JP7348069B2 - 吸着方法 - Google Patents

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Description

本発明の一側面は、吸着方法に関する。
従来のファブリペロー干渉フィルタとして、基板と、基板上において空隙を介して互いに対向する固定ミラー及び可動ミラーと、空隙を画定する中間層と、を備えるものが知られている(例えば、特許文献1参照)。
特表2013-506154号公報
上述したようなファブリペロー干渉フィルタのチップを個別に搬送する際には、例えば吸着コレットを用いてチップを個別に吸着して保持することが考えられる。このとき、吸着コレットが可動ミラーに接触すると、可動ミラーの破損が発生するおそれがある。このような問題を避けるためには、吸着コレットが可動ミラーに接触しないように、ファブリペロー干渉フィルタにおける可動ミラー以外の部分を吸着することが考えられる。しかしながら、この場合には、安定した吸着保持が困難になるという新たな問題が生じ得る。
そこで、本発明の一側面は、ファブリペロー干渉フィルタの破損を抑制しつつ安定した吸着保持を可能とする吸着方法を提供することを目的とする。
本発明の一側面に係る吸着方法は、基板と、基板上に設けられ、基板と反対側に臨む主面を含む積層構造部と、主面に交差する方向からみて積層構造部の外側に位置し、主面よりも基板側に窪む薄化部と、を備えるファブリペロー干渉フィルタを吸着コレットを用いて吸着する吸着方法であって、主面に対向するように吸着コレットを配置する第1工程と、第1工程の後に、吸着コレットをファブリペロー干渉フィルタに接触させる第2工程と、第2工程の後に、吸着コレットによってファブリペロー干渉フィルタを吸着する第3工程と、を備え、吸着コレットは、吸気のための開口が形成された表面を有する本体部と、表面から突出するように表面に設けられ、接触面を有する接触部と、を備え、積層構造部には、空隙を介して互いに対向し且つ互いの距離が可変とされた第1ミラー部及び第2ミラー部と主面の一部とを含むメンブレン構造部が設けられており、第1工程においては、接触面が薄化部の底面に対向するように吸着コレットを配置し、第2工程においては、表面と主面との間に空間を形成しつつ接触面を底面に接触させ、第3工程においては、開口を介した吸気により空間内を排気する。
この吸着方法の吸着対象となるファブリペロー干渉フィルタにおいては、基板上の積層構造部に対して、空隙を介して互いに対向し且つ互いの距離が可変とされた第1ミラー部及び第2ミラー部を有するメンブレン構造部が設けられている。したがって、例えば、このファブリペロー干渉フィルタを吸着して搬送する際に、一般の吸着冶具を用いると、接触によってメンブレン構造部の破損が生じるおそれがある。そして、それを避けるためにメンブレン構造部以外の部分において吸着を行おうとすると、吸着及び保持が不安定になるおそれがある。
これに対して、この吸着方法においては、第1工程及び第2工程によって、吸着コレットの本体部の表面に突設された接触部を、その接触面において積層構造部の外側の薄化部の底面に接触させると共に、本体部の表面と積層構造部の主面との間に空間を形成する。そして、第3工程において、開口を介しての吸気により、当該空間を排気して吸着を行う。すなわち、この吸着方法によれば、接触部の接触面を積層構造部の外側においてファブリペロー干渉フィルタに接触させて支持しつつ、メンブレン構造部に一部が含まれる主面上の空間の排気によりファブリペロー干渉フィルタを吸着する。これにより、ファブリペロー干渉フィルタの吸着に際して、メンブレン構造部の破損を抑制しつつ安定した吸着保持が可能となる。
本発明の一側面に係る吸着方法においては、接触部は、表面に交差する方向からみて、表面における空間に臨むエリアを囲うように延在し、接触部には、接触面が底面に接触した状態において空間を外部に連通する連通部が形成されており、第3工程においては、開口を介した吸気によって連通部を介して空間内に空気を導入してもよい。この場合、吸気される空間に対して外部から連通部を介して空気が導入されるため、適度な吸着を実現可能である。この結果、吸着を解除したときに、ファブリペロー干渉フィルタを安定して脱離させることが可能となる。
本発明の一側面に係る吸着方法においては、接触部は、表面に交差する方向からみてエリアを囲うように互いに離間しつつ配列された複数の部分からなり、連通部は、部分の間の空隙により形成されていてもよい。この場合、簡単な構成により連通部を構成可能である。
本発明の一側面に係る吸着方法においては、積層構造部には、主面に交差する方向からみてメンブレン構造部の外側に位置すると共に、主面から突出する電極端子が設けられており、第1工程においては、連通部が、接触面が底面に接触した状態において、電極端子の外側において電極端子に対応する位置になるように、吸着コレットを配置してもよい。この場合、連通部から空間に導入される気流の少なくとも一部が、積層構造部の主面から突出する電極端子上を通過する際に主面から離れる方向に向けられるため、メンブレン構造部への気流の悪影響を低減できる。
本発明の一側面に係る吸着方法においては、積層構造部は、主面に交差する方向からみて矩形状を呈しており、第1工程においては、連通部が、接触面が底面に接触した状態において、積層構造部の矩形状の4つの角部のそれぞれに対応する位置となるように、吸着コレットを配置してもよい。この場合、安定した吸気が可能となる。
本発明の一側面に係る吸着方法においては、接触部は、表面に交差する方向からみて、表面における空間に臨むエリアを連続的に囲うように一体的に形成されていてもよい。この場合、吸気される空間が接触部によって連続的に囲われることになるので、吸気孔の開口の位置に依らずに空間内を均一に吸気可能である。このため、吸気孔の開口の位置の自由度が向上する。また、吸気を強めることなく吸着力を高めることができる。
本発明の一側面に係る吸着方法においては、表面には、複数の開口が形成されており、第1工程においては、複数の開口が、主面に交差する方向からみてメンブレン構造部の中心に対して対称的に分散されるように吸着コレットを配置してもよい。この場合、より安定した吸着及び保持が可能となる。
本発明の一側面によれば、ファブリペロー干渉フィルタの破損を抑制しつつ安定した吸着保持を可能とする吸着方法を提供できる。
本実施形態に係るファブリペロー干渉フィルタの平面図である。 図1に示されたファブリペロー干渉フィルタの底面図である。 図1のIII-III線に沿ってのファブリペロー干渉フィルタの断面図である。 本実施形態に係る吸着コレットを示す図である。 本実施形態に係る吸着コレットを示す図である。 図4,5に示された吸着コレットがファブリペロー干渉フィルタを吸着した状態を示す模式図である。 図4,5に示された吸着コレットがファブリペロー干渉フィルタを吸着した状態を示す模式図である。 本実施形態に係る吸着方法の工程を示す模式的な断面図である。 変形例に係る吸着コレットがファブリペロー干渉フィルタを吸着した状態を示す模式図である。 別の変形例に係る吸着コレットを示す底面図である。
以下、一実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において、同一の要素同士、或いは、相当する要素同士には、互いに同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。本実施形態に係る吸着方法は、吸着コレットを用いてファブリペロー干渉フィルタの吸着を行う。したがって、まず、吸着対象となるファブリペロー干渉フィルタの一実施形態について説明する。
[ファブリペロー干渉フィルタの構成]
図1は、本実施形態に係るファブリペロー干渉フィルタの平面図である。図2は、図1に示されたファブリペロー干渉フィルタの底面図である。図3は、図1のIII-III線に沿ってのファブリペロー干渉フィルタの断面図である。
図1~3に示されるように、ファブリペロー干渉フィルタ1は、基板11を備えている。基板11は、第1表面11aと、第1表面11aと対向する第2表面11bと、を有している。第1表面11aには、反射防止層21、第1積層体22、中間層23及び第2積層体24が、この順序で積層されている。第1積層体22と第2積層体24との間には、枠状の中間層23によって空隙(エアギャップ)Sが画定されている。第1積層体22、中間層23、及び、第1表面11aに交差(直交)する方向からみて第1積層体22上に位置する第2積層体24の一部分は、積層構造部20を構成している。積層構造部20は、基板11の第1表面11a上に設けられ、基板11と反対側に臨む主面20sを含む。主面20sは、第2積層体24の表面24aの一部である。
第1表面11aに垂直な方向から見た場合(平面視)における各部の形状及び位置関係は、次の通りである。基板11の外縁は、例えば矩形状である。基板11の外縁と第2積層体24の外縁とは、互いに一致している。反射防止層21の外縁と第1積層体22の外縁と中間層23の外縁とは、互いに一致している。したがって、積層構造部20も平面視(主面20sに交差(直交)する方向からみた場合)において矩形状である。基板11は、中間層23の外縁よりも空隙Sの中心に対して外側に位置する外縁部11cを有している。外縁部11cは、例えば、枠状であり、第1表面11aに垂直な方向から見た場合に中間層23を包囲している。
ファブリペロー干渉フィルタ1は、その中央部に画定された光透過領域1aにおいて、所定の波長を有する光を透過させる。光透過領域1aは、例えば円柱状の領域である。基板11は、例えば、シリコン、石英又はガラス等からなる。基板11がシリコンからなる場合には、反射防止層21及び中間層23は、例えば、酸化シリコンからなる。中間層23の厚さは、例えば、数十nm以上数十μm以下である。
第1積層体22のうち光透過領域1aに対応する部分は、第1ミラー部31として機能する。第1ミラー部31は、反射防止層21を介して第1表面11aに配置されている。第1積層体22は、複数のポリシリコン層25と複数の窒化シリコン層26とが一層ずつ交互に積層されることで構成されている。本実施形態では、ポリシリコン層25a、窒化シリコン層26a、ポリシリコン層25b、窒化シリコン層26b及びポリシリコン層25cが、この順で反射防止層21上に積層されている。第1ミラー部31を構成するポリシリコン層25及び窒化シリコン層26のそれぞれの光学厚さは、中心透過波長の1/4の整数倍であることができる。なお、第1ミラー部31は、反射防止層21を介することなく第1表面11a上に直接に配置されてもよい。
第2積層体24のうち光透過領域1aに対応する部分は、第2ミラー部32として機能する。第2ミラー部32は、第1ミラー部31に対して基板11とは反対側において空隙Sを介して第1ミラー部31と対向している。第2積層体24は、反射防止層21、第1積層体22及び中間層23を介して第1表面11aに配置されている。第2積層体24は、複数のポリシリコン層27と複数の窒化シリコン層28とが一層ずつ交互に積層されることで構成されている。本実施形態では、ポリシリコン層27a、窒化シリコン層28a、ポリシリコン層27b、窒化シリコン層28b及びポリシリコン層27cが、この順で中間層23上に積層されている。第2ミラー部32を構成するポリシリコン層27及び窒化シリコン層28のそれぞれの光学厚さは、中心透過波長の1/4の整数倍であることができる。
なお、第1積層体22及び第2積層体24では、窒化シリコン層の代わりに酸化シリコン層が用いられてもよい。また、第1積層体22及び第2積層体24を構成する各層の材料としては、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、フッ化マグネシウム、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、シリコン、ゲルマニウム、硫化亜鉛等が用いられてもよい。また、ここでは、第1ミラー部31の空隙S側の表面(ポリシリコン層25cの表面)と、第2ミラー部32の空隙S側の表面(ポリシリコン層27aの表面)とは、空隙Sを介して直接的に対向している。ただし、第1ミラー部31の空隙S側の表面、及び、第2ミラー部32の空隙S側の表面に、(ミラーを構成しない)電極層や保護層が形成れていてもよい。この場合、第1ミラー部31と第2ミラー部32とは、それらの層を間に介在させた状態において、空隙Sを介して互いに対向することになる。換言すれば、このような場合であっても、第1ミラー部31と第2ミラー部32との空隙Sを介した対向は実現され得る。
第2積層体24において空隙Sに対応する部分には、第2積層体24の中間層23とは反対側の表面24a(積層構造部20の主面20s)から空隙Sに至る複数の貫通孔24bが形成されている。複数の貫通孔24bは、第2ミラー部32の機能に実質的に影響を与えない程度に形成されている。複数の貫通孔24bは、エッチングによって中間層23の一部を除去して空隙Sを形成するために用いられる。
第2積層体24は、第2ミラー部32に加えて、被覆部33と、周縁部34と、を更に有している。第2ミラー部32、被覆部33及び周縁部34は、互いに同じ積層構造の一部を有し且つ互いに連続するように、一体的に形成されている。被覆部33は、第1表面11aに垂直な方向から見た場合に第2ミラー部32を包囲している。被覆部33は、中間層23の基板11とは反対側の表面23a、並びに、中間層23の側面23b(外側の側面、つまり、空隙S側とは反対側の側面)、第1積層体22の側面22a及び反射防止層21の側面21aを被覆しており、第1表面11aに至っている。すなわち、被覆部33は、中間層23の外縁、第1積層体22の外縁及び反射防止層21の外縁を被覆している。
周縁部34は、第1表面11aに垂直な方向から見た場合に被覆部33を包囲している。周縁部34は、外縁部11cにおける第1表面11a上に位置している。周縁部34の外縁は、第1表面11aに垂直な方向から見た場合に基板11の外縁と一致している。
周縁部34は、外縁部11cの外縁に沿って薄化されている。すなわち、周縁部34のうち外縁部11cの外縁に沿う部分は、周縁部34のうち外縁に沿う部分を除く他の部分と比べて薄くなっている。本実施形態では、周縁部34は、第2積層体24を構成するポリシリコン層27及び窒化シリコン層28の一部が除去されていることによって薄化されている。周縁部34は、被覆部33に連続する非薄化部34aと、非薄化部34aを包囲する薄化部34bと、を有している。薄化部34bにおいては、第1表面11a上に直接に設けられたポリシリコン層27a以外のポリシリコン層27及び窒化シリコン層28が除去されている。
このように、ファブリペロー干渉フィルタ1は、積層構造部20に加えて、主面20sに交差(直交)する方向からみて積層構造部20の外側に位置し、且つ、主面20sよりも基板11側に窪む薄化部34bをさらに備える。薄化部34bは、主面20sに交差(直交)する方向からみて、積層構造部20を囲うように環状(ここでは矩形環状)に形成されている。薄化部34bは、例えば、ファブリペロー干渉フィルタ1に対応する複数の領域が形成されたウェハを、それぞれのファブリペロー干渉フィルタ1ごとに切断する際に用いられる。薄化部34bは、例えば、第2積層体24のための積層構造のエッチングにより形成される。
非薄化部34aの基板11とは反対側の表面34cの第1表面11aからの高さは、中間層23の表面23aの第1表面11aからの高さよりも低い。非薄化部34aの表面34cの第1表面11aからの高さは、例えば100nm~5000nmである。中間層23の表面23aの第1表面11aからの高さは、例えば500nm~20000nmの範囲において、非薄化部34aの表面34cの第1表面11aからの高さよりも大きな高さとなる。薄化部34bの幅(非薄化部34aの外縁と外縁部11cの外縁との間の距離)は、基板11の厚さの0.01倍以上である。薄化部34bの幅は、例えば5μm~400μmである。基板11の厚さは、例えば500μm~800μmである。
第1ミラー部31には、光透過領域1aを囲むように第1電極12が形成されている。第1電極12は、ポリシリコン層25cに不純物をドープして低抵抗化することで形成されている。第1ミラー部31には、光透過領域1aを含むように第2電極13が形成されている。第2電極13は、ポリシリコン層25cに不純物をドープして低抵抗化することで形成されている。第2電極13の大きさは、光透過領域1aの全体を含む大きさであることができるが、光透過領域1aの大きさと略同一であってもよい。
第2ミラー部32には、第3電極14が形成されている。第3電極14は、空隙Sを介して第1電極12及び第2電極13と対向している。第3電極14は、ポリシリコン層27aに不純物をドープして低抵抗化することで形成されている。
端子(電極端子)15は、光透過領域1aを挟んで対向するように一対設けられている。各端子15は、第2積層体24の表面24a(積層構造部20の主面20s)から第1積層体22に至る貫通孔内に配置されている。各端子15は、配線12aを介して第1電極12と電気的に接続されている。端子15は、例えば、アルミニウム又はその合金等の金属膜によって形成されている。
端子(電極端子)16は、光透過領域1aを挟んで対向するように一対設けられている。各端子16は、第2積層体24の表面24a(積層構造部20の主面20s)から第1積層体22に至る貫通孔内に配置されている。各端子16は、配線13aを介して第2電極13と電気的に接続されていると共に、配線14aを介して第3電極14と電気的に接続されている。端子16は、例えば、アルミニウム又はその合金等の金属膜によって形成されている。一対の端子15が対向する方向と、一対の端子16が対向する方向とは、直交している(図1参照)。
第1積層体22の表面22bには、トレンチ17,18が設けられている。トレンチ17は、配線13aにおける端子16との接続部分を囲むように環状に延在している。トレンチ17は、第1電極12と配線13aとを電気的に絶縁している。トレンチ18は、第1電極12の内縁に沿って環状に延在している。トレンチ18は、第1電極12と第1電極12の内側の領域(第2電極13)とを電気的に絶縁している。各トレンチ17,18内の領域は、絶縁材料であっても、空隙であってもよい。
第2積層体24の表面24a(積層構造部20の主面20s)には、トレンチ19が設けられている。トレンチ19は、端子15を囲むように環状に延在している。トレンチ19は、端子15と第3電極14とを電気的に絶縁している。トレンチ19内の領域は、絶縁材料であっても、空隙であってもよい。
基板11の第2表面11bには、反射防止層41、第3積層体42、中間層43及び第4積層体44が、この順序で積層されている。反射防止層41及び中間層43は、それぞれ、反射防止層21及び中間層23と同様の構成を有している。第3積層体42及び第4積層体44は、それぞれ、基板11を基準として第1積層体22及び第2積層体24と対称の積層構造を有している。反射防止層41、第3積層体42、中間層43及び第4積層体44は、基板11の反りを抑制する機能を有している。
第3積層体42、中間層43及び第4積層体44は、外縁部11cの外縁に沿って薄化されている。すなわち、第3積層体42、中間層43及び第4積層体44のうち外縁部11cの外縁に沿う部分は、第3積層体42、中間層43及び第4積層体44のうち外縁に沿う部分を除く他の部分と比べて薄くなっている。本実施形態では、第3積層体42、中間層43及び第4積層体44は、第1表面11aに垂直な方向から見た場合に薄化部34bと重なる部分において第3積層体42、中間層43及び第4積層体44の全部が除去されていることによって薄化されている。
第3積層体42、中間層43及び第4積層体44には、光透過領域1aを含むように開口40aが設けられている。開口40aは、光透過領域1aの大きさと略同一の径を有している。開口40aは、光出射側に開口しており、開口40aの底面は、反射防止層41に至っている。
第4積層体44の光出射側の表面には、遮光層45が形成されている。遮光層45は、例えばアルミニウム等からなる。遮光層45の表面及び開口40aの内面には、保護層46が形成されている。保護層46は、第3積層体42、中間層43、第4積層体44及び遮光層45の外縁を被覆すると共に、外縁部11c上の反射防止層41を被覆している。保護層46は、例えば酸化アルミニウムからなる。なお、保護層46の厚さを1nm~100nm(例えば、30nm程度)にすることで、保護層46による光学的な影響を無視することができる。
以上のように構成されたファブリペロー干渉フィルタ1においては、端子15,16を介して第1電極12と第3電極14との間に電圧が印加されると、当該電圧に応じた静電気力が第1電極12と第3電極14との間に発生する。当該静電気力によって、第2ミラー部32が、基板11に固定された第1ミラー部31側に引き付けられ、第1ミラー部31と第2ミラー部32との距離が調整される。このように、ファブリペロー干渉フィルタ1では、第1ミラー部31と第2ミラー部32との距離が可変とされている。
ファブリペロー干渉フィルタ1を透過する光の波長は、光透過領域1aにおける第1ミラー部31と第2ミラー部32との距離に依存する。したがって、第1電極12と第3電極14との間に印加する電圧を調整することで、透過する光の波長を適宜選択することができる。このとき、第2電極13は、第3電極14と同電位である。したがって、第2電極13は、光透過領域1aにおいて第1ミラー部31及び第2ミラー部32を平坦に保つための補償電極として機能する。
ファブリペロー干渉フィルタ1では、例えば、ファブリペロー干渉フィルタ1に印加する電圧を変化させながら(すなわち、ファブリペロー干渉フィルタ1において第1ミラー部31と第2ミラー部32との距離を変化させながら)、ファブリペロー干渉フィルタ1の光透過領域1aを透過した光を光検出器によって検出することで、分光スペクトルを得ることができる。
このように、積層構造部20には、空隙Sを介して互いに対向し、且つ、互いの距離が可変とされた第1ミラー部31及び第2ミラー部32と、主面20sの一部(ここでは中心側の円形状のエリア)と、を有するメンブレン構造部Mが設けられている。メンブレン構造部Mは、主面20sに交差(直交)する方向からみて、積層構造部20における中間層23と重複しない部分である。すなわち、主面20sに交差(直交)する方向からみたときのメンブレン構造部Mの外形は、中間層23の内縁によって規定され、ここでは円形状である(図1参照)。
本実施形態においては、メンブレン構造部Mは、主面20sに交差(直交)する方向からみて、一対の端子15の間、一対の端子16の間、及び、端子15と端子16との間に介在するように設けられている。換言すれば、この例では、一対の端子15、一対の端子16、及び、端子15,16は、それぞれ、メンブレン構造部Mを挟んで対向するように配置されている。また、端子15,16は、主面20sに交差(直交)する方向からみてメンブレン構造部Mの外側に位置する。一例として、端子15,16は、主面20sに交差(直交)する方向からみて、矩形状の積層構造部20の4つの角部のそれぞれに設けられている。また、端子15,16は、主面20sから突出している。
[吸着コレットの構成]
引き続いて、以上のファブリペロー干渉フィルタ1を吸着するための吸着コレットについて説明する。本実施形態に係る吸着コレットは、例えば、ウェハの切断により製造されたファブリペロー干渉フィルタ1のチップ群から1つのチップをピックアップして所定の位置に搬送する場合や、所定の位置に載置されたファブリペロー干渉フィルタ1をピックアップして実装箇所にさらに搬送する場合等に用いることができる。
図4,5は、本実施形態に係る吸着コレットを示す図である。図4は、底面図であり、図5は、図4のV-V線に沿っての断面図である。図4,5に示されるように、吸着コレット100は、本体部110と、延在部120と、接触部130と、を備えている。ここでは、本体部110、延在部120、及び接触部130は、互いに一体に形成されているが、互いに別体に構成されて接合されてもよい。
本体部110は、例えば直方体状を呈している。本体部110は、表面111と、表面111と反対側の表面112とを有している。延在部120は、表面111から突出するように表面111に設けられ、表面111に交差する方向に沿って延在している。延在部120は、例えば、表面111に交差する方向からみて、本体部110の一辺の長さよりも短い直径を有する円柱状であり、表面111の外縁よりも内側に配置されている。これにより、表面111は、外形が矩形状であり、且つ、内縁が円形状の環状を呈している。延在部120は、例えば、吸着コレット100を駆動するための装置(不図示)に吸着コレット100を接続する際に用いることができる。
表面112は、ファブリペロー干渉フィルタ1の外形に対応した形状であって、例えば矩形状(一例として正方形状)である。接触部130は、表面112から突出するように表面112に設けられている。接触部130は、ファブリペロー干渉フィルタ1を吸着する際にファブリペロー干渉フィルタ1に接触する部分である。本体部110及び延在部120には、本体部110及び延在部120の全長にわたって延在するように吸気孔140が設けられている。吸気孔140は、表面112に開口すると共に、延在部120における本体部110と反対側の端部に開口している。吸気孔140は、延在部120側の開口を介して、ポンプ等の吸気装置(不図示)に接続され得る。なお、吸気孔140は、本体部110及び延在部120の全長にわたって延在するように設けられていなくてもよい。例えば、吸気孔140は、本体部110の外側面(表面112に交差する面)に至って開口を形成していてもよい。この場合、吸気孔140は、本体部110の外側面の開口を介して吸気装置に接続され得る。
接触部130は、複数(ここでは4つ)の部分131からなる。それぞれの部分131は、長尺の直方体状に形成されている。部分131は、それぞれの長手方向が矩形状の互いに異なる辺に沿うように配列されている。また、部分131同士の間には空隙132が形成されている。ここでは、空隙132は、矩形状の4つの角部に対応する位置に設定されている。吸気孔140は、表面112に交差(直交)する方向からみて、表面112における部分131(接触部130)に囲われるエリアAに開口している。ここでは、表面112には、吸気孔140の複数(ここでは5つ)の開口141が形成されている。吸気孔140は、複数の開口141のそれぞれから表面111に向かって延びると共に、本体部110内において1つに接続されて一体化され、延在部120に至っている。したがって、吸気孔140の延在部120側の開口は1つである。
図6,7は、図4,5に示された吸着コレットがファブリペロー干渉フィルタを吸着した状態を示す模式図である。図6は、底面図(表面112側からみた図)であり、ファブリペロー干渉フィルタの一部を簡略化して破線で示している。図7は、図6のVII-VII線に沿っての模式的な断面図である。図7においては、第1積層体22及び第2積層体24の層構造、及び電極等を省略している。
図6,7に示されるように、接触部130は、ファブリペロー干渉フィルタ1の薄化部34bの底面(表面)34sに接触する接触面133を有している。ここでは、接触面133は、接触部130のそれぞれの部分131における表面112と反対側の表面である。表面112と接触面133との距離(表面112からの接触部130の高さ)D1は、底面34sと積層構造部20の主面20sとの距離D2よりも大きい。これにより、接触部130は、接触面133が底面34sに接触した状態(以下、単に「接触状態」という場合がある)において、表面112と主面20s(及び端子15,16の頂面)とが互いに離間した状態を維持し、表面112と主面20sとの間に空間Rを形成している。
接触部130は、接触状態において、表面112に交差(直交)する方向からみて、積層構造部20を囲うように延在している。より具体的には、ここでは、接触部130のそれぞれの部分131が、接触状態において、積層構造部20の外縁に沿うように配置される。したがって、上述したエリアAは、表面112のうち、接触状態において主面20sに対向する矩形状のエリアであって、空間Rに臨むエリアである。なお、接触状態において、表面112と主面20sとは、互いに略平行である。
表面112における吸気孔140の開口141は、このエリアAに形成されている。ここでは、開口141は、表面112に交差(直交)する方向からみて、エリアAの中心Cに対して対称的に分散されて配置されている。一例としては、1つの開口141が中心Cに配置されると共に、4つの開口141が中心Cを中心とする正方形の角部のそれぞれに対応する位置に配置されている。なお、主面20sに交差(直交)する方向からみたときのメンブレン構造部Mの中心とエリアAの中心Cとが一致するように吸着コレット100を配置することにより、複数の開口141が、主面20sに交差(直交)する方向からみてメンブレン構造部Mの中心に対しても対称的に分散されることになる。
接触部130には、接触状態において空間Rを外部に連通する連通部135が形成されている。これにより、空間Rは、接触状態においても密閉されない。連通部135は、接触部130の部分131の間の空隙132により形成されている(ここでは空隙132である)。したがって、ここでは、4つの連通部135が、矩形状に延びる接触部130が配置される領域の4つの角部に対応する位置に形成されることになる。接触状態において、接触部130の角部と、積層構造部20の角部とは、互いに対応している。したがって、連通部135のそれぞれは、接触状態において、積層構造部20の角部の端子15,16の外側において端子15,16に一対一で対応する位置に配置される。より具体的には、一対の連通部135が、一対の端子15を通る軸線上においてエリアAの中心Cに対して端子15の外側に配置され、別の一対の連通部135が、一対の端子16を通る軸線上においてエリアAの中心Cに対して端子16の外側に配置されている。なお、接触状態において連通部135が端子15,16の外側に配置されるとは、連通部135が、端子15,16における空隙S(すなわちメンブレン構造部M)とは反対側に配置されることを意味する。すなわち、主面20sに交差(直交)する方向からみたとき、端子15,16よりも空隙S(すなわちメンブレン構造部M)側が端子15,16よりも内側であるとし、その反対側が端子15,16よりも外側であるとする。
[吸着方法の実施形態]
引き続いて、以上の吸着コレット100を用いてファブリペロー干渉フィルタ1を吸着する吸着方法の一実施形態について説明する。図8は、本実施形態に係る吸着方法の工程を示す模式的な断面図である。図8においては、図7と同様に、第1積層体22及び第2積層体24の層構造、及び電極等を省略している。図8に示されるように、この方法においては、まず、ファブリペロー干渉フィルタ1に対して吸着コレット100を配置する(第1工程)。この第1工程においては、積層構造部20(及びメンブレン構造部M)の主面20sに吸着コレット100の本体部110の表面112が対向するように、且つ、接触面133のそれぞれが薄化部34bの底面34sに対向するように吸着コレット100を配置する。
続いて、図7に示されるように、吸着コレット100をファブリペロー干渉フィルタ1に接触させる(第2工程)。この第2工程においては、接触面133を底面34sに接触させる。上述したように、表面112と接触面133との距離(表面112からの接触部130の高さ)D1は、底面34sと積層構造部20の主面20sとの距離D2よりも大きい。したがって、接触面133を底面34sに接触させたときに、表面112と主面20sとが互いに離間した状態が維持され、表面112と主面20sとの間に空間Rが形成される。すなわち、この第2工程においては、表面112と主面20sとの間に空間Rを形成しつつ接触面133を底面34sに接触させる。
このとき、図6に示されるように、連通部135が、接触状態において、端子15,16の外側において端子15,16に対応する位置となる。また、連通部135が、接触状態において、積層構造部20の矩形状の4つの角部のそれぞれに対応する位置となる。さらに、複数の開口141が、主面20sに交差する方向からみてメンブレン構造部Mの中心に対して対称的に分散されるように配置される。これらの配置関係は、吸着コレット100の構造、及び、第1工程での相対的な配置によって実現される。すなわち、第1工程においては、連通部135が、接触状態において、端子15,16の外側において端子15,16に対応する位置になり、且つ、積層構造部20の矩形状の4つの角部のそれぞれに対応する位置となるように配置することになる。さらに、第1工程においては、上述したようにエリアAの中心Cとメンブレン構造部Mの中心とを実質的に一致させることにより、複数の開口141が、主面20sに交差する方向からみてメンブレン構造部Mの中心に対して対称的に分散されるように吸着コレット100を配置することになる。
続く工程においては、吸着コレット100によってファブリペロー干渉フィルタ1を吸着する(第3工程)。この第3工程においては、開口141を介した吸気により空間R内を排気する。これにより、開口141を介した吸気を解除するまで、吸着コレット100によってファブリペロー干渉フィルタ1が吸着保持された状態が維持される。なお、空間Rは、連通部135を介して外部に連通されている。このため、この第3工程においては、開口141を介した吸気によって、連通部135を介して空間R内に空気が導入されることになる。その後、必要に応じて、吸着コレット100ごと、ファブリペロー干渉フィルタ1を所定の位置まで搬送した後に、開口141を介した吸気を解除し、吸着コレット100からファブリペロー干渉フィルタ1を脱離させる。
以上説明したように、本実施形態に係る吸着方法の吸着対象となるファブリペロー干渉フィルタ1においては、基板11上の積層構造部20に対して、空隙Sを介して互いに対向し且つ互いの距離が可変とされた第1ミラー部31及び第2ミラー部32を有するメンブレン構造部Mが設けられている。したがって、例えば、このファブリペロー干渉フィルタ1を吸着して搬送する際に、一般の吸着冶具を用いると、接触によってメンブレン構造部Mの破損が生じるおそれがある。そして、それを避けるためにメンブレン構造部M以外の部分において吸着を行おうとすると、吸着及び保持が不安定になるおそれがある。
これに対して、この吸着方法においては、第1工程及び第2工程によって、吸着コレット100の本体部110の表面112に突設された接触部130を、その接触面133において積層構造部20の外側の薄化部34bの底面34sに接触させると共に、本体部110の表面112と積層構造部20の主面20sとの間に空間を形成する。そして、第3工程において、開口141を介しての吸気により、当該空間Rを排気して吸着を行う。すなわち、この吸着方法によれば、接触部130の接触面133を積層構造部20の外側においてファブリペロー干渉フィルタ1に接触させつつ、メンブレン構造部Mに一部が含まれる主面20s上の空間Rの排気によりファブリペロー干渉フィルタ1を吸着する。これにより、ファブリペロー干渉フィルタ1の吸着に際して、メンブレン構造部Mの破損を抑制しつつ安定した吸着保持が可能となる。
また、接触部130は、表面112に交差する方向からみて、表面112における空間Rに臨むエリアAを囲うように延在している。また、接触部130には、接触面133が底面34sに接触した状態において空間Rを外部に連通する連通部135が形成されている。そして、第3工程においては、開口141を介した吸気によって連通部135を介して空間R内に空気を導入する。これにより、吸気される空間Rに対して外部から連通部135を介して空気が導入されるため、適度な吸着を実現可能である。この結果、吸着を解除したときに、ファブリペロー干渉フィルタ1を安定して脱離させることが可能となる。
また、接触部130は、表面112に交差する方向からみてエリアAを囲うように互いに離間しつつ配列された複数の部分131からなる。そして、連通部135は、部分131の間の空隙132により形成される。このように、簡単な構成により連通部135が構成される。
また、積層構造部20には、主面20sに交差する方向からみてメンブレン構造部Mの外側に位置すると共に、主面20sから突出するように端子15,16が設けられている。そして、第1工程においては、連通部135が、接触面133が底面34sに接触した状態において、エリアAの中心Cに対して端子15,16の外側において端子15,16に対応する位置になるように、吸着コレット100を配置する。このため、連通部135から空間Rに導入される気流の少なくとも一部が、積層構造部20の主面20sから突出する端子15,16上を通過する際に主面20sから離れる方向に向けられる。このため、メンブレン構造部Mへの気流の悪影響が低減される。
また、積層構造部20は、主面20sに交差する方向からみて矩形状を呈している。そして、第1工程においては、連通部135が、接触面133が底面34sに接触した状態において、積層構造部20の矩形状の4つの角部のそれぞれに対応する位置となるように、吸着コレット100を配置する。このため、安定した吸気が可能となる。
さらに、表面112には、吸気孔140の複数の開口141が形成されている。そして、第1工程においては、複数の開口141が、主面20sに交差する方向からみてメンブレン構造部Mの中心に対して対称的に分散されるように吸着コレット100を配置する。このため、より安定した吸着及び保持が可能となる。
[変形例]
以上の実施形態は、本発明の一側面に係る吸着方法の一実施形態を説明したものである。したがって、本発明の一側面に係る吸着方法は、上述した吸着コレット100に限定されず、上述した吸着コレット100を任意に変形したものを用いた方法とすることができる。引き続いて、吸着コレットの変形例について説明する。
図9は、変形例に係る吸着コレットがファブリペロー干渉フィルタを吸着した状態を示す模式図である。図9は底面図(表面112側からみた図)であり、ファブリペロー干渉フィルタの一部を簡略化して破線で示している。図9に示されるように、この例では、接触部130及び接触面133が、表面112に交差(直交)する方向からみてエリアAを連続的に囲うように一体的に形成されている。ここでは、接触部130及び接触面133は、表面112に交差(直交)する方向からみて、薄化部34bに対応するように矩形環状に形成されている。
さらに、接触部130及び接触面133の角部(ここでは4つ全ての角部)には、表面112に交差(直交)する方向からみて、内縁側から外縁側に向けて窪む凹部136が形成されている。凹部136は、接触状態において積層構造部20の角部に対応するように配置されている。このように凹部136を設けることによって、接触部130を薄化部34b内に配置するときに、積層構造部20の角部との接触を確実に避けることが可能となる。
以上の変形例に係る吸着コレット100を用いた吸着方法によれば、吸気される空間Rが接触部130によって連続的に囲われることになるので、吸気孔140の開口141の位置に依らずに空間R内を均一に吸気可能である。このため、吸気孔140の開口141の位置の自由度が向上する。したがって、図9の例では、図6の場合と同様に、複数の開口141がエリアAの中心Cに対して対称的に分散されて配置されているが、開口141の個数及び位置は、これに限定されずに自由に設定できる。例えば、開口141は1つであってもよいし、複数であってもエリアA内において偏りを有するように配置されてもよい。なお、この変形例によれば、吸気を強めることなく吸着力を高めることができる。
ただし、上記の実施形態に係る吸着コレットにおいても、開口141の位置及び個数は、図6の場合に限定されず、種々の変形が可能である。
ここで、上記実施形態においては、積層構造部の外側に位置し、その主面よりも基板側に窪む薄化部として、薄化部34bを例示した。また、その薄化部34bの底面34sに接触面133が接触する態様を例示した。しかしながら、薄化部及び接触面の接触の態様はこれに限定されない。例えば、図3に示されるように、非薄化部34aも、主面20sよりも基板11側に窪んでいる。このため、例えば、非薄化部34aの幅を接触面133との接触に十分な程度に拡大させれば、薄化部とされ得る。この場合、接触面133は、その非薄化部34aの底面(基板11と反対側の表面)に接触することになる。また、薄化部34bを形成せずに、非薄化部34aのみが形成される場合も想定される。この場合にも、非薄化部34aが、接触面133が接触する薄化部となる。さらには、薄化部34bの厚さが0、すなわち、薄化部34bが形成されずに、基板11の第1表面11aが第2積層体24から露出していてもよい。この場合、その露出部分が、接触面133が接触する薄化部となる。以上のように、薄化部及び接触面の接触の態様は種々の変形が可能である。
図10は、別の変形例に係る吸着コレットを示す底面図である。図10の例においては、図4に示される例と同様に、接触部130が複数(4つ)の部分131から構成されている。それぞれの部分131は、L字状に形成されている。それぞれの部分131は、エリアAの矩形の一対の辺及び当該一対の辺を接続する角に沿うように配置されている。それぞれの部分131の角部には、表面112に交差(直交)する方向からみて、内縁側から外縁側に向けて窪む凹部136が形成されている。凹部136は、接触状態において積層構造部20の角部に対応するように配置されている。このように凹部136を設けることによって、接触部130を薄化部34b内に配置するときに、積層構造部20の角部との接触を確実に避けることが可能となる。部分131同士の間には空隙132が形成されている。ここでは、空隙132は、エリアAの矩形の4つの辺に対応する位置に設けられている。空隙132は、それぞれ、接触状態において空間Rを外部に連通する連通部135として機能する。このように、連通部135の位置(及び数)は任意に変更可能である。
以上の実施形態について、以下に付記する。
[付記1]
基板と、前記基板上に設けられ、前記基板と反対側に臨む主面を含む積層構造部と、前記主面に交差する方向からみて前記積層構造部の外側に位置し、前記主面よりも前記基板側に窪む薄化部と、を備えるファブリペロー干渉フィルタを吸着するための吸着コレットであって、
表面を有し、前記表面に開口する吸気孔が設けられた本体部と、
前記表面から突出するように前記表面に設けられ、前記薄化部の底面に接触する接触面を有する接触部と、
を備え、
前記積層構造部には、空隙を介して互いに対向し且つ互いの距離が可変とされた第1ミラー部及び第2ミラー部と前記主面の一部とを含むメンブレン構造部が設けられており、
前記接触部は、前記表面と前記接触面との距離が前記主面と前記底面との間の距離よりも大きくされることにより、前記接触面が前記底面に接触した状態において前記表面と前記主面との間に空間を形成し、
前記吸気孔の開口は、前記表面における前記空間に臨むエリアに形成されている、
吸着コレット。
[付記2]
前記接触部は、前記表面に交差する方向からみて前記エリアを囲うように延在し、
前記接触部には、前記接触面が前記底面に接触した状態において前記空間を外部に連通する連通部が形成されている、
付記1に記載の吸着コレット。
[付記3]
前記接触部は、前記表面に交差する方向からみて前記エリアを囲うように互いに離間しつつ配列された複数の部分からなり、
前記連通部は、前記部分の間の空隙により形成されている、
付記2に記載の吸着コレット。
[付記4]
前記積層構造部には、前記主面に交差する方向からみて前記メンブレン構造部の外側に位置すると共に、前記主面から突出する電極端子が設けられており、
前記連通部は、前記接触面が前記底面に接触した状態において、前記電極端子の外側において前記電極端子に対応する位置に設けられている、
付記2又は3に記載の吸着コレット。
[付記5]
前記積層構造部は、前記主面に交差する方向からみて矩形状を呈しており、
前記連通部は、前記接触面が前記底面に接触した状態において、前記積層構造部の前記矩形状の4つの角部のそれぞれに対応するように複数設けられている、
付記2~4のいずれか一項に記載の吸着コレット。
[付記6]
前記接触部は、前記表面に交差する方向からみて前記エリアを連続的に囲うように一体的に形成されている、
付記1に記載の吸着コレット。
[付記7]
前記表面には、前記吸気孔の複数の開口が形成されており、
前記複数の開口は、前記エリアの中心に対して対称的に分散されて配置されている、
付記1~6のいずれか一項に記載の吸着コレット。
ファブリペロー干渉フィルタの破損を抑制しつつ安定した吸着保持を可能とする吸着方法を提供できる。
1…ファブリペロー干渉フィルタ、11…基板、15,16…端子(電極端子)、20…積層構造部、20s…主面、31…第1ミラー部、32…第2ミラー部、34b…薄化部、34s…底面、100…吸着コレット、110…本体部、112…表面、130…接触部、131…部分、132…空隙、133…接触面、135…連通部、140…吸気孔、141…開口、A…エリア、D1,D2…距離、M…メンブレン構造部、R…空間。

Claims (7)

  1. 基板と、前記基板上に設けられ、前記基板と反対側に臨む主面を含む積層構造部と、前記主面に交差する方向からみて前記積層構造部の外側に位置し、前記主面よりも前記基板側に窪む薄化部と、を備えるファブリペロー干渉フィルタを吸着コレットを用いて吸着する吸着方法であって、
    前記主面に対向するように前記吸着コレットを配置する第1工程と、
    前記第1工程の後に、前記吸着コレットを前記ファブリペロー干渉フィルタに接触させる第2工程と、
    前記第2工程の後に、前記吸着コレットによって前記ファブリペロー干渉フィルタを吸着する第3工程と、
    を備え、
    前記吸着コレットは、吸気のための開口が形成された表面を有する本体部と、前記表面から突出するように前記表面に設けられ、接触面を有する接触部と、
    を備え、
    前記積層構造部には、空隙を介して互いに対向し且つ互いの距離が可変とされた第1ミラー部及び第2ミラー部と前記主面の一部とを含むメンブレン構造部が設けられており、
    前記第1工程においては、前記接触面が前記薄化部の底面に対向するように前記吸着コレットを配置し、
    前記第2工程においては、前記表面と前記主面との間に前記メンブレン構造部に臨む空間を形成しつつ前記接触面を前記底面に接触させ、
    前記第3工程においては、前記開口を介した吸気により前記メンブレン構造部に臨む前記空間内を排気する、
    吸着方法。
  2. 前記接触部は、前記表面に交差する方向からみて、前記表面における前記空間に臨むエリアを囲うように延在し、
    前記接触部には、前記接触面が前記底面に接触した状態において前記空間を外部に連通する連通部が形成されており、
    前記第3工程においては、前記開口を介した吸気によって前記連通部を介して前記空間内に空気を導入する、
    請求項1に記載の吸着方法。
  3. 前記接触部は、前記表面に交差する方向からみて前記エリアを囲うように互いに離間しつつ配列された複数の部分からなり、
    前記連通部は、前記部分の間の空隙により形成されている、
    請求項2に記載の吸着方法。
  4. 前記積層構造部には、前記主面に交差する方向からみて前記メンブレン構造部の外側に位置すると共に、前記主面から突出する電極端子が設けられており、
    前記第1工程においては、前記連通部が、前記接触面が前記底面に接触した状態において、前記電極端子の外側において前記電極端子に対応する位置になるように、前記吸着コレットを配置する、
    請求項2又は3に記載の吸着方法。
  5. 前記積層構造部は、前記主面に交差する方向からみて矩形状を呈しており、
    前記第1工程においては、前記連通部が、前記接触面が前記底面に接触した状態において、前記積層構造部の前記矩形状の4つの角部のそれぞれに対応する位置となるように、前記吸着コレットを配置する、
    請求項2~4のいずれか一項に記載の吸着方法。
  6. 前記接触部は、前記表面に交差する方向からみて、前記表面における前記空間に臨むエリアを連続的に囲うように一体的に形成されている、
    請求項1に記載の吸着方法。
  7. 前記表面には、複数の前記開口が形成されており、
    前記第1工程においては、前記複数の開口が、前記主面に交差する方向からみて前記メンブレン構造部の中心に対して対称的に分散されるように前記吸着コレットを配置する、
    請求項1~6のいずれか一項に記載の吸着方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6899314B2 (ja) * 2017-11-17 2021-07-07 浜松ホトニクス株式会社 吸着方法
US11551964B2 (en) * 2020-11-17 2023-01-10 Western Digital Technologies, Inc. Semiconductor wafer transfer arm

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005509897A (ja) 2001-11-16 2005-04-14 アトメル グルノーブル ソシエテ アノニム 調整可能な光学フィルタリング部品
JP2006351848A (ja) 2005-06-16 2006-12-28 Nikon Corp コレット、角錐コレット、ダイボンディング装置、及びダイボンディング方法
JP2007005336A (ja) 2005-06-21 2007-01-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品装着装置、電子部品装着方法および保持ツール
WO2015064749A1 (ja) 2013-10-31 2015-05-07 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3463227D1 (en) * 1984-08-03 1987-05-27 Loh Kg Optikmaschf Supporting device for vulnerable objects, in particular optical lenses and other optical elements
JP2830694B2 (ja) * 1993-06-25 1998-12-02 松下電工株式会社 半導体装置の実装装置及びその実装方法
JPH0766268A (ja) 1993-08-20 1995-03-10 Sony Corp 半導体チップの吸着装置
CN1178392A (zh) * 1996-09-19 1998-04-08 株式会社日立制作所 静电吸盘和应用了静电吸盘的样品处理方法及装置
JP4541807B2 (ja) * 2004-09-03 2010-09-08 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体素子保持装置および半導体素子の搬送方法
CN2766341Y (zh) * 2004-12-14 2006-03-22 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 集成电路装卸夹具
TWI571418B (zh) * 2009-07-22 2017-02-21 契摩曼&許爾波運用技術有限公司 真空抓持器
FI20095976A0 (fi) 2009-09-24 2009-09-24 Valtion Teknillinen Mikromekaanisesti säädettävä Fabry-Perot -interferometri ja menetelmä sen tuottamiseksi
JP6001961B2 (ja) 2012-08-29 2016-10-05 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
JP2014063791A (ja) 2012-09-20 2014-04-10 Tokyo Electron Ltd 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5575934B2 (ja) 2013-01-25 2014-08-20 東京エレクトロン株式会社 接合装置及び接合システム
CN104600000A (zh) 2013-10-30 2015-05-06 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种基板周边吸附烘烤结构
JP6419635B2 (ja) 2014-04-23 2018-11-07 株式会社アルバック 保持装置、真空処理装置
JP6339909B2 (ja) 2014-09-17 2018-06-06 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP5908136B1 (ja) * 2015-03-03 2016-04-26 株式会社ハーモテック 吸引装置
JP6568781B2 (ja) 2015-04-04 2019-08-28 東京エレクトロン株式会社 基板保持方法、基板保持装置、処理方法及び処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005509897A (ja) 2001-11-16 2005-04-14 アトメル グルノーブル ソシエテ アノニム 調整可能な光学フィルタリング部品
JP2006351848A (ja) 2005-06-16 2006-12-28 Nikon Corp コレット、角錐コレット、ダイボンディング装置、及びダイボンディング方法
JP2007005336A (ja) 2005-06-21 2007-01-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品装着装置、電子部品装着方法および保持ツール
WO2015064749A1 (ja) 2013-10-31 2015-05-07 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置

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