JPH03201429A - 縦型cvd装置用ウエハホルダー - Google Patents
縦型cvd装置用ウエハホルダーInfo
- Publication number
- JPH03201429A JPH03201429A JP34021489A JP34021489A JPH03201429A JP H03201429 A JPH03201429 A JP H03201429A JP 34021489 A JP34021489 A JP 34021489A JP 34021489 A JP34021489 A JP 34021489A JP H03201429 A JPH03201429 A JP H03201429A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- holder
- wafer holder
- base
- automatic machine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 31
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035936 sexual power Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は縦型CVD装置用ウェハホルダーに関するも
のである。
のである。
第5図及び第7図は従来用いられていたウェハホルダー
の斜視図、第6図及び第8図は、第5図及び第7図のそ
れぞれ断面図である。図において、[11はホルダー本
体、(2)はウェハ保持用位置決めピン、(3)はウェ
ハである。ウェハ(3)は双方共ウェハの表面が装置な
どに触れない様にする為、図示矢印の如(face u
p (フェースアップ)で置かれる。
の斜視図、第6図及び第8図は、第5図及び第7図のそ
れぞれ断面図である。図において、[11はホルダー本
体、(2)はウェハ保持用位置決めピン、(3)はウェ
ハである。ウェハ(3)は双方共ウェハの表面が装置な
どに触れない様にする為、図示矢印の如(face u
p (フェースアップ)で置かれる。
半導体の電極及び配線材料としては、多結晶シリコンを
減圧CVD装置で形成する方法が一般的に用いられてい
るが、この方法ではガス対流によりウェハ周辺部が厚く
なる。このためウェハホルダーを使用してウェハ周辺部
の厚みを軽減する。
減圧CVD装置で形成する方法が一般的に用いられてい
るが、この方法ではガス対流によりウェハ周辺部が厚く
なる。このためウェハホルダーを使用してウェハ周辺部
の厚みを軽減する。
次に動作について説明する。第5図第6図において、ホ
ルダー本体(1)上にウェハ(3)を載せると、ホルダ
ー本体(1)にはガス対流によって厚い膜が形成される
が、ウェハ(3)の周辺部での対流はホルダー 本体(
11での対流に較べ小さいので、ウェハ(3)の周辺部
の厚さを軽減できる。第7図第8図ばウェハ(3)をウ
ェハ保持用位置決めピン(2)の上に載せ、自動機の対
応ができるようにしたものである。
ルダー本体(1)上にウェハ(3)を載せると、ホルダ
ー本体(1)にはガス対流によって厚い膜が形成される
が、ウェハ(3)の周辺部での対流はホルダー 本体(
11での対流に較べ小さいので、ウェハ(3)の周辺部
の厚さを軽減できる。第7図第8図ばウェハ(3)をウ
ェハ保持用位置決めピン(2)の上に載せ、自動機の対
応ができるようにしたものである。
従来のウェハホルダーCま以上のように構成されていた
ので、第5図第6図のものでは自動機での対応ができず
、また第7図第8図のものではピンによるガス対流で均
一性が低下するなどの問題点があった。
ので、第5図第6図のものでは自動機での対応ができず
、また第7図第8図のものではピンによるガス対流で均
一性が低下するなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ウェハ面内の均一性を向上できろと共に、自
動機での対応を可能とし、ノf−ティクルの少ない膜形
成が可能なウエノ)ホルダーを1輝ることを目的とする
。
たもので、ウェハ面内の均一性を向上できろと共に、自
動機での対応を可能とし、ノf−ティクルの少ない膜形
成が可能なウエノ)ホルダーを1輝ることを目的とする
。
この発明に係るウェハホルダーは、ホルダー本体とウニ
への間に円筒状の台座を設け、乙の台座に自動機又はピ
ンセット用の切り込みを入れたものである。
への間に円筒状の台座を設け、乙の台座に自動機又はピ
ンセット用の切り込みを入れたものである。
この発明におけろウェハホルダーは、切り込みを入れた
円筒状の台座を設けることにより、ウェハ面内の均一性
を向上できると共に自動機での対応が可能となる。
円筒状の台座を設けることにより、ウェハ面内の均一性
を向上できると共に自動機での対応が可能となる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図及び第3図はこの発明の一実施例によろウェハホルダ
ーの斜視図を示し、第2図及び第4図は第1図及び第3
図のそれぞれ断面図を示す。
図及び第3図はこの発明の一実施例によろウェハホルダ
ーの斜視図を示し、第2図及び第4図は第1図及び第3
図のそれぞれ断面図を示す。
図において、(11はホルダー本体、(2)はウエノ)
設置用台座、(3)はウェハ、(4)は台座(2)の切
り込み部である。またウェハ(3)は図示矢印の如くフ
ェースアップに置かれる。
設置用台座、(3)はウェハ、(4)は台座(2)の切
り込み部である。またウェハ(3)は図示矢印の如くフ
ェースアップに置かれる。
ホルダー本体(11上にある台座(2)にウェハ(3)
を設置すると、ガスの流れが一様になるため、均一な膜
が形成できろ。さらに台座(21に切り込み(4)を入
れることにより、自動機での対応が可能となり、パーテ
ィクルを減少させることができろ。
を設置すると、ガスの流れが一様になるため、均一な膜
が形成できろ。さらに台座(21に切り込み(4)を入
れることにより、自動機での対応が可能となり、パーテ
ィクルを減少させることができろ。
以上のようにこの発明によれば、ウェハホルダーとウェ
ハの間に切り込みを入れた円筒状の台座を設けたので、
ウェハ面内の均一性が向上できろと共に、自動機との対
応が可能となり、パーティクルの減少が図れるという効
果がある。
ハの間に切り込みを入れた円筒状の台座を設けたので、
ウェハ面内の均一性が向上できろと共に、自動機との対
応が可能となり、パーティクルの減少が図れるという効
果がある。
第1図及び第3図はこの発明の一実施例によろウェハホ
ルダーの斜視図、第2図及び第4図は第1図及び第3図
のそれぞれ断面図、第5図及び第7図は従来のウェハホ
ルダーの斜視図、第6図及び第8図は第5図及び第7図
のそれぞれ断面図である。 図において、(1)はホルダー本体、(2)はウエノ)
設置用台座、(3)はウェハ、(4)は台座(2)の切
り込み部を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
ルダーの斜視図、第2図及び第4図は第1図及び第3図
のそれぞれ断面図、第5図及び第7図は従来のウェハホ
ルダーの斜視図、第6図及び第8図は第5図及び第7図
のそれぞれ断面図である。 図において、(1)はホルダー本体、(2)はウエノ)
設置用台座、(3)はウェハ、(4)は台座(2)の切
り込み部を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- ウェハホルダーとウェハの間に円筒状の台座を設置し、
この台座に自動機、又はピンセット用の切り込みを入れ
たことを特徴とする縦型CVD装置用ウェハホルダー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34021489A JPH03201429A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 縦型cvd装置用ウエハホルダー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34021489A JPH03201429A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 縦型cvd装置用ウエハホルダー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03201429A true JPH03201429A (ja) | 1991-09-03 |
Family
ID=18334788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34021489A Pending JPH03201429A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 縦型cvd装置用ウエハホルダー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03201429A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5580388A (en) * | 1993-01-21 | 1996-12-03 | Moore Epitaxial, Inc. | Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors |
US5584936A (en) * | 1995-12-14 | 1996-12-17 | Cvd, Incorporated | Susceptor for semiconductor wafer processing |
US5820686A (en) * | 1993-01-21 | 1998-10-13 | Moore Epitaxial, Inc. | Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP34021489A patent/JPH03201429A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5580388A (en) * | 1993-01-21 | 1996-12-03 | Moore Epitaxial, Inc. | Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors |
US5820686A (en) * | 1993-01-21 | 1998-10-13 | Moore Epitaxial, Inc. | Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors |
US5584936A (en) * | 1995-12-14 | 1996-12-17 | Cvd, Incorporated | Susceptor for semiconductor wafer processing |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0926706A3 (en) | Substrate processing apparatus, substrate support apparatus, substrate processing method, and substrate manufacturing method | |
US5109264A (en) | Semiconductor wafers having a shape suitable for thermal treatment | |
JPH09181153A (ja) | 半導体ウェーハ固定装置 | |
JPH03201429A (ja) | 縦型cvd装置用ウエハホルダー | |
JP2001007090A (ja) | プラズマエッチング装置用フォーカスリング | |
US6165276A (en) | Apparatus for preventing plasma etching of a wafer clamp in semiconductor fabrication processes | |
KR100460338B1 (ko) | 반도체소자 제조용 서셉터 | |
JPH0414848A (ja) | Icの製造工程における半導体ウエハのチャック機構 | |
JPH11243064A (ja) | ウェーハ支持板 | |
JPH07321043A (ja) | 薄膜成長用サセプタ | |
JP2827241B2 (ja) | 半導体ウェーハのノッチ合わせ機構 | |
JPH0541358A (ja) | 半導体ウエハ用ボート | |
KR100286350B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 분리장치 | |
JPH0644095Y2 (ja) | レジスト塗布装置 | |
KR970030248A (ko) | 저압화학기상증착장비의 인젝터 구조(a gas injector of LPCVD machine) | |
JPS5911643A (ja) | 誘電体分離基板 | |
JPS6247940A (ja) | イオン注入装置 | |
JPH0220018A (ja) | プラズマ処理装置の電極構造 | |
JPS63229719A (ja) | ドライエツチング装置 | |
JPH04256309A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPS60100429A (ja) | ドライエツチング方法 | |
JPH0325917A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH0936209A (ja) | 成膜装置及びこの装置に使用する基板支持治具 | |
JPS61166023A (ja) | 半導体ウエハの熱処理方法 | |
JP2000176768A (ja) | 成膜装置 |