CN111357091B - 吸附方法 - Google Patents

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Abstract

吸附方法是使用吸附夹头吸附法布里‑帕罗干涉滤波器的吸附方法，该法布里‑帕罗干涉滤波器具备基板、设置于上述基板上且包含面向与上述基板相反侧的主面的层叠结构部、及自与上述主面交叉的方向观察位于上述层叠结构部的外侧且较上述主面更朝上述基板侧凹陷的薄化部，该吸附方法具备：第1工序，其以与上述主面相对的方式配置上述吸附夹头；第2工序，其在上述第1工序之后，使上述吸附夹头接触于上述法布里‑帕罗干涉滤波器；及第3工序，其在上述第2工序之后，通过上述吸附夹头吸附上述法布里‑帕罗干涉滤波器。

Description

吸附方法
技术领域
本发明的一个方面涉及一种吸附方法。
背景技术
作为现有的法布里-帕罗干涉滤波器，已知有一种具备基板、在基板上经由空隙而彼此相对的固定镜及可动镜、以及划分空隙的中间层的滤波器(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2013-506154号公报
发明内容
发明所要解决的问题
在个别地搬送上述那样的法布里-帕罗干涉滤波器的芯片时，考虑例如使用吸附夹头将芯片个别地吸附并保持。此时，若吸附夹头接触到可动镜，则会有产生可动镜破损的担忧。为了避免这样的问题，考虑以吸附夹头不接触于可动镜的方式吸附法布里-帕罗干涉滤波器中的可动镜以外的部分。然而，在该情况下，可能产生难以稳定地吸附保持这样的新的问题。
因此，本发明的一个方面的目的在于提供一种可抑制法布里-帕罗干涉滤波器的破损且稳定地加以吸附保持的吸附方法。
解决问题的技术手段
本发明的一个方面所涉及的吸附方法，是使用吸附夹头吸附法布里-帕罗干涉滤波器的吸附方法，该法布里-帕罗干涉滤波器具备基板、设置于基板上且包含面向与基板相反侧的主面的层叠结构部、及自与主面交叉的方向观察位于层叠结构部的外侧且较主面更朝基板侧凹陷的薄化部，该吸附方法具备：第1工序，其以与主面相对的方式配置吸附夹头；第2工序，其在第1工序之后，使吸附夹头接触于法布里-帕罗干涉滤波器；及第3工序，其在第2工序之后，通过吸附夹头吸附法布里-帕罗干涉滤波器；吸附夹头具备：主体部，其具有形成有用于吸气的开口的表面；及接触部，其以自表面突出的方式设置于表面，且具有接触面；在层叠结构部，设置有包含经由空隙而彼此相对且彼此的距离为可变的第1镜部及第2镜部、及主面的一部分的膜结构部；在第1工序中，以接触面与薄化部的底面相对的方式配置吸附夹头，在第2工序中，在表面与主面之间形成空间并且使接触面接触于底面，在第3工序中，通过经由开口的吸气而将空间内排气。
在作为该吸附方法的吸附对象的法布里-帕罗干涉滤波器中，相对于基板上的层叠结构部，设置有具有经由空隙而彼此相对且彼此的距离为可变的第1镜部及第2镜部的膜结构部。因此，例如，在吸附该法布里-帕罗干涉滤波器并搬送时，若使用一般的吸附夹具，则会有因接触而产生膜结构部的破损的担忧。于是，若为了避免该情况而在膜结构部以外的部分进行吸附，则有吸附及保持变得不稳定的担忧。
相对于此，在该吸附方法中，通过第1工序及第2工序，使突设于吸附夹头的主体部的表面的接触部在该接触面上接触于层叠结构部的外侧的薄化部的底面，且在主体部的表面与层叠结构部的主面之间形成空间。于是，在第3工序中，通过经由开口的吸气，将该空间排气而进行吸附。即，根据该吸附方法，在层叠结构部的外侧使接触部的接触面接触于法布里-帕罗干涉滤波器并加以支撑，并且通过一部分包含于膜结构部的主面上的空间的排气而吸附法布里-帕罗干涉滤波器。由此，在吸附法布里-帕罗干涉滤波器时，可抑制膜结构部破损且稳定地加以保持吸附。
本发明的一个方面所涉及的吸附方法中，也可为，接触部自与表面交叉的方向观察，以包围表面的面向空间的区域的方式延伸；在接触部形成有在接触面接触于底面的状态下将空间与外部连通的连通部；在第3工序中，通过经由开口的吸气而经由连通部将空气导入空间内。在该情况下，由于对被吸气的空间自外部经由连通部而导入空气，因而可实现适度的吸附。其结果，在解除吸附时，可使法布里-帕罗干涉滤波器稳定地脱离。
本发明的一个方面所涉及的吸附方法中，也可为，接触部由自与表面交叉的方向观察以包围区域的方式彼此分开并排列的多个部分构成；连通部由部分之间的空隙形成。在该情况下，可通过简单的结构而构成连通部。
本发明的一个方面所涉及的吸附方法中，也可为，在层叠结构部，设置有自与主面交叉的方向观察位于膜结构部的外侧且自主面突出的电极端子；在第1工序中，以连通部在接触面接触于底面的状态下在电极端子的外侧成为与电极端子对应的位置的方式配置吸附夹头。在该情况下，自连通部导入空间的气流的至少一部分会在通过自层叠结构部的主面突出的电极端子上时朝向自主面离开的方向，因而可降低气流对膜结构部的不良影响。
本发明的一个方面所涉及的吸附方法中，也可为，层叠结构部自与主面交叉的方向观察呈矩形状；在第1工序中，以连通部在接触面接触于底面的状态下成为与层叠结构部的矩形状的4个角部的各个对应的位置的方式配置吸附夹头。在该情况下，可进行稳定的吸气。
本发明的一个方面所涉及的吸附方法中，也可为，接触部自与表面交叉的方向观察，以连续地包围表面的面向空间的区域的方式一体地形成。在该情况下，由于被吸气的空间由接触部连续地包围，因而可不管吸气孔的开口的位置而在空间内均匀地吸气。因此，吸气孔的开口的位置的自由度提高。另外，可不加强吸气而提高吸附力。
本发明的一个方面所涉及的吸附方法中，也可为，在表面形成有多个开口；在第1工序中，以多个开口自与主面交叉的方向观察相对于膜结构部的中心对称地分散的方式配置吸附夹头。在该情况下，可更稳定地加以吸附及保持。
发明的效果
根据本发明的一个方面，可提供一种可抑制法布里-帕罗干涉滤波器的破损且稳定地加以吸附保持的吸附方法。
附图说明
图1是本实施方式的法布里-帕罗干涉滤波器的俯视图。
图2是图1所示的法布里-帕罗干涉滤波器的仰视图。
图3是沿着图1的Ⅲ–Ⅲ线的法布里-帕罗干涉滤波器的剖视图。
图4是表示本实施方式的吸附夹头的图。
图5是表示本实施方式的吸附夹头的图。
图6是表示图4、5所示的吸附夹头吸附法布里-帕罗干涉滤波器的状态的模式图。
图7是表示图4、5所示的吸附夹头吸附法布里-帕罗干涉滤波器的状态的模式图。
图8是显示本实施方式的吸附方法的工序的模式性剖视图。
图9是显示变形例的吸附夹头吸附法布里-帕罗干涉滤波器的状态的模式图。
图10是显示另一变形例的吸附夹头的仰视图。
具体实施方式
以下，对一个实施方式参照附图进行详细的说明。另外，各图中，有时对相同的要素彼此或相当的要素彼此附加彼此相同的符号而省略重复的说明。本实施方式的吸附方法使用吸附夹头进行法布里-帕罗干涉滤波器的吸附。因此，首先，对作为吸附对象的法布里-帕罗干涉滤波器的一个实施方式进行说明。
[法布里-帕罗干涉滤波器的结构]
图1是本实施方式的法布里-帕罗干涉滤波器的俯视图。图2是图1所示的法布里-帕罗干涉滤波器的仰视图。图3是沿着图1的Ⅲ–Ⅲ线的法布里-帕罗干涉滤波器的剖视图。
如图1～3所示，法布里-帕罗干涉滤波器1具备基板11。基板11具有第1表面11a及与第1表面11a相对的第2表面11b。在第1表面11a，依次层叠有反射防止层21、第1层叠体22、中间层23及第2层叠体24。在第1层叠体22与第2层叠体24之间，通过框状的中间层23划分空隙(气隙)S。第1层叠体22、中间层23及自与第1表面11a交叉(正交)的方向观察位于第1层叠体22上的第2层叠体24的一部分构成层叠结构部20。层叠结构部20设置于基板11的第1表面11a上，且包含面向与基板11相反侧的主面20s。主面20s是第2层叠体24的表面24a的一部分。
自垂直于第1表面11a的方向观察的情况下(俯视)的各部的形状及位置关系如下所述。基板11的外缘为例如矩形状。基板11的外缘与第2层叠体24的外缘彼此一致。反射防止层21的外缘、第1层叠体22的外缘及中间层23的外缘彼此一致。因此，层叠结构部20也在俯视时(自与主面20s交叉(正交)的方向观察的情况下)为矩形状。基板11具有相对于空隙S的中心位于较中间层23的外缘更外侧的外缘部11c。外缘部11c例如为框状，在自垂直于第1表面11a的方向观察的情况下包围中间层23。
法布里-帕罗干涉滤波器1在被划分于其中央部的光透过区域1a中，使具有规定的波长的光透过。光透过区域1a为例如圆柱状的区域。基板11例如由硅、石英或玻璃等构成。在基板11由硅构成的情况下，反射防止层21及中间层23例如由氧化硅构成。中间层23的厚度例如为数十nm以上数十μm以下。
第1层叠体22中与光透过区域1a对应的部分作为第1镜部31发挥功能。第1镜部31经由反射防止层21配置于第1表面11a。第1层叠体22通过将多层多晶硅层25与多层氮化硅层26逐层交替地层叠而构成。在本实施方式中，将多晶硅层25a、氮化硅层26a、多晶硅层25b、氮化硅层26b及多晶硅层25c按该顺序层叠于反射防止层21上。构成第1镜部31的多晶硅层25及氮化硅层26各自的光学厚度可为中心透过波长的1/4的整数倍。另外，第1镜部31也可不经由反射防止层21而直接配置于第1表面11a上。
第2层叠体24中与光透过区域1a对应的部分作为第2镜部32发挥功能。第2镜部32相对于第1镜部31在与基板11相反侧经由空隙S而与第1镜部31相对。第2层叠体24经由反射防止层21、第1层叠体22及中间层23配置于第1表面11a。第2层叠体24通过将多层多晶硅层27与多层氮化硅层28逐层交替地层叠而构成。在本实施方式中，将多晶硅层27a、氮化硅层28a、多晶硅层27b、氮化硅层28b及多晶硅层27c按该顺序层叠于中间层23上。构成第2镜部32的多晶硅层27及氮化硅层28各自的光学厚度可为中心透过波长的1/4的整数倍。
另外，在第1层叠体22及第2层叠体24中，也可取代氮化硅层而使用氧化硅层。另外，作为构成第1层叠体22及第2层叠体24的各层的材料，也可使用氧化钛、氧化钽、氧化锆、氟化镁、氧化铝、氟化钙、硅、锗、硫化锌等。另外，此处，第1镜部31的空隙S侧的表面(多晶硅层25c的表面)与第2镜部32的空隙S侧的表面(多晶硅层27a的表面)经由空隙S而直接相对。但在第1镜部31的空隙S侧的表面及第2镜部32的空隙S侧的表面，也可形成(不构成镜的)电极层或保护层。在该情况下，第1镜部31与第2镜部32在使这些层介于其间的状态下，经由空隙S而彼此相对。换言之，即使在此种情况下，也可实现第1镜部31与第2镜部32的经由空隙S的相对。
在第2层叠体24中与空隙S对应的部分，形成有自第2层叠体24的与中间层23相反侧的表面24a(层叠结构部20的主面20s)到达空隙S的多个贯通孔24b。多个贯通孔24b形成为不会对第2镜部32的功能造成实质性影响的程度。多个贯通孔24b用于通过蚀刻去除中间层23的一部分而形成空隙S。
第2层叠体24除第2镜部32以外，还具有包覆部33与周缘部34。第2镜部32、包覆部33及周缘部34以具有彼此相同的层叠结构的一部分且相互连续的方式一体地形成。包覆部33在自垂直于第1表面11a的方向观察的情况下包围第2镜部32。包覆部33包覆中间层23的与基板11相反侧的表面23a以及中间层23的侧面23b(外侧的侧面，即与空隙S侧相反侧的侧面)、第1层叠体22的侧面22a及反射防止层21的侧面21a，并到达第1表面11a。即，包覆部33包覆中间层23的外缘、第1层叠体22的外缘及反射防止层21的外缘。
周缘部34在自与第1表面11a垂直的方向观察的情况下包围包覆部33。周缘部34位于外缘部11c的第1表面11a上。周缘部34的外缘自与第1表面11a垂直的方向观察的情况下与基板11的外缘一致。
周缘部34沿着外缘部11c的外缘被薄化。即，周缘部34中沿着外缘部11c的外缘的部分与周缘部34中除了沿着外缘的部分的其他部分相比变薄。在本实施方式中，周缘部34通过去除构成第2层叠体24的多晶硅层27及氮化硅层28的一部分而被薄化。周缘部34具有与包覆部33连续的非薄化部34a、及包围非薄化部34a的薄化部34b。在薄化部34b中，直接设置于第1表面11a上的多晶硅层27a以外的多晶硅层27及氮化硅层28被去除。
这样，法布里-帕罗干涉滤波器1除层叠结构部20以外，还具备自与主面20s交叉(正交)的方向观察位于层叠结构部20的外侧且较主面20s更朝基板11侧凹陷的薄化部34b。薄化部34b自与主面20s交叉(正交)的方向观察时，以包围层叠结构部20的方式形成为环状(此处为矩形环状)。薄化部34b例如在将形成有对应于法布里-帕罗干涉滤波器1的多个区域的晶圆按各个法布里-帕罗干涉滤波器1的每个切断时使用。薄化部34b例如通过用于第2层叠体24的层叠结构的蚀刻而形成。
非薄化部34a的与基板11相反侧的表面34c距第1表面11a的高度低于中间层23的表面23a距第1表面11a的高度。非薄化部34a的表面34c距第1表面11a的高度为例如100nm～5000nm。中间层23的表面23a距第1表面11a的高度在例如500nm～20000nm的范围内，为较非薄化部34a的表面34c距第1表面11a的高度更大的高度。薄化部34b的宽度(非薄化部34a的外缘与外缘部11c的外缘之间的距离)为基板11的厚度的0.01倍以上。薄化部34b的宽度为例如5μm～400μm。基板11的厚度例如为500μm～800μm。
在第1镜部31，以包围光透过区域1a的方式形成有第1电极12。第1电极12通过在多晶硅层25c掺杂杂质使其低电阻化而形成。在第1镜部31，以包含光透过区域1a的方式形成有第2电极13。第2电极13通过在多晶硅层25c掺杂杂质使其低电阻化而形成。第2电极13的大小可为包含光透过区域1a的整体的大小，但也可与光透过区域1a的大小大致相同。
在第2镜部32形成有第3电极14。第3电极14经由空隙S与第1电极12及第2电极13相对。第3电极14通过在多晶硅层27a掺杂杂质使其低电阻化而形成。
端子(电极端子)15以隔着光透过区域1a而相对的方式设置有一对。各端子15配置于自第2层叠体24的表面24a(层叠结构部20的主面20s)到达第1层叠体22的贯通孔内。各端子15经由配线12a与第1电极12电连接。端子15例如由铝或其合金等的金属膜形成。
端子(电极端子)16以隔着光透过区域1a而相对的方式设置有一对。各端子16配置于自第2层叠体24的表面24a(层叠结构部20的主面20s)到达第1层叠体22的贯通孔内。各端子16经由配线13a与第2电极13电连接，且经由配线14a与第3电极14电连接。端子16例如由铝或其合金等的金属膜形成。一对端子15相对的方向与一对端子16相对的方向正交(参照图1)。
在第1层叠体22的表面22b，设置有沟槽17、18。沟槽17以包围配线13a中的与端子16的连接部分的方式环状地延伸。沟槽17将第1电极12和配线13a电性绝缘。沟槽18沿着第1电极12的内缘环状地延伸。沟槽18将第1电极12及第1电极12的内侧的区域(第2电极13)电性绝缘。各沟槽17、18内的区域可为绝缘材料，也可为空隙。
在第2层叠体24的表面24a(层叠结构部20的主面20s)设置有沟槽19。沟槽19以包围端子15的方式环状地延伸。沟槽19将端子15和第3电极14电性绝缘。沟槽19内的区域可为绝缘材料，也可为空隙。
在基板11的第2表面11b，依序层叠有反射防止层41、第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44。反射防止层41及中间层43分别具有与反射防止层21及中间层23同样的结构。第3层叠体42及第4层叠体44分别具有以基板11为基准而与第1层叠体22及第2层叠体24对称的层叠结构。反射防止层41、第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44具有抑制基板11翘曲的功能。
第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44沿着外缘部11c的外缘被薄化。即，第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44中沿着外缘部11c的外缘的部分与第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44中除了沿着外缘的部分的其他部分相比变薄。在本实施方式中，第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44通过在自垂直于第1表面11a的方向观察的情况下与薄化部34b重叠的部分中去除第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44的全部而被薄化。
在第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44，以包含光透过区域1a的方式设置有开口40a。开口40a具有与光透过区域1a的大小大致相同的直径。开口40a朝光出射侧开口，开口40a的底面到达反射防止层41。
在第4层叠体44的光出射侧的表面形成有遮光层45。遮光层45例如由铝等构成。在遮光层45的表面及开口40a的内面形成有保护层46。保护层46包覆第3层叠体42、中间层43、第4层叠体44及遮光层45的外缘，且包覆外缘部11c上的反射防止层41。保护层46例如由氧化铝构成。另外，通过将保护层46的厚度设为1nm～100nm(例如，30nm左右)，可忽视保护层46的光学性影响。
在如以上所述构成的法布里-帕罗干涉滤波器1中，若经由端子15、16对第1电极12与第3电极14之间施加电压，会在第1电极12与第3电极14之间产生与该电压对应的静电力。通过该静电力，将第2镜部32朝固定于基板11的第1镜部31侧牵引，而调整第1镜部31与第2镜部32的距离。这样，在法布里-帕罗干涉滤波器1中，第1镜部31与第2镜部32的距离为可变。
透过法布里-帕罗干涉滤波器1的光的波长依赖于光透过区域1a中的第1镜部31与第2镜部32的距离。因此，通过调整施加于第1电极12与第3电极14之间的电压，可适当选择透过的光的波长。此时，第2电极13与第3电极14为相同电位。因此，第2电极13在光透过区域1a中作为用于将第1镜部31及第2镜部32保持为平坦的补偿电极而发挥功能。
在法布里-帕罗干涉滤波器1中，例如，通过一边使施加于法布里-帕罗干涉滤波器1的电压变化(即，在法布里-帕罗干涉滤波器1中使第1镜部31与第2镜部32的距离变化)，一边通过光检测器检测透过法布里-帕罗干涉滤波器1的光透过区域1a的光，可获得分光光谱。
这样，在层叠结构部20设置有具有经由空隙S而相互相对且彼此的距离为可变的第1镜部31及第2镜部32、及主面20s的一部分(此处为中心侧的圆形状的区域)的膜结构部M。膜结构部M自与主面20s交叉(正交)的方向观察，为与层叠结构部20中的中间层23不重复的部分。即，自与主面20s交叉(正交)的方向观察时的膜结构部M的外形由中间层23的内缘规定，此处为圆形状(参照图1)。
在本实施方式中，膜结构部M自与主面20s交叉(正交)的方向观察，设置为介于一对端子15之间、一对端子16之间及端子15与端子16之间。换言之，在该例中，一对端子15、一对端子16及端子15、16分别配置为隔着膜结构部M而相对。另外，端子15、16自与主面20s交叉(正交)的方向观察位于膜结构部M的外侧。作为一个例子，端子15、16自与主面20s交叉(正交)的方向观察，设置于矩形状的层叠结构部20的4个角部的各个。另外，端子15、16自主面20s突出。
[吸附夹头的结构]
接着，对用于吸附以上的法布里-帕罗干涉滤波器1的吸附夹头进行说明。本实施方式的吸附夹头例如可使用于自通过切断晶圆而制造的法布里-帕罗干涉滤波器1的芯片群中拾取1个芯片且搬送至规定的位置的情况、及拾取载置于规定的位置的法布里-帕罗干涉滤波器1且进而搬送至安装部位的情况等。
图4、5是显示本实施方式的吸附夹头的图。图4是仰视图，图5是沿图4的V-V线的剖视图。如图4、5所示，吸附夹头100具备主体部110、延伸部120及接触部130。此处，主体部110、延伸部120及接触部130彼此形成为一体，但也可彼此分体地构成并接合。
主体部110呈例如长方体状。主体部110具有表面111、及与表面111相反侧的表面112。延伸部120以自表面111突出的方式设置于表面111，沿与表面111交叉的方向延伸。延伸部120例如自与表面111交叉的方向观察，是具有较主体部110的一边的长度更短的直径的圆柱状，且配置于较表面111的外缘更靠近内侧。由此，表面111的外形为矩形状，且内缘呈圆形状的环状。延伸部120例如可在将吸附夹头100连接于用于驱动吸附夹头100的装置(未图示)时使用。
表面112为与法布里-帕罗干涉滤波器1的外形对应的形状，例如为矩形状(作为一个例子，正方形状)。接触部130以自表面112突出的方式设置于表面112。接触部130是在吸附法布里-帕罗干涉滤波器1时接触于法布里-帕罗干涉滤波器1的部分。在主体部110及延伸部120，以遍及主体部110及延伸部120的全长而延伸的方式设置有吸气孔140。吸气孔140在表面112开口，且在延伸部120的与主体部110相反侧的端部开口。吸气孔140可经由延伸部120侧的开口而连接于泵等吸气装置(未图示)。另外，吸气孔140也可不设置为遍及主体部110及延伸部120的全长而延伸。例如，吸气孔140也可到达主体部110的外侧面(与表面112交叉的面)而形成开口。在该情况下，吸气孔140可经由主体部110的外侧面的开口而连接于吸气装置。
接触部130由多个(此处为4个)部分131构成。各个部分131形成为长条的长方体状。部分131以各自的长边方向沿着矩形状的彼此不同的边的方式排列。另外，在部分131彼此之间形成有空隙132。此处，空隙132设定于与矩形状的4个角部对应的位置。吸气孔140自与表面112交叉(正交)的方向观察，在表面112上的由部分131(接触部130)包围的区域A开口。此处，在表面112，形成有吸气孔140的多个(此处为5个)开口141。吸气孔140自多个开口141的各个向表面111延伸，且在主体部110内连接成1个并一体化，到达延伸部120。因此，吸气孔140的延伸部120侧的开口为1个。
图6、7是显示图4、5所示的吸附夹头吸附法布里-帕罗干涉滤波器的状态的模式图。图6是底面图(自表面112侧观察的图)，将法布里-帕罗干涉滤波器的一部分简化并以虚线表示。图7是沿着图6的VII–VII线的模式性剖视图。在图7中，省略第1层叠体22及第2层叠体24的层结构及电极等。
如图6、7所示，接触部130具有接触于法布里-帕罗干涉滤波器1的薄化部34b的底面(表面)34s的接触面133。此处，接触面133是接触部130的各个的部分131的与表面112相反侧的表面。表面112与接触面133的距离(接触部130距表面112的高度)D1大于底面34s与层叠结构部20的主面20s的距离D2。由此，接触部130在接触面133接触于底面34s的状态(以下，有时仅称为“接触状态”)下，维持表面112与主面20s(及端子15、16的顶面)彼此分开的状态，在表面112与主面20s之间形成空间R。
接触部130在接触状态下，自与表面112交叉(正交)的方向观察，以包围层叠结构部20的方式延伸。更具体而言，此处，接触部130的各个的部分131在接触状态下，以沿着层叠结构部20的外缘的方式配置。因此，上述的区域A是表面112中在接触状态下与主面20s相对的矩形状的区域，即面向空间R的区域。另外，在接触状态下，表面112与主面20s彼此大致平行。
表面112上的吸气孔140的开口141形成于该区域A。此处，开口141自与表面112交叉(正交)的方向观察，相对于区域A的中心C对称地分散配置。作为一个例子，1个开口141配置于中心C，且4个开口141配置于与以中心C为中心的正方形的角部的各个对应的位置。另外，通过以自与主面20s交叉(正交)的方向观察时的膜结构部M的中心与区域A的中心C一致的方式配置吸附夹头100，多个开口141自与主面20s交叉(正交)的方向观察时相对于膜结构部M的中心也对称地分散。
在接触部130形成有在接触状态下将空间R与外部连通的连通部135。由此，空间R在接触状态下也不密闭。连通部135通过接触部130的部分131之间的空隙132而形成(此处为空隙132)。因此，此处，4个连通部135形成于对应于配置有矩形状地延伸的接触部130的区域的4个角部的位置。在接触状态下，接触部130的角部与层叠结构部20的角部彼此对应。因此，连通部135的各个在接触状态下，在层叠结构部20的角部的端子15、16的外侧配置于与端子15、16一对一地对应的位置。更具体而言，一对连通部135在通过一对端子15的轴线上相对于区域A的中心C配置于端子15的外侧，另一对连通部135在通过一对端子16的轴线上相对于区域A的中心C配置于端子16的外侧。另外，在接触状态下连通部135配置于端子15、16的外侧，意味着连通部135配置于端子15、16的与空隙S(即膜结构部M)相反侧。即，设为自与主面20s交叉(正交)的方向观察时，较端子15、16更靠近空隙S(即膜结构部M)侧为较端子15、16更靠近内侧，其相反侧为较端子15、16更靠近外侧。
[吸附方法的实施方式]
接着，对使用以上的吸附夹头100吸附法布里-帕罗干涉滤波器1的吸附方法的一个实施方式进行说明。图8是表示本实施方式的吸附方法的工序的模式性剖视图。图8中，与图7同样地，省略第1层叠体22、第2层叠体24的层结构及电极等。如图8所示，该方法中，首先对法布里-帕罗干涉滤波器1配置吸附夹头100(第1工序)。该第1工序中，以吸附夹头100的主体部110的表面112与层叠结构部20(及膜结构部M)的主面20s相对的方式，且以接触面133的各个与薄化部34b的底面34s相对的方式配置吸附夹头100。
接着，如图7所示，使吸附夹头100接触于法布里-帕罗干涉滤波器1(第2工序)。该第2工序中，使接触面133接触于底面34s。如上所述，表面112与接触面133的距离(接触部130距表面112的高度)D1大于底面34s与层叠结构部20的主面20s的距离D2。因此，在使接触面133接触于底面34s时，维持表面112与主面20s彼此分开的状态，在表面112与主面20s之间形成空间R。即，该第2工序中，在表面112与主面20s之间形成空间R且使接触面133接触于底面34s。
此时，如图6所示，连通部135在接触状态下，在端子15、16的外侧成为与端子15、16对应的位置。另外，连通部135在接触状态下，成为对应于层叠结构部20的矩形状的4个角部的各个的位置。再有，多个开口141配置为自与主面20s交叉的方向观察相对于膜结构部M的中心对称地分散。这些配置关系通过吸附夹头100的结构及第1工序中的相对的配置实现。即，第1工序中，连通部135以在接触状态下，在端子15、16的外侧成为对应于端子15、16的位置且成为对应于层叠结构部20的矩形状的4个角部的各个的位置的方式配置。再有，第1工序中，如上所述，通过使区域A的中心C与膜结构部M的中心实质上一致，将吸附夹头100配置为多个开口141自与主面20s交叉的方向观察相对于膜结构部M的中心对称地分散。
在后续的工序中，通过吸附夹头100吸附法布里-帕罗干涉滤波器1(第3工序)。该第3工序中，通过经由开口141的吸气而将空间R内排气。由此，维持通过吸附夹头100吸附保持法布里-帕罗干涉滤波器1的状态，直到解除经由开口141的吸气为止。另外，空间R经由连通部135与外部连通。因此，该第3工序中，通过经由开口141的吸气，经由连通部135将空气导入空间R内。其后，根据需要，在每个吸附夹头100，将法布里-帕罗干涉滤波器1搬送至规定的位置后，解除经由开口141的吸气，使法布里-帕罗干涉滤波器1自吸附夹头100脱离。
如以上说明的那样，在成为本实施方式的吸附方法的吸附对象的法布里-帕罗干涉滤波器1中，相对于基板11上的层叠结构部20，设置有具有经由空隙S而相互相对且彼此的距离为可变的第1镜部31及第2镜部32的膜结构部M。因此，例如，在吸附该法布里-帕罗干涉滤波器1并搬送时，若使用一般的吸附夹具，则会有因接触而产生膜结构部M的破损的担忧。于是，若为了避免该情况而在膜结构部M以外的部分进行吸附，则会有吸附及保持变得不稳定的担忧。
相对于此，在该吸附方法中，通过第1工序及第2工序，使突设于吸附夹头100的主体部110的表面112的接触部130在其接触面133接触于层叠结构部20的外侧的薄化部34b的底面34s，且在主体部110的表面112与层叠结构部20的主面20s之间形成空间。于是，第3工序中，通过经由开口141的吸气，将该空间R排气而进行吸附。即，根据该吸附方法，在层叠结构部20的外侧使接触部130的接触面133接触于法布里-帕罗干涉滤波器1并且通过一部分包含于膜结构部M的主面20s上的空间R的排气而吸附法布里-帕罗干涉滤波器1。由此，在吸附法布里-帕罗干涉滤波器1时，可抑制膜结构部M破损并稳定地加以吸附保持。
另外，接触部130自与表面112交叉的方向观察，以包围表面112的面向空间R的区域A的方式延伸。另外，在接触部130形成有在接触面133接触于底面34s的状态下将空间R与外部连通的连通部135。于是，第3工序中，通过经由开口141的吸气而经由连通部135将空气导入空间R内。由此，由于相对于被吸气的空间R自外部经由连通部135导入空气，因而可实现适当的吸附。其结果，在解除吸附时，可使法布里-帕罗干涉滤波器1稳定地脱离。
另外，接触部130由自与表面112交叉的方向观察以包围区域A的方式彼此分开而排列的多个部分131构成。于是，连通部135通过部分131之间的空隙132形成。这样，通过简单的结构而构成连通部135。
另外，在层叠结构部20，以自与主面20s交叉的方向观察位于膜结构部M的外侧且自主面20s突出的方式设置有端子15、16。于是，第1工序中，以连通部135在接触面133接触于底面34s的状态下相对于区域A的中心C在端子15、16的外侧成为对应于端子15、16的位置的方式配置吸附夹头100。因此，自连通部135导入空间R的气流的至少一部分在通过自层叠结构部20的主面20s突出的端子15、16上时会朝向自主面20s离开的方向。因此，可降低气流对膜结构部M的不良影响。
另外，层叠结构部20自与主面20s交叉的方向观察呈矩形状。于是，在第1工序中，以连通部135在接触面133接触于底面34s的状态下成为与层叠结构部20的矩形状的4个角部的各个对应的位置的方式配置吸附夹头100。因此，可进行稳定的吸气。
再有，在表面112，形成有吸气孔140的多个开口141。于是，第1工序中，以多个开口141自与主面20s交叉的方向观察相对于膜结构部M的中心对称地分散的方式配置吸附夹头100。因此，可进行更稳定的吸附及保持。
[变形例]
以上的实施方式是说明本发明的一个方式的吸附方法的一个实施方式的实施方式。因此，本发明的一个方式的吸附方法不限定于上述的吸附夹头100，可设为使用将上述的吸附夹头100任意变形后的吸附夹头的方法。接着，对吸附夹头的变形例进行说明。
图9是表示变形例的吸附夹头吸附法布里-帕罗干涉滤波器的状态的模式图。图9是仰视图(自表面112侧观察的图)，将法布里-帕罗干涉滤波器的一部分简化并以虚线表示。如图9所示，在该例中，接触部130及接触面133自与表面112交叉(正交)的方向观察以连续地包围区域A的方式一体地形成。此处，接触部130及接触面133自与表面112交叉(正交)的方向观察，以对应于薄化部34b的方式形成为矩形环状。
再有，在接触部130及接触面133的角部(此处为全部4个角部)，形成有自与表面112交叉(正交)的方向观察自内缘侧朝向外缘侧凹陷的凹部136。凹部136在接触状态下以对应于层叠结构部20的角部的方式配置。这样，通过设置凹部136，将接触部130配置于薄化部34b内时，可可靠地避免与层叠结构部20的角部接触。
根据使用以上的变形例的吸附夹头100的吸附方法，由于被吸气的空间R通过接触部130而被连续地包围，因而可不管吸气孔140的开口141的位置而在空间R内均匀地吸气。因此，吸气孔140的开口141的位置的自由度提高。因此，在图9的例子中，与图6的情况同样地，将多个开口141相对于区域A的中心C对称地分散而配置，但开口141的个数及位置并不限定于此，可自由地设定。例如，开口141可为1个，即使为多个也可在区域A内以具有偏向的方式配置。另外，根据该变形例，可不加强吸气而提高吸附力。
但在上述的实施方式的吸附夹头中，开口141的位置及个数并不限定于图6的情况，也可进行各种变形。
此处，上述的实施方式中，作为位于层叠结构部的外侧且较其主面更朝基板侧凹陷的薄化部，例示了薄化部34b。另外，例示了接触面133接触于该薄化部34b的底面34s的方式。然而，薄化部及接触面的接触的方式并不限定于此。例如，如图3所示，非薄化部34a也较主面20s更朝基板11侧凹陷。因此，例如，如果使非薄化部34a的宽度扩大至与接触面133的接触所足够的程度，则可设为薄化部。在该情况下，接触面133接触于该非薄化部34a的底面(与基板11相反侧的表面)。另外，也设想不形成薄化部34b而仅形成非薄化部34a的情况。在该情况下，非薄化部34a也成为接触面133所接触的薄化部。再有，薄化部34b的厚度也可为0，即，不形成薄化部34b而是将基板11的第1表面11a自第2层叠体24露出。在该情况下，该露出部分成为接触面133所接触的薄化部。如以上所述，薄化部及接触面的接触的方式可进行各种变形。
图10是显示另一变形例的吸附夹头的仰视图。在图10的例子中，与图4所示的例子同样地，接触部130由多个(4个)部分131构成。各个部分131形成为L字状。各个部分131以沿着区域A的矩形的一对边及连接该一对边的角的方式配置。在各个部分131的角部，自与表面112交叉(正交)的方向观察，形成有自内缘侧向外缘侧凹陷的凹部136。凹部136在接触状态下以对应于层叠结构部20的角部的方式配置。这样，通过设置凹部136，将接触部130配置于薄化部34b内，可可靠地避免与层叠结构部20的角部接触。在部分131彼此之间形成有空隙132。此处，空隙132设置于与区域A的矩形的4条边对应的位置。空隙132分别作为在接触状态下将空间R与外部连通的连通部135而发挥功能。这样，可任意变更连通部135的位置(及数量)。
对以上的实施方式附记如下。
[附记1]
一种吸附夹头，是用于吸附具备基板、设置于上述基板上且包含面向与上述基板相反侧的主面的层叠结构部、及自与上述主面交叉的方向观察位于上述层叠结构部的外侧且较上述主面更朝上述基板侧凹陷的薄化部的法布里-帕罗干涉滤波器的吸附夹头，
具备：
主体部，其具有表面，且设置有在上述表面开口的吸气孔；及
接触部，其以自上述表面突出的方式设置于上述表面，且具有接触于上述薄化部的底面的接触面；
在上述层叠结构部，设置有包含经由空隙而彼此相对且彼此的距离为可变的第1镜部及第2镜部、及上述主面的一部分的膜结构部；
上述接触部通过将上述表面与上述接触面的距离设为大于上述主面与上述底面之间的距离，而在上述接触面接触于上述底面的状态下在上述表面与上述主面之间形成空间；
上述吸气孔的开口形成于上述表面的面向上述空间的区域。
[附记2]
如附记1记载的吸附夹头，其中，
上述接触部自与上述表面交叉的方向观察以包围上述区域的方式延伸；
在上述接触部形成有在上述接触面接触于上述底面的状态下将上述空间与外部连通的连通部。
[附记3]
如附记2记载的吸附夹头，其中，
上述接触部由自与上述表面交叉的方向观察以包围上述区域的方式相互分开并排列的多个部分构成；
上述连通部由上述部分之间的空隙形成。
[附记4]
如附记2或3记载的吸附夹头，其中，
在上述层叠结构部，设置有自与上述主面交叉的方向观察位于上述膜结构部的外侧且自上述主面突出的电极端子；
上述连通部在上述接触面接触于上述底面的状态下，在上述电极端子的外侧设置于与上述电极端子对应的位置。
[附记5]
如附记2～4中任一项记载的吸附夹头，其中，
上述层叠结构部自与上述主面交叉的方向观察呈矩形状；
上述连通部在上述接触面接触于上述底面的状态下，以对应于上述层叠结构部的上述矩形状的4个角部的各个的方式设置有多个。
[附记6]
如附记1记载的吸附夹头，其中，
上述接触部自与上述表面交叉的方向观察以连续地包围上述区域的方式一体地形成。
[付记7]
如附记1～6中任一项记载的吸附夹头，其中，
在上述表面形成有上述吸气孔的多个开口，
上述多个开口相对于上述区域的中心对称地分散而配置。
产业上的可利用性
可提供一种可抑制法布里-帕罗干涉滤波器的破损且稳定地加以吸附保持的吸附方法。
符号的说明
1…法布里-帕罗干涉滤波器、11…基板、15、16…端子(电极端子)、20…层叠结构部、20s…主面、31…第1镜部、32…第2镜部、34b…薄化部、34s…底面、100…吸附夹头、110…主体部、112…表面、130…接触部、131…部分、132…空隙、133…接触面、135…连通部、140…吸气孔、141…开口、A…区域、D1、D2…距离、M…膜结构部、R…空间。

Claims (11)

1.一种吸附方法，其特征在于，
是使用吸附夹头吸附法布里-帕罗干涉滤波器的吸附方法，所述法布里-帕罗干涉滤波器具备基板、设置于所述基板上且包含面向与所述基板相反侧的主面的层叠结构部、及自与所述主面交叉的方向观察位于所述层叠结构部的外侧且较所述主面更朝所述基板侧凹陷的薄化部，
所述吸附方法具备：
第1工序，其以与所述主面相对的方式配置所述吸附夹头；
第2工序，其在所述第1工序之后，使所述吸附夹头接触于所述法布里-帕罗干涉滤波器；及
第3工序，其在所述第2工序之后，通过所述吸附夹头吸附所述法布里-帕罗干涉滤波器，
所述吸附夹头具备：主体部，其具有形成有用于吸气的开口的表面；及接触部，其以自所述表面突出的方式设置于所述表面，且具有接触面，
在所述层叠结构部，设置有包含经由空隙而彼此相对且彼此的距离为可变的第1镜部及第2镜部、及所述主面的一部分的膜结构部，
在所述第1工序中，以所述接触面与所述薄化部的底面相对的方式配置所述吸附夹头，
在所述第2工序中，在所述表面与所述主面之间形成面向所述膜结构部的空间并且使所述接触面接触于所述底面，
在所述第3工序中，通过经由所述开口的吸气而将面向所述膜结构部的空间内排气。
2.如权利要求1所述的吸附方法，其特征在于，
所述接触部自与所述表面交叉的方向观察，以包围所述表面的面向所述空间的区域的方式延伸，
在所述接触部形成有在所述接触面接触于所述底面的状态下将所述空间与外部连通的连通部，
在所述第3工序中，通过经由所述开口的吸气而经由所述连通部将空气导入所述空间内。
3.如权利要求2所述的吸附方法，其特征在于，
所述接触部由自与所述表面交叉的方向观察以包围所述区域的方式彼此分开并排列的多个部分构成，
所述连通部由所述部分之间的空隙形成。
4.如权利要求2所述的吸附方法，其特征在于，
在所述层叠结构部，设置有自与所述主面交叉的方向观察位于所述膜结构部的外侧且自所述主面突出的电极端子，
在所述第1工序中，以所述连通部在所述接触面接触于所述底面的状态下在所述电极端子的外侧成为与所述电极端子对应的位置的方式配置所述吸附夹头。
5.如权利要求3所述的吸附方法，其特征在于，
在所述层叠结构部，设置有自与所述主面交叉的方向观察位于所述膜结构部的外侧且自所述主面突出的电极端子，
在所述第1工序中，以所述连通部在所述接触面接触于所述底面的状态下在所述电极端子的外侧成为与所述电极端子对应的位置的方式配置所述吸附夹头。
6.如权利要求2所述的吸附方法，其特征在于，
所述层叠结构部自与所述主面交叉的方向观察呈矩形状，
在所述第1工序中，以所述连通部在所述接触面接触于所述底面的状态下成为对应于所述层叠结构部的所述矩形状的4个角部的各个的位置的方式配置所述吸附夹头。
7.如权利要求3所述的吸附方法，其特征在于，
所述层叠结构部自与所述主面交叉的方向观察呈矩形状，
在所述第1工序中，以所述连通部在所述接触面接触于所述底面的状态下成为对应于所述层叠结构部的所述矩形状的4个角部的各个的位置的方式配置所述吸附夹头。
8.如权利要求4所述的吸附方法，其特征在于，
所述层叠结构部自与所述主面交叉的方向观察呈矩形状，
在所述第1工序中，以所述连通部在所述接触面接触于所述底面的状态下成为对应于所述层叠结构部的所述矩形状的4个角部的各个的位置的方式配置所述吸附夹头。
9.如权利要求5所述的吸附方法，其特征在于，
所述层叠结构部自与所述主面交叉的方向观察呈矩形状，
在所述第1工序中，以所述连通部在所述接触面接触于所述底面的状态下成为对应于所述层叠结构部的所述矩形状的4个角部的各个的位置的方式配置所述吸附夹头。
10.如权利要求1所述的吸附方法，其特征在于，
所述接触部自与所述表面交叉的方向观察，以连续地包围所述表面的面向所述空间的区域的方式一体地形成。
11.如权利要求1～10中任一项所述的吸附方法，其特征在于，
在所述表面形成有多个所述开口，
在所述第1工序中，以所述多个开口自与所述主面交叉的方向观察相对于所述膜结构部的中心对称地分散的方式配置所述吸附夹头。
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