TWI774875B - 吸附方法 - Google Patents

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Abstract

吸附方法係使用吸附夾頭吸附具備基板、及設置於上述基板上且包含面向與上述基板相反側之主面之積層構造部的法布里-珀羅干涉濾波器之吸附方法，且具備：第1步驟，其以與上述主面對向之方式配置上述吸附夾頭；第2步驟，其於上述第1步驟之後，使上述吸附夾頭接觸於上述法布里-珀羅干涉濾波器；及第3步驟，其於上述第2步驟之後，藉由上述吸附夾頭吸附上述法布里-珀羅干涉濾波器。

Description

吸附方法
本發明之一態樣係關於吸附方法。
作為先前之法布里-珀羅干涉濾波器，已知一種具備基板、於基板上介隔空隙而彼此對向之固定鏡面及可動鏡面、及劃定空隙之中間層者(例如，參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特表2013-506154號公報
[發明所欲解決之問題]
於個別地搬送如上述之法布里-珀羅干涉濾波器之晶片時，考慮使用例如吸附夾頭一面個別地吸附晶片一面移送。於該情形時，期望於解除吸附時，抑制法布里-珀羅干涉濾波器之姿勢及位置變化，使法布里-珀羅干涉濾波器自吸附夾頭穩定地脫離。
本發明之一態樣之目的在於提供一種可穩定地使法布里-珀羅干涉濾波器脫離之吸附方法。 [解決問題之技術手段]
本發明之一態樣之吸附方法係使用吸附夾頭吸附具備基板、及設置於基板上且包含面向與基板相反側之主面之積層構造部之法布里-珀羅干涉濾波器之吸附方法，且具備：第1步驟，其以與主面對向之方式配置吸附夾頭；第2步驟，其於第1步驟後，使吸附夾頭接觸於法布里-珀羅干涉濾波器；及第3步驟，其於第2步驟後，藉由吸附夾頭吸附法布里-珀羅干涉濾波器；吸附夾頭具備：本體部，其具有表面；及接觸部，其以自表面突出之方式設置於表面，且包含形成有用於吸氣之開口之一對第1接觸面；於積層構造部設置有：膜片構造部，其包含介隔空隙而彼此對向且彼此之距離為可變之第1鏡面部及第2鏡面部、及主面之一部分；及一對第1電極端子，其自與主面交叉之方向觀察，以隔著膜片構造部而彼此對向之方式配置；於第1步驟中，以表面與主面對向且第1接觸面之各者與第1電極端子之各者對向之方式配置吸附夾頭；於第2步驟中，使第1接觸面之各者接觸於第1電極端子之各者；於第3步驟中，藉由經由第1接觸面之開口之吸氣將第1電極端子之各者吸附於第1接觸面。
作為該吸附方法之吸附對象之法布里-珀羅干涉濾波器具備基板及設置於基板上之積層構造部。於積層構造部設置有：膜片構造部，其具有介隔空隙而彼此對向且彼此之距離為可變之第1鏡面部及第2鏡面部；及一對第1電極端子，其以隔著膜片構造部而相互對向之方式配置。相對於此，於使用於該吸附方法之吸附夾頭中，突設於本體部之表面之接觸部包含形成有用於吸氣之開口之第1接觸面。且，於第1步驟中，將吸附夾頭配置為吸附夾頭之表面與法布里-珀羅干涉濾波器之主面對向。此時，第1接觸面之各者與第1電極端子之各者對向。接著，於第2步驟中，使吸附夾頭接觸於法布里-珀羅干涉濾波器。此時，使第1接觸面之各者接觸於第1電極端子之各者。且，於第3步驟中，藉由吸附夾頭吸附法布里-珀羅干涉濾波器。此時，藉由經由第1接觸面之開口之吸氣將第1電極端子之各者吸附於第1接觸面。藉此，於吸附法布里-珀羅干涉濾波器時，可吸附第1電極端子之限定之範圍。因此，能夠獲得適當之吸附，其結果，於解除吸附時，可使法布里-珀羅干涉濾波器穩定地脫離。
本發明之一態樣之吸附方法中亦可為，第1電極端子包含自主面突出之頂面，且於上述第2步驟中，使第1接觸面接觸於上述頂面。於該情形時，於第2步驟中，使接觸部之第1接觸面接觸於較膜片構造部更突出之第1電極端子。因此，吸附夾頭不會接觸到膜片構造部，或即便接觸亦降低對膜片構造部之負荷。因此，於吸附法布里-珀羅干涉濾波器時，可避免膜片構造部破損，抑制法布里-珀羅干涉濾波器之不良品產生。
本發明之一態樣之吸附方法中亦可為，於第1接觸面接觸於第1電極端子之狀態下位於第1接觸面之膜片構造部側之邊緣係形成為與膜片構造部之外緣對應之形狀，於第1步驟中，於第1接觸面接觸到第1電極端子之狀態下，以邊緣位於膜片構造部之外側且沿著膜片構造部之外緣之方式配置吸附夾頭。於該情形時，於吸附法布里-珀羅干涉濾波器時，可避免接觸到膜片構造部。
本發明之一態樣之吸附方法中亦可為，自與主面交叉之方向觀察，膜片構造部呈圓形狀；邊緣以仿照膜片構造部之外緣之方式形成為圓弧狀。於該情形時，於吸附法布里-珀羅干涉濾波器時，可確實地避免接觸到膜片構造。
本發明之一態樣之吸附方法中亦可為，於第1步驟中，於第1接觸面接觸到第1電極端子之狀態下，以開口與第1電極端子部分地偏移之方式配置吸附夾頭。於該情形時，可避免吸附力變得過大，使法布里-珀羅干涉濾波器更穩定地脫離。
本發明之一態樣之吸附方法中亦可為，吸附夾頭於與自一第1接觸面朝向另一第1接觸面之方向交叉之軸線上，具備以自表面突出之方式設置於表面之引導部；第1電極端子自與主面交叉之方向觀察，分別設置於積層構造部之角部；於第1步驟中，於第1接觸面接觸於第1電極端子之狀態下，以引導部於積層構造部之與設置有第1電極端子之角部為另外之角部之外側沿著另外角部之方式配置吸附夾頭。於該情形時，可藉由引導部限制法布里-珀羅干涉濾波器之姿勢之變化，而穩定地加以保持及脫離。
本發明之一態樣之吸附方法中亦可為，引導部於第1接觸面接觸於第1電極端子之狀態下，以沿著另外角部之外緣之方式彎曲延伸。於該情形時，藉由引導部可限制法布里-珀羅干涉濾波器沿著主面於平面內旋轉，而更穩定地加以保持及脫離。
本發明之一態樣之吸附方法中亦可為，法布里-珀羅干涉濾波器具備自與主面交叉之方向觀察以隔著膜片構造部而彼此對向之方式配置之一對第2電極端子，第2電極端子配置於與第1電極端子對向之方向交叉之軸線上，接觸部包含以與第2電極端子對應之方式配置且形成有用於吸氣之開口之第2接觸面；於第1步驟中，以第2接觸面之各者與第2電極端子之各者對向之方式配置吸附夾頭，於第2步驟中，使第2接觸面之各者接觸於第2電極端子之各者，於第3步驟中，藉由經由第2接觸面之開口之吸氣，將第2電極端子之各者吸附於第2接觸面。於該情形時，可經由配置於彼此位置不同之至少3點之開口進行吸附，而可更穩定地吸附、保持法布里-珀羅干涉濾波器。 [發明之效果]
根據本發明之一態樣，可提供能夠使法布里-珀羅干涉濾波器穩定地脫離之吸附方法。
以下，對一實施形態參照圖式詳細說明。另，各圖中，有對相同之要素彼此或相當之要素彼此附加彼此相同之符號而省略重複之說明之情形。
本實施形態之吸附方法係使用吸附夾頭進行法布里-珀羅干涉濾波器之吸附。因此，首先，對吸附對象之法布里-珀羅干涉濾波器之一實施形態進行說明。 [法布里-珀羅干涉濾波器之構成]
圖1係本實施形態之法布里-珀羅干涉濾波器之俯視圖。圖2係圖1所示之法布里-珀羅干涉濾波器之仰視圖。圖3係沿著圖1之Ⅲ–Ⅲ線之法布里-珀羅干涉濾波器之剖視圖。
如圖1～3所示，法布里-珀羅干涉濾波器1具備基板11。基板11具有第1表面11a及與第1表面11a對向之第2表面11b。於第1表面11a，依次積層有反射防止層21、第1積層體22、中間層23及第2積層體24。於第1積層體22與第2積層體24之間，藉由框狀之中間層23劃定空隙(氣隙)S。自與第1積層體22、中間層23及第1表面11a交叉(正交)之方向觀察位於第1積層體22上之第2積層體24之一部分係構成積層構造部20。積層構造部20設置於基板11之第1表面11a上，且包含面向與基板11相反側之主面20s。主面20s係第2積層體24之表面24a之一部分。
自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形(俯視)之各部之形狀及位置關係如下所述。基板11之外緣為例如矩形狀。基板11之外緣與第2積層體24之外緣彼此一致。反射防止層21之外緣、第1積層體22之外緣及中間層23之外緣彼此一致。因此，積層構造部20亦於俯視下(自與主面20s交叉(正交)之方向觀察之情形下)為矩形狀。基板11具有相對於空隙S之中心位於較中間層23之外緣更外側之外緣部11c。外緣部11c例如為框狀，於自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時包圍中間層23。
法布里-珀羅干涉濾波器1於被劃定為其中央部之光透過區域1a中，使具有特定波長之光透過。光透過區域1a為例如圓柱狀之區域。基板11例如由矽、石英或玻璃等構成。於基板11由矽構成之情形時，反射防止層21及中間層23例如由氧化矽構成。中間層23之厚度例如為數十 nm以上數十 μm以下。
第1積層體22之中與光透過區域1a對應之部分係作為第1鏡面部31發揮功能。第1鏡面部31介隔反射防止層21配置於第1表面11a。第1積層體22係藉由將複數層多晶矽層25與複數層氮化矽層26逐層交互積層而構成。於本實施形態中，將多晶矽層25a、氮化矽層26a、多晶矽層25b、氮化矽層26b及多晶矽層25c依次積層於反射防止層21上。構成第1鏡面部31之多晶矽層25及氮化矽層26各者之光學厚度可為中心透過波長之1/4之整數倍。另，第1鏡面部31亦可不介隔反射防止層21而直接配置於第1表面11a上。
第2積層體24之中與光透過區域1a對應之部分係作為第2鏡面部32發揮功能。第2鏡面部32相對於第1鏡面部31於與基板11相反側介隔空隙S而與第1鏡面部31對向。第2積層體24經由反射防止層21、第1積層體22及中間層23配置於第1表面11a。第2積層體24係藉由將複數層多晶矽層27與複數層氮化矽層28逐層交互積層而構成。於本實施形態中，將多晶矽層27a、氮化矽層28a、多晶矽層27b、氮化矽層28b及多晶矽層27c依序積層於中間層23上。構成第2鏡面部32之多晶矽層27及氮化矽層28各者之光學厚度可為中心透過波長之1/4之整數倍。
另，於第1積層體22及第2積層體24中，亦可取代氮化矽層而使用氧化矽層。又，作為構成第1積層體22及第2積層體24之各層之材料，亦可使用氧化鈦、氧化鉭、氧化鋯、氟化鎂、氧化鋁、氟化鈣、矽、鍺、硫化鋅等。又，此處，第1鏡面部31之空隙S側之表面(多晶矽層25c之表面)與第2鏡面部32之空隙S側之表面(多晶矽層27a之表面)介隔空隙S而直接對向。惟於第1鏡面部31之空隙S側之表面及第2鏡面部32之空隙S側之表面，亦可形成(不構成鏡面)電極層或保護層。於該情形時，第1鏡面部31與第2鏡面部32係於其間介置有該等層之狀態下，介隔空隙S而彼此對向。換言之，即使於此種情形下，仍可實現第1鏡面部31與第2鏡面部32之介隔空隙S之對向。
於第2積層體24中與空隙S對應之部分，形成有自第2積層體24之與中間層23為相反側之表面24a(積層構造部20之主面20s)到達至空隙S之複數個貫通孔24b。複數個貫通孔24b形成為不會對第2鏡面部32之功能造成實質性影響之程度。複數個貫通孔24b係用來藉由蝕刻去除中間層23之一部分形成空隙S。
第2積層體24除第2鏡面部32以外，進而具有被覆部33與周緣部34。第2鏡面部32、被覆部33及周緣部34具有彼此相同之積層構造之一部分，且以相互連續之方式一體地形成。被覆部33於自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時包圍第2鏡面部32。被覆部33被覆中間層23之與基板11為相反側之表面23a以及中間層23之側面23b(外側之側面，即與空隙S側為相反側之側面)、第1積層體22之側面22a及反射防止層21之側面21a，到達至第1表面11a。即，被覆部33被覆中間層23之外緣、第1積層體22之外緣及反射防止層21之外緣。
周緣部34於自與第1表面11a垂直之方向觀察之情形時包圍被覆部33。周緣部34位於外緣部11c之第1表面11a上。周緣部34之外緣自與第1表面11a垂直之方向觀察之情形時與基板11之外緣一致。
周緣部34係沿著外緣部11c之外緣被薄化。即，周緣部34之中沿著外緣部11c之外緣之部分與除周緣部34之中沿著外緣之部分以外之其他部分相比變薄。於本實施形態中，周緣部34藉由去除構成第2積層體24之多晶矽層27及氮化矽層28之一部分而被薄化。周緣部34具有與被覆部33連續之非薄化部34a、及包圍非薄化部34a之薄化部34b。於薄化部34b中，直接設置於第1表面11a上之多晶矽層27a以外之多晶矽層27及氮化矽層28已被去除。
如此，法布里-珀羅干涉濾波器1除積層構造部20以外，進而具備薄化部34b，其自與主面20s交叉(正交)之方向觀察位於積層構造部20之外側，且較主面20s更朝基板11側凹陷。薄化部34b自與主面20s交叉(正交)之方向觀察時，以包圍積層構造部20之方式形成為環狀(此處為矩形環狀)。薄化部34b例如於要將已形成對應於法布里-珀羅干涉濾波器1之複數個區域之晶圓切斷成各個單個之法布里-珀羅干涉濾波器1時使用。薄化部34b例如藉由蝕刻第2積層體24之積層構造而形成。
非薄化部34a之與基板11為相反側之表面34c距離第1表面11a之高度，低於中間層23之表面23a距離第1表面11a之高度。非薄化部34a之表面34c距離第1表面11a之高度為例如100 nm～5000 nm。中間層23之表面23a距離第1表面11a之高度於例如500 nm～20000 nm之範圍內，為較非薄化部34a之表面34c距離第1表面11a之高度更大之高度。薄化部34b之寬度(非薄化部34a之外緣與外緣部11c之外緣之間之距離)為基板11之厚度之0.01倍以上。薄化部34b之寬度為例如5 μm～400 μm。基板11之厚度例如為500 μm至800 μm。
於第1鏡面部31，以包圍光透過區域1a之方式形成有第1電極12。第1電極12係藉由於多晶矽層25c摻雜雜質使其低電阻化而形成。於第1鏡面部31，以包含光透過區域1a之方式形成有第2電極13。第2電極13係藉由於多晶矽層25c摻雜雜質使其低電阻化而形成。第2電極13之大小可為包含光透過區域1a之全體之大小，但亦可與光透過區域1a之大小大致相同。
於第2鏡面部32形成有第3電極14。第3電極14介隔空隙S與第1電極12及第2電極13對向。第3電極14係藉由於多晶矽層27a摻雜雜質使其低電阻化而形成。
端子(第1電極端子)15以隔著光透過區域1a而對向之方式設置有一對。各端子15配置於自第2積層體24之表面24a(積層構造部20之主面20s)到達至第1積層體22之貫通孔內。各端子15經由配線12a與第1電極12電性連接。端子15例如由鋁或其合金等之金屬膜形成。
端子(第2電極端子)16以隔著光透過區域1a而對向之方式設置有一對。各端子16配置於自第2積層體24之表面24a(積層構造部20之主面20s)至第1積層體22之貫通孔內。各端子16經由配線13a與第2電極13電性連接，且經由配線14a與第3電極14電性連接。端子16例如由鋁或其合金等之金屬膜形成。一對端子15對向之方向與一對端子16對向之方向正交(參照圖1)。
於第1積層體22之表面22b，設置有溝槽17、18。溝槽17以包圍配線13a中之與端子16之連接部分之方式環狀延伸。溝槽17與第1電極12、配線13a電性絕緣。溝槽18沿第1電極12之內緣環狀延伸。溝槽18與第1電極12及第1電極12之內側之區域(第2電極13)電性絕緣。各溝槽17、18內之區域可為絕緣材料，亦可為空隙。
於第2積層體24之表面24a(積層構造部20之主面20s)設置有溝槽19。溝槽19以包圍端子15之方式環狀延伸。溝槽19與端子15、第3電極14電性絕緣。溝槽19內之區域可為絕緣材料，亦可為空隙。
於基板11之第2表面11b，依序積層有反射防止層41、第3積層體42、中間層43及第4積層體44。反射防止層41及中間層43各自具有與反射防止層21及中間層23同樣之構成。第3積層體42及第4積層體44各自具有以基板11為基準而與第1積層體22及第2積層體24對稱之積層構造。反射防止層41、第3積層體42、中間層43及第4積層體44具有抑制基板11翹曲之功能。
第3積層體42、中間層43及第4積層體44沿著外緣部11c之外緣被薄化。即，第3積層體42、中間層43及第4積層體44之中沿著外緣部11c之外緣之部分，與除第3積層體42、中間層43及第4積層體44之中沿著外緣之部分以外之其他部分相比變薄。於本實施形態中，第3積層體42、中間層43及第4積層體44係於自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時於與薄化部34b重合之部分，藉由去除第3積層體42、中間層43及第4積層體44之全部而被薄化。
於第3積層體42、中間層43及第4積層體44，以包含光透過區域1a之方式設置有開口40a。開口40a具有與光透過區域1a之大小大致相同之徑。開口40a於光出射側開口，開口40a之底面到達至反射防止層41。
於第4積層體44之光出射側之表面形成有遮光層45。遮光層45例如由鋁等構成。於遮光層45之表面及開口40a之內面形成有保護層46。保護層46被覆第3積層體42、中間層43、第4積層體44及遮光層45之外緣，且被覆外緣部11c上之反射防止層41。保護層46例如由氧化鋁構成。另，藉由將保護層46之厚度設為1 nm～100 nm(例如，30 nm左右)，可忽視保護層46之光學性影響。
於如以上般構成之法布里-珀羅干涉濾波器1中，若經由端子15、16於第1電極12與第3電極14之間施加電壓，會於第1電極12與第3電極14之間產生與該電壓對應之靜電力。藉由該靜電力，將第2鏡面部32朝固定於基板11之第1鏡面部31側牽引，而調整第1鏡面部31與第2鏡面部32之距離。如此，於法布里-珀羅干涉濾波器1中，第1鏡面部31與第2鏡面部32之距離為可變。
透過法布里-珀羅干涉濾波器1之光之波長依存於光透過區域1a中之第1鏡面部31與第2鏡面部32之距離。因此，藉由調整施加於第1電極12與第3電極14之間之電壓，可適當選擇透過之光之波長。此時，第2電極13與第3電極14為相同電位。因此，第2電極13於光透過區域1a中作為用於將第1鏡面部31及第2鏡面部32保持為平坦之補償電極而發揮功能。
於法布里-珀羅干涉濾波器1中，例如，藉由一面使施加於法布里-珀羅干涉濾波器1之電壓變化(即，於法布里-珀羅干涉濾波器1中使第1鏡面部31與第2鏡面部32之距離變化)，一面藉由光檢測器檢測透過法布里-珀羅干涉濾波器1之光透過區域1a之光，可獲得分光光譜。
如此，於積層構造部20設置有膜片構造部M，其具有介隔空隙S而相互對向且彼此之距離為可變之第1鏡面部31及第2鏡面部32、及主面20s之一部分(此處為中心側之圓形狀之區域)。膜片構造部M自與主面20s交叉(正交)之方向觀察，為與積層構造部20之中間層23不重疊之部分。即，自與主面20s交叉(正交)之方向觀察時之膜片構造部M之外形係由中間層23之內緣規定，此處為圓形狀(參照圖1)。
於本實施形態中，膜片構造部M自與主面20s交叉(正交)之方向觀察，設置為介置於一對端子15之間、一對端子16之間及端子15與端子16之間。換言之，於該例中，一對端子15、一對端子16及端子15、16配置為隔著膜片構造部M而對向。又，端子15、16自與主面20s交叉(正交)之方向觀察位於膜片構造部M之外側。
作為一例，端子15自與主面20s交叉(正交)之方向觀察，設置於矩形狀之積層構造部20之4個角部中之對角線上之一對角部20c。又，作為一例，端子16自與主面20s交叉(正交)之方向觀察，設置於矩形狀之積層構造部20之4個角部中之另一對角線上之一對其他角部20d。換言之，端子16配置於與端子15之對向之方向交叉(正交)之軸線上。端子15具有自主面20s突出之頂面15s。端子16具有自主面20s突出之頂面16s。此處，頂面15s、16s與主面20s大致平行。 [吸附夾頭之構成]
接著，對用於吸附以上之法布里-珀羅干涉濾波器1之吸附夾頭進行說明。本實施形態之吸附夾頭例如可使用於自藉由切斷晶圓而製造之法布里-珀羅干涉濾波器1之晶片群中拾取1個晶片且搬送至特定位置之情形，及拾取載置於特定位置之法布里-珀羅干涉濾波器1且進而搬送至安裝部位之情形等。
圖4、5係顯示本實施形態之吸附夾頭之圖。圖4係仰視圖，圖5係沿圖4之V-V線之剖視圖。如圖4、圖5所示，吸附夾頭100具備本體部110、延伸部120及一對接觸部130。此處，本體部110、延伸部120及接觸部130彼此形成為一體，但亦可各自單獨構成並接合。
本體部110例如呈長方體狀。本體部110具有表面111、及與表面111相反側之表面112。延伸部120以自表面111突出之方式設置於表面111，沿與表面111交叉之方向延伸。延伸部120例如自與表面111交叉之方向觀察，為具有較本體部110之一邊之長度更短之直徑之圓柱狀，配置於較表面111之外緣更內側。由此，表面111之外形為矩形狀，且，內緣呈圓形狀之環狀。延伸部120例如可於將吸附夾頭100連接於用於驅動吸附夾頭100之裝置(未圖示)時使用。
表面112為與法布里-珀羅干涉濾波器1之外形對應之形狀，例如矩形狀(舉例如正方形狀)。接觸部130以自表面112突出之方式設置於表面112。接觸部130係於吸附法布里-珀羅干涉濾波器1時接觸於法布里-珀羅干涉濾波器1之部分。於本體部110、延伸部120及接觸部130，以遍及本體部110、延伸部120及接觸部130之全長而延伸之方式設置有吸氣孔140。吸氣孔140於接觸部130之與表面112為相反側之表面(後述之接觸面131)開口，且於延伸部120之與本體部110為相反側之端部開口。吸氣孔140可經由延伸部120側之開口而連接於泵等吸氣裝置(未圖示)。另，吸氣孔140亦可不設置為遍及本體部110及延伸部120之全長而延伸。例如，吸氣孔140可到達至本體部110之外側面(與表面112交叉之面)而形成開口。進而，吸氣孔140亦可不到達至本體部110而是到達至接觸部130之外側面(與後述之接觸面131交叉之面)而形成開口。於該情形時，吸氣孔140可經由本體部110或接觸部130之外側面之開口而連接於吸氣裝置。
接觸部130彼此對向且彼此分開而配置。自與表面112交叉(正交)之方向觀察時之接觸部130之形狀，作為一例，呈將矩形之1個角部向內側凸出之圓弧狀之形狀。此處，接觸部130設為彼此對向之側之邊緣130e為圓弧狀。吸氣孔140係自接觸部130之開口(用於吸氣之開口)141之各者向表面111延伸，於本體部110內連接成一個並一體化，且延伸至延伸部120。因此，吸氣孔140之延伸部120側之開口為1個。
此處，吸附夾頭100進而具備一對引導部150。引導部150以自表面112突出之方式設置於表面112。引導部150彼此對向且彼此分開而配置。更具體而言，引導部150配置於與接觸部130之對向之方向交叉之軸線上。作為一例，自與表面112交叉(正交)之方向觀察時之引導部150之形狀為L字狀。引導部150以相對於接觸部130對向之方向之軸線對稱之方式彼此180°轉向而配置。此處，引導部150係以由一對引導部150規定1個矩形(正方形)之方式配置。
圖6係顯示圖4、5所示之吸附夾頭吸附法布里-珀羅干涉濾波器之狀態之模式圖。圖6係仰視圖(自表面112側觀察之圖)，將法布里-珀羅干涉濾波器之一部分簡化並以虛線表示。如圖5、6所示，接觸部130之與表面112為相反側之表面設為與端子15接觸之接觸面(第1接觸面)131。接觸面131與接觸部130之配置對應，以對應於端子15之方式彼此分開而配置，且接觸於端子15之各者。此處，接觸面131接觸於端子15之頂面15s。此處，吸氣孔140之開口141於接觸面131之各者各設置1個。
於接觸面131與端子15(頂面15s)接觸之狀態(以下，有時僅稱為「接觸狀態」)下，開口141與端子15部分地偏移。更具體而言，此處，開口141為圓形，其中心於端子15對向之方向之軸線上朝端子15之外側(與膜片構造部M為相反側)偏移。藉此，開口141之接觸部130相互對向之側之一部分重疊於端子15，且開口141之相反側之其餘部分自端子15偏離。另，於接觸狀態下，表面112與主面20s係彼此對向，且彼此大致平行。另，於上述之例中，對開口141之中心朝端子15之外側偏移之情形進行例示。然而，藉由將開口141之中心以較端子15之中心更外側且不自端子15偏離之程度偏移，仍會有開口141之一部分與端子15重疊且其餘部分自端子15偏離之情形。又，此處之偏移意味著產生偏離(偏差)。
如上所述，接觸部130之邊緣130e被設為圓弧狀。藉此，於接觸狀態下，位於接觸部130之膜片構造部M側之邊緣130e、及接觸面131之膜片構造部M側之邊緣131e係以位於膜片構造部M之外側且沿著膜片構造部M之外形之方式形成。此處，邊緣130e、131e以仿照膜片構造部M之外緣之方式形成圓弧狀(即，形成為與膜片構造部M之外緣對應之形狀)。
引導部150於接觸狀態下，以於積層構造部20之與設置有端子15之角部20c為另外角部20d之外側沿著該角部20d之方式設置。更具體而言，引導部150於接觸狀態下，以沿著角部20d之外緣之方式彎曲成L字狀而延伸。此處，引導部150於接觸狀態下，自與表面112及主面20s交叉(正交)之方向觀察，位於被覆部33之更外側，且配置於薄化部34b內。
此處，引導部150距離表面112之高度，與接觸部130距離表面112之高度(表面112與接觸面131之間之距離)大致相同。因此，於接觸狀態下，引導部150不與積層構造部20及法布里-珀羅干涉濾波器1接觸。惟引導部150距離表面112之高度於接觸狀態下，引導部150之與表面112為相反側之面於不與薄化部34b之底面(表面)接觸之範圍內，亦可高於接觸部130距離表面112之高度。於該情形時，於接觸狀態下，引導部150可設為沿主面20s與積層構造部20重疊。 [吸附方法之實施形態]
接著，使用以上之吸附夾頭100對吸附法布里-珀羅干涉濾波器1之吸附方法之一實施形態進行說明。圖7係顯示本實施形態之吸附方法之步驟之模式性剖面圖。於圖7中，省略第1積層體22及第2積層體24之層構造、及電極等。於該方法中，首先，如圖7之(a)所示，對法布里-珀羅干涉濾波器1配置吸附夾頭100(第1步驟)。於該第1步驟中，以吸附夾頭100之本體部110之表面112與積層構造部20(及膜片構造部M)之主面20s對向之方式，且，以接觸面131之各者與端子15之各者對向之方式，配置吸附夾頭100。
接著，如圖7之(b)所示，使吸附夾頭100接觸於法布里-珀羅干涉濾波器1(第2步驟)。於該第2步驟中，使接觸面131之各者接觸於端子15之各者。尤其，於此處，使接觸面131接觸於端子15之頂面15s。藉此，於表面112與主面20s之間形成空間R。如圖6所示，邊緣131e位於膜片構造部M之外側，且沿著膜片構造部M之外緣。又，如圖6、7所示，開口141與端子15部分地偏移。進而，引導部150於與積層構造部20之設置有端子15之角部20c不同之角部20d之外側沿著角部20d。該等係由吸附夾頭100之構造及於第1步驟中相對之配置實現。
即，於第1步驟中，於接觸狀態下，以接觸面131之邊緣131e位於膜片構造部M之外側且沿著膜片構造部M之外緣之方式配置吸附夾頭100。又，於第1步驟中，於接觸狀態下，以開口141與端子15部分偏移，且引導部150於積層構造部20之設置有與端子15之角部20c不同之角部20d之外側沿著著角部20d之方式配置吸附夾頭100。
於後續之步驟中，藉由經由接觸面131之開口141之吸氣使端子15之各者吸附於接觸面131，藉由吸附夾頭100吸附法布里-珀羅干涉濾波器1。藉此，維持藉由吸附夾頭100吸附保持法布里-珀羅干涉濾波器1之狀態，直到解除經由開口141之吸氣為止。其後，根據需要，於每個吸附夾頭將法布里-珀羅干涉濾波器1搬送至特定位置後，經由開口141解除吸氣，使法布里-珀羅干涉濾波器1自吸附夾頭100脫離。
如以上說明般，作為本實施形態之吸附方法之吸附對象之法布里-珀羅干涉濾波器1具備基板11與設置於基板11之積層構造部20。於積層構造部20設置有：膜片構造部M，其具有介隔空隙S而彼此對向且彼此之距離為可變之第1鏡面部31及第2鏡面部32；及一對端子15，其配置為自與主面20s交叉(正交)之方向觀察隔著膜片構造部M而相互對向。相對於此，於使用於該吸附方法之吸附夾頭100中，突設於本體部110之表面112之接觸部130包含形成有用於吸氣之開口141之接觸面131。且，於第1步驟中，以吸附夾頭100之表面112與法布里-珀羅干涉濾波器1之主面20s對向之方式配置吸附夾頭100。此時，接觸面131之各者與端子15之各者對向。接著，於第2步驟中，使吸附夾頭100接觸於法布里-珀羅干涉濾波器1。此時，使接觸面131之各者接觸於端子15之各者。且，於第3步驟中，藉由吸附夾頭100吸附法布里-珀羅干涉濾波器1。此時，藉由經由接觸面131之開口141之吸氣，將端子15之各者吸附於接觸面131。藉此，於吸附法布里-珀羅干涉濾波器1時，可吸附端子15之限定之範圍。因此，可獲得適度之吸附，其結果，於解除吸附時可穩定地使法布里-珀羅干涉濾波器1脫離。
又，於吸附夾頭100中，端子15包含自主面20s突出之頂面15s。且，於第2步驟中，使接觸面131接觸於頂面15s。因此，於第2步驟中，使接觸部130之接觸面131接觸於較膜片構造部M更突出之端子15。因此，於吸附時，吸附夾頭100不接觸於膜片構造部M，或即便接觸亦降低對膜片構造部M之負荷。因此，於吸附法布里-珀羅干涉濾波器1時，可避免膜片構造部M破損，抑制法布里-珀羅干涉濾波器1之不良品產生。
又，於吸附夾頭100中，於接觸面131接觸於端子15之狀態下，位於接觸部130及接觸面131之膜片構造部M側之邊緣130e、131e形成為與膜片構造部M之外緣對應之形狀。且，於第1步驟中，於接觸面131接觸於端子15之狀態下，以邊緣130e、131e位於膜片構造部M之外側且沿著膜片構造部M之外形之方式配置吸附夾頭100。因此，於吸附法布里-珀羅干涉濾波器1時，可避免對膜片構造部M之接觸。
尤其，於吸附夾頭100中，自與主面20s交叉(正交)之方向觀察，膜片構造部M呈圓形狀，邊緣130e、131e仿照膜片構造部M之外緣形成為圓弧狀。因此，於吸附法布里-珀羅干涉濾波器1時，可確實地避免對膜片構造部M接觸。
又，於吸附方法中，於第1步驟中，以吸氣孔140之接觸面131之開口141於接觸面131接觸於端子15之狀態下與端子15部分地偏移之方式配置吸附夾頭100。因此，可避免吸附力過大，更穩定地使法布里-珀羅干涉濾波器1脫離。
又，吸附夾頭100於與自一接觸面131朝向另一接觸面131之方向交叉之軸線上，具備以自表面112突出之方式設置於表面112之引導部150。端子15自與主面20s交叉(正交)之方向觀察分別設置於積層構造部20之角部20c。且，於第1步驟中，以引導部150於接觸狀態下於與積層構造部20之設置有端子15之角部20c為另外角部20d之外側沿著另外角部20d之方式，配置吸附夾頭100。因此，藉由引導部150限制法布里-珀羅干涉濾波器1之姿勢之變化，而可穩定地加以保持及脫離。
進而，於吸附夾頭100中，引導部150於接觸面131接觸於端子15之狀態下，以沿著角部20d之外緣之方式彎曲而延伸。因此，藉由引導部150，限制法布里-珀羅干涉濾波器1沿主面20s於平面內旋轉，而可更穩定地加以保持及脫離。 [變化例]
以上之實施形態係說明本發明之一態樣之吸附方法之一實施形態者。因此，本發明之一態樣之吸附方法並不限定於上述之方法，可採用使用將上述之吸附夾頭100任意變形之方法。繼而，對吸附夾頭之變化例進行說明。
圖8係顯示變化例之吸附夾頭吸附法布里-珀羅干涉濾波器之狀態之模式圖。圖8係仰視圖(自表面112側觀察之圖)，將法布里-珀羅干涉濾波器之一部分簡化並以虛線表示。如圖8所示，於該例中，吸附夾頭100不具備引導部150。如此，吸附夾頭100只要構成為吸附隔著膜片構造部M而彼此對向之一對端子15，無需設置引導部150即可進行穩定之吸附、保持。另，於吸附夾頭100中，亦可構成為吸附隔著膜片構造部M而彼此對向之一對端子15、16。
圖9係顯示另一變化例之吸附夾頭吸附法布里-珀羅干涉濾波器之狀態之模式圖。圖9係仰視圖(自表面112側觀察之圖)，將法布里-珀羅干涉濾波器之一部分簡化並以虛線表示。如圖9所示，於該例中，吸附夾頭100進而具備以自表面112突出之方式設置於表面112之一對接觸部160。接觸部160配置於與自一接觸面131朝向另一接觸面131之方向交叉之軸線上。接觸部160於接觸狀態下，配置於與積層構造部20之角部20d對應之位置。
接觸部160各自配置為與端子16對應，且包含接觸於端子16之接觸面(第2接觸面)161。接觸面161彼此分開。吸氣孔140進而於該接觸面161開口(設置有用於吸氣之開口141)。即使於接觸面161中，開口141亦可配置為於接觸狀態下與端子16部分地偏移。於使用該吸附夾頭100之情形時，於吸附方法之第1步驟中，以接觸面161之各者進而與端子16之各者對向之方式配置吸附夾頭100。又，於第2步驟中，進而使接觸面161之各者接觸於端子16之各者。且，於第3步驟中，藉由經由接觸面161之開口141之吸氣進而使端子16之各者吸附於接觸面161。根據該變化例，能夠經由配置於彼此位置不同之至少3點(此處為4點)之開口141進行吸附，可更穩定地吸附、保持法布里-珀羅干涉濾波器1。
另，於圖9之例中，接觸部130、160及接觸面131、161自與表面112交叉(正交)之方向觀察，形成為矩形狀。即，於此處，接觸部130、160之彼此對向之側(接觸狀態下之膜片構造部M側)之邊緣130e、160e及接觸面131、161之彼此對向之側(接觸狀態下之膜片構造部M側)之邊緣131e、161e不設為圓弧狀之沿膜片構造部M之外形之形狀。即使為此種情形，由於接觸面131、161接觸於端子15、16之頂面15s、16s，故可避免接觸到膜片構造部M，或者即便接觸亦可降低對膜片構造部M之負荷。
另，即使於圖6或圖8所示之例中，亦可採用如圖9之形狀之接觸部130及接觸面131。進而，亦可將接觸部130、160及接觸面131、161之形狀設為其他任意之形狀。
對以上之實施形態附記如下。
[附記1] 一種吸附夾頭，其係用於吸附具備基板、及設置於上述基板上且包含面向與上述基板相反側之主面之積層構造部之法布里-珀羅干涉濾波器者，且具備：本體部，其具有表面；接觸部，其以自上述表面突出之方式設置於上述表面，且包含一對第1接觸面；於上述積層構造部設置有：膜片構造部，其包含介隔空隙而彼此對向且彼此之距離為可變之第1鏡面部及第2鏡面部、及上述主面之一部分；及一對第1電極端子，其自與上述主面交叉之方向觀察，以隔著上述膜片構造部而彼此對向之方式配置。於上述本體部及上述接觸部，形成遍及上述本體部及上述接觸部延伸之吸氣孔。上述第1接觸面以對應於上述第1電極端子之各者之方式彼此分開而配置，且接觸於上述第1電極端子之各者；上述吸氣孔於上述第1接觸面之各者開口。 [附記2] 如附記1記載之吸附夾頭，其中 上述第1電極端子包含自上述主面突出之頂面； 上述第1接觸面接觸於上述頂面。 [附記3] 如附記1或2記載之吸附夾頭，其中 於上述第1接觸面接觸於上述第1電極端子之狀態下，位於上述接觸部及上述第1接觸面之上述膜片構造部側之邊緣係位於上述膜片構造部之外側，且以沿著上述膜片構造部之外形之方式形成。 [附記4] 如附記3記載之吸附夾頭，其中 自與上述主面交叉之方向觀察，上述膜片構造部呈圓形狀；上述邊緣以仿照上述膜片構造部之外緣之方式形成為圓弧狀。 [附記5] 如附記1～4中之任一項記載之吸附夾頭，其中 上述吸氣孔於上述第1接觸面之開口係於上述第1接觸面接觸於上述第1電極端子之狀態下與上述第1電極端子部分地偏移。 [附記6] 如附記1～5中任一項記載之吸附夾頭，其中 於與自一上述第1接觸面朝向另一上述第1接觸面之方向交叉之軸線上，具備以自上述表面突出之方式設置於上述表面之引導部； 上述第1電極端子自與上述主面交叉之方向觀察，分別設置於上述積層構造部之角部； 上述引導部於上述第1接觸面接觸於上述第1電極端子之狀態下，於與上述積層構造部之設置有上述第1電極端子之角部不同之角部之外側以沿著上述不同之角部之方式設置。 [附記7] 如附記6記載之吸附夾頭，其中 上述引導部於上述第1接觸面接觸於上述第1電極端子之狀態下，以沿著上述另外角部之外緣之方式彎曲延伸。 [附記8] 如附記1～7中任一項記載之吸附夾頭，其中 上述法布里-珀羅干涉濾波器具備自與上述主面交叉之方向觀察以隔著上述膜片構造部而彼此對向之方式配置之一對第2電極端子； 上述第2電極端子配置於與上述第1電極端子之對向之方向交叉之軸線上； 上述接觸部以對應於上述第2電極端子之方式配置，且包含接觸於上述第2電極端子之第2接觸面； 上述吸氣孔進而於上述第2接觸面開口。 [產業上之可利用性]
可提供使法布里-珀羅干涉濾波器能夠穩定地脫離之吸附方法。
1‧‧‧法布里-珀羅干涉濾波器 1a‧‧‧光透過區域 11‧‧‧基板 11a‧‧‧第1表面 11b‧‧‧第2表面 11c‧‧‧外緣部 12‧‧‧第1電極 12a‧‧‧配線 13‧‧‧第2電極 13a‧‧‧配線 14‧‧‧第3電極 14a‧‧‧配線 15‧‧‧端子(第1電極端子) 15s‧‧‧頂面 16‧‧‧端子(第2電極端子) 16s‧‧‧頂面 17‧‧‧溝槽 18‧‧‧溝槽 19‧‧‧溝槽 20‧‧‧積層構造部 20c‧‧‧角部 20d‧‧‧角部(其他角部) 20s‧‧‧主面 21‧‧‧反射防止層 21a‧‧‧側面 22‧‧‧第1積層體 22a‧‧‧側面 22b‧‧‧表面 23‧‧‧中間層 23a‧‧‧表面 23b‧‧‧側面 24‧‧‧第2積層體 24a‧‧‧表面 24b‧‧‧貫通孔 25‧‧‧多晶矽層 25a‧‧‧多晶矽層 25b‧‧‧多晶矽層 25c‧‧‧多晶矽層 26‧‧‧氮化矽層 26a‧‧‧氮化矽層 26b‧‧‧氮化矽層 27‧‧‧多晶矽層 27a‧‧‧多晶矽層 27b‧‧‧多晶矽層 27c‧‧‧多晶矽層 28‧‧‧氮化矽層 28a‧‧‧氮化矽層 28b‧‧‧氮化矽層 31‧‧‧第1鏡面部 32‧‧‧第2鏡面部 33‧‧‧被覆部 34‧‧‧周緣部 34a‧‧‧非薄化部 34b‧‧‧薄化部 34c‧‧‧表面 40a‧‧‧開口 41‧‧‧反射防止層 42‧‧‧第3積層體 43‧‧‧中間層 44‧‧‧第4積層體 45‧‧‧遮光層 46‧‧‧保護層 100‧‧‧吸附夾頭 110‧‧‧本體部 111‧‧‧表面 112‧‧‧表面 120‧‧‧延伸部 130‧‧‧接觸部 130e‧‧‧邊緣 131‧‧‧接觸面(第1接觸面) 131e‧‧‧邊緣 140‧‧‧吸氣孔 141‧‧‧開口 150‧‧‧引導部 160‧‧‧接觸部 160e‧‧‧邊緣 161‧‧‧接觸面(第2接觸面) 161e‧‧‧邊緣 M‧‧‧膜片構造部 R‧‧‧空間 S‧‧‧空隙
圖1係本實施形態之法布里-珀羅干涉濾波器之俯視圖。 圖2係圖1所示之法布里-珀羅干涉濾波器之仰視圖。 圖3係沿著圖1之Ⅲ–Ⅲ線之法布里-珀羅干涉濾波器之剖視圖。 圖4係顯示本實施形態之吸附夾頭之圖。 圖5係顯示本實施形態之吸附夾頭之圖。 圖6係顯示圖4、圖5所示之吸附夾頭吸附著法布里-珀羅干涉濾波器之狀態之模式圖。 圖7(a)、(b)係顯示本實施形態之吸附方法之步驟之模式性剖視圖。 圖8係顯示變化例之吸附夾頭吸附著法布里-珀羅干涉濾波器之狀態之模式圖。 圖9係顯示另一變化例之吸附夾頭吸附著法布里-珀羅干涉濾波器之狀態之模式圖。
1‧‧‧法布里-珀羅干涉濾波器
15‧‧‧端子(第1電極端子)
15s‧‧‧頂面
16‧‧‧端子(第2電極端子)
16s‧‧‧頂面
20c‧‧‧角部
20d‧‧‧角部(其他角部)
22‧‧‧第1積層體
23‧‧‧中間層
34b‧‧‧薄化部
100‧‧‧吸附夾頭
110‧‧‧本體部
112‧‧‧表面
120‧‧‧延伸部
130‧‧‧接觸部
130e‧‧‧邊緣
131‧‧‧接觸面(第1接觸面)
131e‧‧‧邊緣
141‧‧‧開口
150‧‧‧引導部
M‧‧‧膜片構造部

Claims (8)

  1. 一種吸附方法，其係使用吸附夾頭吸附具備基板、及設置於上述基板上且包含面向與上述基板相反側之主面之積層構造部之法布里-珀羅干涉濾波器者，且具備：第1步驟，其以與上述主面對向之方式配置上述吸附夾頭；第2步驟，其於上述第1步驟之後，使上述吸附夾頭接觸於上述法布里-珀羅干涉濾波器；及第3步驟，其於上述第2步驟之後，藉由上述吸附夾頭吸附上述法布里-珀羅干涉濾波器；上述吸附夾頭具備：本體部，其具有表面；及接觸部，其以自上述表面突出之方式設置於上述表面，且包含形成有用於吸氣之開口之一對第1接觸面；於上述積層構造部設置有：膜片構造部，其包含介隔空隙而彼此對向且彼此之距離為可變之第1鏡面部及第2鏡面部、及上述主面之一部分；及一對第1電極端子，其係自與上述主面交叉之方向觀察時，以隔著上述膜片構造部而彼此對向之方式配置；於上述第1步驟中，以上述表面與上述主面對向且上述第1接觸面之各者與上述第1電極端子之各者對向之方式配置上述吸附夾頭；於上述第2步驟中，使上述第1接觸面之各者接觸於上述第1電極端子之各者；於上述第3步驟中，藉由經由上述第1接觸面之上述開口之吸氣將上述第1電極端子之各者吸附於上述第1接觸面。
  2. 如請求項1之吸附方法，其中上述第1電極端子包含自上述主面突出之頂面；於上述第2步驟中，使上述第1接觸面接觸於上述頂面。
  3. 如請求項1或2之吸附方法，其中於上述第1接觸面接觸於上述第1電極端子之狀態下位於上述第1接觸面之上述膜片構造部側之邊緣係形成為與上述膜片構造部之外緣對應之形狀；於上述第1步驟中，於上述第1接觸面接觸於上述第1電極端子之狀態下，以上述邊緣位於上述膜片構造部之外側且沿著上述膜片構造部之外緣之方式配置上述吸附夾頭。
  4. 如請求項3之吸附方法，其中自與上述主面交叉之方向觀察時，上述膜片構造部呈圓形狀；上述邊緣以仿照上述膜片構造部之外緣之方式形成為圓弧狀。
  5. 如請求項1或2之吸附方法，其中於上述第1步驟中，於上述第1接觸面接觸於上述第1電極端子之狀態下，以上述開口與上述第1電極端子部分地偏移之方式配置上述吸附夾頭。
  6. 如請求項1或2之吸附方法，其中 上述吸附夾頭於與自一上述第1接觸面朝向另一上述第1接觸面之方向交叉之軸線上，具備以自上述表面突出之方式設置於上述表面之引導部；上述第1電極端子係自與上述主面交叉之方向觀察時，分別設置於上述積層構造部之角部；於上述第1步驟中，於上述第1接觸面接觸於上述第1電極端子之狀態下，以上述引導部於上述積層構造部之與設置有上述第1電極端子之角部為另外角部之外側沿著上述另外角部之方式配置上述吸附夾頭。
  7. 如請求項6之吸附方法，其中上述引導部於上述第1接觸面接觸於上述第1電極端子之狀態下，以沿著上述另外角部之外緣之方式彎曲延伸。
  8. 如請求項1或2之吸附方法，其中上述法布里-珀羅干涉濾波器具備自與上述主面交叉之方向觀察時以隔著上述膜片構造部而彼此對向之方式配置之一對第2電極端子；上述第2電極端子配置於與上述第1電極端子對向之方向交叉之軸線上；上述接觸部包含以與上述第2電極端子對應之方式配置且形成有用於吸氣之開口之第2接觸面；於上述第1步驟中，以上述第2接觸面之各者與上述第2電極端子之各者對向之方式配置上述吸附夾頭；於上述第2步驟中，使上述第2接觸面之各者接觸於上述第2電極端子 之各者；於上述第3步驟中，藉由經由上述第2接觸面之上述開口之吸氣，將上述第2電極端子之各者吸附於上述第2接觸面。
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