JPH04162615A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は半導体装置の製造装置に係り、特に半導体ウェ
ハ上に所望の膜を形成するＣＶＤ装置または蒸着装置に
適用して有効な技術に関するものである。

［従来の技術］ 半導体製造装置のうち、ＣＶＤ装置においては、半導体
ウェハ上にＰＳＧ膜やＳｉＯ２膜を形成し、また蒸着装
置においてはＡＩ膜等を形成する。このような装置では
、半導体ウェハ上に形成した膜を均一で、特性の安定し
たものに形成するため半導体ウェハが配置される試料台
下部にヒータが取付けられ、その輻射熱により半導体ウ
ェハを加熱し、形成される膜の化学反応が促進されるよ
うにしている。このため半導体ウェハ上の膜を形成する
ためには加熱が不可欠となる。

従来、このような半導体ウェハが配置される試料台は、
平面状に形成され、下部に加熱源となるヒータを有して
いるものが使用され、その試料台上に半導体ウェハが配
置され処理されるのが一般的である。

このようなものを示したものとして特開昭４８−１０３
０８８号がある。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記したような半導体ウェハは表面に所望の膜
が形成されていない場合は特に問題はないが、表面に既
に所望の膜が形成されている場合は、その膜の存在によ
り膜の存在しない面との間で応力が発生し半導体ウェハ
に僅かながら反りを発生させる。このような反りは僅か
なものであるが、同じウェハの面内において、試料台と
ウニ／’％が接している部分と離間している部分とが発
生する。このような状態となると、当然のことなからウ
ェハはその面内においてヒータにより熱せられた試料台
から発生する輻射熱に違いを生じることとなる。その結
果、ウェハ上に形成されている膜は輻射熱の違いにより
均一な化学反応が促進されずに、部分的に不均一なもの
となってしまうという問題があった。またこのように生
成膜が不均一となるとエツチング時にバラツキを生じた
り、ステップカバレジが悪化する等の問題も生じるとい
う問題があった。

本願発明の目的は上記したような問題を解決し、半導体
ウェハ上に均一な膜を形成することのできる半導体製造
装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの手段
について説明すれば下記のとおりである。

すなわち、半導体ウェハ上に所望の膜を形成する半導体
製造装置において、半導体ウエノ＼が配置される試料台
がすり鉢状に形成されてなる半導体製造装置である。ま
た試料台に半導体ウエノ＼を支持する支持部を有し、前
記支持部によりウニ／Ｘを支持し、試料台表面から半導
体ウニ／Ｘへの距離が同一ウェハ面内にて一定になるよ
うに形成されてなることを特徴とする半導体製造装置で
ある。

［作用コ 上記した手段によれば、試料台から発生する輻射熱が半
導体ウェハを均一に加熱することができるため、半導体
ウェハ上に形成される膜の化学反応が一定となり均一な
膜を形成することが可能となる。

［実施例１コ 第１図は、本発明の第１の実施例である半導体製造装置
を示す概略側面断面図、第２図は第１図に示した実施例
の試料台の側面断面図およびその一部上面図である。

本実施例において、対象となる半導体製造装置はＣＶＤ
により膜を形成するＣＶＤ装置である。

第１図に示したように、本発明の半導体製造装置は、装
置全体を覆う形状となるベルジャ１と中央にバッファ３
が設けられ、その周囲に支持台５を有する支持棒４を中
央に有する基体６とからなっている。前記支持台５は基
体６の周囲において内輪歯車７により自転するように構
成された試料台となるウェハ台８がウェハ台支持軸８ｃ
を介して設けられている。支持台５は支持棒４が回転す
ることによりウェハ台８の公転台としての機能を有して
いる。この支持台５には、各ウェハ台８の下部に対応す
るようにヒータ９がそれぞれ設けられている。ウェハ台
支持台８ｃは支持軸５に組み込まれており、回転可能に
取付けられている。またウェハ台８はウェハ支持軸８ｃ
に着脱可能に取付けられている。ベルジャ１の上部中央
に設けられた注入孔２から注入される反応ガスがウェハ
台８上に配置されたウェハ１０上で反応し堆積しＣＶＤ
膜となる。このためヒータによりウェハ台８は加熱され
ウェハ台からの輻射熱がウェハを加熱する。第２図に示
したようにウェハ台８に配置されるウェハ１０は既に表
面に所望の膜（たとえば酸化膜等）が形成されており僅
かながら凹状に反っている。このためウェハを全面に渡
って均一に加熱するために表面が座ぐられ、すり鉢形状
をなしている。このすり鉢形状は、処理の対象となる半
導体ウェハの工程および表面に形成される膜の種類別に
反りのサンプルを測定しておき反りの値に基づいてウェ
ハ台表面とウェハが同一面内においてほぼ一定（１≠１
’）となるような形状に形成しておく。ウェハ台８の周
囲は２段に形成されウェハ支持部８ａと試料台表面８ｂ
を形成している。そのため試料台表面８ｂとウェハとの
間隔（１）および（１′）は一定となり離間している。

本実施例によれば、ウェハとウェハ台との間隔を一定と
することが可能となるので、ウェハ台８からの輻射熱が
ウェハ全面において常に一定となり、ウェハ状に形成さ
れる膜の化学反応が一定となり均一な膜を形成すること
が可能となる。

［実施例２］ 第３図は本願発明の第２の実施例である半導体製造装置
に適用されるウェハ台を示した断面図である。

本実施例においては対象となる半導体ウェハ１２が第１
の実施例とは逆に反った場合を示したものである。その
ため本実施例においてはウェハ台表面１１ａが凹状に形
成されている。このようにしてウェハ台表面１１ａとウ
ェハとの離間距離が一定（１；１’）となるように構成
されている。

以下その他の装置構成においては第１の実施例に示した
ものと同等なものを使用できる。

［発明の効果］ 本願によって開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を記載すれば下記のとおりである。

すなわち、半導体ウェハ上に形成される所望の膜を均一
なものとすることが可能となり、高信頼の半導体装置を
得ることができる。

以上、本願発明を本願の発明の背景となったＣＶＤ装置
について説明したが、本願は前記実施例に限定されるこ
となく本願の主旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であ
ることはいうまでもない。

すなわち、蒸着膜を形成する装置に適用してもかまわな
いし、その他どのような膜を形成するものに適用しても
構わない。すなわち輻射熱を使用しウェハ上の膜の化学
反応を促進するような構成であればどのようなものに適
用しても構わない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本願発明の第１の実施例である半導体製造装置
の概略断面図、 第２図は第１図に示した半導体製造装置のウェハ台の側
面断面図、 第３図は、第２の実施例であるウニノー台の側面断面図
である。 １　・ベルジャ、２　・注入孔、３・・バッファ、４・
支持棒、５・支持台、６・基体、７・・内輪歯車、８．
１トウ工バ台、８ａ、ｌｌａ・・・支持部、８ｂ、ｌｌ
ｂ・・試料台（ウエノ１台）表面、８Ｃ・支持軸、９・
・・ヒータ、１０・・ウェハ第　　１　図 第　　２　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェハ上に、所望の膜を形成する半導体装置
   の製造装置において、前記半導体ウェハが配置される試
   料台は表面がすり鉢状の加工が施されて成ることを特徴
   とする半導体製造装置。 ２、半導体ウェハ上に所望の膜を形成する半導体製造装
   置において、前記半導体ウェハが配置される試料台は周
   囲に半導体ウェハが支持される支持部を有すると共に前
   記支持部に半導体ウェハが配置されたとき、試料台表面
   が半導体ウェハと同一面内においてほぼ一定距離に形成
   されて成ることを特徴とする半導体製造装置。