TW201933524A - 吸附方法 - Google Patents

吸附方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201933524A
TW201933524A TW107140700A TW107140700A TW201933524A TW 201933524 A TW201933524 A TW 201933524A TW 107140700 A TW107140700 A TW 107140700A TW 107140700 A TW107140700 A TW 107140700A TW 201933524 A TW201933524 A TW 201933524A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
contact
adsorption
fabry
interference filter
perot interference
Prior art date
Application number
TW107140700A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI810221B (zh
Inventor
廣瀬真樹
柴山勝己
笠原隆
川合敏光
大山泰生
蔵本有未
Original Assignee
日商濱松赫德尼古斯股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 filed Critical 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司
Publication of TW201933524A publication Critical patent/TW201933524A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI810221B publication Critical patent/TWI810221B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
    • B25J15/06—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means
    • B25J15/0616—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means with vacuum
    • B25J15/065—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means with vacuum provided with separating means for releasing the gripped object after suction
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
    • B25J15/06—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means
    • B25J15/0616—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means with vacuum
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1847—Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/28—Interference filters
    • G02B5/284—Interference filters of etalon type comprising a resonant cavity other than a thin solid film, e.g. gas, air, solid plates

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • External Artificial Organs (AREA)

Abstract

本發明之吸附方法係使用吸附夾頭吸附法布里-珀羅干涉濾波器之吸附方法，該法布里-珀羅干涉濾波器具備基板、設置於上述基板上且包含面向與上述基板相反側之主面之積層構造部、及自與上述主面交叉之方向觀察位於上述積層構造部之外側且較上述主面更朝上述基板側凹陷之薄化部，且該吸附方法具備：第1步驟，其以與上述主面對向之方式配置上述吸附夾頭；第2步驟，其於上述第1步驟之後，使上述吸附夾頭接觸於上述法布里-珀羅干涉濾波器；及第3步驟，其於上述第2步驟之後，藉由上述吸附夾頭吸附上述法布里-珀羅干涉濾波器。

Description

吸附方法
本發明之一態樣係關於吸附方法。
作為先前之法布里-珀羅干涉濾波器，已知一種具備基板、於基板上介隔空隙而彼此對向之固定鏡面及可動鏡面、以及劃定空隙之中間層者(例如，參照專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特表2013-506154號公報
[發明所欲解決之問題]
於個別搬送如上述之法布里-珀羅干涉濾波器之晶片時，考慮例如使用吸附夾頭將晶片個別地吸附並保持。此時，若吸附夾頭接觸到可動鏡面，會有產生可動鏡面破損之虞。為了避免此種問題，考慮以吸附夾頭不接觸可動鏡面之方式吸附法布里-珀羅干涉濾波器之可動鏡面以外之部分。然而，於該情形時，可能產生難以穩定地吸附保持之新的問題。
因此，本發明之一態樣之目的在於提供一種可一面抑制法布里-珀羅干涉濾波器之破損一面穩定地加以吸附保持之吸附方法。
[解決問題之技術手段]
本發明之一態樣之吸附方法係使用吸附夾頭吸附法布里-珀羅干涉濾波器之吸附方法，該法布里-珀羅干涉濾波器具備基板、設置於基板上且包含面向與基板相反側之主面之積層構造部、及自與上述主面交叉之方向觀察位於積層構造部之外側且較上述主面更朝上述基板側凹陷之薄化部，且該吸附方法具備：第1步驟，其以與主面對向之方式配置吸附夾頭；第2步驟，其於第1步驟之後，使上述吸附夾頭接觸於法布里-珀羅干涉濾波器；及第3步驟，其於上述第2步驟之後，藉由吸附夾頭吸附法布里-珀羅干涉濾波器；吸附夾頭具備：本體部，其具有形成有用於吸氣之開口之表面；及接觸部，其以自表面突出之方式設置於表面，且具有接觸面；於積層構造部，設置有包含介隔空隙而彼此對向且彼此之距離為可變之第1鏡面部及第2鏡面部、及主面之一部分之膜片構造部；於第1步驟中，以接觸面與薄化部之底面對向之方式配置吸附夾頭，於第2步驟中，於表面與主面之間形成空間並且使接觸面接觸於底面，於第3步驟中，藉由經由開口之吸氣而將空間內排氣。
於該吸附方法之吸附對象之法布里-珀羅干涉濾波器中，設置有膜片構造部，其具有相對於基板上之積層構造部介隔空隙而彼此對向、且彼此之距離為可變之第1鏡面部及第2鏡面部。因此，例如，於吸附該法布里-珀羅干涉濾波器並搬送時，若使用一般之吸附治具，會有因接觸而產生膜片構造部破損之虞。且，若為了避免該情況而於膜片構造部以外之部分進行吸附，則有吸附及保持變得不穩定之虞。
相對於此，於該吸附方法中，藉由第1步驟及第2步驟，使突設於吸附夾頭之本體部之表面之接觸部於該接觸面上接觸於積層構造部之外側之薄化部之底面，且於本體部之表面與積層構造部之主面之間形成空間。且，於第3步驟中，藉由經由開口之吸氣，將該空間內排氣而進行吸附。即，根據該吸附方法，於積層構造部之外側使接觸部之接觸面接觸於法布里-珀羅干涉濾波器並加以支持，並且藉由對一部分包含於膜片構造部之主面上之空間進行排氣而吸附法布里-珀羅干涉濾波器。藉此，於吸附法布里-珀羅干涉濾波器時，可抑制膜片構造部破損且穩定地加以保持吸附。
本發明之一態樣之吸附方法中亦可為，接觸部自與表面交叉之方向觀察，以包圍表面之面向空間之區域之方式延伸；於接觸部形成有於接觸面接觸於底面之狀態下將空間與外部連通之連通部；於第3步驟中，藉由經由開口之吸氣而經由連通部將空氣導入空間內。於該情形時，由於對要被吸氣之空間自外部經由連通部而導入空氣，故可實現適當之吸附。其結果，於解除吸附時，可使法布里-珀羅干涉濾波器穩定地脫離。
本發明之一態樣之吸附方法中亦可為，接觸部包含自與表面交叉之方向觀察以包圍區域之方式彼此分開並排列之複數個部分；連通部係由部分之間之空隙形成。於該情形時，可藉由簡單之構成而構成連通部。
本發明之一態樣之吸附方法中亦可為，於積層構造部，設置有自與主面交叉之方向觀察位於膜片構造部之外側且自主面突出之電極端子；於第1步驟中，以連通部於接觸面接觸於底面之狀態下於電極端子之外側位於與電極端子對應之位置之方式配置吸附夾頭。於該情形時，自連通部導入空間之氣流之至少一部分會於通過自積層構造部之主面突出之電極端子上時朝向自主面離開之方向，故可降低氣流對膜片構造部之不良影響。
本發明之一態樣之吸附方法中亦可為，積層構造部自與主面交叉之方向觀察呈矩形狀；於第1步驟中，以連通部於接觸面接觸於底面之狀態下成為與積層構造部之矩形狀之4個角部之各者對應之位置之方式配置吸附夾頭。於該情形時，可進行穩定之吸氣。
本發明之一側面之吸附方法中亦可為，接觸部自與表面交叉之方向觀察，以連續地包圍表面之面向空間之區域之方式一體地形成。於該情形時，由於要被吸氣之空間由接觸部連續地包圍，故可不侷限於吸氣孔之開口之位置而於空間內均一地吸氣。因此，提高吸氣孔之開口之位置之自由度。又，無需加強吸氣即可提高吸附力。
本發明之一態樣之吸附方法中亦可為，於表面形成有複數個開口；於第1步驟中，以複數個開口自與主面交叉之方向觀察相對於膜片構造部之中心對稱地分散之方式配置吸附夾頭。於該情形時，可更穩定地加以吸附及保持。
[發明之效果]
根據本發明之一態樣，可提供一種可抑制法布里-珀羅干涉濾波器之破損且穩定地加以吸附保持之吸附方法。
以下，對一實施形態參照圖式詳細說明。另，各圖中，有對相同之要素彼此或相當之要素彼此附加彼此相同之符號而省略重複之說明之情形。本實施形態之吸附方法係使用吸附夾頭進行法布里-珀羅干涉濾波器之吸附。因此，首先，對吸附對象之法布里-珀羅干涉濾波器之一實施形態進行說明。
[法布里-珀羅干涉濾波器之構成]
圖1係本實施形態之法布里-珀羅干涉濾波器之俯視圖。圖2係圖1所示之法布里-珀羅干涉濾波器之仰視圖。圖3係沿著圖1之Ⅲ–Ⅲ線之法布里-珀羅干涉濾波器之剖視圖。
如圖1～3所示，法布里-珀羅干涉濾波器1具備基板11。基板11具有第1表面11a及與第1表面11a對向之第2表面11b。於第1表面11a，依次積層有反射防止層21、第1積層體22、中間層23及第2積層體24。於第1積層體22與第2積層體24之間，藉由框狀之中間層23劃定空隙(氣隙)S。自與第1積層體22、中間層23及第1表面11a交叉(正交)之方向觀察位於第1積層體22上之第2積層體24之一部分係構成積層構造部20。積層構造部20設置於基板11之第1表面11a上，且包含面向與基板11相反側之主面20s。主面20s係第2積層體24之表面24a之一部分。
自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形(俯視)之各部之形狀及位置關係如下所述。基板11之外緣例如為矩形狀。基板11之外緣與第2積層體24之外緣彼此一致。反射防止層21之外緣、第1積層體22之外緣及中間層23之外緣係彼此一致。因此，積層構造部20亦於俯視下(自與主面20s交叉(正交)之方向觀察之情形下)為矩形狀。基板11具有相對於空隙S之中心位於較中間層23之外緣更外側之外緣部11c。外緣部11c例如為框狀，於自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時包圍中間層23。
法布里-珀羅干涉濾波器1於被劃定為其中央部之光透過區域1a中，使具有特定波長之光透過。光透過區域1a為例如圓柱狀之區域。基板11例如由矽、石英或玻璃等構成。於基板11由矽構成之情形時，反射防止層21及中間層23例如由氧化矽構成。中間層23之厚度例如為數十 nm以上數十 μm以下。
第1積層體22之中與光透過區域1a對應之部分係作為第1鏡面部31發揮功能。第1鏡面部31介隔反射防止層21配置於第1表面11a。第1積層體22係藉由將複數層多晶矽層25與複數層氮化矽層26逐層交互積層而構成。於本實施形態中，將多晶矽層25a、氮化矽層26a、多晶矽層25b、氮化矽層26b及多晶矽層25c依次積層於反射防止層21上。構成第1鏡面部31之多晶矽層25及氮化矽層26各者之光學厚度可為中心透過波長之1/4之整數倍。另，第1鏡面部31亦可不介隔反射防止層21而直接配置於第1表面11a上。
第2積層體24之中與光透過區域1a對應之部分係作為第2鏡面部32發揮功能。第2鏡面部32相對於第1鏡面部31於與基板11之相反側中介隔空隙S而與第1鏡面部31對向。第2積層體24經由反射防止層21、第1積層體22及中間層23配置於第1表面11a。第2積層體24係藉由將複數層多晶矽層27與複數層氮化矽層28逐層交互積層而構成。於本實施形態中，將多晶矽層27a、氮化矽層28a、多晶矽層27b、氮化矽層28b及多晶矽層27c依序積層於中間層23上。構成第2鏡面部32之多晶矽層27及氮化矽層28各者之光學厚度可為中心透過波長之1/4之整數倍。
另，於第1積層體22及第2積層體24中，亦可取代氮化矽層而使用氧化矽層。又，作為構成第1積層體22及第2積層體24之各層之材料，亦可使用氧化鈦、氧化鉭、氧化鋯、氟化鎂、氧化鋁、氟化鈣、矽、鍺、硫化鋅等。又，此處，第1鏡面部31之空隙S側之表面(多晶矽層25c之表面)與第2鏡面部32之空隙S側之表面(多晶矽層27a之表面)介隔空隙S而直接對向。惟於第1鏡面部31之空隙S側之表面及第2鏡面部32之空隙S側之表面，亦可形成(不構成鏡面)電極層或保護層。於該情形時，第1鏡面部31與第2鏡面部32係於其間介置有該等層之狀態下，介隔空隙S而彼此對向。換言之，即使於此種情形下，仍可實現第1鏡面部31與第2鏡面部32之介隔空隙S之對向。
於第2積層體24中與空隙S對應之部分，形成有自第2積層體24之與中間層23為相反側之表面24a (積層構造部20之主面20s)到達至空隙S之複數個貫通孔24b。複數個貫通孔24b形成為不會對第2鏡面部32之功能造成實質性影響之程度。複數個貫通孔24b係用來藉由蝕刻去除中間層23之一部分形成空隙S。
第2積層體24除第2鏡面部32以外，進而具有被覆部33與周緣部34。第2鏡面部32、被覆部33及周緣部34具有彼此相同之積層構造之一部分，且以相互連續之方式一體地形成。被覆部33於自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時包圍第2鏡面部32。被覆部33被覆中間層23之與基板11為相反側之表面23a以及中間層23之側面23b(外側之側面，即與空隙S側為相反側之側面)、第1積層體22之側面22a及反射防止層21之側面21a，到達至第1表面11a。即，被覆部33被覆中間層23之外緣、第1積層體22之外緣及反射防止層21之外緣。
周緣部34於自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時包圍被覆部33。周緣部34位於外緣部11c之第1表面11a上。周緣部34之外緣自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時與基板11之外緣一致。
周緣部34係沿著外緣部11c之外緣被薄化。即，周緣部34之中沿著外緣部11c之外緣之部分與除周緣部34之中沿著外緣之部分以外之其他部分相比變薄。於本實施形態中，周緣部34藉由去除構成第2積層體24之多晶矽層27及氮化矽層28之一部分而被薄化。周緣部34具有與被覆部33連續之非薄化部34a、及包圍非薄化部34a之薄化部34b。於薄化部34b中，直接設置於第1表面11a上之多晶矽層27a以外之多晶矽層27及氮化矽層28已被去除。
如此，法布里-珀羅干涉濾波器1除積層構造部20以外，進而具備薄化部34b，其自與主面20s交叉(正交)之方向觀察位於積層構造部20之外側，且較主面20s更朝基板11側凹陷。薄化部34b自與主面20s交叉(正交)之方向觀察時，以包圍積層構造部20之方式形成為環狀(此處為矩形環狀)。薄化部34b例如於要將已形成對應於法布里-珀羅干涉濾波器1之複數個區域之晶圓切斷成各個單個之法布里-珀羅干涉濾波器1時使用。薄化部34b例如藉由蝕刻第2積層體24之積層構造而形成。
非薄化部34a之與基板11相反側之表面34c距離第1表面11a之高度，低於中間層23之表面23a距離第1表面11a之高度。非薄化部34a之表面34c距離第1表面11a之高度為例如100 nm～5000 nm。中間層23之表面23a距離第1表面11a之高度於例如500 nm～20000 nm之範圍內，為較非薄化部34a之表面34c距離第1表面11a之高度更大之高度。薄化部34b之寬度(非薄化部34a之外緣與外緣部11c之外緣之間之距離)為基板11之厚度之0.01倍以上。薄化部34b之寬度為例如5 μm～400 μm。基板11之厚度例如為500 μm至800 μm。
於第1鏡面部31上以包圍光透過區域1a之方式形成有第1電極12。第1電極12係藉由於多晶矽層25c摻雜雜質使其低電阻化而形成。於第1鏡面部31，以包含光透過區域1a之方式形成有第2電極13。第2電極13係藉由於多晶矽層25c摻雜雜質使其低電阻化而形成。第2電極13之大小可為包含光透過區域1a之全體之大小，但亦可與光透過區域1a之大小大致相同。
於第2鏡面部32形成有第3電極14。第3電極14介隔空隙S與第1電極12及第2電極13對向。第3電極14係藉由於多晶矽層27a摻雜雜質使其低電阻化而形成。
端子(電極端子)15以隔著光透過區域1a而對向之方式設置有一對。各端子15配置於自第2積層體24之表面24a(積層構造部20之主面20s)至第1積層體22之貫通孔內。各端子15經由配線12a與第1電極12電性連接。端子15例如由鋁或其合金等之金屬膜形成。
端子(電極端子)16以隔著光透過區域1a而對向之方式設置有一對。各端子16配置於自第2積層體24之表面24a(積層構造部20之主面20s)至第1積層體22之貫通孔內。各端子16經由配線13a與第2電極13電性連接，且經由配線14a與第3電極14電性連接。端子16例如由鋁或其合金等之金屬膜形成。一對端子15對向之方向與一對端子16對向之方向係正交(參照圖1)。
於第1積層體22之表面22b，設置有溝槽17、18。溝槽17以包圍配線13a中之與端子16之連接部分之方式環狀延伸。溝槽17與第1電極12、配線13a電性絕緣。溝槽18沿第1電極12之內緣環狀延伸。溝槽18與第1電極12及第1電極12之內側之區域(第2電極13)電性絕緣。各溝槽17、18內之區域可為絕緣材料，亦可為空隙。
於第2積層體24之表面24a(積層構造部20之主面20s)，設置有溝槽19。溝槽19以包圍端子15之方式環狀延伸。溝槽19與端子15、第3電極14電性絕緣。溝槽19內之區域可為絕緣材料，亦可為空隙。
於基板11之第2表面11b，依序積層有反射防止層41、第3積層體42、中間層43及第4積層體44。反射防止層41及中間層43各自具有與反射防止層21及中間層23同樣之構成。第3積層體42及第4積層體44各自具有以基板11為基準而與第1積層體22及第2積層體24對稱之積層構造。反射防止層41、第3積層體42、中間層43及第4積層體44具有抑制基板11翹曲之功能。
第3積層體42、中間層43及第4積層體44沿著外緣部11c之外緣被薄化。即，第3積層體42、中間層43及第4積層體44之中沿著外緣部11c之外緣之部分，與除第3積層體42、中間層43及第4積層體44之中沿著外緣之部分以外之其他部分相比變薄。於本實施形態中，第3積層體42、中間層43及第4積層體44係於自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時於與薄化部34b重合之部分，藉由去除第3積層體42、中間層43及第4積層體44之全部而被薄化。
於第3積層體42、中間層43及第4積層體44，以包含光透過區域1a之方式設置有開口40a。開口40a具有與光透過區域1a之大小大致相同之徑。開口40a於光出射側開口，開口40a之底面到達至反射防止層41。
於第4積層體44之光出射側之表面形成有遮光層45。遮光層45例如由鋁等構成。於遮光層45之表面及開口40a之內面形成有保護層46。保護層46被覆第3積層體42、中間層43、第4積層體44及遮光層45之外緣，且被覆外緣部11c上之反射防止層41。保護層46例如由氧化鋁構成。另，藉由將保護層46之厚度設為1 nm～100 nm(例如，30 nm左右)，可忽視保護層46之光學性之影響。
如以上般構成之法布里-珀羅干涉濾波器1中，若經由端子15、16於第1電極12與第3電極14之間施加電壓，會於第1電極12與第3電極14之間產生與該電壓對應之靜電力。藉由該靜電力，將第2鏡面部32朝固定於基板11之第1鏡面部31側牽引，而調整第1鏡面部31與第2鏡面部32之距離。如此，於法布里-珀羅干涉濾波器1中，第1鏡面部31與第2鏡面部32之距離為可變。
透過法布里-珀羅干涉濾波器1之光之波長依存於光透過區域1a中之第1鏡面部31與第2鏡面部32之距離。因此，藉由調整施加於第1電極12與第3電極14之間之電壓，可適當選擇透過之光之波長。此時，第2電極13與第3電極14相同電位。因此，第2電極13於光透過區域1a中作為用於將第1鏡面部31及第2鏡面部32保持為平坦之補償電極而發揮功能。
於法布里-珀羅干涉濾波器1中，例如，藉由一面使時間於法布里-珀羅干涉濾波器1之電壓變化(即，於法布里-珀羅干涉濾波器1中使第1鏡面部31與第2鏡面部32之距離變化)，一面藉由光檢測器檢測透過法布里-珀羅干涉濾波器1之光透過區域1a之光，可獲得分光光譜。
如此，於積層構造部20，設置有膜片構造部M，其具有介隔空隙S而相互對向且彼此之距離為可變之第1鏡面部31及第2鏡面部32、及主面20s之一部分(此處為中心側之圓形狀之區域)。膜片構造部M自與主面20s交叉(正交)之方向觀察，為與積層構造部20之中間層23不重疊之部分。即，自與主面20s交叉(正交)之方向觀察時之膜片構造部M之外形係由中間層23之內緣規定，此處為圓形狀(參照圖1)。
於本實施形態中，膜片構造部M自與主面20s交叉(正交)之方向觀察，設置為介置於一對端子15之間、一對端子16之間及端子15與端子16之間。換言之，於該例中，一對端子15、一對端子16及端子15、16分別配置為隔著膜片構造部M而對向。又，端子15、16自與主面20s交叉(正交)之方向觀察位於膜片構造部M之外側。作為一例，端子15、16自與主面20s交叉(正交)之方向觀察，設置於矩形狀之積層構造部20之4個角部之各者。又，端子15、16自主面20s突出。
[吸附夾頭之構成]
接著，對用於吸附以上之法布里-珀羅干涉濾波器1之吸附夾頭進行說明。本實施形態之吸附夾頭例如可使用於例如自藉由切斷晶圓而製造之法布里-珀羅干涉濾波器1之晶片群中拾取1個晶片且搬送至特定位置之情形，及拾取載置於特定位置之法布里-珀羅干涉濾波器1且進而搬送至安裝部位等之情形等。
圖4、5係顯示本實施形態之吸附夾頭之圖。圖4係仰視圖，圖5係沿圖4之V-V線之剖視圖。如圖4、5所示，吸附夾頭100具備本體部110、延伸部120及接觸部130。此處，本體部110、延伸部120及接觸部130彼此形成為一體，但亦可各自單獨構成並接合。
本體部110呈例如長方體狀。本體部110具有表面111、及與表面111為相反側之表面112。延伸部120以自表面突出之方式設置於表面111，沿與表面111交叉之方向延伸。延伸部120例如自與表面111交叉之方向觀察，具有較本體部110之一邊之長度更短之直徑之圓柱狀，且配置於較表面111之外緣更內側。由此，表面111之外形為矩形狀，且內緣呈圓形狀之環狀。延伸部120例如可於將吸附夾頭100連接於用於驅動吸附夾頭100之裝置(未圖示)時使用。
表面112為與法布里-珀羅干涉濾波器1之外形對應之形狀，例如為矩形狀(舉例如正方形狀)。接觸部130以自表面112突出之方式設置於表面112。接觸部130係於吸附法布里-珀羅干涉濾波器1時接觸於法布里-珀羅干涉濾波器1之部分。於本體部110及延伸部120，以遍及本體部110及延伸部120之全長而延伸之方式設置有吸氣孔140。吸氣孔140於表面112開口，且於延伸部120之與本體部110相反側之端部開口。吸氣孔140可經由延伸部120側之開口而連接於泵等吸氣裝置(未圖示)。另，吸氣孔140亦可不設置為遍及本體部110及延伸部120之全長而延伸。例如，吸氣孔140亦可到達至本體部110之外側面(與表面112交叉之面)而形成開口。於該情形時，吸氣孔140可經由本體部110之外側面之開口而連接於吸氣裝置。
接觸部130包含複數個(此處為4個)部分131。各個部分131形成為長條之長方體狀。部分131以其各自之長邊方向沿著矩形狀之彼此不同之邊而排列。又，於部分131彼此之間形成有空隙132。此處，空隙132設定在與矩形狀之4個角部對應之位置。吸氣孔140係自與表面112交叉(正交)之方向觀察，於表面112上之由部分131(接觸部130)包圍之區域A開口。此處，於表面112，形成有吸氣孔140之複數個(此處為5個)開口141。吸氣孔140自複數個開口141之各者向表面111延伸，且於本體部110內連接成1個並一體化，到達延伸部120。因此，吸氣孔140之延伸部120側之開口為1個。
圖6、7係顯示圖4、5所示之吸附夾頭吸附法布里-珀羅干涉濾波器之狀態之模式圖。圖6係底視圖(自表面112側觀察之圖)，將法布里-珀羅干涉濾波器之一部分簡化並以虛線表示。圖7係沿著圖6之VII–VII線之模式性剖視圖。於圖7中，省略第1積層體22及第2積層體24之層構造及電極等。
如圖6、7所示，接觸部130具有接觸於法布里-珀羅干涉濾波器1之薄化部34b之底面(表面)34s之接觸面133。此處，接觸面133係與接觸部130之各者之部分131之與表面112為相反側之表面。表面112與接觸面133之距離(接觸部130距離表面112之高度)D1大於底面34s與積層構造部20之主面20s之距離D2。藉此，接觸部130於接觸面133接觸於底面34s之狀態(以下，有時僅稱為「接觸狀態」)下，維持表面112與主面20s(及端子15、16之頂面)彼此分開之狀態，於表面112與主面20s之間形成空間R。
接觸部130於接觸狀態下，自與表面112交叉(正交)之方向觀察，以包圍積層構造部20之方式延伸。更具體而言，此處，接觸部130之各者之部分131於接觸狀態下，以沿著積層構造部20之外緣之方式配置。因此，上述之區域A係於表面112之中於接觸狀態下與主面20s對向之矩形狀之區域，且係面向空間R之區域。另，於接觸狀態下，表面112與主面20s彼此大致平行。
表面112之吸氣孔140之開口141形成於該區域A。此處，開口141自與表面112交叉(正交)之方向觀察，相對於區域A之中心C對稱地分散配置。作為一例，1個開口141配置於中心C，且4個開口141配置於與以中心C為中心之正方形之角部之各者對應之位置。另，藉由以自與主面20s交叉(正交)之方向觀察時之膜片構造部M之中心與區域A之中心C一致之方式配置吸附夾頭100，複數個開口141自與主面20s交叉(正交)之方向觀察時相對於膜片構造部M之中心亦對稱地分散。
於接觸部130形成有於接觸狀態下將空間R與外部連通之連通部135。藉此，空間R於接觸狀態下亦可不密閉。連通部135藉由接觸部130之部分131之間之空隙132而形成(此處為空隙132)。因此，此處，4個連通部135形成於對應於配置矩形狀延伸之接觸部130之區域之4個角部之位置。於接觸狀態下，接觸部130之角部與積層構造部20之角部彼此對應。因此，連通部135之各者於接觸狀態下，於積層構造部20之角部之端子15、16之外側配置於與端子15、16一對一地對應之位置。更具體而言，一對連通部135於通過一對端子15之軸線上相對於區域A之中心C配置於端子15之外側，另一對連通部135於通過一對端子16之軸線上相對於區域A之中心C配置於端子16之外側。另，於接觸狀態下連通部135配置於端子15、16之外側，意味著連通部135配置於端子15、16之與空隙S(即膜片構造部M)為相反側。即，設為自與主面20s交叉(正交)之方向觀察時，空隙S(即膜片構造部M)側位於較端子15、16更內側，其相反側位於較端子15、16更外側。
[吸附方法之實施形態]
接著，對使用以上之吸附夾頭100吸附法布里-珀羅干涉濾波器1之吸附方法之一實施形態進行說明。圖8係表示本實施形態之吸附方法之步驟之模式性剖視圖。於圖8中，與圖7同樣地，省略第1積層體22、第2積層體24之層構造及電極等。如圖8所示，於該方法中，首先對法布里-珀羅干涉濾波器1配置吸附夾頭100(第1步驟)。於該第1步驟中，以吸附夾頭100之本體部110之表面112與積層構造部20(及膜片構造部M)之主面20s對向之方式，且以接觸面133之各者與薄化部34b之底面34s對向之方式配置吸附夾頭100。
接著，如圖7所示，使吸附夾頭100接觸於法布里-珀羅干涉濾波器1(第2步驟)。於該第2步驟中，使接觸面133接觸於底面34s。如上所述，表面112與接觸面133之距離(接觸部130距離表面112之高度)D1大於底面34s與積層構造部20之主面20s之距離D2。因此，於使接觸面133接觸於底面34s時，維持表面112與主面20s彼此分開之狀態，於表面112與主面20s之間形成空間R。即，於該第2步驟中，於表面112與主面20s之間形成空間R且使接觸面133接觸於底面34s。
此時，如圖6所示，連通部135於接觸狀態下，於端子15、16之外側成為與端子15、16對應之位置。又，連通部135於接觸狀態下，成為對應於積層構造部20之矩形狀之4個角部之各者之位置。進而，複數個開口141配置為自與主面20s交叉之方向觀察相對於膜片構造部M之中心對稱地分散。該等之配置關係係藉由吸附夾頭100之構造及於第1步驟中之相對之配置實現。即，於第1步驟中，連通部135於接觸狀態下，於端子15、16之外側成為對應於端子15、16之位置、且以成為積層構造部20之矩形狀之4個角部之各者之位置之方式配置。進而，於第1步驟中，如上所述，藉由使區域A之中心C與膜片構造部M之中心實質地一致，將吸附夾頭100配置為複數個開口141自與主面20s交叉之方向觀察相對於膜片構造部M之中心對稱地分散。
於後續之步驟中，藉由吸附夾頭100吸附法布里-珀羅干涉濾波器1(第3步驟)。於該第3步驟中，藉由經由開口141之吸氣而將空間內R排氣。藉此，維持藉由吸附夾頭100吸附保持法布里-珀羅干涉濾波器1之狀態，直到解除經由開口141之吸氣為止。另，空間R經由連通部135與外部連通。因此，於該第3步驟中，藉由經由開口141之吸氣，經由連通部135將空氣導入空間R內。其後，根據需要，於每個吸附夾頭100將法布里-珀羅干涉濾波器1搬送至特定位置後，解除經由開口141之吸氣，使法布里-珀羅干涉濾波器1自吸附夾頭100脫離。
如以上說明般，於本實施形態之吸附方法之成為吸附對象之法布里-珀羅干涉濾波器1中，相對於基板11上之積層構造部20，設置有具有介隔空隙S而相互對向且彼此之距離為可變之第1鏡面部31及第2鏡面部32之膜片構造部M。因此，例如，於吸附該法布里-珀羅干涉濾波器1並搬送時，若使用一般之吸附治具，會有因接觸而產生膜片構造部M破損之虞。且，若為了避免該情況而於膜片構造部M以外之部分進行吸附，會有吸附及保持變得不穩定之虞。
相對於此，於該吸附方法中，藉由第1步驟及第2步驟，使突設於吸附夾頭100之本體部110之表面112之接觸部130於其接觸面133接觸於積層構造部20之外側之薄化部34b之底面34s，且於本體部110之表面112與積層構造部20之主面20s之間形成空間。且，於第3步驟中，藉由經由開口141之吸氣，將該空間R排氣而進行吸附。即，根據該吸附方法，於積層構造部20之外側一面使接觸部130之接觸面133接觸於法布里-珀羅干涉濾波器1，一面藉由對一部分包含於膜片構造部M之主面20s上之空間R進行排氣而吸附法布里-珀羅干涉濾波器1。藉此，於吸附法布里-珀羅干涉濾波器1時，可抑制膜片構造部M破損並穩定地加以吸附保持。
又，接觸部130自與表面112交叉之方向觀察，以包圍表面112之面向空間R之區域A之方式延伸。又，於接觸部130形成有於接觸面133接觸於底面34s之狀態下將空間R與外部連通之連通部135。且，於第3步驟中，藉由經由開口141之吸氣而經由連通部135將空氣導入空間R內。藉此，由於相對於要被吸氣之空間R自外部經由連通部135導入空氣，故可實現適當之吸附。其結果，於接觸吸附時，可使法布里-珀羅干涉濾波器1穩定地脫離。
又，接觸部130包含自與表面112交叉之方向觀察以包圍區域A之方式彼此分開而排列之複數個部分131。且，連通部135係藉由部分131之間之空隙132形成。如此，藉由簡單之構成而構成連通部135。
又，於積層構造部20，以自與主面20s交叉之方向觀察位於膜片構造部M側之外側且以自主面20s突出之方式設置端子15、16。且，於第1步驟中，以連通部135於接觸面133接觸於底面34s之狀態下成為相對於區域A之中心C於端子15、16之外側對應於端子15、16之位置之方式配置吸附夾頭100。因此，自連通部135導入空間R之氣流之至少一部分通過自積層構造部20之主面20s突出之端子15、16上時會朝向自主面20s離開之方向。因此，降低氣流對膜片構造部M之不良影響。
又，積層構造部20自與主面20s交叉之方向觀察呈矩形狀。且，於第1步驟中，以連通部135於接觸面133接觸於底面34s之狀態下成為與積層構造部20之矩形狀之4個角部之各者對應之位置之方式配置吸附夾頭100。因此，可進行穩定之吸氣。
進而，於表面112，形成有吸氣孔140之複數個開口141。且，於第1步驟中，以複數個開口141自與主面20s交叉之方向觀察相對於膜片構造部M之中心對稱地分散之方式配置吸附夾頭100。因此，可進行更穩定之吸附及保持。
[變化例]
以上之實施形態係說明本發明之一態樣之吸附方法之一實施形態者。因此，本發明之一態樣之吸附方法不限定於上述之吸附夾頭100，可採用使用將上述之吸附夾頭100任意變化之方法。接著，對吸附夾頭之變化例進行說明。
圖9係表示變化例之吸附夾頭吸附法布里-珀羅干涉濾波器之狀態之模式圖。圖9係仰視圖(自表面112側觀察之圖)，將法布里-珀羅干涉濾波器之一部分簡化並以虛線表示。如圖9所示，於該例中，接觸部130及接觸面133自與表面112交叉(正交)之方向觀察以連續包圍區域A之方式一體地形成。此處，接觸部130及接觸面133自與表面112交叉(正交)之方向觀察，以對應於薄化部34b之方式形成為矩形環狀。
進而，於接觸部130及接觸面133之角部(此處為全部4個角部)，形成有自與表面112交叉(正交)之方向觀察自內緣側朝向外緣側凹陷之凹部136。凹部136於接觸狀態下以對應於積層構造部20之角部之方式配置。如此，藉由設置凹部136，將接觸部130配置於薄化部34b內時，可確實地避免與積層構造部20之角部接觸。
根據使用以上之變化例之吸附夾頭100之吸附方法，由於要被吸氣之空間R藉由接觸部130連續地包圍，故可不侷限於吸氣孔140之開口141之位置而於空間R內均一地吸氣。因此，提高吸氣孔140之開口141之位置之自由度。因此，於圖9之例中，與圖6之情形同樣地，將複數個開口141相對於區域A之中心C對稱地分散而配置，但開口141之個數及位置並不限定於此，可自由地設定。例如，開口141可為1個，即使為複數個，亦可於區域A內非均勻地配置。另，根據該變化例，可無需加強吸氣而提高吸附力。
惟於上述之實施形態之吸附夾頭中，開口141之位置及個數並不限定於圖6之情形，亦可進行種種變化。
此處，於上述之實施形態中，作為位於積層構造部之外側且較其主面更朝基板側凹陷之薄化部，例示出薄化部34b。又，例示出接觸面133接觸該薄化部34b之底面34s之態樣。然而，薄化部及接觸面之接觸之態樣並不限定於此。例如，如圖3所示，非薄化部34a亦較主面20s更朝基板11側凹陷。因此，例如，只要使非薄化部34a之寬度擴大至與接觸面133充分接觸之程度，即可獲得薄化部。於該情形時，接觸面133接觸於該非薄化部34a之底面(與基板11為相反側之表面)。又，亦假定不形成薄化部34b，僅形成非薄化部34a之情形。於該情形時，非薄化部34a亦成為接觸面133所接觸之薄化部。進而，薄化部34b之厚度亦可為0，即，不形成薄化部34b，而是將基板11之第1表面11a自第2積層體24露出。於該情形時，該露出部分成為接觸面133所接觸之薄化部。如以上，薄化部及接觸面之接觸之態樣可進行種種變化。
圖10係顯示另一變形例之吸附夾頭之仰視圖。於圖10之例中，與圖4所示之例同樣地，接觸部130由複數個(4個)部分131構成。各個部分131形成為L字狀。各個部分131以沿著區域A之矩形之一對邊及連接該一對邊之角之方式配置。於各個部分131之角部，自與表面112交叉(正交)之方向觀察，形成自內緣側向外緣側凹陷之凹部136。凹部136於接觸狀態下以對應於積層構造部20之角部之方式配置。如此，藉由設置凹部136，將接觸部130配置於薄化部34b內，可確實地避免與積層構造部20之角部接觸。於部分131之間形成有空隙132。此處，空隙132設置於與區域A之矩形之4條邊對應之位置。空隙132各自於接觸狀態下作為將空間R與外部連通之連通部135發揮功能。如此，可任意變更連通部135之位置(及數量)。
針對以上之實施形態，於以下附註。
[附記1]
一種吸附夾頭，其係用於吸附具備基板、設置於上述基板上且包含面向與上述基板相反側之主面之積層構造部、及自與上述主面交叉之方向觀察位於上述積層構造部之外側且較上述主面更朝上述基板側凹陷之薄化部之法布里-珀羅干涉濾波器者，且具備：
本體部，其具有表面，且設置有於上述表面開口之吸氣孔；及
接觸部，其以自上述表面突出之方式設置於上述表面，且具有接觸於上述薄化部之底面之接觸面；
於上述積層構造部，設置有包含介隔空隙而彼此對向且彼此之距離為可變之第1鏡面部及第2鏡面部、及上述主面之一部分之膜片構造部；
上述接觸部藉由將上述表面與上述接觸面之距離設為大於上述主面與上述底面之間之距離，而於上述接觸面接觸於上述底面之狀態下於上述表面與上述主面之間形成空間；
上述吸氣孔之開口形成於上述表面之面向上述空間之區域。
[附記2]
如附記1記載之吸附夾頭，其中
上述接觸部自與上述表面交叉之方向觀察以包圍上述區域之方式延伸；
於上述接觸部形成有於上述接觸面接觸於上述底面之狀態下將上述空間與外部連通之連通部。
[附記3]
如附記2記載之吸附夾頭，其中
上述接觸部包含自與上述表面交叉之方向觀察以包圍上述區域之方式相互分開並排列之複數個部分；
上述連通部係由上述部分之間之空隙形成。
[附記4]
如附記2或3記載之吸附夾頭，其中
於上述積層構造部，設置有自與上述主面交叉之方向觀察位於上述膜片構造部之外側且自上述主面突出之電極端子；
上述連通部於上述接觸面接觸於上述底面之狀態下，於上述電極端子之外側設置於與上述電極端子對應之位置。
[附記5]
如附記2至4中任一項記載之吸附夾頭，其中
上述積層構造部自與上述主面交叉之方向觀察呈矩形狀；
上述連通部於上述接觸面接觸於上述底面之狀態下，以對應於上述積層構造部之上述矩形狀之4個角部之各者之方式設置有複數個。
[附記6]
如附記1記載之吸附夾頭，其中上述接觸部自與上述表面交叉之方向觀察以連續地包圍上述區域之方式一體地形成。
[付記7]
如附記1至6中任一項記載之吸附夾頭，其中
於上述表面形成有上述吸氣孔之複數個開口，
上述複數個開口相對於上述區域之中心對稱地分散而配置。
[產業上之可利用性]
本發明可提供一種可抑制法布里-珀羅干涉濾波器之破損且穩定地加以吸附保持之吸附方法。
1‧‧‧法布里-珀羅干涉濾波器
1a‧‧‧光透過區域
11‧‧‧基板
11a‧‧‧第1表面
11b‧‧‧第2表面
11c‧‧‧外緣部
12‧‧‧第1電極
12a‧‧‧配線
13‧‧‧第2電極
13a‧‧‧配線
14‧‧‧第3電極
14a‧‧‧配線
15‧‧‧端子(電極端子)
15s‧‧‧頂面
16‧‧‧端子(電極端子)
16s‧‧‧頂面
17‧‧‧溝槽
18‧‧‧溝槽
19‧‧‧溝槽
20‧‧‧積層構造部
20c‧‧‧角部
20d‧‧‧角部
20s‧‧‧主面
21‧‧‧反射防止層
21a‧‧‧側面
22‧‧‧第1積層體
22a‧‧‧側面
22b‧‧‧表面
23‧‧‧中間層
23a‧‧‧表面
23b‧‧‧側面
24‧‧‧第2積層體
24a‧‧‧表面
24b‧‧‧貫通孔
25‧‧‧多晶矽層
25a‧‧‧多晶矽層
25b‧‧‧多晶矽層
25c‧‧‧多晶矽層
26‧‧‧氮化矽層
26a‧‧‧氮化矽層
26b‧‧‧氮化矽層
27‧‧‧多晶矽層
27a‧‧‧多晶矽層
27b‧‧‧多晶矽層
27c‧‧‧多晶矽層
28‧‧‧氮化矽層
28a‧‧‧氮化矽層
28b‧‧‧氮化矽層
31‧‧‧第1鏡面部
32‧‧‧第2鏡面部
33‧‧‧被覆部
34‧‧‧周緣部
34a‧‧‧非薄化部
34b‧‧‧薄化部
34c‧‧‧表面
34s‧‧‧底面
40a‧‧‧開口
41‧‧‧反射防止層
42‧‧‧第3積層體
43‧‧‧中間層
44‧‧‧第4積層體
45‧‧‧遮光層
46‧‧‧保護層
100‧‧‧吸附夾頭
110‧‧‧本體部
111‧‧‧表面
112‧‧‧表面
120‧‧‧延伸部
130‧‧‧接觸部
130e‧‧‧邊緣
131‧‧‧部分
131e‧‧‧邊緣
132‧‧‧空隙
133‧‧‧接觸面
135‧‧‧連通部
136‧‧‧凹部
140‧‧‧吸氣孔
141‧‧‧開口
150‧‧‧引導部
160‧‧‧接觸部
160e‧‧‧邊緣
161‧‧‧接觸面
161e‧‧‧邊緣
A‧‧‧區域
C‧‧‧中心
D1、D2‧‧‧距離
S‧‧‧空隙
M‧‧‧膜片構造部
R‧‧‧空間
V-V‧‧‧線
圖1係本實施形態之法布里-珀羅干涉濾波器之俯視圖。
圖2係圖1所示之法布里-珀羅干涉濾波器之仰視圖。
圖3係沿著圖1之Ⅲ–Ⅲ線之法布里-珀羅干涉濾波器之剖視圖。
圖4係表示本實施形態之吸附夾頭之圖。
圖5係表示本實施形態之吸附夾頭之圖。
圖6係表示吸附著圖4、5所示之法布里-珀羅干涉濾波器之狀態之模式圖。
圖7係表示吸附著圖4、5所示之法布里-珀羅干涉濾波器之狀態之模式圖。
圖8係顯示本實施形態之吸附方法之步驟之模式性剖視圖。
圖9係顯示變化例之吸附夾頭吸附著法布里-珀羅干涉濾波器之狀態之模式圖。
圖10係顯示另一變化例之吸附夾頭之仰視圖。

Claims (7)

  1. 一種吸附方法，其係使用吸附夾頭吸附法布里-珀羅干涉濾波器之吸附方法，該法布里-珀羅干涉濾波器具備基板、設置於上述基板上且包含面向與上述基板相反側之主面之積層構造部、及自與上述主面交叉之方向觀察位於上述積層構造部之外側且較上述主面更朝上述基板側凹陷之薄化部，且該吸附方法具備： 第1步驟，其以與上述主面對向之方式配置上述吸附夾頭； 第2步驟，其於上述第1步驟之後，使上述吸附夾頭接觸於上述法布里-珀羅干涉濾波器；及 第3步驟，其於上述第2步驟之後，藉由上述吸附夾頭吸附上述法布里-珀羅干涉濾波器； 上述吸附夾頭具備：本體部，其具有形成用於吸氣之開口之表面；及接觸部，其以自上述表面突出之方式設置於上述表面，且具有接觸面； 於上述積層構造部，設置有包含介隔空隙而彼此對向且彼此之距離為可變之第1鏡面部及第2鏡面部、及上述主面之一部分之膜片構造部； 於上述第1步驟中，以上述接觸面與上述薄化部之底面對向之方式配置上述吸附夾頭； 於上述第2步驟中，於上述表面與上述主面之間形成空間並且使上述接觸面接觸於上述底面； 於上述第3步驟中，藉由經由上述開口之吸氣而將上述空間內排氣。
  2. 如請求項1之吸附方法，其中 上述接觸部自與上述表面交叉之方向觀察，以包圍上述表面之面向上述空間之區域之方式延伸； 於上述接觸部形成有於上述接觸面接觸於上述底面之狀態下將上述空間與外部連通之連通部； 於上述第3步驟中，藉由經由上述開口之吸氣而經由上述連通部將空氣導入上述空間內。
  3. 如請求項2之吸附方法，其中 上述接觸部包含自與上述表面交叉之方向觀察以包圍上述區域之方式彼此分開並排列之複數個部分； 上述連通部係由上述部分之間之空隙形成。
  4. 如請求項2或3之吸附方法，其中 於上述積層構造部，設置有自與上述主面交叉之方向觀察位於上述膜片構造部之外側且自上述主面突出之電極端子； 於上述第1步驟中，以上述連通部於上述接觸面接觸於上述底面之狀態下於上述電極端子之外側位於與上述電極端子對應之位置之方式配置上述吸附夾頭。
  5. 如請求項2至4中任一項之吸附方法，其中 上述積層構造部自與上述主面交叉之方向觀察呈矩形狀； 於上述第1步驟中，以上述連通部於上述接觸面接觸於上述底面之狀態下成為對應於上述積層構造部之上述矩形狀之4個角部之各者之位置之方式配置上述吸附夾頭。
  6. 如請求項1之吸附方法，其中 上述接觸部自與上述表面交叉之方向觀察，以連續地包圍上述表面之面向上述空間之區域之方式一體地形成。
  7. 如請求項1至6中任一項之吸附方法，其中 於上述表面形成有複數個上述開口； 於上述第1步驟中，以上述複數個開口自與上述主面交叉之方向觀察相對於上述膜片構造部之中心對稱地分散之方式配置上述吸附夾頭。
TW107140700A 2017-11-17 2018-11-16 吸附方法 TWI810221B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017221852 2017-11-17
JP2017-221852 2017-11-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201933524A true TW201933524A (zh) 2019-08-16
TWI810221B TWI810221B (zh) 2023-08-01

Family

ID=66538630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107140700A TWI810221B (zh) 2017-11-17 2018-11-16 吸附方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US11865701B2 (zh)
EP (1) EP3712929B1 (zh)
JP (2) JP7348069B2 (zh)
KR (2) KR20240052898A (zh)
CN (1) CN111357091B (zh)
FI (1) FI3712929T3 (zh)
TW (1) TWI810221B (zh)
WO (1) WO2019098142A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6899314B2 (ja) * 2017-11-17 2021-07-07 浜松ホトニクス株式会社 吸着方法
US11551964B2 (en) * 2020-11-17 2023-01-10 Western Digital Technologies, Inc. Semiconductor wafer transfer arm

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3463227D1 (en) * 1984-08-03 1987-05-27 Loh Kg Optikmaschf Supporting device for vulnerable objects, in particular optical lenses and other optical elements
JP2830694B2 (ja) * 1993-06-25 1998-12-02 松下電工株式会社 半導体装置の実装装置及びその実装方法
JPH0766268A (ja) * 1993-08-20 1995-03-10 Sony Corp 半導体チップの吸着装置
CN1178392A (zh) 1996-09-19 1998-04-08 株式会社日立制作所 静电吸盘和应用了静电吸盘的样品处理方法及装置
FR2832512B1 (fr) 2001-11-16 2004-01-02 Atmel Grenoble Sa Composant de filtrage optique accordable
JP4541807B2 (ja) * 2004-09-03 2010-09-08 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体素子保持装置および半導体素子の搬送方法
CN2766341Y (zh) * 2004-12-14 2006-03-22 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 集成电路装卸夹具
JP2006351848A (ja) * 2005-06-16 2006-12-28 Nikon Corp コレット、角錐コレット、ダイボンディング装置、及びダイボンディング方法
JP2007005336A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品装着装置、電子部品装着方法および保持ツール
EP2456694A2 (de) * 2009-07-22 2012-05-30 Zimmermann & Schilp Handhabungstechnik GmbH Vakuum-greifer
FI20095976A0 (fi) 2009-09-24 2009-09-24 Valtion Teknillinen Mikromekaanisesti säädettävä Fabry-Perot -interferometri ja menetelmä sen tuottamiseksi
JP6001961B2 (ja) 2012-08-29 2016-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
JP2014063791A (ja) 2012-09-20 2014-04-10 Tokyo Electron Ltd 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5575934B2 (ja) 2013-01-25 2014-08-20 東京エレクトロン株式会社 接合装置及び接合システム
CN104600000A (zh) * 2013-10-30 2015-05-06 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种基板周边吸附烘烤结构
US10184832B2 (en) * 2013-10-31 2019-01-22 Hamamatsu Photonics K.K. Light-detecting device
JP6419635B2 (ja) 2014-04-23 2018-11-07 株式会社アルバック 保持装置、真空処理装置
JP6339909B2 (ja) 2014-09-17 2018-06-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP5908136B1 (ja) * 2015-03-03 2016-04-26 株式会社ハーモテック 吸引装置
JP6568781B2 (ja) 2015-04-04 2019-08-28 東京エレクトロン株式会社 基板保持方法、基板保持装置、処理方法及び処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019098142A1 (ja) 2019-05-23
CN111357091A (zh) 2020-06-30
KR20240052898A (ko) 2024-04-23
US11865701B2 (en) 2024-01-09
JP7506801B2 (ja) 2024-06-26
EP3712929A1 (en) 2020-09-23
JP2023115036A (ja) 2023-08-18
KR102659311B1 (ko) 2024-04-22
CN111357091B (zh) 2023-09-22
JP7348069B2 (ja) 2023-09-20
FI3712929T3 (fi) 2023-11-09
EP3712929B1 (en) 2023-09-13
KR20200086690A (ko) 2020-07-17
EP3712929A4 (en) 2021-08-25
JPWO2019098142A1 (ja) 2020-12-03
US20210362351A1 (en) 2021-11-25
TWI810221B (zh) 2023-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7506801B2 (ja) 吸着方法
US20160200569A1 (en) Method for manufacturing electronic component
TWI738839B (zh) 法布立-培若干涉濾光器
US10724902B2 (en) Fabry-Perot interference filter
JP2024096806A (ja) 運搬方法
TWI774875B (zh) 吸附方法
TWI769343B (zh) 晶圓
JP2007294820A (ja) 半導体装置およびその製造方法