JPH04148549A - 半導体装置の評価方法 - Google Patents
半導体装置の評価方法Info
- Publication number
- JPH04148549A JPH04148549A JP2273886A JP27388690A JPH04148549A JP H04148549 A JPH04148549 A JP H04148549A JP 2273886 A JP2273886 A JP 2273886A JP 27388690 A JP27388690 A JP 27388690A JP H04148549 A JPH04148549 A JP H04148549A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chuck
- vacuum
- vacuum chuck
- concave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 37
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ウェハ上に形成された半導体装置（デバイス）のウェハ
の反りに対する特性評価に関する。
の反りに対する特性評価に関する。
簡単に制御性よくウェハに反りを実現してデバイスの特
性評価ができるようにすることを目的とし。
性評価ができるようにすることを目的とし。
表面が凹面あるいは凸面にわん曲した真空チャックの該
表面上にウェハを載せて、該ウェハを真空吸引して該ウ
ェハを該真空チャックの表面に沿って反らせた後、該ウ
ェハ上に形成されている半導体装置の特性測定を行うよ
うに構成する。
表面上にウェハを載せて、該ウェハを真空吸引して該ウ
ェハを該真空チャックの表面に沿って反らせた後、該ウ
ェハ上に形成されている半導体装置の特性測定を行うよ
うに構成する。
本発明はウェハ上に形成されたデバイスのウェハの反り
に対する特性評価に関する。
に対する特性評価に関する。
半導体装置の製造工程中で、ウェハは加熱処理やウェハ
と熱膨張係数の異なる被膜の被着によって反りを生じ、
しばしば形成されるデバイスの電気的特性に悪影響を与
える。
と熱膨張係数の異なる被膜の被着によって反りを生じ、
しばしば形成されるデバイスの電気的特性に悪影響を与
える。
本発明はそのために簡単に反りに対する特性評価ができ
る方法として用いられる。
る方法として用いられる。
従来、ウェハに反りを与える方法としては１例えばアル
ミニウム膜のようなウェハにストレスを与える強靭な被
膜をウェハの裏面に形成し、故意に反りを作って特性評
価を行っていた。
ミニウム膜のようなウェハにストレスを与える強靭な被
膜をウェハの裏面に形成し、故意に反りを作って特性評
価を行っていた。
従来法では反りの程度は被膜の被着法と膜質と膜厚によ
って決まり、制御が難しく、また成膜工程を必要とした
。
って決まり、制御が難しく、また成膜工程を必要とした
。
本発明は簡単に制御性よくウェハに反りを実現してデバ
イスの特性評価ができるようにすることを目的とする。
イスの特性評価ができるようにすることを目的とする。
上記課題の解決は１表面が凹面あるいは凸面にわん曲し
た真空チャックの該表面上にウェハを載せて、該ウェハ
を真空吸引して該ウェハを該真空チャックの表面に沿っ
て反らせた後、該ウェハ上に形成されている半導体装置
の特性測定を行う半導体装置の評価方法により達成され
る。
た真空チャックの該表面上にウェハを載せて、該ウェハ
を真空吸引して該ウェハを該真空チャックの表面に沿っ
て反らせた後、該ウェハ上に形成されている半導体装置
の特性測定を行う半導体装置の評価方法により達成され
る。
本発明者はウェハを載せる真空チャックの表面を凹面、
あるいは凸面にしてウェハを吸引するとウェハはその形
状に合わせて反ることを実験的に確認して、その結果を
利用したものである。
あるいは凸面にしてウェハを吸引するとウェハはその形
状に合わせて反ることを実験的に確認して、その結果を
利用したものである。
実験の結果、厚さ４００μｍ、直径６インチのシリコン
ウェハに対し高低差４５０μｍまで、チャックの反りに
合わせてウェハを吸着できることが分かった。
ウェハに対し高低差４５０μｍまで、チャックの反りに
合わせてウェハを吸着できることが分かった。
なお、実験は真空チャックの吸引孔の大きさ（１ｍｍφ
）が同一で等間隔配列（縦横のピッチが１５ ｍｍ）の
場合について行ったが、真空チャックの吸引孔の大きさ
、数、配置を変え、また吸引孔の大きさまたは配置密度
を場所によって変えて最適条件を求めると更に効果が期
待できる。
）が同一で等間隔配列（縦横のピッチが１５ ｍｍ）の
場合について行ったが、真空チャックの吸引孔の大きさ
、数、配置を変え、また吸引孔の大きさまたは配置密度
を場所によって変えて最適条件を求めると更に効果が期
待できる。
そこで９反りの程度を変えたチャックを用意して交換す
れば９種々の反りに対する評価が簡単にできる。
れば９種々の反りに対する評価が簡単にできる。
さらに、従来の平面チャックの上に本発明のチャックを
オプションとして重ねられるようにすると便利である。
オプションとして重ねられるようにすると便利である。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例を説明する
真空チャックの断面図である。
真空チャックの断面図である。
第１図（ａ）は、真空チャック１１の表面が凹面の場合
を示し、真空吸引によりウェハ２はチャックの表面に上
向きに凹に反る。
を示し、真空吸引によりウェハ２はチャックの表面に上
向きに凹に反る。
なお２図では縦方向の寸法を拡大して書いているが、厚
さ４００μｍ、直径６インチのシリコンウェハに対し高
低差４５０μｍである。
さ４００μｍ、直径６インチのシリコンウェハに対し高
低差４５０μｍである。
第１図（ｂ）は、真空チャック１２の表面が凸面の場合
を示し、真空吸引によりウェハ２はチャックの表面に上
向きに凸に反る。
を示し、真空吸引によりウェハ２はチャックの表面に上
向きに凸に反る。
第２図は他の実施例を説明する真空チャックの断面図で
ある。
ある。
図において９表面が平面の通常の真空チャックｌの上に
、オプションとして表面が凹面の真空チャック１３を重
ねて９両方のチャックの吸引孔を合わせて真空吸引する
。真空吸引によりウェハ２はチャックの表面に上向きに
凹に反る。
、オプションとして表面が凹面の真空チャック１３を重
ねて９両方のチャックの吸引孔を合わせて真空吸引する
。真空吸引によりウェハ２はチャックの表面に上向きに
凹に反る。
チャックの表面が凸の場合も同様にオプションとして表
面が凸面の真空チャックを重ねる。
面が凸面の真空チャックを重ねる。
以上の実施例ではチャック表面に多数の吸引孔を設けた
が、この構造の代わりに吸引孔は中央部のみとして、チ
ャック表面にｌｍｍＸ１ｍｍの断面の溝を同心円状に多
数形成し、同心円状の谷溝と吸引孔との間は放射状の溝
で連絡するようにしたもよい。
が、この構造の代わりに吸引孔は中央部のみとして、チ
ャック表面にｌｍｍＸ１ｍｍの断面の溝を同心円状に多
数形成し、同心円状の谷溝と吸引孔との間は放射状の溝
で連絡するようにしたもよい。
また１通常の平面のチャック表面に部分的なスペーサを
中央部または周囲部に設けてウェハを凸面または凹面に
反らせることもできるが９本発明と均等であると考える
ことができる。
中央部または周囲部に設けてウェハを凸面または凹面に
反らせることもできるが９本発明と均等であると考える
ことができる。
以上説明したように本発明によれば、簡単に制御性よ（
ウェハに反りを実現でき１種々の反りの程度に対するデ
バイスの特性評価ができるようなった。
ウェハに反りを実現でき１種々の反りの程度に対するデ
バイスの特性評価ができるようなった。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例を説明する
真空チャックの断面図。 第２図は他の実施例を説明する真空チャックの断面図で
ある。 図において。 ■は従来の真空チャック。 １１、１２．１３は実施例の真空チャック。 ２はウェハ 匈拒伊１の断面図 γ１０ 佃／）＊拙７ｊｌｌ／）＃牲泥 惰２０
真空チャックの断面図。 第２図は他の実施例を説明する真空チャックの断面図で
ある。 図において。 ■は従来の真空チャック。 １１、１２．１３は実施例の真空チャック。 ２はウェハ 匈拒伊１の断面図 γ１０ 佃／）＊拙７ｊｌｌ／）＃牲泥 惰２０
Claims (1)
- 表面が凹面あるいは凸面にわん曲した真空チャックの該
表面上にウェハを載せて、該ウェハを真空吸引して該ウ
ェハを該真空チャックの表面に沿って反らせた後、該ウ
ェハ上に形成されている半導体装置の特性測定を行うこ
とを特徴とする半導体装置の評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2273886A JPH04148549A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 半導体装置の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2273886A JPH04148549A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 半導体装置の評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04148549A true JPH04148549A (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=17533945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2273886A Pending JPH04148549A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 半導体装置の評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04148549A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000055686A1 (en) * | 1997-05-21 | 2000-09-21 | Joseph Lyons | Passive shaped chuck for correcting field curvature |
| US6451670B1 (en) | 1997-08-27 | 2002-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate processing apparatus, substrate support apparatus, substrate processing method, and substrate fabrication method |
| JP2007502538A (ja) * | 2003-08-11 | 2007-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 高圧処理中にウエハを保持する真空チャック装置及び方法 |
| JP2007048828A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Murata Mfg Co Ltd | 板状体の変形処理装置及び該板状体の変形処理方法 |
| JP2010029928A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| DE102009005182A1 (de) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Suss Microtec Test Systems Gmbh | Chuck und Verfahren zur Aufnahme und Halterung dünner Testsubstrate |
| CN109425615A (zh) * | 2017-09-01 | 2019-03-05 | Tdk株式会社 | 吸附喷嘴及具备其的外观检查装置和电路基板的制造方法 |
| CN117198896A (zh) * | 2022-05-31 | 2023-12-08 | 长沙瑶华半导体科技有限公司 | 一种曲面法兰表面多点测高贴片方法 |
-
1990
- 1990-10-12 JP JP2273886A patent/JPH04148549A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000055686A1 (en) * | 1997-05-21 | 2000-09-21 | Joseph Lyons | Passive shaped chuck for correcting field curvature |
| US6451670B1 (en) | 1997-08-27 | 2002-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate processing apparatus, substrate support apparatus, substrate processing method, and substrate fabrication method |
| US6706618B2 (en) | 1997-08-27 | 2004-03-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate processing apparatus, substrate support apparatus, substrate processing method, and substrate fabrication method |
| JP2007502538A (ja) * | 2003-08-11 | 2007-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 高圧処理中にウエハを保持する真空チャック装置及び方法 |
| JP2007048828A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Murata Mfg Co Ltd | 板状体の変形処理装置及び該板状体の変形処理方法 |
| JP2010029928A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| DE102009005182A1 (de) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Suss Microtec Test Systems Gmbh | Chuck und Verfahren zur Aufnahme und Halterung dünner Testsubstrate |
| CN109425615A (zh) * | 2017-09-01 | 2019-03-05 | Tdk株式会社 | 吸附喷嘴及具备其的外观检查装置和电路基板的制造方法 |
| TWI761582B (zh) * | 2017-09-01 | 2022-04-21 | 日商Ｔｄｋ股份有限公司 | 外觀檢查裝置暨電路基板之製造方法 |
| CN117198896A (zh) * | 2022-05-31 | 2023-12-08 | 长沙瑶华半导体科技有限公司 | 一种曲面法兰表面多点测高贴片方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11769683B2 (en) | Chamber component with protective ceramic coating containing yttrium, aluminum and oxygen | |
| US7248456B2 (en) | Electrostatic chuck | |
| JPH05166741A (ja) | 熱処理装置用基板支持具 | |
| JPH04148549A (ja) | 半導体装置の評価方法 | |
| JP2004022571A (ja) | ウエハ支持治具およびそれを用いた半導体素子製造方法 | |
| US6165276A (en) | Apparatus for preventing plasma etching of a wafer clamp in semiconductor fabrication processes | |
| JPH0556013B2 (ja) | ||
| US20210111060A1 (en) | Wafer supporting structure | |
| JP2002134451A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH098108A (ja) | 半導体基板加熱ホルダ | |
| CN113463070B (zh) | 半导体结构加工设备 | |
| JPS5948138B2 (ja) | アモルフアス半導体膜の製造方法 | |
| JPS62252937A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2963145B2 (ja) | Ｃｖｄ膜の形成方法及び形成装置 | |
| TWI838539B (zh) | 晶圓支撐結構 | |
| JPS59139628A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPH0758035A (ja) | 半導体基板用熱処理治具 | |
| KR20170099520A (ko) | 기판 트레이 | |
| JPH04345019A (ja) | 半導体用処理部材 | |
| JPH11354459A (ja) | 半導体製造装置 | |
| WO2020003722A1 (ja) | ＳｉＣ部材 | |
| JPH04162615A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH03201429A (ja) | 縦型ｃｖｄ装置用ウエハホルダー | |
| JPH1064776A (ja) | ダミーウエハ | |
| JPH10107117A (ja) | 基板処理装置 |