法即使針對上述複數區域，以全體一起，或個別地或是每複數組合之方式，在吸附上述基板之狀態下進行檢測外氣之進入狀態的洩漏檢測亦可。
本發明之處理方法係對基板進行規定之處理的方法，包含藉由上述任一的基板保持方法，使基板吸附保持於平台之工程。
本發明之處理方法即使為檢查被形成在基板上之複數裝置之電特性的裝置之檢查方法亦可。
本發明之基板保持裝置具備吸附且保持基板之平台，和將上述基板之一部分朝上述基板保持面推壓的推壓手段。在本發明之基板保持裝置中，上述平台具有吸 附且保持上述基板之下面的基板保持面，同時該基板保持面被區分成能夠部分性地吸引上述基板之複數區域。而且，在本發明之基板保持裝置中，上述推壓手段係與上述平台之上述複數區域對應，而推壓作為上述基板之一部分的吸附部位。
本發明之基板保持裝置即使為上述推壓手段朝向上述吸附部位之上面噴吹氣體之氣體噴射裝置亦可。此時，上述氣體噴射裝置即使具有對應於上述平台之上述複數區域，而以全體或個別地或是每複數組合之方式，噴吹上述氣體的噴嘴亦可。此時，即使上述氣體為加熱氣體亦可，即使被保持在上述平台之溫度之±10℃之範圍內亦可。
本發明之基板保持裝置即使上述推壓手段為具有抵接於上述吸附部位之上面而朝上述基板保持面推壓之推壓構件的推壓裝置亦可。此時，即使抵接於上述推壓構件之上述基板的部分藉由陶磁、合成樹脂或橡膠而形成亦可。
本發明之基板保持裝置即使更具有針對上述複數區域，以全體一起，或個別地或是每複數組合之方式，在吸附上述基板之狀態下檢測外氣之進入狀態的洩漏檢測部亦可。
本發明之基板保持裝置即使上述基板構成圓形，同時上述基板保持面構成圓形， 上述複數區域包含與上述基板之中央部分對應之中央 區域，和與上述基板之周緣部對應，且包圍上述中央區域之複數周邊區域亦可。
上述複數周邊區域即使包含具有不同面積的兩個以上之周邊區域亦可。
本發明之基板保持裝置即使上述中央區域具有在上述基板保持面之徑向被分割的複數區域亦可，即使上述周邊區域具有在上述基板保持面之徑向被分割的複數區域亦可。
本發明之處理裝置係對基板上進行規定之處理的裝置，具備上述任一的基板保持裝置。
本發明之處理裝置即使為檢查被形成在基板上之複數裝置之電特性的裝置之探針裝置亦可。
若藉由本發明之基板保持方法及基板保持裝置時，即使針對容易產生大的翹曲之基板，亦可以確實吸附保持。因此，藉由將本發明之基板保持方法及基板保持裝置適用於例如檢查被形成在基板上之複數裝置之電特性的探針裝置等之處理裝置，可以進行可靠性高之裝置檢查等之處理。
7‧‧‧平台
7a‧‧‧保持面
7b‧‧‧吸引溝
61A、61B、61C、61D、61E、61F、61G、61H、61I‧‧‧吸引區域
61A1、61B1、61C1、61D1、61E1、61F1、61G1、61H1、61I1‧‧‧氣體噴射位置
圖1為表示與本發明之第1實施型態有關之探針裝置 之外觀構成的斜視圖。
圖2為表示圖1之探針裝置之內部構造之概略的斜視圖。
圖3為在平台之保持面的剖面圖。
圖4為圖3之IV-IV線箭號之重要部位之縱剖面圖。
圖5為圖4中以虛線包圍之A部的放大圖。
圖6為表示真空夾頭機構中之複數吸引區域和真空泵之連接狀態的說明圖。
圖7為示意性表示氣體噴射裝置和被保持在平台之基板之位置關係的說明圖。
圖8為示意性表示氣體噴射裝置之另外的構成例的說明圖。
圖9為表示控制部之硬體構成之一例的說明圖。
圖10為表示在平台之保持面之吸引區域和基板之部位之關係的說明圖。
圖11為說明與本發明之一實施型態有關之基板之保持方法之順序之例的流程圖。
圖12為說明與本發明之一實施型態有關之基板之保持方法之順序之另外例的流程圖。
圖13為說明與本發明之一實施型態有關之基板之保持方法之順序之又一另外例的流程圖。
圖14為供第1變形例之說明的平台之保持面的俯視圖。
圖15為供第2變形例之說明的平台之保持面的俯視 圖。
圖16為供第3變形例之說明的平台之保持面的俯視圖。
圖17為表示與本發明之第2實施型態有關之探針裝置之內部構造之概略的斜視圖。
圖18為推壓裝置之說明圖。
圖19為推壓裝置之另外狀態的說明圖。
圖20為被形成在平台7之保持面的複數吸引區域的說明圖。
圖21為在圖17之探針裝置之基板之保持順序的說明圖。
圖22為接著圖21之基板之保持順序的說明圖。
圖23為接著圖22之基板之保持順序的說明圖。
圖24為接著圖23之基板之保持順序的說明圖。
圖25為接著圖24之基板之保持順序的說明圖。
圖26為接著圖25之基板之保持順序的說明圖。
圖27為接著圖26之基板之保持順序的說明圖。
圖28為接著圖27之基板之保持順序的說明圖。
圖29為接著圖28之基板之保持順序的說明圖。
圖30為接著圖29之基板之保持順序的說明圖。
圖31為接著圖30之基板之保持順序的說明圖。
圖32為接著圖31之基板之保持順序的說明圖。
圖33為接著圖32之基板之保持順序的說明圖。
以下一面參照圖面一面針對本發明之實施型態予以說明。
〔第1實施型態〕
圖1為表示與本發明之第1實施型態有關之探針裝置100之外觀構成的斜視圖。圖2為表示圖1之探針裝置100之內部構造之概略的斜視圖。
本實施型態之探針裝置100係進行被形成在半導體晶圓、樹脂基板等之基板(以下，有記載為「晶圓」之情形)W之半導體裝置等之裝置(無圖示)之電特性的檢查。探針裝置100具備本體1、與該本體1相鄰接而被配置之裝載部3和被配置成覆蓋本體1之測試頭5。再者，探針裝置100具備載置晶圓W之平台7，和控制探針裝置100之各構成部之動作的控制部50。
〔本體〕
本體1為內部空洞之框體，收容平台7。在本體1之頂棚部1a形成有開口部1b。開口部1b位於被載置在平台7之晶圓W之上方，在該開口部1b卡合保持具有多數探針之圓板狀之探針卡(省略圖示)的略圓板狀之探針卡保持器(省略圖示)。藉由該探針卡保持器，探針卡與被載置於平台7之晶圓W相向配置。
〔裝載部〕
裝載部3取出被收容在作為搬運容器之晶圓傳送盒(省略圖示)之晶圓W而搬運至本體1之平台7。再者，裝載部3係平台7接取完成裝置之電特性檢查結束的晶圓W，收容至晶圓傳送盒。
〔測試頭〕
測試頭5被構成藉由設為長方體形狀，且被設置在本體1之鉸鏈機構11，能夠往上方向旋動。測試頭5係在從上方覆蓋本體1之狀態下，經由無圖示之接觸環而與探針卡電性連接。測試頭5具有將從探針卡被傳送之裝置之電特性的電訊號當作測定資料而予以記憶，同時根據測定資料判定裝置有無電性缺陷之功能。
〔平台〕
如圖2所示般，平台7被配置在基台20上，具有沿著圖中所示之X方向而移動之X方向移動單元21，和沿著圖中所示之Y方向而移動之Y方向移動單元23，和沿著圖中所示之Z方向而移動之Z方向移動單元25。再者，平台7具有吸附保持晶圓W之真空夾頭機構60。平台7之上面成為藉由真空夾頭機構60吸引且保持晶圓W之保持面7a。針對真空夾頭機構60之詳細構成於後述。再者，平台7設置有無圖示之加熱器，構成可以將保持面7a之溫度調節至25℃~200℃之範圍內。
X方向移動單元21係沿著被配置在X方向之導軌27，藉由滾珠螺桿21a之旋動而使平台7高精度地在X方向移動。滾珠螺桿21a藉由馬達(無圖示)被旋動。再者，藉由與該馬達組合之編碼器(無圖示)能夠檢測岀平台7之移動量的檢測。
Y方向移動單元23係沿著被配置在Y方向之導軌29，藉由滾珠螺桿23a之旋動而使平台7高精度地在Y方向移動。滾珠螺桿23a藉由馬達23b被旋動。再者，藉由與該馬達23b組合之編碼器23c能夠檢測岀平台7之移動量的檢測。
如此一來，X方向移動單元21和Y方向移動單元23，使平台7沿著水平面，在互相正交之X方向和Y方向移動。
Z方向移動單元25具有無圖示之馬達及編碼器，且使平台7沿著Z方向在上下移動，同時可以檢測岀其移動量。Z方向移動單元25係使平台7朝向探針卡移動而使晶圓W上之裝置的電極和探針抵接。再者，平台7係藉由無圖示之馬達，在Z方向移動單元25之上，以旋轉自如之方式被配置在圖中所示之θ方向。
〔下部攝影單元〕
再者，在本體1之內部配置有下部攝影單元35。在此，下部攝影單元35攝影被形成在探針卡之探針。下部攝影單元35被固定在平台7，與平台7同時在X方向、Y 方向及Z方向移動。
〔對準單元〕
再者，在本體1之內部，於平台7之上方，配置有對準單元41。對準單元41係被構成藉由無圖示之驅動部能夠在圖2中之Y方向移動。對準單元41具有沿著與平台7或下部攝影單元35相向之水平面的下面。
〔上部攝影單元〕
在對準單元41設置有上部攝影單元43。上部攝影單元43攝影被形成在載置於平台7上之晶圓W的裝置之電極。
〔氣體噴射裝置〕
在對準單元41，設置有朝向被載置於平台7之晶圓W之上面噴射氣體之氣體噴射裝置45。氣體噴射裝置45對晶圓W之上面噴射例如乾燥空氣等之氣體。氣體噴射裝置45係於藉由真空夾頭機構60將晶圓W吸附保持在平台7之時，使吸附成為容易之吸附輔助手段。而且，具有真空夾頭機構60之平台7及氣體噴射裝置45係作為本發明中之基板保持裝置，協同作用而進行朝晶圓W之保持面7a的吸附保持。接著，針對氣體噴射裝置45之詳細構成於後述。
〔真空夾頭機構〕
接著，針對在平台7之真空夾頭機構60，一面參照圖3~圖6一面進行說明。圖3為屬於平台7之上面的保持面7a之俯視圖。圖4為在圖3之IV-IV線箭號之平台7之上部的剖面圖。圖5為圖4中以虛線包圍之A部的放大圖。真空夾頭機構60具備被設置在平台7之保持面7a的吸引溝7b，和與吸引溝7b連接之吸氣路63，和與吸氣路63之另一端側連接之真空泵70。
在平台7之保持面7a設置有用以吸附晶圓W之微細之吸引溝7b。在圖3及圖4中，雖然以線表示吸引溝7b，但是如圖5放大表示般，吸引溝7b為被形成在平台7之保持面7a的凹部。吸引溝7b經由吸氣路63而與真空泵70連接，在保持面7a保持晶圓W之狀態下，藉由晶圓W被密封，且溝內被維持減壓。
吸引溝7b被區分成複數的吸引區域61。在圖3所示之例中，吸引溝7b被區分成能獨立被保持減壓之9個吸引區域61A、61B、61C、61D、61E、61F、61G、61H、61I。吸引區域61I為中央區域，被設置在構成俯視圓形之保持面7a之中央部分。吸引區域61A、61B、61C、61D、61E、61F、61G、61H為周邊區域，在構成俯視圓形之保持面7a，被設置在吸引區域61I之周圍。吸引區域61I吸附圓形之晶圓W之中央部分。吸引區域61A、61B、61C、61D、61E、61F、61G、61H吸附圓形之晶圓W之周緣部分。
在各吸引區域61A~61I中，吸引溝7b以規定之圖案被形成。在各吸引區域61A~61I之內部中，吸引溝7b連通。另外，在不同的吸引區域間，吸引溝7b成為非連通狀態。
圖6表示在真空夾頭機構60之吸引區域61A~61I，和真空泵70之連接狀態。各吸引區域61A~61I之吸引溝7b分別經由構成吸氣路63之一部分的配管63A~63I而與真空泵70連接。在各配管63A~63I之途中設置有切換閥65A~65I。切換閥65A~65I切換吸引區域61A~61I藉由真空泵70能夠吸引之狀態，和吸引區域61A~61I經由排氣管67A~67I而開放成外氣71之狀態。藉由上述之構成，在各吸引區域61A~61I中，可以獨立地部分性吸引晶圓W。例如，吸引區域61A和吸引區域61B可以對晶圓W，分別取得吸附狀態和非吸附狀態。如此一來，藉由能夠獨立控制各吸引區域61A~61I之吸附狀態和非吸附狀態，如後述般，即使對大的翹曲之晶圓W，亦可以確實地進行晶圓全體之吸附保持。再者，藉由成為能夠獨立控制各吸引區域61A~61I之吸附狀態和非吸附狀態，即使在大的翹曲之晶圓W，萬一產生吸附不充分之部位，在其他部位亦可以確實地吸附。因此，可以防止在探針檢查途中晶圓W之位置偏移。
再者，在吸氣路63設置有真空計73。藉由真空計73，測量吸氣路63之壓力，依此在吸引區域61A~61I中之任一者，可以檢測岀是否產生外氣進入的洩漏。 另外，真空計73除了對各吸引區域61A~61I一起設置之外，即使個別設置亦可，即使依每複數組合設置亦可。
在本實施型態中，將保持面7a區分成9個吸引區域61A~61I，但是吸引區域之數量並非被限定於9個。例如，即使不區分成保持面7a之中央部分和周邊部分，將保持面7a區分成在周方向排列之複數扇形之吸引區域61亦可。但是，從使晶圓W之吸附成為容易之觀點來看，以將吸引區域61區分成保持面7a之中央部分和周邊部分為佳。再者，從以後述依序重覆晶圓W之部分性之吸附的方法容易保持之觀點來看，周邊部分較佳為以區分成至少4以上，更佳為4~12，最佳為4~8之吸引區域61。
再者，亦可以將吸引區域61A~61I分割成複數群組。例如，即使以吸引區域61A、61B為一群組，以吸引區域61C、61D為一群組，以吸引區域61E、61F為一群組，以吸引區域61G、61H為一群組之方式，進行分組，構成每群組能夠切換吸引狀態和非吸引狀態亦可。
〔氣體噴射裝置〕
接著，一面參照圖7，一面針對氣體噴射裝置45之詳細構成進行說明。圖7為表示氣體噴射裝置45和被保持在平台7之晶圓W之位置關係的說明圖。在本實施型態中，氣體噴射裝置45具備朝向晶圓W之上面部分性噴射氣體之複數噴嘴81(例如，3個)，和支撐各噴嘴81 之噴嘴板83，和與各噴嘴81連接而對噴嘴81供給氣體之配管85，和與該配管85之另一端側連接的氣體源87。在配管85之途中，設置有用以進行流量控制之質量流量控制器(MFC)89和開關閥91。作為氣體，可以舉出例如乾燥空氣、氮氣、稀有氣體等。各噴嘴81係經由配管85分歧之分歧管85A~85C而連接至氣體源87。在各分歧管85A~85C分別設置有開關閥93A~93C。
再者，亦能夠使用加熱氣體作為從氣體噴射裝置45噴射之氣體。此時，加熱氣體之溫度以設為與平台7之保持面7a之溫度相同程度之溫度為佳。例如，加熱氣體之溫度以設定在相對於平台7之保持面7a之溫度±10℃之範圍內為佳，以設定在±5℃之範圍內為更佳。例如，於平台7之保持面7a之溫度為120℃之時，加熱氣體之溫度設為110℃~130℃之範圍內為佳，以設為115℃~125℃之範圍內為更佳。再者，於例如平台7之保持面7a之溫度為150℃之時，加熱氣體之溫度設為140℃~160℃之範圍內為佳，以設為145℃~155℃之範圍內為更佳。
作為從氣體噴射裝置45噴射之氣體，藉由使用加熱氣體，也能夠從其上面側加熱晶圓W。其結果，因可以極力縮小被載置在平台7之保持面7a之晶圓W之下面和上面之溫度的溫度差，故可以抑制晶圓W之加熱時之翹曲的產生。尤其，因在晶圓W為疊層不同樹脂的構造之時，由於材質不同導致熱膨脹率不同而容易產生翹 曲，故使用加熱氣體抑制翹曲具有效果性。再者，因藉由加熱氣體，也從上面側加熱晶圓W，故於晶圓W之材質使用熱可塑性樹脂之時，其柔軟性增加，變得容易朝平台7之保持面7a吸附。
在本實施型態中，因噴嘴平板83被支撐於對準單元41，故三個噴嘴81能夠在圖1中之Y方向移動。另外，平台7藉由X方向移動單元21、Y方向移動單元23及Z方向移動單元25，能夠在圖1中之X-Y-Z方向移動。因此，可以從各噴嘴81朝向被保持在平台7之晶圓W之目標之部位，獨立噴射氣體。在本實施型態中，被構成可以朝向在平台7之保持面7a被區分之9個吸引區域61A~61I，在個別的時序噴射氣體。例如，在圖3中，對9個吸引區域61A~61I，投影氣體噴射位置61A1、61B1、61C1、61D1、61E1、61F1、61G1、61H1、61I1而以假想線表示。因此，對被保持於平台7之晶圓W，在與吸引區域61A~61I對應之9個位置，分別被噴射氣體。
另外，噴嘴81並不限定於3個，即使例如為一個或兩個亦可，即使為4個以上亦可，即使個別地對應於各吸引區域61A~61I而設置9個噴嘴81亦可。
再者，也可以與對準單元41獨立設置氣體噴射裝置45。例如，圖8表示藉由獨立的支撐部支撐噴嘴板83之時的構成例。氣體噴射裝置45A具備朝向晶圓W之上面部分性噴射氣體之複數噴嘴81(例如，3個)，和支撐各噴嘴81之噴嘴板83，和與各噴嘴81連接而對噴 嘴81供給氣體之配管85，和與該配管85之另一端側連接的氣體源87，和支撐噴嘴板83之噴嘴臂95，和支撐噴嘴臂95之支柱97。噴嘴臂95係藉由無圖示之驅動部，被構成能夠在X-Y-Z方向伸縮、旋動及上下移位。藉由使噴嘴臂95在被保持在平台7之保持面7a之晶圓W之正上方移動，可以對晶圓W之規定之位置噴射氣體。
〔控制部〕
控制部50係控制探針裝置100之各構成部之動作。控制部50一般為電腦。圖9表示控制部50之硬體構成之一例。控制部50具備主控制部201、鍵盤、滑鼠等之輸入裝置202、印表機等之輸出裝置203、顯示裝置204、記憶裝置205、外部介面206和互相連接該些之匯流排207。主控制部201具有CPU(中央處理裝置)211、RAM(隨機存取記憶體)212及ROM(唯讀記憶體)213。記憶裝置205若為可以記憶資訊者時，不管其形態，例如硬碟裝置或光碟裝置。再者，記憶裝置205對電腦可讀取之記錄媒體215記錄資訊，再者，由記錄媒體215讀取資訊。記錄媒體215若為可以記憶資訊者時，不管其形態，例如硬碟裝置、光碟裝置、快閃記憶體等。記錄媒體215即使為記錄有在本實施型態之探針裝置100中被執行之探針方法之配方的記錄媒體亦可。
控制部50係以在本實施型態之探針裝置100中，可以對複數晶圓W，實行對被形成在晶圓W上之裝 置的檢查之方式，進行控制。具體而言，控制部50在探針裝置100中，控制各構成部(例如，馬達23b等之驅動裝置、編碼器23c等之位置檢測裝置、下部攝影單元35、上部攝影單元43、氣體噴射裝置45、真空夾頭機構60等)。該些係CPU211藉由將RAM212當作作業區域使用，實行被儲存於ROM213或記憶裝置205之軟體(程式)而被實現。
在以上之構成的探針裝置100中，藉由使平台7在水平方向(X方向、Y方向、θ方向)及垂直方向(Z方向)移動，調整和被保持在探針卡和平台7上之晶圓W的相對位置，且使裝置之電極和探針抵接。測試頭5係經由探針卡之各探針而使檢查電流流至裝置。探針卡係將表示裝置之電特性的電訊號傳送至測試頭5。測試頭5係將被傳送的電訊號當作測定資料而予以記憶，且判定有無檢查對象之裝置的電性缺陷。
〔晶圓之保持方法〕
接著，針對與本發明之實施型態有關之晶圓W之保持方法進行說明。首先，參照圖10針對平台7之保持面7a之吸引區域61A~61I，和被吸附於此之晶圓W之部位的關係進行說明在此，將被吸附於平台7之吸引區域61A之晶圓W之一部分設為部位PA。同樣，在晶圓W中，分別將被吸附於吸引區域61B之部分設為部位PB，將被吸附於吸引區域61C之部分設為部位PC，將被吸附於吸引 區域61D之部分設為部位PD，將被吸附於吸引區域61E之部分設為部位PE，將被吸附於吸引區域61F之部分設為部位PF，將被吸附於吸引區域61G之部分設為部分PG，將被吸附於吸引區域61H之部分設為部位PH，將被吸附於吸引區域61I之部分設為部位PI。
〔第1順序〕
圖11為說明與本發明之實施型態有關之晶圓W之保持方法之順序之一例的流程圖。本順序包含步驟S1~步驟S10之處理。首先，作為準備階段，藉由無圖示之搬運裝置，將晶圓W載置在平台7之保持面7a。
(步驟S1)
在步驟S1中，使作為晶圓W之中央部的部位PI吸附於吸引區域61I。首先，使氣體噴射裝置45中之一個噴嘴81移動至晶圓W之部位PI之正上方。接著，一面從噴嘴81朝向晶圓W之部位PI噴射氣體，一面使真空泵70作動。此時，雖然藉由將切換閥65I予以切換，使吸引區域61I內之吸引溝7b成為負壓，但是使吸引區域61A~61H內之吸引溝7b維持大氣開放狀態。作為晶圓W之中央部的部位PI由於一面被從上方噴射之氣壓輔助，同時背面側成為負壓，故被吸附於下方之吸引區域61I。
(步驟S2)
接著，在步驟S2中，使與晶圓W之部位PI相鄰接之周緣部之部位PA吸附於平台7之吸引區域61A。首先，使氣體噴射裝置45中之一個噴嘴81移動至晶圓W之部位PA之正上方。接著，藉由一面從噴嘴81朝向晶圓W之部位PA噴射氣體，一面使切換閥65A予以切換，使吸引區域61A內之吸引溝7b成為負壓。此時，吸引區域61B~61H內之吸引溝7b維持大氣開放狀態。另外，吸引區域61I內之吸引溝7b與步驟S1同樣被維持負壓狀態。作為晶圓W之周緣部的部位PA由於被輔助於從上方噴射之氣壓輔助，同時背面側成為負壓，故被吸附於下方之吸引區域61A。
(步驟S3)
接著，在步驟S3中，使與晶圓W之部位PA相鄰接之周緣部之部位PB吸附於平台7之吸引區域61B。具體順序除使噴嘴81移動至晶圓W之部位PB之正上方而噴射氣體，同時使切換閥65B予以切換而使吸引區域61B內之吸引溝7b成為負壓之點外，其他與步驟S2相同。
(步驟S4~步驟S9)
接著，在步驟S4~S9中，依照吸引區域61C、61D、61E、61F、61G、61H之順序，使與在上述步驟中吸附的晶圓W之部位相鄰接之周緣部的部位吸附於平台7之吸引區域。具體順序除使噴嘴81移動至成為晶圓W之目的 的部位PC~PH中之任一者的正上方，依序對各部位噴射氣體，同時依序使切換閥65C~65H中之任一者予以切換而使吸引區域61C~61H內之吸引溝7b依序成為負壓之點外，其他與步驟S2、S3相同。
(步驟S10)
藉由上述步驟S1~S9，若為正常狀態時，可以在平台7之保持面7a之全體吸附保持晶圓W。但是，於晶圓W之翹曲大時等，有在吸引區域61A~61I中之任一者中，外氣進入吸引溝7b內而產生洩漏，且保持不完全的情形。在此，在本順序中，於步驟S10進行洩漏確認。具體而言，藉由真空計73測量吸氣路63之壓力。而且，藉由比較事先測量之吸氣路63之正常吸附保持狀態下之壓力，和藉由真空計73所測量之吸氣路63之壓力，可以在吸引區域61A~61I中之任一者中，檢測岀是否產生洩漏。在步驟S10判別產生洩漏之時，如圖11中虛線所示般，再次返回步驟S1，進行步驟S1~S9之處理。
另外，在圖11中，雖然成為一起進行所有的吸引區域61A~61I之洩漏確認的構成，但是藉由在配管63A~63I個別配備例如真空計73，亦可以個別地進行吸引區域61A~61I之洩漏確認。此時，亦可以在每上述步驟S1~S9進行洩漏確認。再者，即使將吸引區域61A~61I分成複數群組，以每群組進行洩漏確認亦可。並且，於洩漏確認後，即使僅針對在吸引區域61A~61I中檢測 岀洩漏之區域或群組，進行吸附處理亦可。另外，步驟S10之洩漏確認為任意，即使省略亦可。
在本順序中，藉由重覆一面對晶圓W局部性地噴射氣體，一面使晶圓W部分性地吸附於被細分化之吸引區域61A~61I的動作，可以使平台7之保持面7a容易吸附保持晶圓W全體。尤其，在晶圓W之周緣部，由於使與吸附之部位相鄰接之周緣部之部位，一面利用氣壓一面依序吸附於吸引區域61A~61H，故即使為例如大的翹曲之晶圓W，亦可以確實地吸附保持在保持面7a。因此，在探針裝置100，可以進行可靠性高之裝置檢查。
〔第2順序〕
圖12為說明與本發明之實施型態有關之晶圓W之保持方法之順序之另外例的流程圖。本順序包含步驟S11~步驟S17之處理。首先，作為準備階段，藉由無圖示之搬運裝置，將晶圓W載置在平台7之保持面7a。
(步驟S11)
在步驟S11中，使作為晶圓W之中央部的部位PI吸附於吸引區域61I。步驟S11可以與第1順序之步驟S1相同地進行。
(步驟S12)
接著，在步驟S12中，使與晶圓W之部位PI相鄰接 之周緣部之部位PA吸附於平台7之吸引區域61A。首先，使氣體噴射裝置45中之一個噴嘴81移動至晶圓W之部位PA之正上方。接著，藉由一面從噴嘴81朝向晶圓W之部位PA噴射氣體，一面使切換閥65A予以切換，使吸引區域61A內之吸引溝7b成為負壓。此時，吸引區域61B~61H內之吸引溝7b維持大氣開放狀態。另外，吸引區域61I內之吸引溝7b與步驟S11同樣被維持負壓狀態。作為晶圓W之周緣部的部位PA由於被從上方噴射之氣壓輔助，同時背面側成為負壓，故被吸附於下方之吸引區域61A。
(步驟S13)
接著，在步驟S13中，使與晶圓W之部位PA相鄰接之周緣部的兩個部位PB及部位PH分別吸附於平台7之吸引區域61B及吸引區域61H。具體順序除使兩個噴嘴81移動至晶圓W之部位PB及部位PH之正上方，同時對各個部位噴射氣體，同時將切換閥65B及切換閥65H予以切換而使吸引區域61B內及吸引區域61H之吸引溝7b分別同時成為負壓之點外，其他與步驟S12相同。
(步驟S14)
接著，在步驟S14中，使與晶圓W之部位PB及部位PH相鄰接之周緣部的兩個部位PC及部位PG分別吸附於平台7之吸引區域61C及吸引區域61G。具體順序除使兩個 噴嘴81移動至晶圓W之部位PC及部位PG之正上方，同時對各個部位噴射氣體，同時將切換閥65C及切換閥65G予以切換而使吸引區域61C內及吸引區域61G吸引溝7b分別同時成為負壓之點外，其他與步驟S12相同。
(步驟S15)
接著，在步驟S15中，使與晶圓W之部位PC及部位PG相鄰接之周緣部的兩個部位PD及部位PF分別吸附於平台7之吸引區域61D及吸引區域61F。具體順序除使兩個噴嘴81移動至晶圓W之部位PD及部位PF之正上方，同時對各個部位噴射氣體，同時將切換閥65D及切換閥65F予以切換而使吸引區域61D內及吸引區域61F吸引溝7b分別同時成為負壓之點外，其他與步驟S12相同。
(步驟S16)
接著，在步驟S16中，使與晶圓W之部位PD及部位PF相鄰接之周緣部之部位PE吸附於平台7之吸引區域61E。具體順序除使噴嘴81移動至晶圓W之部位PE之正上方而噴射氣體，同時使切換閥65E予以切換而使吸引區域61E內之吸引溝7b成為負壓之點外，其他與步驟S12相同。
(步驟S17)
藉由上述步驟S11~S16，若為正常狀態時，可以在 平台7之保持面7a之全體吸附保持晶圓W。但是，於晶圓W之翹曲大時等，有在吸引區域61A~61I中之任一者中，外氣進入吸引溝7b內而產生洩漏，且保持不完全的情形。在此，在本順序中，於步驟S17進行洩漏確認。洩漏確認之方法與第1順序中之步驟S10相同。在步驟S17判別產生洩漏之時，如圖12中虛線所示般，再次返回步驟S11，進行步驟S11~S16之處理。
另外，在圖12中，雖然成為一起進行所有的吸引區域61A~61I之洩漏確認的構成，但是藉由在配管63A~63I個別配備例如真空計73，亦可以個別地進行吸引區域61A~61I之洩漏確認。此時，亦可以在每上述步驟S11~S16進行洩漏確認。再者，即使將吸引區域61A~61I分成複數群組，以每群組進行洩漏確認亦可。並且，於洩漏確認後，即使僅針對在吸引區域61A~61I中檢測出洩漏之區域或群組，進行吸附處理亦可。另外，步驟S17之洩漏確認為任意，即使省略亦可。
在本順序中，由於在晶圓W之周緣部中，同時以2處吸附與吸附之部位相鄰接之周緣部之部位，故比起與第1順序有關之晶圓W之保持方法，可以以短時間完成吸附保持。本順序中之其他構成及效果與第1順序相同。
〔第3順序〕
圖13為說明與本發明之實施型態有關之晶圓W之保 持方法之順序之又一另外例的流程圖。本順序包含步驟S21~步驟S25之處理。首先，作為準備階段，藉由無圖示之搬運裝置，將晶圓W載置在平台7之保持面7a。
(步驟S21)
在步驟S21中，使作為晶圓W之中央部的部位PI吸附於吸引區域61I。步驟S21可以與第1順序之步驟S1相同地進行。
(步驟S22)
接著，在步驟S22中，使與晶圓W之部位PI相鄰接之周緣部之部位PA，和相對於部位PA位於徑向之對稱位置的部位PE分別吸附於平台7之吸引區域61A及吸引區域61E。首先，使氣體噴射裝置45中之一個噴嘴81移動至晶圓W之部位PA及部位PE之正上方。接著，從噴嘴81朝向晶圓W之部位PA及部位PE，分別噴射氣體，同時將切換閥65A及切換閥65E內予以切換，依此使吸引區域61A及吸引區域61E之吸引溝7b分別同時成為負壓。此時，吸引區域61B~61D、61F~61H內之吸引溝7b維持大氣開放狀態。另外，吸引區域61I內之吸引溝7b與步驟S21同樣被維持負壓狀態。作為晶圓W之周緣部的部位PA及部位PE由於被從上方噴射之氣壓輔助，同時背面側成為負壓，故被吸附於下方之吸引區域61A及吸引區域61E。
(步驟S23)
接著，在步驟S23中，使與晶圓W之部位PA相鄰接之周緣部之兩個部位PB及PH，分別吸附於平台7之吸引區域61B及吸引區域61H，同時使與晶圓W之部位PE相鄰接之周緣部之兩個部位PD及部位PF，分別吸附於吸引區域61D及吸引區域61F。具體順序除使4個噴嘴81移動至晶圓W之部位PB、部位PH、部位PD、部位PF之正上方，同時對各個部位噴射氣體，同時將切換閥65B、65H、65D、65F予以切換而使吸引區域61B內、同61H內、同61D內及同61F內之吸引溝7b分別同時成為負壓之點外，其他與步驟S22相同。
(步驟S24)
接著，在步驟S24中，殘留在晶圓W之周緣部的兩個相鄰接部位PC及部位PG分別吸附於平台7之吸引區域61C及吸引區域61G。具體順序除使兩個噴嘴81移動至晶圓W之部位PC及部位PG之正上方，同時對各個部位噴射氣體，同時將切換閥65C及切換閥65G予以切換而使吸引區域61C內及吸引區域61G吸引溝7b分別同時成為負壓之點外，其他與步驟S22相同。
(步驟S25)
藉由上述步驟S21~S24，若為正常狀態時，可以在 平台7之保持面7a之全體吸附保持晶圓W。但是，於晶圓W之翹曲大時等，有在吸引區域61A~61I中之任一者中，外氣進入吸引溝7b內而產生洩漏，且保持不完全的情形。在此，在本順序中，於步驟S25進行洩漏確認。洩漏確認之方法與第1順序中之步驟S10相同。在步驟S25判別產生洩漏之時，如圖13中虛線所示般，再次返回步驟S21，進行步驟S21~S24之處理。
另外，在圖13中，雖然成為一起進行所有的吸引區域61A~61I之洩漏確認的構成，但是藉由在配管63A~63I個別配備例如真空計73，亦可以個別地進行吸引區域61A~61I之洩漏確認。此時，亦可以在每上述步驟S21~S24進行洩漏確認。再者，即使將吸引區域61A~61I分成複數群組，以每群組進行洩漏確認亦可。另外，於洩漏確認後，即使僅針對在吸引區域61A~61I中檢測岀洩漏之區域或群組，進行吸附處理亦可。而且，步驟S25之洩漏確認為任意，即使省略亦可。
在本順序中，由於在晶圓W之周緣部中，最初同時吸附2處部位，進一步以最大同時4處吸附與吸附之部位相鄰接之周緣部之部位，故比起與第1順序有關之晶圓W之保持方法，可以以短時間完成吸附保持。本順序中之其他構成及效果與第1順序相同。
如上述般，若藉由第1~第3順序之晶圓W之保持方法時，即使針對容易發生大的翹曲之晶圓W，亦可以確實地吸附保持。另外，在圖3中，雖然舉岀吸附晶 圓W之周緣部的8個吸引區域61A~61H之面積和形狀為相同之情形為例，但是即使各吸引區域61之面積或形狀不同亦可。針對各吸引區域61之面積或形狀不同之時，以下舉岀變形例進行說明。
〔變形例〕
一面參照圖14~圖16，一面針對本實施型態之晶圓W之保持方法之變形例進行說明。另外，在圖14~圖16中，吸引溝7b省略圖示，表示被形成在平台7之保持面7a之複數吸引區域61之大概位置、形狀及面積。在以下之說明中，雖然說明晶圓W部分性地吸附至各吸引區域61之順序，但是與上述第1~第3順序相同，於吸附動作時，進行氣體噴射裝置45中之任一個噴嘴81噴射氣體。再者，即使在變形例中，亦可以進行洩漏確認。
首先，在圖14所示之第1變形例中，平台7之保持面7a藉由能獨立被保持減壓之吸引溝7b被區分成7個吸引區域61A、61B、61C、61D、61E、61F、61G。吸引區域61G為被設置在構成俯視圓形之保持面7a之中央部分的中央區域。吸引區域61A、61B、61C、61D、61E、61F係在構成俯視圓形之保持面7a，被設置在吸引區域61G之周圍的周邊區域。在此，吸引區域61A~61F包含具有不同面積者。具體而言，吸引區域61A、61B相同面積。吸引區域61C、61D也係相同面積，具有大於吸引區域61A、61B的面積。吸引區域61E具有較吸引區域 61C、61D更大的面積。吸引區域61F具有較吸引區域61E更大的面積。即是，當表示吸引區域61A~61F之面積之大小關係時，成為如吸引區域61A=吸引區域61B<吸引區域61C=吸引區域61D<吸引區域61E<吸引區域61F般。
而且，在圖14所示之第1變形例中，首先使晶圓W之中央部吸附於吸引區域61G之後，以從吸引區域61A~61F之面積小的區域朝向面積大的區域之方式，依序部分性地吸附晶圓W之周緣部。具體而言，使晶圓W之周緣部之部位吸附於吸引區域61A。接著，使與吸附於吸引區域61A之部位相鄰接之晶圓W之周緣部之部位吸附於吸引區域61B。接著，使與吸附於吸引區域61B之部位相鄰接之晶圓W之周緣部之部位吸附於吸引區域61C。接著，使與吸附於吸引區域61C之部位相鄰接之晶圓W之周緣部之部位吸附於吸引區域61D。接著，使與吸附於吸引區域61D之部位相鄰接之晶圓W之周緣部之部位吸附於吸引區域61E。接著，使與吸附於吸引區域61E之部位相鄰接之晶圓W之周緣部之部位吸附於吸引區域61F。如此一來，藉由以從吸引區域61A~61F之面積小之區域朝面積大之區域的方式，吸附晶圓W，可以在平台7之保持面7a之全體吸附保持晶圓W。
接著，在圖15所示之第2變形例中，平台7之保持面7a藉由能獨立被保持減壓之吸引溝7b被區分成6個吸引區域61A、61B、61C、61D、61E、61F。吸引區 域61F為被設置在構成俯視圓形之保持面7a之中央部分的中央區域。吸引區域61A、61B、61C、61D、61E係在構成俯視圓形之保持面7a，被設置在吸引區域61F之周圍的周邊區域。在此，吸引區域61A~61E包含具有不同面積者。具體而言，吸引區域61A為面積小的區域。吸引區域61B、61E也係相同面積，具有大於吸引區域61A的面積。吸引區域61C、61D也係相同面積，具有大於吸引區域61B、61E的面積。即是，當表示吸引區域61A~61E之面積之大小關係時，成為如吸引區域61A<吸引區域61B=吸引區域61E<吸引區域61C=吸引區域61D般。
而且，在圖15所示之第2變形例中，首先使晶圓W之中央部吸附於吸引區域6IF之後，以從吸引區域61A~61E之面積小的區域朝向面積大的區域之方式，依序部分性地吸附晶圓W之周緣部。具體而言，使晶圓W之周緣部之部位吸附於吸引區域61A。接著，使與吸附於吸引區域61A之部位相鄰接之晶圓W之周緣部之部位分別吸附於吸引區域61B、61E。接著，使與吸附於吸引區域61B、61E之部位相鄰接之晶圓W之周緣部之部位分別吸附於吸引區域61C、61D。如此一來，藉由以從吸引區域61A~61E之面積小之區域朝面積大之區域的方式，吸附晶圓W，可以在平台7之保持面7a之全體吸附保持晶圓W。
接著，在圖16所示之第3變形例中，平台7之保持面7a藉由能獨立被保持減壓之吸引溝7b被區分成 9個吸引區域61A、61B、61C、61D、61E、61F、61G、61H、61I。吸引區域61I為被設置在構成俯視圓形之保持面7a之中央部分的中央區域。吸引區域61A、61B、61C、61D、61E、61F、61G、61H為周邊區域，其係在構成俯視圓形之保持面7a，被設置在吸引區域61I之周圍。在此，吸引區域61A~61H包含具有不同面積者。具體而言，吸引區域61A、61B為相同面積，係在平台7之保持面7a之周邊區域，被區劃在徑向之內側的面積最小的區域。吸引區域61C、61D也係相同面積，具有大於吸引區域61A、61B的面積。再者，吸引區域61C、61D係在平台7之保持面7a之周邊區域，被區劃在較吸引區域61A、61B更靠徑向之外徑的區域。吸引區域61E、61H也係相同面積，具有大於吸引區域61C、61D的面積。吸引區域61F、61G也係相同面積，具有大於吸引區域61E、61H的面積。即是，當表示吸引區域61A~61H之面積之大小關係時，成為如吸引區域61A=吸引區域61B<吸引區域61C=吸引區域61D<吸引區域61E=吸引區域61H<吸引區域61F=吸引區域61G般。
而且，在圖16所示之第3變形例中，首先使晶圓W之中央部吸附於吸引區域61I之後，以從吸引區域61A~61H之面積小的區域朝向面積大的區域之方式，依序部分性地吸附晶圓W之周緣部。具體而言，使晶圓W之周緣部之部位吸附於吸引區域61A、61B。接著，使與吸附於吸引區域61A、61B之部位相鄰接之晶圓W之周 緣部之部位分別吸附於吸引區域61C、61D。接著，使與吸附於吸引區域61C、61D之部位相鄰接之晶圓W之周緣部之部位分別吸附於吸引區域61E、61H。接著，使與吸附於吸引區域61E、61H之部位相鄰接之晶圓W之周緣部之部位分別吸附於吸引區域61G、61F。如此一來，藉由以從吸引區域61A~61H之面積小之區域朝面積大之區域的方式，吸附晶圓W，可以在平台7之保持面7a之全體吸附保持晶圓W。
如此一來，在第1~第3變形例中，吸附晶圓W之周緣部之複數的吸引區域61具有擁有不同面積的兩個以上之吸引區域61。而且，可以以從面積小之吸引區域61朝面積大的吸引區域61之方式，依序部分性地吸附晶圓W之周緣部分。依此，即使晶圓W之翹曲大，最初僅能吸附小的部位之情況下，亦可以藉由依序吸附相鄰接之部位，增加吸附面積，且可以漸漸緩和晶圓W之翹曲。其結果，可以在短時間在平台7之保持面7a之全體吸附保持晶圓W之全面。
再者，因藉由改變吸引區域61之面積、形狀，可以減少吸引區域61之數量(即是，平台7之保持面7a之分割數)，故也有可以簡化裝置構成的優點。
〔第2實施型態〕
接著，參照圖17~圖19，針對本發明之第2實施型態之探針裝置進行說明。圖17為表示與本發明之第2實 施型態有關之探針裝置100A之內部構造之概略的斜視圖。探針裝置100A具備推壓裝置101，其係抵接於晶圓W之吸附部位之上面而朝平台7之保持面7a推壓，以作為推壓手段。在圖17之探針裝置100A中，對與第1實施型態之探針裝置100相同之構成賦予相同符號而省略說明。
在本實施型態中，複數之推壓裝置101被設置在對準單元41之側部。圖18及圖19為一個推壓裝置之說明圖。如圖18及圖19所示般，推壓裝置101具備當作推壓構件之推壓銷103，和使推壓銷103上下移位的驅動部105。推壓銷103之前端以熱傳導率低於金屬的材質，例如陶瓷、合成樹脂、橡膠等形成為佳，以氟橡膠等之兼具耐熱性和彈性的材質為更佳。
雖然省略圖示，但是驅動部105具有例如汽缸等之致動器，和彈簧等之推彈構件。如圖18所示般，通常藉由推彈構件之推彈力，推壓銷103之前端被保持在較對準單元41之下端上方的退避位置。當使致動器作動時，推壓銷103如圖19所示般，反抗彈壓構件之彈壓力而從對準單元41之下端以規定之行程在下方進岀，其前端抵接於晶圓W之吸附部位之上面，部分性地推壓晶圓W。
如此一來，推壓銷103與在第1實施型態中從氣體噴射裝置45噴射之氣體同樣作用。即是，推壓銷103係將晶圓W之上面部分性地朝下方之平台7之保持面 7a推壓。其結果，可以在第2實施型態之探針裝置100A中，與第1實施型態之探針裝置100同樣之順序，進行晶圓W之吸附保持。
推壓裝置101之數量並不限定於兩個，即使為一個亦可，即使為三個以上亦可，以複數為佳。在本實施型態中，如圖17所示般，可以使成為在對準單元41之側部配置兩個推壓裝置101，且推壓晶圓W之吸附部位。依此，於進行晶圓W之吸附保持之時的朝平台7之XY方向移動的距離變短，可以抑制裝置全體之佔地面積。再者，在本實施型態中，藉由將推壓裝置101安裝在對準單元41，不需要另外設置支撐機構，可以使裝置構成簡化。並且，推壓裝置101即使設為藉由獨立之支撐構件而進行支撐的構成，來取代安裝於對準單元41亦可。
接著，參照圖20，針對探針裝置100A中被形成在平台7之保持面7a的複數吸引區域進行說明。在探針裝置100A中，藉由平台7之保持面7a藉由能獨立被保持減壓之吸引溝7b被分割成12個吸引區域61。在圖20中，為了簡化說明，將區分設置在平台7之保持面7a的12個吸引區域61，以1~12號的號碼表示吸附晶圓W之順序。
在圖20中，以1號及2號表示之吸引區域61為中央區域，被設置在構成俯視圓形之保持面7a之中央部分。再者，以1號及2號表示的吸引區域61係以不同的面積從平台7之保持面7a之中央側被形成在徑外方 向。如此一來，即使中央區域具有在保持面7a之徑向被分割的複數區域亦可。
另外，3號至12號所表示之吸引區域61為周邊區域，在構成俯視圓形之保持面7a中，被設置在以1號及2號所表示之中央區域的周圍上。再者，以3號、4號、5號表示的吸引區域61係以不同的面積從平台7之保持面7a之中央側被形成在徑外方向。如此一來，即使周邊區域具有在保持面7a之徑向被分割的複數區域亦可。
本實施型態之探針裝置100A中之其他構成及效果則與第1實施型態相同。
接著，針對探針裝置100A中之晶圓W之保持方法進行說明。在本順序中，首先，使晶圓W之中央部依序吸附於平台7之保持面7a之中央區域的1號區域，和其稍稍外側之2號區域。接著，使晶圓W之周緣部從中心側朝向徑外方向依序吸附於作為平台7之保持面7a之周邊區域的3號區域、4號區域、5號區域。接著，依照6號區域、7號區域、8號區域、9號區域、10號區域、11號區域、12號區域之順序，使晶圓W之周緣部吸附於周方向。如此一來，藉由重覆使晶圓W部分性地吸附於相鄰接之區域的動作，可以使晶圓W之全體吸附保持於平台7之保持面7a。因此，即使針對具有翹曲之晶圓W，亦可以將其全體確實地吸附於平台7之保持面7a。
接著，一面參照圖21~圖33，一面針對探針裝置100A中之晶圓W之保持方法之更具體的順序進行說明。在圖21~圖33中，表示被設置在對準單元41之側部之2處的推壓裝置101之推壓銷103，和平台7之保持面7a之位置關係。為了便於說明，兩個推壓裝置101以符號101A、101B分別表示。平台7之保持面7a中之1~12之號碼與圖20相同的意思。再者，晶圓W本身省略圖示。並且，對準單元41能夠在圖中之Y方向往返移動，平台7能夠在圖中之XY方向移動。
在圖21中，使平台7移動至晶圓W之收授位置。而且，裝載部3將晶圓W(無圖示)搬運至平台7之保持面7a。
接著，如圖22所示般，使對準單元41在Y方向移動，直至推壓裝置101A之推壓銷103位置於1號之區域之正上方為止。而且，使1號之區域之吸引成為ON，使單側之推壓裝置101A之推壓銷103進岀，且推壓晶圓W之中央部，使吸附於1號之區域。在圖22中，以黑點表示藉由推壓銷103之推壓位置(在圖23~圖33中也相同)。之後，藉由洩漏確認來確認吸附之後，使推壓銷103退避。
接著，如圖23所示般，使平台7移動，直至推壓裝置101A之推壓銷103位置於2號之區域之正上方為止。而且，使2號之區域之吸引成為ON，使推壓裝置101A之推壓銷103進岀，且推壓晶圓W之中央部之徑向 的稍稍外側，使吸附於2號之區域。藉由洩漏確認來確認吸附之後，使推壓銷103退避。
另外，在1號區域和2號區域之吸附中，即使一面維持以推壓裝置101A之推壓銷103推壓晶圓W之中央部之1處之狀態，一面依照1號區域、2號區域之順序進行吸附亦可。
接著，如圖24所示般，使平台7移動，直至推壓裝置101A之推壓銷103位置於3號之區域之正上方為止。而且，使3號之區域之吸引成為ON，使推壓銷103進岀，且部分性地推壓晶圓W，使吸附於3號之區域。藉由洩漏確認來確認吸附之後，使推壓銷103退避。
接著，如圖25所示般，使平台7移動，直至推壓裝置101A之推壓銷103位置於4號之區域之正上方為止。而且，使4號之區域之吸引成為ON，使推壓銷103進岀，且部分性地推壓晶圓W，使吸附於4號之區域。藉由洩漏確認來確認吸附之後，使推壓銷103退避。
接著，如圖26所示般，使平台7移動，直至推壓裝置101A之推壓銷103位置於5號之區域之正上方為止。而且，使5號之區域之吸引成為ON，使推壓銷103進岀，且部分性地推壓晶圓W，使吸附於5號之區域。藉由洩漏確認來確認吸附之後，使推壓銷103退避。
另外，在3號區域和5號區域之吸附中，即使一面維持以推壓裝置101A之推壓銷103推壓與任一區域對應之晶圓W上之1處之狀態，一面依照3號區域、4 號區域、5號區域之順序進行吸附亦可。
接著，如圖27所示般，使平台7移動，直至推壓裝置101A之推壓銷103位置於6號之區域之正上方為止。而且，使6號之區域之吸引成為ON，使推壓銷103進岀，且部分性地推壓晶圓W，使吸附於6號之區域。藉由洩漏確認來確認吸附之後，使推壓銷103退避。
以下，同樣依照7號區域(參照圖28)、8號區域(參照圖29)之順序，一面重覆藉由推壓裝置101A之推壓銷103所進行之推壓和退避，一面部分性地吸附晶圓W。
接著，如圖30所示般，使平台7移動，直至推壓裝置101B之推壓銷103位置於9號之區域之正上方為止，以取代推壓裝置101A。而且，使9號之區域之吸引成為ON，使推壓銷103進岀，且部分性地推壓晶圓W，使吸附於9號之區域。藉由洩漏確認來確認吸附之後，使推壓銷103退避。如此一來，在途中，藉由從推壓裝置101A切換至推壓裝置101B，不會增大平台7之可動範圍，可以實施晶圓W之吸附處理。因此，不會放大包含使平台7在XY方向移動之X方向移動單元21及Y方向移動單元23的裝置之佔地面積，可以確實地吸附保持晶圓W。
以下，同樣依照10號區域(參照圖31)、11號區域(參照圖32)、12號之區域(參照圖33)之順序，一面重覆藉由推壓裝置101B之推壓銷103所進行之 推壓和退避，一面部分性地吸附晶圓W。
如此一來，藉由依1號區域~12號區域之順序吸附晶圓W，可以在平台7之保持面7a之全體確實地吸附朝晶圓W。而且，本順序即使藉由在2處設置與第1實施型態相同之氣體噴射裝置45之噴嘴81，來取代在對準單元41設置兩個推壓裝置101，來重覆氣體之噴射和停止亦可以同樣實施。
以上，雖然以例示之目的詳細說明本發明之實施型態，但是本發明並未限制於上述實施型態，可作各種之變形。例如，上述實施型態中，雖然舉岀進行被形成在晶圓W上之裝置之檢查的探針裝置為例而進行說明，但是本發明之基板保持方法及基板保持裝置能夠適用於具備真空吸附且保持基板之平台的處理裝置所有。
再者，在上述第1~第3順序中，雖然設成最初吸附晶圓W之中央部之部位PI的構成，但是例如在不設置保持面7a之中央部分之吸引區域61I之情況下，依吸引區域61之區分的方法不同而有所不同，並不限定於此。
再者，在上述第3順序中，設為於吸附晶圓W之周緣部之部位之2處之後，同時吸附相鄰接之2處至4處的構成。但是，即使在吸附晶圓W之周緣部之部位之2處之後，例如順時鐘方向、或逆時鐘方向依序吸附與該些相鄰接之部位中之單側(即是，每次同時以2處)亦可。
並且，在上述第3順序中，雖然吸附晶圓W之中央部之部位PI之後，同時吸附晶圓W之周緣部之2處之部位，但是在被區分之吸引區域61之數量多之情況等下，即使在部位PI之下一個，同時吸附晶圓W之周緣部之3個以上之部位亦可。
再者，作為基板，並不限定於半導體晶圓，即使例如代表用於液晶顯示裝置之玻璃基板的平面顯示器用基板，或安裝多數之IC(半導體積體電路)晶片之樹脂基板、玻璃基板等之安裝檢查用基板。
7‧‧‧平台
7a‧‧‧保持面
7b‧‧‧吸引溝
61A、61B、61C、61D、61E、61F、61G、61H、61I‧‧‧吸引區域
61A1、61B1、61C1、61D1、61E1、61F1、61G1、61H1、61I1‧‧‧氣體噴射位置

Claims (25)

  1. 一種基板保持方法，使基板吸附保持在平台，該基板保持方法之特徵在於：上述平台具有吸附且保持上述基板之下面的基板保持面，上述基板保持面被區分成能夠部分性地吸引上述基板之複數區域，在上述複數區域之至少一個區域，使吸附上述基板之一部分之後，在與吸附上述基板之一部分的區域相鄰接之區域，藉由依序重覆吸附上述基板之另外的部分，使上述基板之全體吸附保持在上述平台，同時於部分性地吸附上述基板之時，藉由推壓手段將上述基板之吸附部位朝上述基板保持面推壓。
  2. 如請求項1所記載之基板保持方法，其中上述推壓手段係朝向上述吸附部位之上面噴吹氣體的氣體噴射裝置。
  3. 如請求項2所記載之基板保持方法，其中上述氣體為加熱氣體。
  4. 如請求項3所記載之基板保持方法，其中上述加熱氣體被保持在上述平台之溫度之±10℃之範圍內。
  5. 如請求項1所記載之基板保持方法，其中上述推壓手段係具有抵接於上述吸附部位之上面而朝上述基板保持面推壓的推壓構件的推壓裝置。
  6. 如請求項1至5中任一項所記載之基板保持方法，其中上述基板構成圓形，同時上述基板保持面構成圓形，上述複數區域包含與上述基板之中央部分對應之中央區域，和與上述基板之周緣部對應，且包圍上述中央區域之複數周邊區域，並且依序重覆：首先，使上述基板之中央部分吸附於上述中央區域，接著，使上述基板之周緣部之一部分吸附於上述周邊區域之一個，接著，使上述基板之周緣部之另外的部分，吸附於與吸附上述基板之周緣部之一部分的上述周邊區域相鄰接的一個或兩個周邊區域，而且，使上述基板還有的另外部分，吸附於與吸附上述基板之周緣部之另外部分的周邊區域相鄰接之周邊區域。
  7. 如請求項1至5中之任一項所記載之基板保持方法，其中上述基板構成圓形，同時上述基板保持面構成圓形，上述複數區域包含與上述基板之中央部分對應之中央區域，和與上述基板之周緣部對應，且包圍上述中央區域之複數周邊區域，並且依序重覆：首先，使上述基板之中央部分吸附於上述中央區域，接著，使上述基板之周緣部部分性地分別吸附於上述周邊區域之兩個， 接著，使上述基板之周緣部之另外部分，分別吸附於與部分性地吸附上述基板之周緣部之上述周邊區域相鄰接之複數周邊區域，而且，使上述基板還有的另外部分，吸附於與吸附上述基板之周緣部之另外部分的複數周邊區域相鄰接之複數周邊區域。
  8. 如請求項6所記載之基板保持方法，其中上述複數周邊區域即使包含具有不同面積的兩個以上之周邊區域，從上述周邊區域之中的面積小的區域往面積大的區域，依序部分性地吸附上述基板之周緣部。
  9. 如請求項7所記載之基板保持方法，其中上述複數周邊區域包含具有不同面積的兩個以上之周邊區域，從上述周邊區域之中的面積小的區域往面積大的區域，依序部分性地吸附上述基板之周緣部。
  10. 如請求項1所記載之基板保持方法，其中針對上述複數區域，以全體一起，或個別地或是每複數組合之方式，在吸附上述基板之狀態下進行檢測外氣之進入狀態的洩漏檢測。
  11. 一種處理方法，對基板進行規定之處理，該處理方法之特徵在於：包含藉由請求項1至10中之任一項所記載之基板保持方法，使基板吸附保持於平台的工程。
  12. 如請求項11所記載之處理方法，其中檢查被形成在基板上之複數裝置之電特性之裝置的檢查方法。
  13. 一種基板保持裝置，具備：平台，其係吸附且保持基板；推壓手段，其係將上述基板之一部分朝上述基板保持面推壓，該基板保持裝置之特徵在於：上述平台具有吸附且保持上述基板之下面的基板保持面，同時該基板保持面被區分成能夠部分性地吸引上述基板之複數區域，上述推壓手段係與上述平台之上述複數區域對應，而推壓作為上述基板之一部分的吸附部位。
  14. 如請求項13所記載之基板保持裝置，其中上述推壓手段係朝向上述吸附部位之上面噴吹氣體的氣體噴射裝置。
  15. 如請求項14所記載之基板保持裝置，其中上述氣體噴射裝置具有對應於上述平台之上述複數區域，而以全體或個別地或是每複數組合之方式，噴吹上述氣體的噴嘴。
  16. 如請求項14或15所記載之基板保持裝置，其中上述氣體為加熱氣體。
  17. 如請求項16所記載之基板保持裝置，其中上述加熱氣體被保持在上述平台之溫度之±10℃之範 圍內。
  18. 如請求項13所記載之基板保持裝置，其中上述推壓手段係具有抵接於上述吸附部位之上面而朝上述基板保持面推壓的推壓構件的推壓裝置。
  19. 如請求項18所記載之基板保持裝置，其中抵接於上述推壓構件之上述基板的部分係藉由陶瓷、合成樹脂或橡膠所形成。
  20. 如請求項13至15中之任一項所記載之基板保持裝置，其中更具有洩漏檢測部，其係針對上述複數區域，以全體一起，或個別地或是每複數組合之方式，在吸附上述基板之狀態下檢測外氣之進入狀態。
  21. 如請求項13至15中之任一項所記載之基板保持裝置，其中上述基板構成圓形，同時上述基板保持面構成圓形，上述複數區域包含與上述基板之中央部分對應之中央區域，和與上述基板之周緣部對應，且包圍上述中央區域之複數周邊區域，上述複數周邊區域包含具有不同面積之兩個以上之周邊區域。
  22. 如請求項21所記載之基板保持裝置，其中上述中央區域具有上述基板保持面之徑向被分割的複數區域。
  23. 如請求項21所記載之基板保持裝置，其中 上述周邊區域具有上述基板保持面之徑向被分割的複數區域。
  24. 一種處理裝置，係對基板進行規定之處理的處理裝置，其特徵為：具備如請求項13至23中之任一項所記載之基板保持裝置。
  25. 如請求項24所記載之處理裝置，其中為檢查被形成在基板上之複數裝置之電特性的探針裝置。
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