JP2016197707A - 基板保持方法、基板保持装置、処理方法及び処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】大きな反りが発生しやすい基板についても、確実に吸着保持できる基板保持方法及び基板保持装置を提供する。
【解決手段】ステージ７の保持面７ａには、ウエハを吸着するための微細な吸引溝７ｂが設けられている。吸引溝７ｂは、９つの吸引領域６１Ａ〜６１Ｉに区分されている。吸引領域６１Ｉは、円形のウエハの中央部分を吸着する。吸引領域６１Ａ〜６１Ｈは、円形のウエハの周縁部分を吸着する。ステージ７に保持されたウエハに対して、吸引領域６１Ａ〜６１Ｉに対応する９箇所の位置に別々にガスが噴射される。
【選択図】図３

Description

本発明は、例えば半導体ウエハなどの基板上に形成されたデバイスの検査などの処理を行う際に、基板を保持する基板保持方法、この方法に用いる基板保持装置、並びに、処理方法及び処理装置に関する。

半導体デバイスの製造工程においては、半導体デバイスの電気的特性を評価するためのプローブ検査が行われる。プローブ検査は、半導体基板に形成されている半導体デバイスの電極にプローブ針を接触させ、個々の半導体デバイス毎に電気信号を入力し、これに対して出力される電気信号を観測することによって電気的特性評価を行うものである。

プローブ検査に用いるプローブ装置は、検査対象となる半導体デバイスが形成された被検査基板を保持するとともに、水平方向、垂直方向及び回転が可能なステージ（載置台）と、被検査基板に形成されている半導体デバイスの電極にプローブ針を正確に接触させるためのアライメント装置を備えている。プローブ検査の信頼性を高めるには、ステージ上の被検査基板が位置ずれを生じないように確実に保持することが重要である。

半導体プロセスの分野で基板を保持する技術として、基板の裏面とステージの間を減圧にして固定するバキュームチャックが知られている。

例えば、特許文献１では、反りを有する基板を水平に保持するため、多孔質体によって形成された保持部の中心領域と外周領域で吸引圧力を別々に調節できるようにすることが提案されている。

また、基板搬送装置に関する技術であるが、特許文献２では、真空吸引孔を備えた基板保持装置の上方からガスを吹き付けることによって、反りを有する基板についても確実に吸着できるようにすることが提案されている。

特開２０１３−２１４６７６号公報（図３など） 特開２０００−２４３８１４号公報（特許請求の範囲など）

円形の基板を吸着保持する場合、ステージの基板保持面に複数の溝を同心円状に設け、該溝内を減圧にすることで基板を吸引できる。しかし、複数の同心円状の溝内を減圧にする機構では、基板の反りによって、基板の周方向の１箇所についてリークが発生すると、十分な吸着力が得られなくなる、という問題があった。特に、近年では基板サイズが大型化する傾向があるとともに、基板自体も薄くなっており、反りが大きくなりやすい。さらに、樹脂基板、ガラス基板など、半導体ウエハに比べて反りが発生しやすい種類の基板への対応も必要になってきている。

従って、本発明の目的は、大きな反りが発生しやすい基板についても、確実に吸着保持できる基板保持方法及び基板保持装置を提供することである。

本発明の基板保持方法は、ステージに基板を吸着保持させる方法である。本発明の基板保持方法において、前記ステージは、前記基板の下面を吸着して保持する基板保持面を有し、前記基板保持面は、前記基板を部分的に吸引可能な複数の領域に区分されている。そして、本発明の基板保持方法は、前記複数の領域の少なくとも一つの領域において、前記基板の一部分を吸着させた後、前記基板の一部分を吸着させた領域に隣接する領域に、前記基板の別の部分を吸着させることを順次繰り返すことによって、前記基板の全体を前記ステージに吸着保持させる。また、本発明の基板保持方法は、前記基板を部分的に吸着させるときに、押圧手段によって前記基板の吸着部位を前記基板保持面へ押し付ける。

本発明の基板保持方法は、前記押圧手段が、前記吸着部位の上面に向けてガスを吹き付けるガス噴射装置であってもよい。この場合、前記ガスが加熱ガスであってもよく、前記ステージの温度の±１０℃の範囲内に保持されていてもよい。

本発明の基板保持方法は、前記押圧手段が、前記吸着部位の上面に当接して前記基板保持面へ押し付ける押圧部材を有する押圧装置であってもよい。

本発明の基板保持方法において、前記基板が円形をなすとともに、前記基板保持面が円形をなし、前記複数の領域は、前記基板の中央部分に対応する中央領域と、前記基板の周縁部に対応し、前記中央領域を囲む複数の周辺領域と、を含んでいてもよい。そして、本発明の基板保持方法は、
まず、前記基板の中央部分を、前記中央領域に吸着させ、
次に、前記周辺領域の一つに、前記基板の周縁部の一部分を吸着させ、
次に、前記基板の周縁部の一部分を吸着させた前記周辺領域に隣接する、一つ又は二つの周辺領域に、前記基板の周縁部の別の部分を吸着させ、
さらに、前記基板の周縁部の別の部分を吸着させた周辺領域に隣接する周辺領域に、前記基板のさらに別の部分を吸着させることを、順次、繰り返してもよい。

本発明の基板保持方法において、前記基板が円形をなすとともに、前記基板保持面が円形をなし、前記複数の領域は、前記基板の中央部分に対応する中央領域と、前記基板の周縁部に対応し、前記中央領域を囲む複数の周辺領域と、を含んでいてもよい。そして、本発明の基板保持方法は、
まず、前記基板の中央部分を、前記中央領域に吸着させ、
次に、前記周辺領域の二つに、それぞれ、前記基板の周縁部を部分的に吸着させ、
次に、前記基板の周縁部を部分的に吸着させた前記周辺領域に隣接する複数の周辺領域に、それぞれ、前記基板の周縁部の別の部分を吸着させ、
さらに、前記基板の周縁部の別の部分を吸着させた複数の周辺領域に隣接する複数の周辺領域に、それぞれ、前記基板のさらに別の部分を吸着させることを、順次、繰り返してもよい。

本発明の基板保持方法において、前記複数の周辺領域は、異なる面積を有する２つ以上の周辺領域を含んでいてもよく、
前記周辺領域の中の面積が小さい領域から面積が大きな領域へ、順次、前記基板の周縁部を部分的に吸着させていくようにしてもよい。

本発明の基板保持方法は、前記複数の領域について、全体を一括して、又は、個別にもしくは複数の組み合わせ毎に、前記基板を吸着させた状態で外気の進入状態を検出するリーク検出を行ってもよい。

本発明の処理方法は、基板に対して所定の処理を行う方法であって、上記いずれかの基板保持方法によって、ステージに基板を吸着保持させる工程を含む。

本発明の処理方法は、基板上に形成された複数のデバイスの電気的特性を検査するデバイスの検査方法であってもよい。

本発明の基板保持装置は、基板を吸着して保持するステージと、前記基板の一部分を前記基板保持面へ押し付ける押圧手段と、を備えている。本発明の基板保持装置において、前記ステージは、前記基板の下面を吸着して保持する基板保持面を有するとともに、該基板保持面は、前記基板を部分的に吸引可能な複数の領域に区分されている。そして、本発明の基板保持装置において、前記押圧手段は、前記ステージの前記複数の領域に対応して、前記基板の一部分である吸着部位を押圧するものである。

本発明の基板保持装置は、前記押圧手段が、前記吸着部位の上面に向けてガスを吹き付けるガス噴射装置であってもよい。この場合、前記ガス噴射装置は、前記ステージの前記複数の領域に対応して、全体に、又は、個別にもしくは複数の組み合わせ毎に、前記ガスを吹き付けるノズルを有していてもよい。この場合、前記ガスが加熱ガスであってもよく、前記ステージの温度の±１０℃の範囲内に保持されていてもよい。

本発明の基板保持装置は、前記押圧手段が、前記吸着部位の上面に当接して前記基板保持面へ押し付ける押圧部材を有する押圧装置であってもよい。この場合、前記押圧部材の前記基板に当接する部分が、セラミックス、合成樹脂又はゴムによって形成されていてもよい。

本発明の基板保持装置は、さらに、前記複数の領域について、全体を一括して、又は、個別にもしくは複数の組み合わせ毎に、前記基板を吸着させた状態で外気の進入状態を検出するリーク検出部を有していてもよい。

本発明の基板保持装置は、前記基板が円形をなすとともに、前記基板保持面が円形をなし、
前記複数の領域は、前記基板の中央部分に対応する中央領域と、前記基板の周縁部に対応し、前記中央領域を囲む複数の周辺領域と、を含んでいてもよく、
前記複数の周辺領域は、異なる面積を有する２つ以上の周辺領域を含んでいてもよい。

本発明の基板保持装置は、前記中央領域が、前記基板保持面の径方向に分割された複数の領域を有していてもよく、前記周辺領域が、前記基板保持面の径方向に分割された複数の領域を有していてもよい。

本発明の処理装置は、基板上に対して所定の処理を行う装置であって、上記いずれかの基板保持装置を備えている。

本発明の処理装置は、基板上に形成された複数のデバイスの電気的特性を検査するプローブ装置であってもよい。

本発明の基板保持方法及び基板保持装置によれば、大きな反りが発生しやすい基板についても、確実に吸着保持できる。従って、本発明の基板保持方法及び基板保持装置を、例えば、基板上に形成された複数のデバイスの電気的特性を検査するプローブ装置などの処理装置に適用することによって、信頼性の高いデバイス検査等の処理を行うことができる。

本発明の第１の実施の形態に係るプローブ装置の外観構成を示す斜視図である。 図１のプローブ装置の内部構造の概略を示す斜視図である。 ステージにおける保持面の平面図である。 図３のIV−IV線矢視における要部の縦断面図である。 図４中の破線で囲むＡ部の拡大図である。 バキュームチャック機構における複数の吸引領域と、真空ポンプとの接続状態を示す説明図である。 ガス噴射装置とステージに保持された基板との位置関係を模式的に示す説明図である。 ガス噴射装置の別の構成例を模式的に示す説明図である。 制御部のハードウェア構成の一例を示す説明図である。 ステージの保持面における吸引領域と基板の部位との関係を示す説明図である。 本発明の一実施の形態に係る基板の保持方法の手順の例を説明するフロー図である。 本発明の一実施の形態に係る基板の保持方法の手順の別の例を説明するフロー図である。 本発明の一実施の形態に係る基板の保持方法の手順のさらに別の例を説明するフロー図である。 第１変形例の説明に供するステージにおける保持面の平面図である。 第２変形例の説明に供するステージにおける保持面の平面図である。 第３変形例の説明に供するステージにおける保持面の平面図である。 本発明の第２の実施の形態に係るプローブ装置の内部構造の概略を示す斜視図である。 押圧装置の説明図である。 押圧装置の別の状態の説明図である。 ステージ７の保持面に形成された複数の吸引領域の説明図である。 図１７のプローブ装置における基板の保持手順の説明図である。 図２１に続く基板の保持手順の説明図である。 図２２に続く基板の保持手順の説明図である。 図２３に続く基板の保持手順の説明図である。 図２４に続く基板の保持手順の説明図である。 図２５に続く基板の保持手順の説明図である。 図２６に続く基板の保持手順の説明図である。 図２７に続く基板の保持手順の説明図である。 図２８に続く基板の保持手順の説明図である。 図２９に続く基板の保持手順の説明図である。 図３０に続く基板の保持手順の説明図である。 図３１に続く基板の保持手順の説明図である。 図３２に続く基板の保持手順の説明図である。

以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。

［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るプローブ装置１００の外観構成を示す斜視図である。図２は、図１のプローブ装置１００の内部構造の概略を示す斜視図である。

本実施の形態のプローブ装置１００は、半導体ウエハ、樹脂基板などの基板（以下、単に「ウエハ」と記すことがある）Ｗに形成された半導体デバイス等のデバイス（図示せず）の電気的特性の検査を行うものである。プローブ装置１００は、本体１と、この本体１に隣接して配置されるローダー部３と、本体１を覆うように配置されるテストヘッド５とを備えている。また、プローブ装置１００は、ウエハＷを載置するステージ７と、プローブ装置１００の各構成部の動作を制御する制御部５０を備えている。

＜本体＞
本体１は、内部が空洞の筐体であり、ステージ７を収容する。本体１の天井部１ａには、開口部１ｂが形成されている。開口部１ｂは、ステージ７に載置されたウエハＷの上方に位置しており、この開口部１ｂに、多数のプローブ針を有する円板状のプローブカード（図示省略）を保持する略円板状のプローブカードホルダ（図示省略）が係合する。このプローブカードホルダによって、プローブカードは、ステージ７に載置されたウエハＷと対向して配置される。

＜ローダー部＞
ローダー部３は、搬送容器であるフープ（図示省略）に収容されているウエハＷを取り出して本体１のステージ７へ搬送する。また、ローダー部３は、デバイスの電気的特性の検査が終了したウエハＷをステージ７から受け取り、フープへ収容する。

＜テストヘッド＞
テストヘッド５は、直方体形状をなし、本体１に設けられたヒンジ機構１１によって上方向へ回動可能に構成されている。テストヘッド５は、上方から本体１を覆った状態で、図示しないコンタクトリングを介してプローブカードと電気的に接続される。テストヘッド５は、プローブカードから伝送されるデバイスの電気的特性を示す電気信号を測定データとして記憶するとともに、測定データに基づいてデバイスの電気的な欠陥の有無を判定する機能を有している。

＜ステージ＞
図２に示すように、ステージ７は、基台２０上に配置されており、図中に示すＸ方向に沿って移動するＸ方向移動ユニット２１と、図中に示すＹ方向に沿って移動するＹ方向移動ユニット２３と、図中に示すＺ方向に沿って移動するＺ方向移動ユニット２５とを有している。また、ステージ７は、ウエハＷを吸着保持するバキュームチャック機構６０を有している。ステージ７の上面は、バキュームチャック機構６０によってウエハＷを吸引して保持する保持面７ａとなっている。バキュームチャック機構６０の詳細な構成については後述する。また、ステージ７は、図示しないヒーターが設けられており、保持面７ａの温度を例えば２５℃〜２００℃の範囲内に調節できるように構成されている。

Ｘ方向移動ユニット２１は、Ｘ方向に配置されたガイドレール２７に沿って、ボールねじ２１ａの回動によってステージ７をＸ方向に高精度に移動させる。ボールねじ２１ａは、モータ（図示せず）によって回動される。また、このモータに組み合わされたエンコーダ（図示せず）によってステージ７の移動量の検出が可能となっている。

Ｙ方向移動ユニット２３は、Ｙ方向に配置されたガイドレール２９に沿って、ボールねじ２３ａの回動によってステージ７をＹ方向に高精度に移動させる。ボールねじ２３ａは、モータ２３ｂによって回動される。また、このモータ２３ｂに組み合わされたエンコーダ２３ｃによってステージ７の移動量の検出が可能となっている。

このように、Ｘ方向移動ユニット２１とＹ方向移動ユニット２３は、ステージ７を、水平面に沿い、互いに直交するＸ方向とＹ方向に移動させる。

Ｚ方向移動ユニット２５は、図示しないモータ及びエンコーダを有し、ステージ７をＺ方向に沿って上下に移動させるとともに、その移動量を検出できるようになっている。Ｚ方向移動ユニット２５は、ステージ７をプローブカードへ向けて移動させてウエハＷ上のデバイスにおける電極とプローブ針とを当接させる。また、ステージ７は、図示しないモータによって、Ｚ方向移動ユニット２５の上において、図中に示すθ方向に回転自在に配置されている。

＜下部撮像ユニット＞
また、本体１の内部には、下部撮像ユニット３５が配置されている。ここで、下部撮像ユニット３５は、プローブカードに形成されたプローブ針を撮像する。下部撮像ユニット３５は、ステージ７に固定されており、ステージ７とともにＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動する。

＜アライメントユニット＞
また、本体１の内部において、ステージ７の上方には、アライメントユニット４１が配置されている。アライメントユニット４１は、図示しない駆動部によって、図２中、Ｙ方向に移動可能に構成されている。アライメントユニット４１は、ステージ７や下部撮像ユニット３５と対向する水平面に沿う下面を有している。

＜上部撮像ユニット＞
アライメントユニット４１には、上部撮像ユニット４３が設けられている。上部撮像ユニット４３は、ステージ７上に載置されたウエハＷに形成されたデバイスの電極を撮像する。

＜ガス噴射装置＞
アライメントユニット４１には、ステージ７に載置されたウエハＷの上面へ向けてガスを噴射するガス噴射装置４５が設けられている。ガス噴射装置４５は、ウエハＷの上面に例えば乾燥空気などのガスを噴射する。ガス噴射装置４５は、バキュームチャック機構６０によって、ウエハＷをステージ７に吸着保持させる際に、吸着を容易にする吸着補助手段である。そして、バキュームチャック機構６０を有するステージ７及びガス噴射装置４５は、本発明における基板保持装置として、協働してウエハＷの保持面７ａへの吸着保持を行う。ガス噴射装置４５の詳細な構成については後述する。

＜バキュームチャック機構＞
次に、ステージ７におけるバキュームチャック機構６０について、図３〜図６を参照しながら説明する。図３は、ステージ７の上面である保持面７ａの平面図である。図４は、図３のIV−IV線矢視におけるステージ７の上部の断面図である。図５は、図４中の破線で囲むＡ部の拡大図である。バキュームチャック機構６０は、ステージ７の保持面７ａに設けられた吸引溝７ｂと、吸引溝７ｂに接続する吸気路６３と、吸気路６３の他端側に接続する真空ポンプ７０と、を備えている。

ステージ７の保持面７ａには、ウエハＷを吸着するための微細な吸引溝７ｂが設けられている。図３及び図４では、吸引溝７ｂを線で表しているが、図５に拡大して示すように、吸引溝７ｂは、ステージ７の保持面７ａに形成された凹部である。吸引溝７ｂは、吸気路６３を介して真空ポンプ７０に接続されており、保持面７ａにウエハＷを保持した状態で、ウエハＷによってシールされ、溝内が減圧に維持される。

吸引溝７ｂは、複数の吸引領域６１に区分されている。図３に示す例では、吸引溝７ｂは、独立して減圧に保持され得る９つの吸引領域６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ、６１Ｄ，６１Ｅ，６１Ｆ，６１Ｇ，６１Ｈ，６１Ｉに区分されている。吸引領域６１Ｉは、中央領域であり、平面視円形をなす保持面７ａの中央部分に設けられている。吸引領域６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ、６１Ｄ，６１Ｅ，６１Ｆ，６１Ｇ，６１Ｈは、周辺領域であり、平面視円形をなす保持面７ａにおいて、吸引領域６１Ｉの周囲に設けられている。吸引領域６１Ｉは、円形のウエハＷの中央部分を吸着する。吸引領域６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ、６１Ｄ，６１Ｅ，６１Ｆ，６１Ｇ，６１Ｈは、円形のウエハＷの周縁部分を吸着する。

各吸引領域６１Ａ〜６１Ｉにおいて、吸引溝７ｂは所定のパターンで形成されている。各吸引領域６１Ａ〜６１Ｉの内部では、吸引溝７ｂは連通している。一方、異なる吸引領域間では、吸引溝７ｂは非連通状態となっている。

図６は、バキュームチャック機構６０における吸引領域６１Ａ〜６１Ｉと、真空ポンプ７０との接続状態を示している。各吸引領域６１Ａ〜６１Ｉの吸引溝７ｂは、それぞれ、吸気路６３の一部分をなす配管６３Ａ〜６３Ｉを介して真空ポンプ７０に接続されている。各配管６３Ａ〜６３Ｉの途中には切替バルブ６５Ａ〜６５Ｉが設けられている。切替バルブ６５Ａ〜６５Ｉは、吸引領域６１Ａ〜６１Ｉが真空ポンプ７０によって吸引可能な状態と、吸引領域６１Ａ〜６１Ｉが排気管６７Ａ〜６７Ｉを介して外気７１に開放された状態とを切り替える。以上の構成によって、各吸引領域６１Ａ〜６１Ｉでは、独立してウエハＷを部分的に吸引できるようになっている。例えば、吸引領域６１Ａと吸引領域６１Ｂは、ウエハＷに対して、それぞれ別々に吸着状態と非吸着状態をとることができる。このように、各吸引領域６１Ａ〜６１Ｉの吸着状態と非吸着状態を独立して制御可能にすることによって、後述するように、反りの強いウエハＷに対しても、ウエハ全面の吸着保持を確実に行うことができる。また、各吸引領域６１Ａ〜６１Ｉの吸着状態と非吸着状態を独立して制御可能にすることによって、反りの強いウエハＷにおいて、万一、吸着が不十分な部位が発生しても、他の部位で確実に吸着保持できる。従って、プローブ検査途中でのウエハＷの位置ずれを防止できる。

また、吸気路６３には、真空計７３が設けられている。真空計７３によって、吸気路６３の圧力を計測することによって、吸引領域６１Ａ〜６１Ｉのいずれかにおいて、外気が進入するリークが発生しているか否かを検出することができる。なお、真空計７３は、各吸引領域６１Ａ〜６１Ｉに対して一括に設ける以外に、個別に設けてもよいし、複数の組み合わせ毎に設けてもよい。

本実施の形態では、保持面７ａを９つの吸引領域６１Ａ〜６１Ｉに区分したが、吸引領域の数は、９つに限定されるものではない。例えば、保持面７ａの中央部分と周辺部分に区分せず、保持面７ａを、周方向に並ぶ複数の扇形の吸引領域６１に区分してもよい。ただし、ウエハＷの吸着を容易にする観点からは、吸引領域６１を、保持面７ａの中央部分と周辺部分に区分することが好ましい。また、後述するウエハＷの部分的な吸着を順次繰り返す方法での保持を容易にする観点から、周辺部分は、好ましくは、少なくとも４以上、より好ましくは４〜１２、さらに好ましくは４〜８の吸引領域６１に区分することがよい。

また、吸引領域６１Ａ〜６１Ｉを複数のグループに分割することもできる。例えば、吸引領域６１Ａ，６１Ｂで一グループ、吸引領域６１Ｃ，６１Ｄで一グループ、吸引領域６１Ｅ，６１Ｆで一グループ、吸引領域６１Ｇ，６１Ｈで一グループというようにグループ分けし、グループ毎に吸引状態と非吸引状態とを切替可能に構成してもよい。

＜ガス噴射装置＞
次に、図７を参照しながら、ガス噴射装置４５の詳細な構成について説明する。図７は、ガス噴射装置４５とステージ７に保持されたウエハＷとの位置関係を示す説明図である。本実施の形態において、ガス噴射装置４５は、ウエハＷの上面に向かって部分的にガスを噴射する複数のノズル８１（例えば３つ）と、各ノズル８１を支持するノズルプレート８３と、各ノズル８１に接続されてノズル８１へガスを供給する配管８５と、該配管８５の他端側に接続されたガス源８７と、を備えている。配管８５の途中には、流量制御のためのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）８９と開閉バルブ９１が設けられている。ガスとしては、例えば乾燥空気、窒素ガス、希ガスなどを挙げることができる。各ノズル８１は、配管８５が分岐した分岐管８５Ａ〜８５Ｃを介してガス源８７へ接続されている。各分岐管８５Ａ〜８５Ｃには、それぞれ開閉バルブ９３Ａ〜９３Ｃが設けられている。

また、ガス噴射装置４５から噴射するガスとして、加熱ガスを用いることも可能である。この場合、加熱ガスの温度は、ステージ７の保持面７ａの温度と同程度の温度とすることが好ましい。例えば、加熱ガスの温度は、ステージ７の保持面７ａの温度に対し±１０℃の範囲内に設定することが好ましく、±５℃の範囲内に設定することがより好ましい。例えばステージ７の保持面７ａの温度が１２０℃である場合、加熱ガスの温度は１１０℃〜１３０℃の範囲内とすることが好ましく、１１５℃〜１２５℃の範囲内とすることがより好ましい。また、例えばステージ７の保持面７ａの温度が１５０℃である場合、加熱ガスの温度は１４０℃〜１６０℃の範囲内とすることが好ましく、１４５℃〜１５５℃の範囲内とすることがより好ましい。

ガス噴射装置４５から噴射するガスとして、加熱ガスを用いることによって、ウエハＷをその上面側からも加熱することが可能になる。その結果、ステージ７の保持面７ａに載置されたウエハＷの下面と上面の温度差を極力小さくすることができるので、ウエハＷの加熱時の反りの発生を抑制できる。特に、ウエハＷが異なる樹脂を積層した構造である場合、材質による熱膨張率の違いによって反りが発生しやすくなるため、加熱ガスを用いることが反りの抑制に効果的である。また、加熱ガスによって、ウエハＷを上面側からも加熱できるため、ウエハＷの材質に熱可塑性樹脂が用いられている場合は、その柔軟性が増し、ステージ７の保持面７ａへの吸着が容易になる。

本実施の形態において、ノズルプレート８３は、アライメントユニット４１に支持されているため、３つのノズル８１は、図１中のＹ方向に移動可能になっている。一方、ステージ７は、Ｘ方向移動ユニット２１、Ｙ方向移動ユニット２３及びＺ方向移動ユニット２５によって、図１中のＸ−Ｙ−Ｚ方向に移動可能になっている。従って、各ノズル８１から、ステージ７に保持されたウエハＷの目標の部位へ向けて、独立してガスを噴射することができる。本実施の形態では、ステージ７の保持面７ａにおいて区分された９つの吸引領域６１Ａ〜６１Ｉに向けて、別々のタイミングでガスを噴射できるように構成されている。例えば、図３では、９つの吸引領域６１Ａ〜６１Ｉに対し、ガス噴射位置６１Ａ_１，６１Ｂ_１，６１Ｃ_１、６１Ｄ_１，６１Ｅ_１，６１Ｆ_１，６１Ｇ_１，６１Ｈ_１，６１Ｉ_１を投影して仮想線で示している。従って、ステージ７に保持されたウエハＷに対して、吸引領域６１Ａ〜６１Ｉに対応する９箇所の位置には、別々にガスが噴射される。

なお、ノズル８１は、３つに限らず、例えば１つ又は２つでもよいし、４つ以上でもよく、各吸引領域６１Ａ〜６１Ｉに個別に対応させて９つのノズル８１を設けてもよい。

また、ガス噴射装置４５をアライメントユニット４１と独立して設けることもできる。例えば、図８は、ノズルプレート８３を独立した支持部によって支持する場合の構成例を示している。ガス噴射装置４５Ａは、ウエハＷの上面に向かって部分的にガスを噴射する複数のノズル８１（例えば３つ）と、各ノズル８１を支持するノズルプレート８３と、各ノズル８１に接続されてノズル８１へガスを供給する配管８５と、該配管８５の他端側に接続されたガス源８７と、ノズルプレート８３を支持するノズルアーム９５と、ノズルアーム９５を支持する支柱９７を備えている。ノズルアーム９５は、図示しない駆動部によって、Ｘ−Ｙ−Ｚ方向に伸縮、旋回及び上下変位可能に構成されている。ノズルアーム９５をステージ７の保持面７ａに保持されたウエハＷの真上に移動させることによって、ウエハＷの所定の部位に対してガスを噴射することができる。

＜制御部＞
制御部５０は、プローブ装置１００の各構成部の動作を制御する。制御部５０は、典型的にはコンピュータである。図９は、制御部５０のハードウェア構成の一例を示している。制御部５０は、主制御部２０１と、キーボード、マウス等の入力装置２０２と、プリンタ等の出力装置２０３と、表示装置２０４と、記憶装置２０５と、外部インターフェース２０６と、これらを互いに接続するバス２０７とを備えている。主制御部２０１は、ＣＰＵ（中央処理装置）２１１、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）２１２およびＲＯＭ（リードオンリメモリ）２１３を有している。記憶装置２０５は、情報を記憶できるものであれば、その形態は問わないが、例えばハードディスク装置または光ディスク装置である。また、記憶装置２０５は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体２１５に対して情報を記録し、また記録媒体２１５より情報を読み取るようになっている。記録媒体２１５は、情報を記憶できるものであれば、その形態は問わないが、例えばハードディスク、光ディスク、フラッシュメモリなどである。記録媒体２１５は、本実施の形態のプローブ装置１００において行われるプローブ方法のレシピを記録した記録媒体であってもよい。

制御部５０は、本実施の形態のプローブ装置１００において、複数のウエハＷに対し、ウエハＷ上に形成されたデバイスに対する検査を実行できるように制御する。具体的には、制御部５０は、プローブ装置１００において、各構成部（例えば、モータ２３ｂなどの駆動装置、エンコーダ２３ｃなどの位置検出装置、下部撮像ユニット３５、上部撮像ユニット４３、ガス噴射装置４５、バキュームチャック機構６０等）を制御する。これらは、ＣＰＵ２１１が、ＲＡＭ２１２を作業領域として用いて、ＲＯＭ２１３または記憶装置２０５に格納されたソフトウエア（プログラム）を実行することによって実現される。

以上の構成のプローブ装置１００では、ステージ７を水平方向（Ｘ方向，Ｙ方向，θ方向）及び垂直方向（Ｚ方向）に移動させることによって、プローブカードとステージ７上に保持されたウエハＷとの相対位置を調整し、デバイスの電極とプローブ針とを当接させる。テストヘッド５は、プローブカードの各プローブ針を介してデバイスに検査電流を流す。プローブカードは、デバイスの電気的特性を示す電気信号をテストヘッド５に伝送する。テストヘッド５は、伝送された電気信号を測定データとして記憶し、検査対象のデバイスの電気的な欠陥の有無を判定する。

［ウエハの保持方法］
次に、本発明の実施の形態に係るウエハＷの保持方法について説明する。まず、図１０を参照して、ステージ７の保持面７ａの吸引領域６１Ａ〜６１Ｉと、そこに吸着されるウエハＷの部位との関係について説明する。ここでは、ステージ７の吸引領域６１Ａに吸着されるウエハＷの一部分を部位Ｐ_Ａとする。同様に、ウエハＷにおいて、それぞれ、吸引領域６１Ｂに吸着される部分を部位Ｐ_Ｂ、吸引領域６１Ｃに吸着される部分を部位Ｐ_Ｃ、吸引領域６１Ｄに吸着される部分を部位Ｐ_Ｄ、吸引領域６１Ｅに吸着される部分を部位Ｐ_Ｅ、吸引領域６１Ｆに吸着される部分を部位Ｐ_Ｆ、吸引領域６１Ｇに吸着される部分を部位Ｐ_Ｇ、吸引領域６１Ｈに吸着される部分を部位Ｐ_Ｈ、吸引領域６１Ｉに吸着される部分を部位Ｐ_Ｉとする。

［第１の手順］
図１１は、本発明の実施の形態に係るウエハＷの保持方法の手順の一例を説明するフロー図である。本手順は、ステップＳ１〜ステップＳ１０の処理を含んでいる。まず、準備段階として、図示しない搬送装置によって、ウエハＷをステージ７の保持面７ａに載置する。

（ステップＳ１）
ステップＳ１では、ウエハＷの中央部である部位Ｐ_Ｉを吸引領域６１Ｉに吸着させる。まず、ガス噴射装置４５のいずれか１つのノズル８１をウエハＷの部位Ｐ_Ｉの直上まで移動させる。次にノズル８１からウエハＷの部位Ｐ_Ｉに向けてガスを噴射しながら、真空ポンプ７０を作動させる。このとき、切替バルブ６５Ｉを切り替えることによって、吸引領域６１Ｉ内の吸引溝７ｂを負圧にするが、吸引領域６１Ａ〜６１Ｈ内の吸引溝７ｂは大気開放状態のままにする。ウエハＷの中央部である部位Ｐ_Ｉは、上方から噴射されるガス圧に補助されながら、裏面側が負圧になるため、下方の吸引領域６１Ｉに吸着される。

（ステップＳ２）
次に、ステップＳ２では、ウエハＷの部位Ｐ_Ｉに隣接する周縁部の部位Ｐ_Ａをステージ７の吸引領域６１Ａに吸着させる。まず、ガス噴射装置４５のいずれか１つのノズル８１をウエハＷの部位Ｐ_Ａの直上まで移動させる。次にノズル８１からウエハＷの部位Ｐ_Ａに向けてガスを噴射しながら、切替バルブ６５Ａを切り替えることによって、吸引領域６１Ａ内の吸引溝７ｂを負圧にする。このとき、吸引領域６１Ｂ〜６１Ｈ内の吸引溝７ｂは大気開放状態のままにする。なお、吸引領域６１Ｉ内の吸引溝７ｂは、ステップＳ１と同様に負圧のまま維持される。ウエハＷの周縁部の部位Ｐ_Ａは、上方から噴射されるガス圧に補助されながら、裏面側が負圧になるため、下方の吸引領域６１Ａに吸着される。

（ステップＳ３）
次に、ステップＳ３では、ウエハＷの部位Ｐ_Ａに隣接する周縁部の部位Ｐ_Ｂをステージ７の吸引領域６１Ｂに吸着させる。具体的手順は、ノズル８１をウエハＷの部位Ｐ_Ｂの直上まで移動させてガスを噴射するとともに、切替バルブ６５Ｂを切り替えて吸引領域６１Ｂ内の吸引溝７ｂを負圧にする点以外は、ステップＳ２と同様である。

（ステップＳ４〜ステップＳ９）
次に、ステップＳ４〜ステップＳ９では、順次、吸引領域６１Ｃ、６１Ｄ、６１Ｅ、６１Ｆ、６１Ｇ、６１Ｈの順に、前のステップで吸着させたウエハＷの部位に隣接する周縁部の部位をステージ７の吸引領域に吸着させていく。具体的手順は、ノズル８１をウエハＷの目的とする部位Ｐ_Ｃ〜Ｐ_Ｈのいずれかの直上まで移動させて、順次、各部位に対してガスを噴射するとともに、切替バルブ６５Ｃ〜６５Ｈのいずれかを順次切り替えて吸引領域６１Ｃ〜６１Ｈ内の吸引溝７ｂを順次負圧にする点以外は、ステップＳ２、ステップＳ３と同様である。

（ステップＳ１０）
以上のステップＳ１〜Ｓ９により、正常な状態であれば、ウエハＷをステージ７の保持面７ａの全体で吸着保持することができる。しかし、ウエハＷの反りが大きい場合などは、吸引領域６１Ａ〜６１Ｉのいずれかで吸引溝７ｂ内に外気が進入してリークが発生し、保持が不完全になる場合がある。そこで、本手順では、ステップＳ１０において、リークチェックを行う。具体的には、真空計７３によって、吸気路６３の圧力を計測する。そして、予め計測しておいた吸気路６３の正常な吸着保持状態における圧力と、真空計７３によって計測される吸気路６３の圧力を比較することによって、吸引領域６１Ａ〜６１Ｉのいずれかにおいて、リークが発生しているか否かを検出することができる。ステップＳ１０でリークが発生していることが判明した場合は、図１１中に破線で示すように、再びステップＳ１に戻り、ステップＳ１〜Ｓ９までの処理を行う。

なお、図１１では、全ての吸引領域６１Ａ〜６１Ｉのリークチェックを一括で行う構成としたが、例えば真空計７３を配管６３Ａ〜６３Ｉにおいて個別に配備することによって、吸引領域６１Ａ〜６１Ｉのリークチェックを個別に行うこともできる。この場合、上記ステップＳ１〜Ｓ９毎にリークチェックを行うこともできる。また、吸引領域６１Ａ〜６１Ｉを複数のグループに分けて、グループ毎にリークチェックを行ってもよい。さらに、リークチェックのあとは、吸引領域６１Ａ〜６１Ｉの中でリークが検出された領域もしくはグループについてのみ、吸着処理を行うようにしてもよい。なお、ステップＳ１０のリークチェックは任意であり、省略してもよい。

本手順では、ウエハＷに対して局所的にガスを噴射しながら、細分化された吸引領域６１Ａ〜６１ＩにウエハＷを部分的に吸着させる動作を繰り返すことによって、ステージ７の保持面７ａにウエハＷ全体を容易に吸着保持させることができる。特に、ウエハＷの周縁部では、吸着させた部位に隣接する周縁部の部位を、ガス圧を利用しながら吸引領域６１Ａ〜６１Ｈに順次吸着させていくため、たとえ反りの強いウエハＷであっても、確実に保持面７ａに吸着保持させることができる。従って、プローブ装置１００において、信頼性の高いデバイス検査を行うことができる。

［第２の手順］
図１２は、本発明の実施の形態に係るウエハＷの保持方法の手順の別の例を説明するフロー図である。本手順は、ステップＳ１１〜ステップＳ１７の処理を含んでいる。まず、準備段階として、図示しない搬送装置によって、ウエハＷをステージ７の保持面７ａに載置する。

（ステップＳ１１）
ステップＳ１１では、ウエハＷの中央部である部位Ｐ_Ｉを吸引領域６１Ｉに吸着させる。ステップＳ１１は、第１の手順のステップＳ１と同様に行うことができる。

（ステップＳ１２）
次に、ステップＳ１２では、ウエハＷの部位Ｐ_Ｉに隣接する周縁部の部位Ｐ_Ａをステージ７の吸引領域６１Ａに吸着させる。まず、ガス噴射装置４５のいずれか１つのノズル８１をウエハＷの部位Ｐ_Ａの直上まで移動させる。次にノズル８１からウエハＷの部位Ｐ_Ａに向けてガスを噴射しながら、切替バルブ６５Ａを切り替えることによって、吸引領域６１Ａ内の吸引溝７ｂを負圧にする。このとき、吸引領域６１Ｂ〜６１Ｈ内の吸引溝７ｂは大気開放状態のままにする。なお、吸引領域６１Ｉ内の吸引溝７ｂは、ステップＳ１１と同様に負圧のまま維持される。ウエハＷの周縁部の部位Ｐ_Ａは、上方から噴射されるガス圧に補助されながら、裏面側が負圧になるため、下方の吸引領域６１Ａに吸着される。

（ステップＳ１３）
次に、ステップＳ１３では、ウエハＷの部位Ｐ_Ａに隣接する周縁部の２つの部位Ｐ_Ｂ及び部位Ｐ_Ｈをステージ７の吸引領域６１Ｂ及び吸引領域６１Ｈにそれぞれに吸着させる。具体的手順は、２つのノズル８１をウエハＷの部位Ｐ_Ｂ及び部位Ｐ_Ｈの直上まで移動させ、それぞれの部位に同時にガスを噴射するとともに、切替バルブ６５Ｂ及び切替バルブ６５Ｈを切り替えて吸引領域６１Ｂ内及び吸引領域６１Ｈ内の吸引溝７ｂをそれぞれ同時に負圧にする点以外は、ステップＳ１２と同様である。

（ステップＳ１４）
次に、ステップＳ１４では、ウエハＷの部位Ｐ_Ｂ及び部位Ｐ_Ｈに隣接する周縁部の２つの部位Ｐ_Ｃ及び部位Ｐ_Ｇをステージ７の吸引領域６１Ｃ及び吸引領域６１Ｇにそれぞれ吸着させる。具体的手順は、２つのノズル８１をウエハＷの部位Ｐ_Ｃ及び部位Ｐ_Ｇの直上まで移動させ、それぞれの部位に同時にガスを噴射するとともに、切替バルブ６５Ｃ及び切替バルブ６５Ｇを切り替えて、吸引領域６１Ｃ内及び吸引領域６１Ｇ内の吸引溝７ｂをそれぞれ同時に負圧にする点以外は、ステップＳ１２と同様である。

（ステップＳ１５）
次に、ステップＳ１５では、ウエハＷの部位Ｐ_Ｃ及び部位Ｐ_Ｇに隣接する周縁部の２つの部位Ｐ_Ｄ及び部位Ｐ_Ｆをステージ７の吸引領域６１Ｄ及び吸引領域６１Ｆにそれぞれ吸着させる。具体的手順は、２つのノズル８１をウエハＷの部位Ｐ_Ｄ及び部位Ｐ_Ｆの直上まで移動させ、それぞれの部位に同時にガスを噴射するとともに、切替バルブ６５Ｄ及び切替バルブ６５Ｆを切り替えて、吸引領域６１Ｄ内及び吸引領域６１Ｆ内の吸引溝７ｂをそれぞれ同時に負圧にする点以外は、ステップＳ１２と同様である。

（ステップＳ１６）
次に、ステップＳ１６では、ウエハＷの部位Ｐ_Ｄ及び部位Ｐ_Ｆに隣接する周縁部の部位Ｐ_Ｅをステージ７の吸引領域６１Ｅに吸着させる。具体的手順は、ノズル８１をウエハＷの部位Ｐ_Ｅの直上まで移動させてガスを噴射するとともに、切替バルブ６５Ｅを切り替えて、吸引領域６１Ｅ内の吸引溝７ｂを負圧にする点以外は、ステップＳ１２と同様である。

（ステップＳ１７）
以上のステップＳ１１〜Ｓ１６により、正常な状態であれば、ウエハＷをステージ７の保持面７ａの全体で吸着保持することができる。しかし、ウエハＷの反りが大きい場合などは、吸引領域６１Ａ〜６１Ｉのいずれかで吸引溝７ｂ内に外気が進入してリークが発生し、保持が不完全になる場合がある。そこで、本手順では、ステップＳ１７において、リークチェックを行う。リークチェックの方法は、第１の手順におけるステップＳ１０と同様である。ステップＳ１７でリークが発生していることが判明した場合は、図１２中に破線で示すように、再びステップＳ１１に戻り、ステップＳ１１〜Ｓ１６までの処理を行う。

なお、図１２では、全ての吸引領域６１Ａ〜６１Ｉのリークチェックを一括で行う構成としたが、例えば真空計７３を配管６３Ａ〜６３Ｉにおいて個別に配備することによって、吸引領域６１Ａ〜６１Ｉのリークチェックを個別に行うこともできる。この場合、上記ステップＳ１１〜Ｓ１６毎にリークチェックを行うこともできる。また、吸引領域６１Ａ〜６１Ｉを複数のグループに分けて、グループ毎にリークチェックを行ってもよい。さらに、リークチェックのあとは、吸引領域６１Ａ〜６１Ｉの中でリークが検出された領域もしくはグループについてのみ、吸着処理を行うようにしてもよい。なお、ステップＳ１７のリークチェックは任意であり、省略してもよい。

本手順では、ウエハＷの周縁部において、吸着させた部位に隣接する周縁部の部位を同時に２箇所ずつ吸着させていくため、第１の手順に係るウエハＷの保持方法に比べて、短時間で吸着保持を完了させることができる。本手順における他の構成及び効果は、第１の手順と同様である。

［第３の手順］
図１３は、本発明の実施の形態に係るウエハＷの保持方法の手順のさらに別の例を説明するフロー図である。本手順は、ステップＳ２１〜ステップＳ２５の処理を含んでいる。まず、準備段階として、図示しない搬送装置によって、ウエハＷをステージ７の保持面７ａに載置する。

（ステップＳ２１）
ステップＳ２１では、ウエハＷの中央部である部位Ｐ_Ｉを吸引領域６１Ｉに吸着させる。このステップＳ２１は、第１の手順のステップＳ１と同様に行うことができる。

（ステップＳ２２）
次に、ステップＳ２２では、ウエハＷの部位Ｐ_Ｉに隣接する周縁部の部位Ｐ_Ａと、部位Ｐ_Ａに対して径方向の対称位置にある部位Ｐ_Ｅをステージ７の吸引領域６１Ａ及び吸引領域６１Ｅにそれぞれ吸着させる。まず、ガス噴射装置４５のいずれか１つのノズル８１をウエハＷの部位Ｐ_Ａ及び部位Ｐ_Ｅの直上まで移動させる。次にノズル８１からウエハＷの部位Ｐ_Ａ及び部位Ｐ_Ｅに向けて、それぞれ、ガスを噴射しながら、切替バルブ６５Ａ及び切替バルブ６５Ｅ内を切り替えることによって、吸引領域６１Ａ内及び吸引領域６１Ｅの吸引溝７ｂをそれぞれ同時に負圧にする。このとき、吸引領域６１Ｂ〜６１Ｄ、６１Ｆ〜６１Ｈ内の吸引溝７ｂは大気開放状態のままにする。なお、吸引領域６１Ｉ内の吸引溝７ｂは、ステップＳ２１と同様に負圧のまま維持される。ウエハＷの周縁部の部位Ｐ_Ａ及び部位Ｐ_Ｅは、上方から噴射されるガス圧に補助されながら、裏面側が負圧になるため、下方の吸引領域６１Ａ及び吸引領域６１Ｅにそれぞれ吸着される。

（ステップＳ２３）
次に、ステップＳ２３では、ウエハＷの部位Ｐ_Ａに隣接する周縁部の２つの部位Ｐ_Ｂ及び部位Ｐ_Ｈを、それぞれ、ステージ７の吸引領域６１Ｂ及び吸引領域６１Ｈに吸着させるとともに、ウエハＷの部位Ｐ_Ｅに隣接する周縁部の２つの部位Ｐ_Ｄ及び部位Ｐ_Ｆを、それぞれ、吸引領域６１Ｄ及び吸引領域６１Ｆに吸着させる。具体的手順は、４つのノズル８１をウエハＷの部位Ｐ_Ｂ、部位Ｐ_Ｈ、部位Ｐ_Ｄ、部位Ｐ_Ｆの直上まで移動させ、それぞれの部位に同時にガスを噴射するとともに、切替バルブ６５Ｂ、６５Ｈ、６５Ｄ、６５Ｆを切り替えて、吸引領域６１Ｂ内、同６１Ｈ内、同６１Ｄ内、及び同６１Ｆ内の吸引溝７ｂを、それぞれ同時に負圧にする点以外は、ステップＳ２２と同様である。

（ステップＳ２４）
次に、ステップＳ２４では、ウエハＷの周縁部に残された２つの隣接部位Ｐ_Ｃ及び部位Ｐ_Ｇをステージ７の吸引領域６１Ｃ及び吸引領域６１Ｇにそれぞれ吸着させる。具体的手順は、２つのノズル８１をウエハＷの部位Ｐ_Ｃ及び部位Ｐ_Ｇの直上まで移動させ、それぞれの部位に同時にガスを噴射するとともに、切替バルブ６５Ｃ及び切替バルブ６５Ｇを切り替えて、吸引領域６１Ｃ内及び吸引領域６１Ｇ内の吸引溝７ｂをそれぞれ同時に負圧にする点以外は、ステップＳ２２と同様である。

（ステップＳ２５）
以上のステップＳ２１〜Ｓ２４により、正常な状態であれば、ウエハＷをステージ７の保持面７ａの全体で吸着保持することができる。しかし、ウエハＷの反りが大きい場合などは、吸引領域６１Ａ〜６１Ｉのいずれかで吸引溝７ｂ内に外気が進入してリークが発生し、保持が不完全になる場合がある。そこで、本手順では、ステップＳ２５において、リークチェックを行う。リークチェックの方法は、第１の手順におけるステップＳ１０と同様である。ステップＳ２５でリークが発生していることが判明した場合は、図１３中に破線で示すように、再びステップＳ２１に戻り、ステップＳ２１〜Ｓ２４までの処理を行う。

なお、図１３では、全ての吸引領域６１Ａ〜６１Ｉのリークチェックを一括で行う構成としたが、例えば真空計７３を配管６３Ａ〜６３Ｉにおいて個別に配備することによって、吸引領域６１Ａ〜６１Ｉのリークチェックを個別に行うこともできる。この場合、上記ステップＳ２１〜Ｓ２４毎にリークチェックを行うこともできる。また、吸引領域６１Ａ〜６１Ｉを複数のグループに分けて、グループ毎にリークチェックを行ってもよい。さらに、リークチェックのあとは、吸引領域６１Ａ〜６１Ｉの中でリークが検出された領域もしくはグループについてのみ、吸着処理を行うようにしてもよい。なお、ステップＳ２５のリークチェックは任意であり、省略してもよい。

本手順では、ウエハＷの周縁部において、最初に２箇所の部位を同時に吸着させ、さらに吸着させた部位に隣接する周縁部の部位を最大で同時に４箇所ずつ吸着させるため、第１の手順に係るウエハＷの保持方法に比べて、短時間で吸着保持を完了させることができる。本手順における他の構成及び効果は、第１の手順と同様である。

以上のように、第１〜第３の手順のウエハＷの保持方法によれば、大きな反りが発生しやすいウエハＷについても、確実に吸着保持できる。なお、図３では、ウエハＷの周縁部を吸着させる８つの吸引領域６１Ａ〜６１Ｈまでの面積と形状が同じである場合を例に挙げたが、各吸引領域６１の面積や形状は異なっていてもよい。各吸引領域６１の面積や形状が異なる場合について、以下に変形例を挙げて説明する。

［変形例］
図１４〜図１６を参照しながら、本実施の形態のウエハＷの保持方法の変形例について説明する。なお、図１４〜図１６では、吸引溝７ｂは図示を省略し、ステージ７の保持面７ａに形成された複数の吸引領域６１の大まかな位置、形状及び面積を示している。以下の説明では、各吸引領域６１へのウエハＷの部分的な吸着順序のみを説明するが、上記第１〜第３の手順と同様に、吸着動作時には、ガス噴射装置４５のいずれか１つのノズル８１からガスの噴射を行うものとする。また、変形例においても、リークチェックを行うことができる。

まず、図１４に示す第１変形例では、ステージ７の保持面７ａが、独立して減圧に保持され得る吸引溝７ｂによって７つの吸引領域６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ、６１Ｄ，６１Ｅ，６１Ｆ，６１Ｇに区分されている。吸引領域６１Ｇは、平面視円形をなす保持面７ａの中央部分に設けられている中央領域である。吸引領域６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ、６１Ｄ，６１Ｅ，６１Ｆは、平面視円形をなす保持面７ａにおいて、吸引領域６１Ｇの周囲に設けられている周辺領域である。ここで、吸引領域６１Ａ〜６１Ｆには、異なる面積を有するものが含まれている。具体的には、吸引領域６１Ａ，６１Ｂは同じ面積である。吸引領域６１Ｃ，６１Ｄも同じ面積であるが、吸引領域６１Ａ，６１Ｂよりも大きな面積を有している。吸引領域６１Ｅは、吸引領域６１Ｃ，６１Ｄよりもさらに大きな面積を有している。吸引領域６１Ｆは、吸引領域６１Ｅよりもさらに大きな面積を有している。つまり、吸引領域６１Ａ〜６１Ｆの面積の大小関係を示すと、吸引領域６１Ａ＝吸引領域６１Ｂ＜吸引領域６１Ｃ＝吸引領域６１Ｄ＜吸引領域６１Ｅ＜吸引領域６１Ｆのようになっている。

そして、図１４に示す第１変形例では、まず、ウエハＷの中央部を吸引領域６１Ｇに吸着させた後、吸引領域６１Ａ〜６１Ｆの面積が小さい領域から面積が大きな領域へ、順次、ウエハＷの周縁部を部分的に吸着させていく。具体的には、ウエハＷの周縁部の部位を吸引領域６１Ａに吸着させる。次に、吸引領域６１Ａに吸着させた部位に隣接するウエハＷの周縁部の部位を、吸引領域６１Ｂに吸着させる。次に、吸引領域６１Ｂに吸着させた部位に隣接するウエハＷの周縁部の部位を、吸引領域６１Ｃに吸着させる。次に、吸引領域６１Ｃに吸着させた部位に隣接するウエハＷの周縁部の部位を、吸引領域６１Ｄに吸着させる。次に、吸引領域６１Ｄに吸着させた部位に隣接するウエハＷの周縁部の部位を、吸引領域６１Ｅに吸着させる。次に、吸引領域６１Ｅに吸着させた部位に隣接するウエハＷの周縁部の部位を、吸引領域６１Ｆに吸着させる。このようにして、吸引領域６１Ａ〜６１Ｆの面積が小さい領域から面積が大きな領域へウエハＷを吸着させていくことによって、ウエハＷをステージ７の保持面７ａの全体で吸着保持することができる。

次に、図１５に示す第２変形例では、ステージ７の保持面７ａが、独立して減圧に保持され得る吸引溝７ｂによって６つの吸引領域６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ、６１Ｄ，６１Ｅ，６１Ｆに区分されている。吸引領域６１Ｆは、平面視円形をなす保持面７ａの中央部分に設けられている中央領域である。吸引領域６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ、６１Ｄ，６１Ｅは、平面視円形をなす保持面７ａにおいて、吸引領域６１Ｆの周囲に設けられている周辺領域である。ここで、吸引領域６１Ａ〜６１Ｅには、異なる面積を有するものが含まれている。具体的には、吸引領域６１Ａは最も面積が小さい領域である。吸引領域６１Ｂ，６１Ｅは同じ面積であるが、吸引領域６１Ａよりも大きな面積を有している。吸引領域６１Ｃ，６１Ｄは同じ面積であるが、吸引領域６１Ｂ，６１Ｅよりもさらに大きな面積を有している。つまり、吸引領域６１Ａ〜６１Ｅの面積の大小関係を示すと、吸引領域６１Ａ＜吸引領域６１Ｂ＝吸引領域６１Ｅ＜吸引領域６１Ｃ＝吸引領域６１Ｄのようになっている。

そして、図１５に示す第２変形例では、まず、ウエハＷの中央部を吸引領域６１Ｆに吸着させた後、吸引領域６１Ａ〜６１Ｅの面積が小さい領域から面積が大きな領域へ、順次、ウエハＷの周縁部を部分的に吸着させていく。具体的には、ウエハＷの周縁部の部位を吸引領域６１Ａに吸着させる。次に、吸引領域６１Ａに吸着させた部位に隣接するウエハＷの周縁部の部位を、それぞれ、吸引領域６１Ｂ，６１Ｅに吸着させる。次に、吸引領域６１Ｂ，６１Ｅに吸着させた部位に隣接するウエハＷの周縁部の部位を、それぞれ吸引領域６１Ｃ，６１Ｄに吸着させる。このようにして、吸引領域６１Ａ〜６１Ｅの面積が小さい領域から面積が大きな領域へウエハＷを吸着させていくことによって、ウエハＷをステージ７の保持面７ａの全体で吸着保持することができる。

次に、図１６に示す第３変形例では、ステージ７の保持面７ａが、独立して減圧に保持され得る吸引溝７ｂによって９つの吸引領域６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ、６１Ｄ，６１Ｅ，６１Ｆ，６１Ｇ，６１Ｈ，６１Ｉに区分されている。吸引領域６１Ｉは、平面視円形をなす保持面７ａの中央部分に設けられている中央領域である。吸引領域６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ、６１Ｄ，６１Ｅ，６１Ｆ，６１Ｇ，６１Ｈは、平面視円形をなす保持面７ａにおいて、吸引領域６１Ｉの周囲に設けられている周辺領域である。ここで、吸引領域６１Ａ〜６１Ｈには、異なる面積を有するものが含まれている。具体的には、吸引領域６１Ａ，６１Ｂは、同じ面積であり、ステージ７の保持面７ａの周辺領域において、径方向の内側に区画された最も面積が小さい領域である。吸引領域６１Ｃ，６１Ｄは同じ面積であるが、吸引領域６１Ａ，６１Ｂよりも大きな面積を有している。また、吸引領域６１Ｃ，６１Ｄはステージ７の保持面７ａの周辺領域において、吸引領域６１Ａ，６１Ｂよりも径方向の外側に区画された領域である。吸引領域６１Ｅ，６１Ｈは同じ面積であるが、吸引領域６１Ｃ，６１Ｄよりもさらに大きな面積を有している。吸引領域６１Ｆ，６１Ｇは同じ面積であるが、吸引領域６１Ｅ，６１Ｈよりもさらに大きな面積を有している。つまり、吸引領域６１Ａ〜６１Ｈの面積の大小関係を示すと、吸引領域６１Ａ＝吸引領域６１Ｂ＜吸引領域６１Ｃ＝吸引領域６１Ｄ＜吸引領域６１Ｅ＝吸引領域６１Ｈ＜吸引領域６１Ｆ＝吸引領域６１Ｇのようになっている。

そして、図１６に示す第３変形例では、まず、ウエハＷの中央部を吸引領域６１Ｉに吸着させた後、吸引領域６１Ａ〜６１Ｈの面積が小さい領域から面積が大きな領域へ、順次、ウエハＷの周縁部を部分的に吸着させていく。具体的には、ウエハＷの周縁部の部位を吸引領域６１Ａ，６１Ｂに吸着させる。次に、吸引領域６１Ａ，６１Ｂに吸着させた部位に隣接するウエハＷの周縁部の部位を、それぞれ、吸引領域６１Ｃ，６１Ｄに吸着させる。次に、吸引領域６１Ｃ，６１Ｄに吸着させた部位に隣接するウエハＷの周縁部の部位を、それぞれ吸引領域６１Ｅ，６１Ｈに吸着させる。次に、吸引領域６１Ｅ，６１Ｈに吸着させた部位に隣接するウエハＷの周縁部の部位を、それぞれ吸引領域６１Ｇ，６１Ｆに吸着させる。このようにして、吸引領域６１Ａ〜６１Ｈの面積が小さい領域から面積が大きな領域へウエハＷを吸着させていくことによって、ウエハＷをステージ７の保持面７ａの全体で吸着保持することができる。

以上のように、第１〜第３変形例では、ウエハＷの周縁部を吸着させる複数の吸引領域６１が、異なる面積を有する２つ以上の吸引領域６１を有している。そして、面積が小さい吸引領域６１から面積が大きな吸引領域６１へ、順次、ウエハＷの周縁部を部分的に吸着させていくことができる。これによって、ウエハＷの反りが大きく、最初は小さい部位しか吸着できない場合でも、隣接する部位を順次吸着させていくことによって吸着面積を増やし、ウエハＷの反りを徐々に緩和させることができる。その結果、短時間でウエハＷの全面をステージ７の保持面７ａの全体で吸着保持することができる。

また、吸引領域６１の面積、形状を変えることによって、吸引領域６１の数（つまり、ステージ７の保持面７ａの分割数）を少なくすることができるため、装置構成を簡素化できる、という利点もある。

［第２の実施の形態］
次に、図１７〜図１９を参照して、本発明の第２の実施の形態のプローブ装置について説明する。図１７は、本発明の第２の実施の形態に係るプローブ装置１００Ａの内部構造の概略を示す斜視図である。プローブ装置１００Ａは、押圧手段として、ウエハＷの吸着部位の上面に当接してステージ７の保持面７ａへ押し付ける押圧装置１０１を備えている。図１７のプローブ装置１００Ａにおいて、第１の実施の形態のプローブ装置１００と同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。

本実施の形態において、複数の押圧装置１０１が、アライメントユニット４１の側部に設けられている。図１８及び図１９は、一つの押圧装置の説明図である。図１８及び図１９に示すように、押圧装置１０１は、押圧部材としての押圧ピン１０３と、押圧ピン１０３を上下に変位させる駆動部１０５と、を備えている。押圧ピン１０３の先端は、金属よりも熱伝導率が低い材質、例えばセラミックス、合成樹脂、ゴムなどで形成することが好ましく、フッ素ゴムなどの耐熱性と弾性とを併有する材質がより好ましい。

図示は省略するが、駆動部１０５は、例えばエアシリンダなどのアクチュエータと、バネなどの付勢部材とを有している。図１８に示すように、通常は、付勢部材の付勢力によって、押圧ピン１０３の先端がアライメントユニット４１の下端よりも上方の退避位置に保持されている。アクチュエータを作動させると、押圧ピン１０３は、図１９に示すように、付勢部材の付勢力に抗してアライメントユニット４１の下端から所定のストロークで下方に進出し、その先端が、ウエハＷの吸着部位の上面に当接することによってウエハＷを部分的に押圧する。

このように、押圧ピン１０３は、第１の実施の形態におけるガス噴射装置４５から噴射されるガスと同様に作用する。つまり、押圧ピン１０３は、ウエハＷの上面を部分的に下方のステージ７の保持面７ａへ押し付ける。その結果、第２の実施の形態のプローブ装置１００Ａにおいて、第１の実施の形態のプローブ装置１００と同様の手順で、ウエハＷの吸着保持を行うことが可能になる。

押圧装置１０１の数は２つに限定されるものではなく、１つでもよいし、３つ以上でもよいが、複数であることが好ましい。本実施の形態では、図１７に示すように、アライメントユニット４１の側部に、２つの押圧装置１０１を配置し、ウエハＷの吸着部位を押圧できるようにした。これによって、ウエハＷの吸着保持を行う際のステージ７のＸＹ方向への移動距離が短くなり、装置全体のフットプリントを抑制できる。また、本実施の形態では、押圧装置１０１をアライメントユニット４１に装着することで、別途の支持機構を設ける必要がなく、装置構成を簡素にすることができる。なお、押圧装置１０１は、アライメントユニット４１に装着する代わりに、独立した支持部材によって支持する構成としてもよい。

次に、図２０を参照して、プローブ装置１００Ａにおけるステージ７の保持面７ａに形成された複数の吸引領域について説明する。プローブ装置１００Ａでは、ステージ７の保持面７ａが独立して減圧に保持され得る吸引溝７ｂによって１２の吸引領域６１に分割されている。図２０では、説明を簡略にするため、ステージ７の保持面７ａに区分して設けられた１２の吸引領域６１を、ウエハＷを吸着させる順番に１〜１２番の番号で示している。

図２０において、１番及び２番で示す吸引領域６１は、中央領域であり、平面視円形をなす保持面７ａの中央部分に設けられている。また、１番及び２番で示す吸引領域６１は、ステージ７の保持面７ａの中心側から径外方向に、異なる面積で形成されている。このように、中央領域は、保持面７ａの径方向に分割された複数の領域を有していてもよい。

一方、３番から１２番で示す吸引領域６１は、周辺領域であり、平面視円形をなす保持面７ａにおいて、１番及び２番で示す中央領域の周囲に設けられている。また、３番、４番、５番で示す吸引領域６１は、ステージ７の保持面７ａの中心側から径外方向に、異なる面積で形成されている。このように、周辺領域は、保持面７ａの径方向に分割された複数の領域を有していてもよい。

本実施の形態のプローブ装置１００Ａにおける他の構成及び効果は、第１の実施の形態と同様である。

次に、プローブ装置１００ＡにおけるウエハＷの保持方法について説明する。本手順では、まず、ステージ７の保持面７ａの中央領域である、１番の領域と、そのやや外側の２番の領域に、ウエハＷの中央部を順次吸着させる。次に、ステージ７の保持面７ａの周辺領域である３番の領域、４番の領域、５番の領域に、順次、ウエハＷの周縁部を、中心側から径外方向にむけて吸着させる。次に、６番の領域、７番の領域、８番の領域、９番の領域、１０番の領域、１１番の領域、１２番の領域の順に、周方向にウエハＷの周縁部を吸着させていく。このようにして、隣接する領域にウエハＷを部分的に吸着させる動作を繰り返すことによって、ステージ７の保持面７ａにウエハＷの全体を容易に吸着保持させることができる。従って、反りのあるウエハＷについても、その全体をステージ７の保持面７ａに確実に吸着させることができる。

次に、図２１〜図３３を参照しながら、プローブ装置１００ＡにおけるウエハＷの保持方法のより具体的な手順について説明する。図２１〜図３３では、アライメントユニット４１の側部の２箇所に設けられた押圧装置１０１の押圧ピン１０３と、ステージ７の保持面７ａとの位置関係を示している。説明の便宜上、２つの押圧装置１０１は、符号１０１Ａ，１０１Ｂで区別して示している。ステージ７の保持面７ａにおける１〜１２の番号は、図２０と同じ意味である。また、ウエハＷ自体は図示を省略している。なお、アライメントユニット４１は、図中、Ｙ方向に往復移動可能であり、ステージ７は、図中、ＸＹ方向に移動可能である。

図２１では、ステージ７をウエハＷの受け渡し位置まで移動させる。そして、ローダー部３がウエハＷ（不図示）をステージ７の保持面７ａに搬送する。

次に、図２２に示すように、押圧装置１０１Ａの押圧ピン１０３が１番の領域の直上に位置するまでアライメントユニット４１をＹ方向に移動させる。そして、１番の領域の吸引をＯＮにして、片側の押圧装置１０１Ａの押圧ピン１０３を進出させ、ウエハＷの中央部を押圧し、１番の領域に吸着させる。図２２では、押圧ピン１０３による押圧位置を黒点で示している（図２３〜図３３において同様である）。その後、リークチェックによって吸着を確認した上で、押圧ピン１０３を退避させる。

次に、図２３に示すように、押圧装置１０１Ａの押圧ピン１０３が２番の領域の直上に位置するまでステージ７を移動させる。そして、２番の領域の吸引をＯＮにして、押圧装置１０１Ａの押圧ピン１０３を進出させてウエハＷの中央部の径方向やや外側を押圧し、２番の領域に吸着させる。リークチェックによって吸着を確認した後、押圧ピン１０３を退避させる。

なお、１番の領域と２番の領域の吸着においては、ウエハＷの中央部の１箇所を押圧装置１０１Ａの押圧ピン１０３で押圧した状態を維持しながら、１番の領域、２番の領域の順に吸着させてもよい。

次に、図２４に示すように、押圧装置１０１Ａの押圧ピン１０３が３番の領域の直上に位置するまでステージ７を移動させる。そして、３番の領域の吸引をＯＮにして、押圧ピン１０３を進出させ、ウエハＷを部分的に押圧し、３番の領域に吸着させる。リークチェックによって吸着を確認した後、押圧ピン１０３を退避させる。

次に、図２５に示すように、押圧装置１０１Ａの押圧ピン１０３が４番の領域の直上に位置するまでステージ７を移動させる。そして、４番の領域の吸引をＯＮにして、押圧ピン１０３を進出させ、ウエハＷを部分的に押圧し、４番の領域に吸着させる。リークチェックによって吸着を確認した後、押圧ピン１０３を退避させる。

次に、図２６に示すように、押圧装置１０１Ａの押圧ピン１０３が５番の領域の直上に位置するまでステージ７を移動させる。そして、５番の領域の吸引をＯＮにして、押圧ピン１０３を進出させ、ウエハＷを部分的に押圧し、５番の領域に吸着させる。リークチェックによって吸着を確認した後、押圧ピン１０３を退避させる。

なお、３番の領域から５番の領域までの吸着においては、いずれかの領域に対応するウエハＷ上の１箇所を押圧装置１０１Ａの押圧ピン１０３で押圧した状態を維持しながら、３番の領域、４番の領域、５番の領域の順に吸着させてもよい。

次に、図２７に示すように、押圧装置１０１Ａの押圧ピン１０３が６番の領域の直上に位置するまでステージ７を移動させる。そして、６番の領域の吸引をＯＮにして、押圧ピン１０３を進出させてウエハＷを部分的に押圧し、６番の領域に吸着させる。リークチェックによって吸着を確認した後、押圧ピン１０３を退避させる。

以下、同様にして、７番の領域（図２８参照）、８番の領域（図２９参照）の順に、押圧装置１０１Ａの押圧ピン１０３による押圧と退避を繰り返しながら、ウエハＷを部分的に吸着させていく。

次に、図３０に示すように、押圧装置１０１Ａに替えて、押圧装置１０１Ｂの押圧ピン１０３が９番の領域の直上に位置するまでステージ７を移動させる。そして、９番の領域の吸引をＯＮにして、押圧ピン１０３を進出させてウエハＷを部分的に押圧し、９番の領域に吸着させる。リークチェックによって吸着を確認した後、押圧ピン１０３を退避させる。このように、途中で押圧装置１０１Ａから押圧装置１０１Ｂへ切り替えることによって、ステージ７の可動範囲を大きくすることなく、ウエハＷの吸着処理を実施できる。従って、ステージ７をＸＹ方向に移動させるＸ方向移動ユニット２１及びＹ方向移動ユニット２３を含めた装置のフットプリントを拡大させることなく、確実にウエハＷを吸着保持させることができる。

以下、同様にして、１０番の領域（図３１参照）、１１番の領域（図３２参照）、１２番の領域（図３３参照）の順に、押圧装置１０１Ｂの押圧ピン１０３による押圧と退避を繰り返しながら、ウエハＷを部分的に吸着させていく。

このようにして、１番の領域〜１２番の領域へウエハＷを順番に吸着させていくことによって、ウエハＷをステージ７の保持面７ａの全体で確実に吸着保持することができる。なお、本手順は、アライメントユニット４１に２つの押圧装置１０１を設ける代わりに、第１の実施の形態と同様のガス噴射装置４５のノズル８１を２箇所に設け、ガスの噴射と停止を繰り返すことによっても同様に実施できる。

以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、ウエハＷ上に形成されたデバイスの検査を行うプローブ装置を例に挙げて説明したが、本発明の基板保持方法及び基板保持装置は、基板を真空吸着して保持するステージを備えた処理装置の全てに適用可能である。

また、上記第１〜第３の手順では、まず最初に、ウエハＷの中央部の部位Ｐ_Ｉを吸着させる構成としたが、例えば、保持面７ａの中央部分の吸引領域６１Ｉを設けない場合のように、吸引領域６１の区分の仕方によっては、この限りではない。

また、上記第３の手順では、ウエハＷの周縁部の部位の２箇所を吸着させた後で、隣接する２箇所ないし４箇所を同時に吸着させていく構成とした。しかし、ウエハＷの周縁部の部位の２箇所を吸着させた後で、これらに隣接する部位のうち片方ずつ（つまり、同時に２箇所ずつ）を、例えば時計回り、もしくは反時計回りに、順次、吸着させていくようにしてもよい。

さらに、上記第３の手順では、ウエハＷの中央部の部位Ｐ_Ｉを吸着させた後で、ウエハＷの周縁部の２箇所の部位を同時に吸着させたが、区分される吸引領域６１の数が多い場合などは、部位Ｐ_Ｉの次に、ウエハＷの周縁部の３箇所以上の部位を同時に吸着させてもよい。

また、基板としては、半導体ウエハに限らず、例えば、液晶表示装置に用いるガラス基板に代表されるフラットパネルディスプレイ用基板や、多数のＩＣ（半導体集積回路）チップを実装した樹脂基板、ガラス基板などの実装検査用基板でもよい。

７…ステージ、７ａ…保持面、７ｂ…吸引溝、６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ、６１Ｄ，６１Ｅ，６１Ｆ，６１Ｇ，６１Ｈ，６１Ｉ…吸引領域、６１Ａ_１，６１Ｂ_１，６１Ｃ_１、６１Ｄ_１，６１Ｅ_１，６１Ｆ_１，６１Ｇ_１，６１Ｈ_１，６１Ｉ_１…ガス噴射位置

Claims (24)

1. ステージに基板を吸着保持させる基板保持方法であって、
   前記ステージは、前記基板の下面を吸着して保持する基板保持面を有し、
   前記基板保持面は、前記基板を部分的に吸引可能な複数の領域に区分されており、
   前記複数の領域の少なくとも一つの領域において、前記基板の一部分を吸着させた後、前記基板の一部分を吸着させた領域に隣接する領域に、前記基板の別の部分を吸着させることを順次繰り返すことによって、前記基板の全体を前記ステージに吸着保持させるとともに、
   前記基板を部分的に吸着させるときに、押圧手段によって前記基板の吸着部位を前記基板保持面へ押し付けることを特徴とする基板保持方法。
2. 前記押圧手段が、前記吸着部位の上面に向けてガスを吹き付けるガス噴射装置である請求項１に記載の基板保持方法。
3. 前記ガスが、加熱ガスである請求項２に記載の基板保持方法。
4. 前記加熱ガスが、前記ステージの温度の±１０℃の範囲内に保持されている請求項３に記載の基板保持方法。
5. 前記押圧手段が、前記吸着部位の上面に当接して前記基板保持面へ押し付ける押圧部材を有する押圧装置である請求項１に記載の基板保持方法。
6. 前記基板が円形をなすとともに、前記基板保持面が円形をなし、
   前記複数の領域は、前記基板の中央部分に対応する中央領域と、前記基板の周縁部に対応し、前記中央領域を囲む複数の周辺領域と、を含み、
   まず、前記基板の中央部分を、前記中央領域に吸着させ、
   次に、前記周辺領域の一つに、前記基板の周縁部の一部分を吸着させ、
   次に、前記基板の周縁部の一部分を吸着させた前記周辺領域に隣接する、一つ又は二つの周辺領域に、前記基板の周縁部の別の部分を吸着させ、
   さらに、前記基板の周縁部の別の部分を吸着させた周辺領域に隣接する周辺領域に、前記基板のさらに別の部分を吸着させることを、順次、繰り返す請求項１から５のいずれか１項に記載の基板保持方法。
7. 前記基板が円形をなすとともに、前記基板保持面が円形をなし、
   前記複数の領域は、前記基板の中央部分に対応する中央領域と、前記基板の周縁部に対応し、前記中央領域を囲む複数の周辺領域と、を含み、
   まず、前記基板の中央部分を、前記中央領域に吸着させ、
   次に、前記周辺領域の二つに、それぞれ、前記基板の周縁部を部分的に吸着させ、
   次に、前記基板の周縁部を部分的に吸着させた前記周辺領域に隣接する複数の周辺領域に、それぞれ、前記基板の周縁部の別の部分を吸着させ、
   さらに、前記基板の周縁部の別の部分を吸着させた複数の周辺領域に隣接する複数の周辺領域に、それぞれ、前記基板のさらに別の部分を吸着させることを、順次、繰り返す請求項１から５のいずれか１項に記載の基板保持方法。
8. 前記複数の周辺領域は、異なる面積を有する２つ以上の周辺領域を含んでおり、
   前記周辺領域の中の面積が小さい領域から面積が大きな領域へ、順次、前記基板の周縁部を部分的に吸着させていく請求項６又は７に記載の基板保持方法。
9. 前記複数の領域について、全体を一括して、又は、個別にもしくは複数の組み合わせ毎に、前記基板を吸着させた状態で外気の進入状態を検出するリーク検出を行う請求項１に記載の基板保持方法。
10. 基板に対して所定の処理を行う処理方法であって、
    請求項１から９のいずれか１項に記載の基板保持方法によって、ステージに基板を吸着保持させる工程を含むことを特徴とする処理方法。
11. 基板上に形成された複数のデバイスの電気的特性を検査するデバイスの検査方法である請求項１０に記載の処理方法。
12. 基板を吸着して保持するステージと、
    前記基板の一部分を前記基板保持面へ押し付ける押圧手段と、
    を備えた基板保持装置であって、
    前記ステージは、前記基板の下面を吸着して保持する基板保持面を有するとともに、該基板保持面は、前記基板を部分的に吸引可能な複数の領域に区分されており、
    前記押圧手段は、前記ステージの前記複数の領域に対応して、前記基板の一部分である吸着部位を押圧するものである基板保持装置。
13. 前記押圧手段が、前記吸着部位の上面に向けてガスを吹き付けるガス噴射装置である請求項１２に記載の基板保持装置。
14. 前記ガス噴射装置は、前記ステージの前記複数の領域に対応して、全体に、又は、個別にもしくは複数の組み合わせ毎に、前記ガスを吹き付けるノズルを有している請求項１３に記載の基板保持装置。
15. 前記ガスが、加熱ガスである請求項１３又は１４に記載の基板保持装置。
16. 前記加熱ガスが、前記ステージの温度の±１０℃の範囲内に保持されている請求項１５に記載の基板保持装置。
17. 前記押圧手段が、前記吸着部位の上面に当接して前記基板保持面へ押し付ける押圧部材を有する押圧装置である請求項１２に記載の基板保持装置。
18. 前記押圧部材の前記基板に当接する部分が、セラミックス、合成樹脂又はゴムによって形成されている請求項１７に記載の基板保持装置。
19. さらに、前記複数の領域について、全体を一括して、又は、個別にもしくは複数の組み合わせ毎に、前記基板を吸着させた状態で外気の進入状態を検出するリーク検出部を有している請求項１２から１８のいずれか１項に記載の基板保持装置。
20. 前記基板が円形をなすとともに、前記基板保持面が円形をなし、
    前記複数の領域は、前記基板の中央部分に対応する中央領域と、前記基板の周縁部に対応し、前記中央領域を囲む複数の周辺領域と、を含み、
    前記複数の周辺領域は、異なる面積を有する２つ以上の周辺領域を含んでいる請求項１２から１９のいずれか１項に記載の基板保持装置。
21. 前記中央領域が、前記基板保持面の径方向に分割された複数の領域を有している請求項２０に記載の基板保持装置。
22. 前記周辺領域が、前記基板保持面の径方向に分割された複数の領域を有している請求項２０に記載の基板保持装置。
23. 基板に対して所定の処理を行う処理装置であって、請求項１２から２２のいずれか１項に記載の基板保持装置を備えていることを特徴とする処理装置。
24. 基板上に形成された複数のデバイスの電気的特性を検査するプローブ装置である請求項２３記載の処理装置。
    

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