TW201521122A - 吸附臺、貼合裝置及貼合基板之製造方法 - Google Patents

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Abstract

實施形態之吸附臺包括：載置部，其載置第1基板；及排氣部，其將上述第1基板與上述載置部之間排氣。 上述載置部具有：第1壁部，其設置於上述載置部之一端面之外緣側且呈環狀；及第2壁部，其設置於上述第1壁部之內側且呈環狀。 上述排氣部具有：第1控制閥，其設置於上述第1壁部與上述第2壁部之間之第1區域和上述排氣部之間；第2控制閥，其設置於上述第2壁部之內側之第2區域與上述排氣部之間；及控制部，其控制上述第1控制閥與上述第2控制閥。 上述控制部控制上述第1控制閥及上述第2控制閥，交替地進行上述第1區域及上述第2區域中之至少一區域中之上述第1基板之吸附與上述第1基板之吸附之解除。 上述控制部於進行上述第1區域及上述第2區域中之任一區域中之上述第1基板之吸附之解除的期間，進行另一區域中之上述第1基板之吸附。

Description

吸附臺、貼合裝置及貼合基板之製造方法
本發明之實施形態係關於一種吸附臺、貼合裝置及貼合基板之製造方法。
存在吸附晶圓等基板之吸附臺。
此種吸附臺例如用於半導體裝置之製造中之基板之貼合步驟中(例如參照專利文獻1)。
於基板之貼合步驟中，使2片基板之貼合面彼此貼合而形成1片基板。
例如於所謂之SOI(Silicon on Insulator，絕緣層上矽)晶圓之製造、或使用陽極接合法進行玻璃基板與矽基板之接合之情形時等，使2片基板之貼合面彼此貼合而形成1片基板。
根據此種技術，可於基板間不介置接著劑等而將基板彼此貼合。因此，可實現貼合後之處理(例如電漿處理、熱處理、化學處理等)中之製程條件之多樣化。又，亦可容易地進行pn接合或絕緣膜之埋入等。
然而，難以精度良好地貼合翹曲等變形之基板。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開昭61-145839號公報
本發明所欲解決之問題在於提供一種即便為變形之基板亦可精度良好地進行貼合之吸附臺、貼合裝置及貼合基板之製造方法。
實施形態之吸附臺包括：載置部，其載置第1基板；及排氣部，其將上述第1基板與上述載置部之間排氣。
上述載置部具有：第1壁部，其設置於上述載置部之一端面之外緣側且呈環狀；及第2壁部，其設置於上述第1壁部之內側且呈環狀。
上述排氣部包含：第1控制閥，其設置於上述第1壁部與上述第2壁部之間之第1區域和上述排氣部之間；第2控制閥，其設置於上述第2壁部之內側之第2區域與上述排氣部之間；及控制部，其控制上述第1控制閥與上述第2控制閥。
上述控制部控制上述第1控制閥及上述第2控制閥，交替地進行上述第1區域及上述第2區域中之至少一區域中之上述第1基板之吸附與上述第1基板之吸附之解除。
上述控制部於進行上述第1區域及上述第2區域中之任一區域中之上述第1基板之吸附之解除的期間，進行另一區域中之上述第1基板之吸附。
根據本發明之實施形態，提供一種即便為變形之基板亦可精度良好地進行貼合之吸附臺、貼合裝置及貼合基板之製造方法。
11‧‧‧處理容器
11a‧‧‧開口部
11b‧‧‧開閉門
12‧‧‧載置部
12a‧‧‧本體部
12a1‧‧‧端面
12a2‧‧‧端面
12b‧‧‧壁部
12c‧‧‧壁部
12d‧‧‧支撐部
12e‧‧‧孔部
12f‧‧‧孔部
12g‧‧‧區域
12h‧‧‧區域
13‧‧‧基板支撐部
13a‧‧‧支撐爪
13b‧‧‧移動部
13c‧‧‧基部
14‧‧‧按壓部
14a‧‧‧移動部
14b‧‧‧移動軸
14c‧‧‧墊
15‧‧‧排氣部
15a‧‧‧排氣泵
15b‧‧‧控制閥
15c‧‧‧配管
15d‧‧‧控制閥
15e‧‧‧配管
16‧‧‧控制部
100‧‧‧貼合裝置
101‧‧‧吸附臺
W1‧‧‧基板
W2‧‧‧基板
圖1係用以例示本實施形態之吸附臺101及貼合裝置100之模式圖。
圖2係用以例示載置部12之模式圖。
圖3係圖2中之A-A線箭視圖。
圖4係區域12g及區域12h中之吸附與吸附之解除之動作之時序圖。
圖5係用以例示各時段中之吸附與吸附之解除之動作之模式圖。
圖6係區域12g及區域12h中之吸附與吸附之解除之動作之時序圖。
圖7係用以例示各時段中之吸附與吸附之解除之動作之模式圖。
圖8係區域12g及區域12h中之吸附與吸附之解除之動作之時序圖。
圖9係用以例示各時段中之吸附與吸附之解除之動作之模式圖。
以下，一面參照圖式，一面對實施形態進行例示。再者，各圖式中，對相同之構成要素標註同一符號並適當省略詳細說明。
圖1係用以例示本實施形態之吸附臺101及貼合裝置100之模式圖。
圖2係用以例示載置部12之模式圖。
圖3係圖2中之A-A線箭視圖。
如圖1所示，於貼合裝置100設置有處理容器11、載置部12、基板支撐部13、按壓部14、排氣部15、及控制部16。
再者，本實施形態之吸附臺101包括載置部12、排氣部15、及控制部16。
處理容器11呈箱狀，且成為氣密構造。
於處理容器11之側壁設置有開口部11a，該開口部11a用以進行基板W1(相當於第1基板之一例)或基板W2(相當於第2基板之一例)等之搬入搬出。又，設置有可氣密地開閉開口部11a之開閉門11b。
載置部12設置於處理容器11之內部之底面。
如圖2及圖3所示，載置部12包含本體部12a、壁部12b(相當於第1 壁部之一例)、壁部12c(相當於第2壁部之一例)、支撐部12d、孔部12e、及孔部12f。
再者，於圖3中為避免變得繁雜，而將支撐部12d之一部分省略。
本體部12a呈圓柱狀。
再者，例示了呈圓柱狀之本體部12a，但本體部12a之形狀可根據所載置之基板W1之形狀等而適當進行變更。例如本體部12a亦可為呈角柱狀者。
壁部12b設置於本體部12a之載置基板W1之側之端面12a1。壁部12b呈環狀，包圍本體部12a之外緣。
壁部12c設置於本體部12a之端面12a1。壁部12c設置於壁部12b之內側。壁部12c呈環狀。壁部12c之高度尺寸(自端面12a1至頂面之尺寸)與壁部12b之高度尺寸相同。
藉由設置壁部12b與壁部12c，將本體部12a之端面12a1劃分成2個區域。意即，劃分成位於壁部12b與壁部12c之間之區域12g(相當於第1區域之一例)、及位於壁部12c之內側之區域12h(相當於第2區域之一例)。
因此，如下所述，可分別控制基板W1之外緣側之吸附及中央部側之吸附。又，由於壁部12b之頂面之面積與壁部12c之頂面之面積較小，故可減小對吸附性能之影響。
又，即便於矯正基板W1之變形之情形時，亦由於壁部12b之頂面之面積與壁部12c之頂面之面積較小，故可不受壁部12b之頂面與壁部12c之頂面之形狀影響地來矯正基板W1之變形。
又，俯視下之區域12g之面積與區域12h之面積相同。
若將俯視下之區域12g之面積與區域12h之面積設為相同，則可使各個區域中產生之每單位面積之吸附力相同。
或者，若將區域12g中之經由孔部12e之抽吸量，與區域12h中之經由孔部12f之抽吸量設為相同，則可使各個區域中產生之每單位面積之吸附力相同。意即，只要將區域12g與區域12h中之各自之抽吸量設為相同即可。其結果，可於各個區域進行無歪曲之吸附。
再者，例示了設置有壁部12b及壁部12c之情況，但亦可於壁部12b及壁部12c之各者之內側進而設置壁部。
意即，亦可將本體部12a之端面12a1劃分成3個以上之區域。
支撐部12d呈柱狀，設置於本體部12a之端面12a1。支撐部12d之高度尺寸(自端面12a1至頂面之尺寸)與壁部12b之高度尺寸相同。意即，壁部12b、壁部12c及支撐部12d之高度尺寸相同。因此，包含壁部12b、壁部12c及支撐部12d之各者之頂面的面，成為載置部12之載置面。
圖1及圖2所例示者中，載置部12之載置面成為平坦面。再者，載置部12之載置面並不限定於平坦面，可適當進行變更。例如，載置部12之載置面亦可為凸狀或凹狀之曲面。
圖2及圖3所例示之支撐部12d呈圓柱狀，但例如亦可呈圓錐台狀、角錐台狀或球面狀。支撐部12d之頂面成為基板W1之載置面。因此，若設為圓錐台狀、角錐台狀、或球面狀之支撐部12d，則與圓柱狀之支撐部相比，可減小與基板W1之接觸面積。其結果，可抑制基板W1之污染之產生或微粒之產生等。
又，由於支撐部12d之頂面之面積較小，故可降低微粒附著於作為基板W1之載置面之支撐部12d之頂面的概率。因此，可抑制因微粒而引起之吸附性性能之降低。
支撐部12d設置有複數個。鄰接之支撐部12d彼此間之尺寸相等。意即，複數個支撐部12d係等間隔地設置。若過度地擴大支撐部12d之間隔，於吸附基板W1時會有基板W1局部地撓曲之虞。支撐部 12d之間隔可藉由進行實驗或模擬而適當設定。
複數個支撐部12d之配置例如可設為同心圓狀、鋸齒狀等。
孔部12e於厚度方向上貫通本體部12a。孔部12e之一端部於區域12g中之端面12a1開口。孔部12e之另一端部於端面12a2開口，且與排氣部15連接。
孔部12f於厚度方向上貫通本體部12a。孔部12f之一端部於區域12h中之端面12a1開口。孔部12f之另一端部於端面12a2開口，且與排氣部15連接。
孔部12e及孔部12f之於端面12a1之開口之直徑尺寸較佳為設為1mm以下。若直徑尺寸超過1mm，則有於基板W1產生局部之應變之虞。
當將基板W1載置於載置部12時，基板W1之外緣附近自本體部12a突出。
於此情形時，可設置將基板W1之自本體部12a突出之部分上推的未圖示之頂起銷等。
如圖1所示，於基板支撐部13設置有支撐爪13a、移動部13b、及基部13c。
支撐爪13a支撐基板W2之周緣部。而且，藉由使基板W2支撐於支撐爪13a，基板W2被支撐於與載置於載置部12之基板W1面對之特定位置。
移動部13b使支撐爪13a於支撐基板W2之位置與退避至基板W2之外方向之位置之間移動。移動部13b例如可設為具有伺服馬達或脈衝馬達等控制馬達者。
基部13c呈柱狀，設置於處理容器11之內部之底面。於基部13c之端部附近設置有支撐爪13a、移動部13b。再者，例示了針對每一支撐爪13a、移動部13b設置基部13c之情況，但並不限定於此。例如亦可 於1個基部13c設置複數個支撐爪13a、移動部13b。
又，基板支撐部13之配設數並無特別限定，較佳為均等地分配於基板W2之周緣之3個部位以上。如此，可使基板W2之支撐狀態穩定。
於按壓部14設置有移動部14a、移動軸14b、及墊14c。
按壓部14設置於與本體部12a之端面12a1面對之位置。又，按壓部14設置於可藉由墊14c按壓支撐於支撐爪13a之基板W2之大致中央部的位置。
按壓部14利用墊14c按壓支撐於支撐爪13a之基板W2之大致中央部而使基板W2撓曲，藉此使基板W1之貼合面之一部分與基板W2之貼合面之一部分接觸。再者，基板W1、基板W2之貼合面係指彼此面對時相對向之基板W1、基板W2之各者之面。
移動部14a設置於處理容器11之外部。移動部14a可設為具有伺服馬達或脈衝馬達等控制馬達者。又，亦可設為具有藉由經壓力控制之流體而驅動者(例如氣缸等)等者。
移動軸14b以貫通處理容器11之壁面之方式設置，一端部側與移動部14a連接。又，於另一端部側安裝有墊14c。
墊14c之前端部分呈大致半球狀，其基部呈圓柱狀。墊14c由軟質之彈性體形成，當按壓時可使接觸部分自點接觸向面接觸變化。因此，可緩和按壓點(接合開始位置)之應力，故可抑制基板W2之損傷。又，亦可抑制孔隙之產生、破裂或缺損之產生、擦痕之產生、因滑動等而引起之位置偏移之產生等。墊14c例如可由矽橡膠或氟橡膠等軟質樹脂而形成。於此情形時，若由矽橡膠或氟橡膠形成墊14c，則可抑制基板W2被污染。
再者，按壓部14不一定為必需，只要視需要設置即可。
例如亦可不按壓基板W2，而藉由基板W2之自重，進行基板W1 與基板W2之貼合。
又，亦可藉由以解除基板W1之吸附，並向基板W1之背面導入外部大氣之方式控制控制閥15d，而使基板W1變形成凸狀，讓基板W1與基板W2接觸。
又，亦可於載置部12之內部設置與按壓部12相同之按壓部，藉由朝基板W2之方向按壓基板W1之背面，而使基板W1變形成凸狀，讓基板W1與基板W2接觸。
又，接合開始位置不一定必需為基板W1之中央，例如亦可為基板W1之周端部。
於排氣部15設置有排氣泵15a、控制閥15b(相當於第1控制閥之一例)、配管15c、控制閥15d(相當於第2控制閥之一例)、及配管15e。
排氣泵15a例如可設為乾式真空泵等。
控制閥15b之一端連接於排氣泵15a，控制閥15b之另一端經由配管15c而連接於孔部12e。
控制閥15d之一端連接於排氣泵15a，控制閥15d之另一端經由配管15e而連接於孔部12f。
藉由將基板W1載置於載置部12，而劃分出包含區域12g之空間。
控制閥15b切換包含區域12g之空間之排氣(吸附)與排氣之停止或外部大氣之導入(吸附之解除)。意即，控制閥15b切換區域12g中之基板W1之吸附與吸附之解除。
再者，本說明書中之「吸附之解除」，不僅包含吸附之停止(排氣之停止)，亦包含外部大氣之導入。
又，藉由將基板W1載置於載置部12，而劃分出包含區域12h之空間。
控制閥15d切換包含區域12h之空間之排氣與排氣之停止或外部大氣之導入。意即，控制閥15d切換區域12h中之基板W1之吸附與吸 附之解除。
控制部16控制設置於貼合裝置100之各要素之動作。
控制部16例如可以如下方式進行控制。
控制部16控制控制閥15b，而切換區域12g中之基板W1之吸附與吸附之解除。
控制部16控制控制閥15d，而切換區域12h中之基板W1之吸附與吸附之解除。
控制部16控制排氣泵15a之啟動與停止。
控制部16控制移動部13b，而控制支撐爪13a之位置。
控制部16控制移動部14a，而控制墊14c之位置。
控制部16控制開閉門11b之開閉動作。
其次，對貼合裝置100之作用、以及吸附臺101之作用及本實施形態之貼合基板之製造方法進行例示。
首先，藉由未圖示之搬送裝置，將基板W1自開口部11a搬入至處理容器11之內部。再者，開閉門11b藉由未圖示之驅動部而打開。
搬入至處理容器11之內部之基板W1被載置於載置部12上，即，被載置於壁部12b、壁部12c、及支撐部12d上。
繼而，使吸附臺101(載置部12、排氣部15、及控制部16)進行動作，將基板W1保持於載置部12。
此處，基板W1有翹曲等變形。因此，即便單純地對基板W1進行吸附亦難以使基板W1整體密接於載置部12。例如，若以1次之吸附動作對有翹曲等變形之基板W1進行吸附，則有局部地殘留未與載置部12密接之部分、即變形之部分之虞。若殘留變形之部分，則有基板W1與基板W2之貼合之位置精度變差之虞。
因此，於本實施形態中，以如下方式將基板W1吸附於載置部12。
首先，進行區域12g及區域12h中之任一者中之基板W1之吸附，並解除區域12g及區域12h中之另一者中之基板W1之吸附。
例如進行區域12g中之基板W1之吸附，並解除區域12h中之基板W1之吸附。
或者，進行區域12h中之基板W1之吸附，並解除區域12g中之基板W1之吸附。
繼而，進行與上述者相反之動作。
即，解除已進行吸附之區域之吸附，並進行已解除吸附之區域之吸附。
如此，即便為有翹曲等變形之基板W1，亦可使其仿照載置部12之載置面之形狀。即，可將有翹曲等變形之基板W1矯正成所意圖之形狀(載置部12之載置面之形狀)。因此，可提高基板W1與基板W2之貼合之位置精度。
又，亦可重複進行複數次該吸附與吸附之解除。
如此，即便為翹曲等變形較大之基板W1或厚度較厚之基板W1，亦可使其仿照載置部12之載置面之形狀。
再者，可適當變更吸附與吸附之解除之重複次數。
再者，亦可於吸附與吸附之解除之動作開始前，執行區域12g及區域12h中之吸附動作，而進行基板W1之整個面之吸附。藉此，可使基板W1之形狀仿照載置部12而修正至某程度。因此，即便於基板W1之變形量較多之情形時，亦可減少吸附與吸附之解除之重複次數。
圖4係區域12g及區域12h中之吸附與吸附之解除之動作之時序圖。
圖5係用以例示各時段中之吸附與吸附之解除之動作之模式圖。
圖4、圖5所例示者係交替地進行區域12g及區域12中之吸附與吸附之解除之動作之情況。
例如圖4、圖5所示，於進行區域12g及區域12h中之任一區域中之基板W1之吸附之後，解除已進行基板W1之吸附之區域中之基板W1之吸附。
又，於進行一區域中之吸附之期間，進行另一區域中之基板W1之吸附之解除。
圖6係區域12g及區域12h中之吸附與吸附之解除之動作之時序圖。
圖7用以例示各時段中之吸附與吸附之解除之動作之模式圖。
圖6、圖7所例示者係交替地進行區域12g及區域12中之吸附與吸附之解除之動作者，但為使區域12g與區域12h之吸附動作重疊之情況。
例如圖6、圖7所示，於解除已進行吸附之區域之吸附之前，進行已解除吸附之區域之吸附。
如此，進行吸附之區域始終存在1個部位以上，因此可確實地保持基板W1而不會發生位置偏移，並且使基板W1仿照載置部12之載置面之形狀。
圖8係區域12g及區域12h中之吸附與吸附之解除之動作之時序圖。
圖9係用以例示各時段中之吸附與吸附之解除之動作之模式圖。
圖8、圖9所例示者係於一區域進行吸附，於另一區域重複進行吸附與吸附之解除之情況。
例如圖8、圖9所示，於區域12h進行吸附，於區域12g重複進行吸附與吸附之解除。
由於區域12g與基板W1之周邊部分面對，故而可使基板W1之周邊部分變形而仿照載置部12之載置面之形狀。
如此，可於一區域保持基板W1，並且使基板W1仿照載置部12之 載置面之形狀。
於圖4~圖9所例示之區域12g及區域12h中之任一區域中之吸附與解除之後，進行區域12g及區域12h中之吸附，而將基板W1吸附於載置部12之載置面。
繼而，藉由未圖示之搬送裝置，將基板W2自開口部11a搬入至處理容器11之內部。
然後，將基板W2載置於支撐爪13a上。
繼而，使基板W1與基板W2貼合。
首先，關閉開閉門11b而使處理容器11密閉。
其次，藉由利用墊14c按壓支撐於支撐爪13a之基板W2之大致中央部，而使基板W2撓曲，使基板W1之貼合面之一部分與基板W2之貼合面之一部分接觸。
此時，於進行貼合之同時使支撐爪13a逐漸朝退避方向移動。
基板W1之貼合面與基板W2之貼合面接觸之部分(貼合之部分)自中央部向周緣部不斷擴大。
而且，若基板W2之周緣部脫離支撐爪13a，則基板W1之貼合面與基板W2之貼合面於整個面接觸。即，基板W1與基板W2被貼合而形成貼合基板。
繼而，使墊14c上升。
所形成之貼合基板藉由未圖示之搬送裝置而搬出至處理容器11之外部。
以後，視需要重複上述順序，藉此可連續地進行基板W1與基板W2之貼合。
以上，對實施形態進行了例示。然而，本發明並不限定於該等記載。
業者針對上述實施形態適當進行構成要素之追加、刪除或設計 變更而成者、或進行步驟之追加、省略或條件變更而成者亦只要具備本發明之特徵，便包含於本發明之範圍內。
例如，亦可分別每複數次交替地進行吸附與解除，而非分別每1次交替地進行吸附與解除。
又，例如，貼合裝置100或吸附臺101所具備之各要素之形狀、尺寸、材質、配置、個數等並不限定於例示者，可適當進行變更。
又，上述各實施形態所具備之各要素能夠於可能之範圍內進行組合，該等組合而成者亦只要包含本發明之特徵，便包含於本發明之範圍內。
[產業上之可利用性]
如以上詳細敍述般，根據本發明，可提供一種即便為變形之基板亦可精度良好地進行貼合之吸附臺、貼合裝置及貼合基板之製造方法，且產業上之優點巨大。
11‧‧‧處理容器
11a‧‧‧開口部
11b‧‧‧開閉門
12‧‧‧載置部
13‧‧‧基板支撐部
13a‧‧‧支撐爪
13b‧‧‧移動部
13c‧‧‧基部
14‧‧‧按壓部
14a‧‧‧移動部
14b‧‧‧移動軸
14c‧‧‧墊
15‧‧‧排氣部
15a‧‧‧排氣泵
15b‧‧‧控制閥
15c‧‧‧配管
15d‧‧‧控制閥
15e‧‧‧配管
16‧‧‧控制部
100‧‧‧貼合裝置
101‧‧‧吸附臺
W1‧‧‧基板
W2‧‧‧基板

Claims (12)

  1. 一種吸附臺，其包括：載置部，其載置第1基板；及排氣部，其將上述第1基板與上述載置部之間排氣；且上述載置部包括：第1壁部，其設置於上述載置部之一端面之外緣側且呈環狀；及第2壁部，其設置於上述第1壁部之內側且呈環狀；上述排氣部包括：第1控制閥，其設置於上述第1壁部與上述第2壁部之間之第1區域和上述排氣部之間；第2控制閥，其設置於上述第2壁部之內側之第2區域與上述排氣部之間；及控制部，其控制上述第1控制閥與上述第2控制閥；上述控制部控制上述第1控制閥及上述第2控制閥，而交替地進行上述第1區域及上述第2區域中之至少一區域中之上述第1基板之吸附與上述第1基板之吸附之解除；於進行上述第1區域及上述第2區域中之任一區域中之上述第1基板之吸附之解除的期間，進行另一區域中之上述第1基板之吸附。
  2. 如請求項1之吸附臺，其中上述控制部控制上述第1控制閥及上述第2控制閥，而分別交替地進行上述第1區域及上述第2區域中之上述第1基板之吸附與上述第1基板之吸附之解除。
  3. 如請求項1之吸附臺，其中上述控制部控制上述第1控制閥及上述第2控制閥，而交替地分別進行複數次上述第1區域及上述第2區域中之上述第1基板之吸附與上述第1基板之吸附之解除。
  4. 如請求項1之吸附臺，其中上述控制部控制上述第1控制閥及上述第2控制閥，於進行上述第1區域及上述第2區域中之任一區域中之上述第1基板之解除之前，進行另一區域中之上述第1基板之吸附。
  5. 如請求項1之吸附臺，其中上述控制部控制上述第1控制閥及上述第2控制閥，而交替地進行上述第1區域及上述第2區域中之任一區域中之上述第1基板之吸附與上述第1基板之吸附之解除，且於在上述一區域交替地進行上述第1基板之吸附與解除之期間，進行另一區域中之上述第1基板之吸附。
  6. 一種貼合裝置，其包括：如請求項1之吸附臺；及基板支撐部，其支撐第2基板，該第2基板與載置於上述吸附臺之載置部之上述第1基板隔開特定間隔而相對。
  7. 一種貼合基板之製造方法，其包括以下步驟：將第1基板吸附於載置部；使第2基板與上述吸附之第1基板隔開特定間隔而相對；及使上述第2基板之貼合面之一部分與上述第1基板之貼合面之一部分接觸；且於將上述第1基板吸附於載置部之步驟中，交替地進行設置於上述載置部之第1區域及第2區域中之至少一區域中之上述第1基板之吸附與上述第1基板之吸附之解除，且於進行上述第1區域及上述第2區域中之任一區域中之上述第1基板之吸附之解除的期間，進行另一區域中之上述第1基板之吸附。
  8. 如請求項7之貼合基板之製造方法，其中於將上述第1基板吸附 於載置部之步驟中，當進行上述第1區域中之上述第1基板之吸附時，解除上述第2區域中之上述第1基板之吸附。
  9. 如請求項7之貼合基板之製造方法，其中於將上述第1基板吸附於載置部之步驟中，分別交替地進行上述第1區域及上述第2區域中之上述第1基板之吸附與上述第1基板之吸附之解除。
  10. 如請求項7之貼合基板之製造方法，其中於將上述第1基板吸附於載置部之步驟中，交替地分別進行複數次上述第1區域及上述第2區域中之上述第1基板之吸附與上述第1基板之吸附之解除。
  11. 如請求項7之貼合基板之製造方法，其中於將上述第1基板吸附於載置部之步驟中，在進行上述第1區域及上述第2區域中之任一區域中之上述第1基板之解除之前，進行另一區域中之上述第1基板之吸附。
  12. 如請求項7之貼合基板之製造方法，其中於將上述第1基板吸附於載置部之步驟中，交替地進行上述第1區域及上述第2區域中之任一區域中之上述第1基板之吸附與上述第1基板之吸附之解除，且進行另一區域中之上述第1基板之吸附。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6244188B2 (ja) * 2013-11-27 2017-12-06 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合方法および接合システム
JP6568781B2 (ja) * 2015-04-04 2019-08-28 東京エレクトロン株式会社 基板保持方法、基板保持装置、処理方法及び処理装置
KR102041044B1 (ko) * 2018-04-30 2019-11-05 피에스케이홀딩스 주식회사 기판 지지 유닛
KR102468794B1 (ko) 2018-07-06 2022-11-18 삼성전자주식회사 웨이퍼 본딩 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 본딩 시스템
KR102648711B1 (ko) 2018-09-20 2024-03-20 삼성전자주식회사 기판 본딩 장치 및 그를 이용한 기판 본딩 방법
CN111081817A (zh) * 2019-12-26 2020-04-28 吕晨康 一种太阳能电池板组件层压敷设装置
JP7355687B2 (ja) 2020-03-19 2023-10-03 キオクシア株式会社 貼合装置および貼合方法
CN112563184A (zh) * 2021-02-09 2021-03-26 北京中硅泰克精密技术有限公司 承载装置和半导体工艺设备
WO2022171305A1 (en) * 2021-02-15 2022-08-18 Applied Materials Italia S.R.L. System for handling substrates, gripper for lifting a substrate from a surface, method for gripping substrates using a gripper

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61145829A (ja) 1984-12-20 1986-07-03 Nippon Mining Co Ltd モザイク状スパツタリングタ−ゲツトとその製造方法
JPS61145839A (ja) 1984-12-20 1986-07-03 Toshiba Corp 半導体ウエ−ハの接着方法および接着治具
JPS62221130A (ja) * 1986-03-24 1987-09-29 Toshiba Corp 真空チヤツク装置
JPH06244269A (ja) * 1992-09-07 1994-09-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置並びに半導体製造装置におけるウエハ真空チャック装置及びガスクリーニング方法及び窒化膜形成方法
JPH10242255A (ja) 1997-02-28 1998-09-11 Kyocera Corp 真空吸着装置
JPH1174164A (ja) 1997-08-27 1999-03-16 Canon Inc 基板処理装置、基板支持装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
JP2001024051A (ja) * 1999-07-09 2001-01-26 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ吸着パッド
JP4821091B2 (ja) * 2004-04-08 2011-11-24 株式会社ニコン ウェハの接合装置
CN1965389B (zh) 2004-06-09 2011-08-10 尼康股份有限公司 基板保持装置、具备其之曝光装置及方法、元件制造方法
JP2006201330A (ja) 2005-01-19 2006-08-03 Fujitsu Ltd 貼合せ基板製造装置及び貼合せ基板製造方法
KR20060122557A (ko) 2005-05-27 2006-11-30 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치의 진공 척
JP4899879B2 (ja) * 2007-01-17 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5016523B2 (ja) * 2008-02-29 2012-09-05 株式会社日本セラテック 真空チャック
DE102008018536B4 (de) * 2008-04-12 2020-08-13 Erich Thallner Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger
JP2012186245A (ja) * 2011-03-04 2012-09-27 Tokyo Electron Ltd 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
EP2704182B1 (en) * 2011-04-26 2018-01-03 Nikon Corporation Substrate bonding apparatus and substrate bonding method
JP5877005B2 (ja) * 2011-07-29 2016-03-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板保持装置、および、基板保持方法
JP5929035B2 (ja) * 2011-08-10 2016-06-01 富士通セミコンダクター株式会社 基板搬送装置、半導体製造装置、及び基板搬送方法
JP2013120902A (ja) * 2011-12-08 2013-06-17 Tokyo Electron Ltd 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム

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