JP6658491B2 - ダイシング装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ダイシング装置、チャックテーブルおよび半導体装置の製造方法に関する。

特許文献１には、半導体ウエハを吸引し、保持するチャックテーブルの構造が開示されている。一般に、ウエハのダイシング装置においてウエハはチャックテーブルに吸着され保持される。また、ダイシング工程では高速回転するブレードがダイシングラインに沿ってウエハに切り込みを入れる。この結果、ウエハは個々の半導体装置に分割される。

特開２００４−１４９３９号公報

ウエハには反りが生じる場合がある。チャックテーブルの吸着力がウエハ面内で一様である場合、ウエハの反りによってウエハの一部に応力が集中する場合がある。この応力により、ダイシング工程においてウエハにバタつきが生じる可能性がある。バタつきによって、ウエハから分離された半導体装置にチッピングまたはクラックが発生する場合がある。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、半導体装置の損傷を抑制できるダイシング装置、チャックテーブルおよび半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。

第１の発明に係るダイシング装置は、チャックテーブルと、ダイシングブレードと、を備え、該チャックテーブルは、互いに分断された複数の吸着エリアを有するウエハ搭載部と、該複数の吸着エリアの各々の吸着力を制御する制御部と、を備え、該制御部は、該複数の吸着エリアのうち該ダイシングブレードの直下の吸着エリアの吸着力を、他の吸着エリアの吸着力よりも大きくする。

第４の発明に係る半導体装置の製造方法は、互いに分断された複数の吸着エリアを有するウエハ搭載部を備えたチャックテーブルを準備する工程と、複数の半導体装置が形成されたウエハを、該ウエハ搭載部に搭載する工程と、該ウエハのダイシング箇所の上部にダイシングブレードを配置する工程と、該ダイシングブレードの直下の吸着エリアの吸着力を、他の吸着エリアの吸着力よりも大きくした状態で、該ダイシングブレードにより該ウエハをダイシングするダイシング工程と、を備える。

第１の発明に係るダイシング装置では、ウエハのダイシング加工部を含む部分が強く吸着される。また、ウエハの他の部分は弱く吸着される。これにより、ウエハの一部に応力が集中することが抑制される。従って、ダイシング工程におけるウエハのバタつきを抑制できる。このため、半導体装置の損傷を抑制できる。
第２の発明に係るチャックテーブルでは、ウエハ搭載部の中心部に設けられる吸着エリアの上面の面積が小さい。このため、反りが大きく応力が集中し易いウエハの中心部を吸着する範囲を細かく設定できる。従って、ダイシング工程におけるウエハのバタつきを抑制できる。このため、半導体装置の損傷を抑制できる。
第３の発明に係るチャックテーブルでは、ウエハの中心部に設けられた半導体装置が複数の吸着エリアを分割する壁の上に配置されることを防止できる。これにより、強い応力が発生する可能性のあるウエハの中心部に配置される半導体装置において、吸着されない部分が生じることを防止できる。従って、ダイシング工程におけるウエハのバタつきを抑制できる。このため、半導体装置の損傷を抑制できる。
第４の発明に係る半導体装置の製造方法は、ウエハのダイシング加工部を含む部分が強く吸着される。また、ウエハの他の部分は弱く吸着される。これにより、ウエハの一部に応力が集中することが抑制される。従って、ダイシング工程におけるウエハのバタつきを抑制できる。このため、半導体装置の損傷を抑制できる。

実施の形態１に係るチャックテーブルの平面図およびウエハの断面図である。 実施の形態１に係るダイシング装置の断面図である。 実施の形態２に係るチャックテーブルの平面図である。 実施の形態２に係るダイシング装置の断面図である。 実施の形態２の変形例に係るチャックテーブルの平面図である。 実施の形態３に係るチャックテーブルの平面図である。 実施の形態３に係るチャックテーブルを回転させた状態を示す平面図である。

本発明の実施の形態に係るダイシング装置、チャックテーブルおよび半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係るチャックテーブルの平面図およびウエハの断面図である。本実施の形態に係るチャックテーブル２は、フレーム５を備える。フレーム５は平面視において円形である。フレーム５の内部にはウエハ搭載部１０が設けられている。ウエハ搭載部１０は、無機質材料をポーラス状に焼成して形成される。ウエハ搭載部１０は平面視において円形である。ウエハ搭載部１０の形状はこれに限らず、平面視において矩形でも良い。

ウエハ搭載部１０は、複数の吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０を有する。複数の吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０は、ウエハ搭載部１０の上面において同心円状に設けられた壁３によって互いに分断される。壁３は、金属またはセラミックで形成される。チャックテーブル２は壁３を３つ備える。壁３の数はこれに限らず複数であれば良い。

ウエハ１の表面には複数の半導体装置が形成されている。ウエハ１は、ＳｉまたはＳｉＣから形成される。図１に示すように、ウエハ１には反りが生じている。

図２は、実施の形態１に係るダイシング装置の断面図である。本実施の形態に係るダイシング装置１００は、チャックテーブル２とダイシングブレード６を備える。また、図２は、ウエハ搭載部１０にウエハ１が搭載された状態を示す。フレーム５は底面と、底面の外周部を囲む側面から形成される。フレーム５の底面と側面は、上方に向かって開放した凹部を形成する。ウエハ搭載部１０は凹部を埋めるように設けられる。ウエハ搭載部１０の上面と、フレーム５の上面は同じ高さである。

壁３は、ウエハ搭載部１０の上面からフレーム５の底面まで伸びる。従って、壁３によってウエハ搭載部１０は複数の吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０に分割される。吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０の各々には、吸気孔４が設けられている。吸気孔４は、フレーム５の底面を、底面と垂直な方向に貫通する。本実施の形態では、吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０には、それぞれ２つの吸気孔４が設けられている。吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０の各々に設けられる吸気孔４の数は１つ以上であれば良い。

吸気孔４には、図示しない真空ポンプが接続される。真空ポンプは吸気孔４を介して吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０を吸引する。ウエハ搭載部１０の上面には、ウエハ１が搭載される。ウエハ１は、多孔質の吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０を介して、真空ポンプによって吸引される。この結果、ウエハ１はチャックテーブル２に吸着される。吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０は、壁３によって互いに分割されている。従って、吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０は、独立に吸引される。壁３に分断されることで、吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０の各々において、互いに独立に気密を保持できる。

本実施の形態に係るチャックテーブル２は、制御部１２を備える。制御部１２は、複数の吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０の各々の吸着力を制御する。制御部１２は、複数の吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０の各々の圧力を制御する。吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０において、圧力が低下するほど吸着力が大きくなる。また、圧力が大きくなるほど、吸着力が小さくなる。制御部１２は、複数の吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０の各々の吸着圧を制御するものとしても良い。

制御部１２は、ウエハ１のうちダイシングされる部分の直下の吸着エリアの吸着力を、他の吸着エリアの吸着力よりも強くする。図２に示される状態では、ダイシングブレード６が吸着エリアＢ０の上に配置されている。この時、制御部１２は、複数の吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０のうちダイシングブレード６の直下の吸着エリアＢ０の吸着力を、他の吸着エリアＡ０、Ｃ０の吸着力よりも大きくする。ここで、他の吸着エリアＡ０、Ｃ０の吸着力は等しい値に制御される。他の吸着エリアＡ０、Ｃ０の吸着力は、ウエハ１の保持が可能な範囲で弱く設定される。

次に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。まず、チャックテーブル２を準備する。次に、ウエハ１をウエハ搭載部１０に搭載する。ここで、ウエハ１には複数の半導体装置が形成されている。次に、ウエハ１のダイシング箇所の上部に、ダイシングブレード６を配置する。ここでは、ウエハ１の端部からダイシングを開始することを想定し、ウエハ１の端部にダイシングブレード６を配置する。従って、ダイシングブレード６は吸着エリアＡ０の上部に配置される。

次に、ダイシング工程を実施する。ダイシング工程では、複数の吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０のうちダイシングブレード６の直下の吸着エリアＡ０の吸着力を、他の吸着エリアＢ０、Ｃ０の吸着力よりも大きくする。次に、ダイシングブレード６の直下の吸着エリアＡ０の吸着力を、他の吸着エリアＢ０、Ｃ０の吸着力よりも大きくした状態で、ダイシングブレード６によりウエハ１をダイシングする。ウエハ１にはダイシングラインが設けられている。ダイシングブレード６は高速回転しながら、ダイシングラインに沿ってウエハ１を切断する。

ここでは、ダイシングブレード６がウエハ１の中心を通るダイシングラインをダイシングする場合を考える。このとき、ダイシングブレード６は、吸着エリアＡ０の上部から、吸着エリアＢ０の上部、吸着エリアＣ０の上部の順に移動する。ダイシングブレード６が吸着エリアＡ０の上部から移動し、吸着エリアＢ０の上部に到達したとする。このとき、制御部１２は、吸着エリアＢ０の吸着力を、他の吸着エリアＡ０、Ｃ０の吸着力よりも大きくする。

ダイシング工程は、ダイシングブレード６を移動させながら、ダイシングブレード６の座標を読む工程を含む。ダイシング工程において制御部１２は、ダイシングブレード６の座標を読む。次に、制御部２はダイシングブレードの座標と、チャックテーブル２上の座標とを照合する。次に、制御部１２は、ダイシングブレード６の座標に対応する位置の吸着エリアの吸着力を、他の吸着エリアの吸着力よりも大きくする。

以上から、制御部１２はダイシングブレード６の移動中においても、ダイシングブレード６の直下の吸着エリアを認識している。制御部１２は、ダイシングブレード６の直下の吸着エリアが切り替わったことを認識すると、複数の吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０の各々の吸着力を制御する。この時、制御部１２は、ダイシングブレード６の直下の吸着エリアの吸着力が、他の吸着エリアの吸着力よりも大きくなるように制御を行う。

ダイシングブレード６の移動中に、制御部１２はダイシングブレード６の座標を一定の時間間隔で読み込むものとしてもの良い。制御部１２がダイシングブレード６の座標を読み込む時間間隔は、ダイシングブレード６の移動速度に応じて設定する。

ウエハには反りが生じる場合がある。ウエハを吸着するチャックテーブルの吸着力が、ウエハ面内で一様である場合、ウエハ反りによってウエハの一部に応力が集中する場合がある。この応力により、ダイシング加工時にウエハにバタつきが生じる可能性がある。ウエハのバタつきは、高速回転するダイシングブレードがダイシング時に発生させる振動に起因する。バタつきによって、ウエハから分離された半導体装置にチッピングまたはクラックが発生する場合がある。

これに対し本実施の形態では、ウエハ１のダイシング加工部を含む部分が強く吸着される。また、ウエハ１の他の部分は弱く吸着される。従って、ウエハ１の一部のみが強く吸着される。これにより、チャックテーブルの吸着力がウエハ面内で一様である場合と比較して、ウエハ１のダイシング加工部をウエハ搭載部１０と強く密着させることができる。従って、ダイシング工程におけるウエハ１のバタつきを抑制できる。

また、ダイシングブレード６の直下の吸着エリア以外の吸着エリアは、吸着力が弱い。従って、ダイシング加工部以外の部分において、ウエハ１に発生する応力を緩和できる。このため、ダイシング工程におけるウエハ１のバタつきをさらに抑制できる。以上から、ダイシングによってウエハ１から切り出された半導体装置に、チッピングおよびクラックが発生することを防止できる。従って、半導体装置の損傷を抑制できる。

本実施の形態では、吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０は多孔質の材料から形成される。これに対し、吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０は互いに分断され、吸着力が互いに独立に制御されれば別の構造でも良い。例えば、吸着エリアＡ０、Ｂ０、Ｃ０の各々の上面に溝が形成され、溝の底面と吸着孔４が接続されても良い。

これらの変形は以下の実施の形態に係るダイシング装置、チャックテーブルおよび半導体装置の製造方法について適宜応用することができる。なお、以下の実施の形態に係るダイシング装置、チャックテーブルおよび半導体装置の製造方法については実施の形態１との共通点が多いので、実施の形態１との相違点を中心に説明する。

実施の形態２．
図３は、実施の形態２に係るチャックテーブルの平面図である。本実施の形態に係るチャックテーブル２０２は、ウエハ搭載部２１０を備える。ウエハ搭載部２１０は平面視において円形である。ウエハ搭載部２１０には互いに分断された複数の吸着エリアＡ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１〜Ｃ４が設けられている。

複数の吸着エリアＡ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１〜Ｃ４は、壁３によって互いに分断されている。壁３はウエハ搭載部２１０の上面において、同心円状に設けられている。また、複数の吸着エリアＡ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１〜Ｃ４は、４つの壁２０３によって互いに分断されている。壁２０３は、ウエハ搭載部２１０の上面において、ウエハ搭載部２１０の中心から端部まで伸びる。

吸着エリアＡ１〜Ａ４は、壁３によって吸着エリアＢ１〜Ｂ４と分断される。吸着エリアＢ１〜Ｂ４は、壁３によって吸着エリアＣ１〜Ｃ４と分断される。吸着エリアＡ１〜Ａ４は、壁２０３によって互いに分断されている。吸着エリアＢ１〜Ｂ４は、壁２０３によって互いに分断されている。吸着エリアＣ１〜Ｃ４は、壁２０３によって互いに分断されている。

図４は、実施の形態２に係るダイシング装置の断面図である。本実施の形態に係るダイシング装置２００において、吸着エリアＡ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１〜Ｃ４の各々には、吸気孔２０４が設けられている。吸気孔２０４は、フレーム５の底面を、底面と垂直な方向に貫通する。各々の吸気孔２０４には、バルブ８の一端が接続されている。バルブ８の他端には図示しない真空ポンプが接続される。バルブ８を開くと、対応する吸着エリアの吸着力が大きくなる。バルブ８を閉めると、対応する吸着エリアの吸着力が小さくなる。

ダイシング装置２００は、複数の測定器７を備える。複数の測定器７は、バルブ８の他端にそれぞれ接続されている。測定器７は、複数の吸着エリアＡ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１〜Ｃ４の各々の吸着力を測定する。測定器７は複数の吸着エリアＡ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１〜Ｃ４の各々の吸着力をモニタしている。制御部２１２は、測定器７が測定した吸着力に応じて、複数の吸着エリアＡ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１〜Ｃ４の各々の吸着力を制御する。なお、図４では便宜上、ダイシングブレード６は省略されている。

次に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。ウエハ１のダイシング加工部の上部に、ダイシングブレード６を配置する工程までは、実施の形態１と同様である。ここでは、ダイシングブレード６は吸着エリアＡ１の上部に配置されるものとする。次に、ダイシング工程を実施する。

測定器７は複数の吸着エリアＡ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１〜Ｃ４の各々の吸着力をモニタしている。ダイシング工程において、制御部２１２は、ダイシングブレード６の直下の吸着エリアＡ１の吸着力を読み込む。制御部２１２は、読み込んだ吸着力に応じて、吸着エリアＡ１に設けられたバルブ８を開く。これにより、吸着エリアＡ１の圧力が低下する。この結果、吸着エリアＡ１の吸着力は、他の吸着エリアＡ２〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１〜Ｃ４の吸着力よりも大きくなる。

次に、ダイシングブレード６によりダイシングを実施する。ここでは、ダイシングブレード６が吸着エリアＡ１の上部、吸着エリアＢ１の上部、吸着エリアＣ１の上部を順に進むものとする。ダイシング工程において、測定器７は、吸着エリアＡ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１〜Ｃ４の吸着力をモニタしている。ダイシングブレード６が吸着エリアＡ１の上部から移動し、吸着エリアＢ１の上部に到達したとする。このとき制御部２１２は、測定器７が測定した吸着エリアＢ１の吸着力を読み取る。この吸着力に応じて、制御部２１２は吸着エリアＢ１に設けられたバルブ８を開く。このため、吸着エリアＢ１の吸着力が上昇する。

また、制御部２１２は、測定器７が測定した吸着エリアＡ１の吸着力を読み取る。この吸着力に応じて、制御部２１２は吸着エリアＡ１に設けられたバルブ８を閉める。これにより、吸着エリアＡ１の吸着力が低下する。この結果、吸着エリアＢ１の吸着力は、他の吸着エリアＡ１〜Ａ４、Ｂ２〜Ｂ４、Ｃ１〜Ｃ４の吸着力よりも大きくなる。

ダイシングブレード６の移動に伴い、ダイシングブレード６の直下の吸着エリアが切り替わる。制御部２１２は、ダイシングブレード６の直下の吸着エリアが切り替わったことを認識すると、吸着力の読み取りとバルブ８の制御を実施する。

本実施の形態では、実施の形態１と比較してウエハ搭載部２１０を細かく分割している。このため、ウエハ１を強く吸着する範囲を、実施の形態１よりも細かく設定できる。従って、複雑な反りが発生しているウエハ１に発生する応力を緩和できる。また、ウエハ１において強い吸着力で吸着される部分を狭い範囲に限定できる。このため、ウエハ１において弱い吸着力で吸着される部分の面積を大きくできる。従って、吸着によってウエハ１に発生する応力を抑制できる。

また、ウエハにおいて、中心に近づくほど反りが大きいことがある。この場合、ウエハがチャックテーブルに吸着されると、ウエハの中心に応力が集中し易い。本実施の形態では、ウエハ搭載部２１０の中心に配置される吸着エリアＣ１〜Ｃ４の上面の面積は、ウエハ搭載部２１０の外周部に配置される吸着エリアＡ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４の上面の面積よりも小さい。ウエハ搭載部２１０の中心に近づくほど、吸着エリアＡ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１〜Ｃ４の上面の面積は小さくなる。

このため、応力の集中し易いウエハ１の中心部において、ウエハ１を強く吸着する範囲を細かく設定できる。従って、ウエハ１をチャックテーブル２０２に吸着した際に、ウエハ１の中心部に発生する応力を緩和し易い。本実施の形態では、４つの壁２０３がウエハ搭載部２１０の中心から伸びる。このため、ウエハ搭載部２１０の中心部において、吸着エリアＣ１〜Ｃ４を細かく分割できる。なお、チャックテーブル２０２は壁２０３を４つ備える。壁２０３の数は、これに限らず複数であれば良い。反りが発生したウエハ１に発生する応力を緩和するために、壁２０３の数は４以上であることが好ましい。

図５は、実施の形態２の変形例に係るチャックテーブルの平面図である。本実施の形態の変形例に係るチャックテーブル３０２は、ウエハ搭載部３１０を備える。ウエハ搭載部３１０は平面視において円形である。ウエハ搭載部３１０には互いに分断された複数の吸着エリアＡ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ０が設けられている。複数の吸着エリアＡ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ０は、ウエハ搭載部３１０の中心に設けられ平面視において円形の吸着エリアＣ０を含む。円形の吸着エリアＣ０の上面の面積は、ウエハ搭載部３１０に搭載されるウエハ１に形成された複数の半導体装置のうち１つよりも大きい。

複数の吸着エリアＡ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ０は、壁３によって互いに分断されている。壁３はウエハ搭載部３１０の上面において、同心円状に設けられている。４つの壁３０３は、ウエハ搭載部３１０の上面において、円形の吸着エリアＣ０の端部からウエハ搭載部３１０の端部まで伸びる。吸着エリアＣ０よりも外側の吸着エリアＡ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４は、４つの壁３０３によって互いに分断されている。

ウエハ１をウエハ搭載部３１０に吸着した際に、ウエハ１の反りによって、ウエハ１の中心部に応力が集中する場合がある。ここで、吸着エリアＡ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ０の上面の面積が１つの半導体装置よりも小さいと、半導体装置が壁３または壁３０３の上に配置されることとなる。この場合、半導体装置に吸着されない領域が発生する。応力の集中し易いウエハの中心部において、半導体装置に吸着されない領域が発生すると、ダイシング工程においてバタつきが発生し易くなる場合がある。

本実施の形態では、ウエハ搭載部２１０の中心に円形の吸着エリアＣ０が設けられる。吸着エリアＣ０の大きさは、１つの半導体装置よりも大きい。従って、ウエハ１の中心部に配置される半導体装置において、吸着されない領域が発生することを防止できる。従って、ダイシング工程におけるバタつきの発生を抑制できる。

本実施の形態では、ダイシングブレード６の直下の吸着エリアの吸着力を他の吸着エリアよりも大きくする。これに対し、ダイシングブレード６の周辺の吸着エリアの吸着力を他の吸着エリアよりも大きくしても良い。例えば、ダイシングブレード６の直下の吸着エリアおよびダイシングブレード６の直下の吸着エリアに隣接する吸着エリアの吸着力を、他の吸着エリアよりも大きくしても良い。

また、本実施の形態では、ダイシングブレード６の直下の吸着エリア以外の吸着エリアにおいて、吸着力は一定に制御される。これに対し、ダイシングブレード６から離れるほど、吸着エリアＡ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ０の吸着力を小さくするものとしても良い。

実施の形態３．
図６は、実施の形態３に係るチャックテーブルの平面図である。本実施の形態に係るチャックテーブル４０２は、ウエハ搭載部４１０を備える。ウエハ搭載部４１０は、複数の吸着エリアＡ５〜Ｆ５を有する。複数の吸着エリアＡ５〜Ｆ５は、平面視においてストライプ状に設けられている。複数の吸着エリアＡ５〜Ｆ５は壁４０３によって互いに分断されている。

次に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。まず、ウエハ１をウエハ搭載部４１０に搭載する。ここで、ダイシングラインが壁４０３と平行になるようにウエハ１を配置する。次に、ウエハ１のダイシング加工部の上部に、ダイシングブレード６を配置する。ここでは、ダイシングブレード６は吸着エリアＢ５の上部に配置されるものとする。

次に、ダイシング工程を実施する。ダイシング工程では、ダイシングブレード６の直下の吸着エリアＢ０の吸着力を、他の吸着エリアＡ５、Ｃ５〜Ｆ５の吸着力よりも大きくする。次に、ダイシングブレード６によりダイシングを実施する。このとき、矢印４１４に示すように、複数の吸着エリアＡ５〜Ｆ５の長手方向と平行にウエハ１をダイシングする。１つのダイシングラインについてダイシングが完了した後、次にダイシングを行うダイシングライン上にダイシングブレード６を移動させる。

次に、制御部１２は、ダイシングブレード６の座標を読む。これにより、制御部１２は、ダイシングブレード６の直下の吸着エリアを認識する。ダイシングブレード６の直下の吸着エリアが切り替わった場合、制御部１２は、吸着力を強める吸着エリアを、ダイシングブレード６の直下の吸着エリアに変更する。

複数の吸着エリアＡ５〜Ｆ５の長手方向と平行な方向のダイシングが完了した後に、チャックテーブル４０２を９０度回転させる。図７は、実施の形態３に係るチャックテーブルを回転させた状態を示す平面図である。次に、吸着エリアＡ５〜Ｆ５の吸着力を等しく設定する。次に、矢印４１６に示すように、複数の吸着エリアＡ５〜Ｆ５の長手方向と垂直にウエハ１をダイシングする。

本実施の形態では、ダイシングラインに沿って吸着エリアＡ５〜Ｆ５が設けられる。ダイシング工程において、ウエハ１はダイシングラインに沿って強く吸着される。このため、ウエハ１のバタつきを効率よく抑制できる。また、実施の形態２と比較して、１枚のウエハ１をダイシングする際に、吸着力を強める吸着エリアを切り替える頻度が少ない。さらに、ダイシングラインが切り替わるタイミングで、吸着力の強い吸着エリアを切り替えればよい。このため、ダイシングブレード６を移動させながら、吸着力の強い吸着エリアを切り替える必要がない。このため、制御部１２による制御が容易になる。

また、図７に示すチャックテーブル４０２を回転させた後の状態では、ウエハ２は吸着エリアＡ５〜Ｆ５の長手方向と平行な方向に切断された状態である。このため、切断前と比較してウエハ１の反りは緩和されている。従って、ウエハ１の面内においてウエハ１が均一な吸着力で吸着されても、応力が発生しにくい。よって、チャックテーブル４０２の回転後において、制御部１２は複数の吸着エリアＡ５〜Ｆ５の吸着力を一定値に制御すれば良い。なお、各実施の形態で説明した技術的特徴は適宜に組み合わせて用いてもよい。

１００、２００ ダイシング装置、２、２０２、３０２、４０２ チャックテーブル、１ ウエハ、６ ダイシングブレード、７ 測定器、Ａ０〜Ａ５、Ｂ０〜Ｂ５、Ｃ０〜Ｃ５、Ｄ５、Ｅ５、Ｆ５ 吸着エリア、１０、２１０、３１０、４１０ ウエハ搭載部、１２、２１２ 制御部、３、２０３、３０３、４０３ 壁

Claims (9)

1. チャックテーブルと、
   ダイシングブレードと、
   を備え、
   前記チャックテーブルは、
   互いに分断された複数の吸着エリアを有するウエハ搭載部と、
   前記複数の吸着エリアの各々の吸着力を制御する制御部と、
   を備え、
   前記制御部は、前記複数の吸着エリアのうち前記ダイシングブレードの直下の吸着エリアの吸着力を、他の吸着エリアの吸着力よりも大きくすることを特徴とするダイシング装置。
2. 前記複数の吸着エリアのうち前記ウエハ搭載部の中心に配置される吸着エリアの上面の面積は、前記複数の吸着エリアのうち前記ウエハ搭載部の外周部に配置される吸着エリアの上面の面積よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載のダイシング装置。
3. 前記ウエハ搭載部は平面視において円形であり、
   前記複数の吸着エリアは、前記ウエハ搭載部の上面において同心円状に設けられた壁と、前記ウエハ搭載部の上面において前記ウエハ搭載部の中心から端部まで伸びる複数の壁と、によって互いに分断されることを特徴とする請求項１または２に記載のダイシング装置。
4. 前記ウエハ搭載部は平面視において円形であり、
   前記複数の吸着エリアは、前記ウエハ搭載部の中心に設けられ平面視において円形の吸着エリアと、前記円形の吸着エリアの端部から前記ウエハ搭載部の端部まで伸びる複数の壁によって互いに分断された吸着エリアと、を有し、
   前記円形の吸着エリアの上面の面積は、前記ウエハ搭載部に搭載されるウエハに形成された複数の半導体装置のうち１つよりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載のダイシング装置。
5. 前記複数の吸着エリアは、平面視においてストライプ状に設けられることを特徴とする請求項１に記載のダイシング装置。
6. 前記複数の吸着エリアの各々の吸着力を測定する測定器を備え、
   前記制御部は、前記測定器が測定した吸着力に応じて、前記複数の吸着エリアの各々の吸着力を制御することを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載のダイシング装置。
7. 互いに分断された複数の吸着エリアを有するウエハ搭載部を備えたチャックテーブルを準備する工程と、
   複数の半導体装置が形成されたウエハを、前記ウエハ搭載部に搭載する工程と、
   前記ウエハのダイシング箇所の上部にダイシングブレードを配置する工程と、
   前記ダイシングブレードの直下の吸着エリアの吸着力を、他の吸着エリアの吸着力よりも大きくした状態で、前記ダイシングブレードにより前記ウエハをダイシングするダイシング工程と、
   を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 前記複数の吸着エリアは、平面視においてストライプ状に設けられ、
   前記ダイシング工程では、複数の吸着エリアの長手方向と平行に前記ウエハをダイシングすることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記ダイシング工程は、前記ダイシングブレードを移動させながら、前記ダイシングブレードの座標を読み、前記複数の吸着エリアのうち前記座標に対応する位置の吸着エリアの吸着力を、他の吸着エリアの吸着力よりも大きくする工程を備えることを特徴とする請求項７または８に記載の半導体装置の製造方法。

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