JPS60100429A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
- Publication number
- JPS60100429A JPS60100429A JP20771383A JP20771383A JPS60100429A JP S60100429 A JPS60100429 A JP S60100429A JP 20771383 A JP20771383 A JP 20771383A JP 20771383 A JP20771383 A JP 20771383A JP S60100429 A JPS60100429 A JP S60100429A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etched
- wafer
- holder
- dry etching
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はドライエツチング方法に係シ、特にそのエツ
チングの均一性を向上するための改良に関するものであ
る。
チングの均一性を向上するための改良に関するものであ
る。
第１図、第２図および第３図はそれぞれ従来のドライエ
ツチング方法における板状の被エツチング部材であるウ
ェーハのエツチング電極上への載檻、状況の例を示す断
面図で、第１図の例ではエツチング電極（１）の上に、
例えば石英、ポリテトラフルオリエチレン重合体、カー
ボンなどからなるウェーハホルダー（２ａ）を密着させ
て置キ、その上にウェーハ（３）を載置しており、第２
図の例ではウェーハホルダ（２１））にウェーハ（３）
の径に合わせて開孔されたウェーハ載置部（４ａ）にウ
ェーハ（３）全載置しており、第３図の例では上述のよ
うなウェーハホルダーを用いず、エツチング［独（（＋
＋の」二に直接ウェーハ（３）を載置していた。第２図
の例でも、ウェーハホルダー（２ｂ）の厚さについて配
慮がなされておらず、上記いずれの例でも、ウェーハ（
３）の被エツチング面とその周辺部との間に段差があり
、ドライエツチングの際の反応ガスかウェーハ［３＋の
被エツチング面全体に均一に流れず、また放電時の電界
分布もウェーハ（３）の中央部と周縁部とで不均一にな
る。従って、ドライエツチングが均一に行えないという
欠点があった。
ツチング方法における板状の被エツチング部材であるウ
ェーハのエツチング電極上への載檻、状況の例を示す断
面図で、第１図の例ではエツチング電極（１）の上に、
例えば石英、ポリテトラフルオリエチレン重合体、カー
ボンなどからなるウェーハホルダー（２ａ）を密着させ
て置キ、その上にウェーハ（３）を載置しており、第２
図の例ではウェーハホルダ（２１））にウェーハ（３）
の径に合わせて開孔されたウェーハ載置部（４ａ）にウ
ェーハ（３）全載置しており、第３図の例では上述のよ
うなウェーハホルダーを用いず、エツチング［独（（＋
＋の」二に直接ウェーハ（３）を載置していた。第２図
の例でも、ウェーハホルダー（２ｂ）の厚さについて配
慮がなされておらず、上記いずれの例でも、ウェーハ（
３）の被エツチング面とその周辺部との間に段差があり
、ドライエツチングの際の反応ガスかウェーハ［３＋の
被エツチング面全体に均一に流れず、また放電時の電界
分布もウェーハ（３）の中央部と周縁部とで不均一にな
る。従って、ドライエツチングが均一に行えないという
欠点があった。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、被
エツチング部材のホルダーの上面と被エツチング部材の
被エツチング面とを実質的に同一平面とすることによっ
て、均一なエツチングが可能なドライエツチング方法で
提供するものである。
エツチング部材のホルダーの上面と被エツチング部材の
被エツチング面とを実質的に同一平面とすることによっ
て、均一なエツチングが可能なドライエツチング方法で
提供するものである。
第４図はこの発明の第１の実施例におけるウェーハの載
置状況を示す断面図で、以下従来例と同一符号は同等部
分を示す。この例ではウェーハホルダー（２Ｃ）にはウ
ェーハ（３）の厚さと同程度の深さの凹部からなるウェ
ーハ載置部（４ｂ）を設け、ここにウェーハ（３）を載
置する。
置状況を示す断面図で、以下従来例と同一符号は同等部
分を示す。この例ではウェーハホルダー（２Ｃ）にはウ
ェーハ（３）の厚さと同程度の深さの凹部からなるウェ
ーハ載置部（４ｂ）を設け、ここにウェーハ（３）を載
置する。
第５図はこの発明の第２の実施例におけるウェーハの載
置状況を示す断面図で、これは第２図に示した従来例に
おけるウェーハホルダー（２ａ）の厚さをウェーハ（３
）の厚さと実質的に等しくしたものである。
置状況を示す断面図で、これは第２図に示した従来例に
おけるウェーハホルダー（２ａ）の厚さをウェーハ（３
）の厚さと実質的に等しくしたものである。
第６図（ａ）はこの発明の第３の実施例におけるウェー
ハの載り状況を示す平面図、第６図（ｂ）はそのｖＩＢ
−％’ＩＢ線での断面図で、第４図に示した第１の実施
例におけるウェーハ載置部（４ｂ）を複敬個備えたウェ
ーハホルダー（２ｄ）を用いたものである。
ハの載り状況を示す平面図、第６図（ｂ）はそのｖＩＢ
−％’ＩＢ線での断面図で、第４図に示した第１の実施
例におけるウェーハ載置部（４ｂ）を複敬個備えたウェ
ーハホルダー（２ｄ）を用いたものである。
以上いずれの場合もウェーハの被エツチング面とウェー
ハホルダーの上面とが実質的に一致するので反応ガスが
ウェーハの被エツチング面全体に均一に供給され、かつ
、放電時の電界分布も均一になり均一なエツチングが可
能になる。
ハホルダーの上面とが実質的に一致するので反応ガスが
ウェーハの被エツチング面全体に均一に供給され、かつ
、放電時の電界分布も均一になり均一なエツチングが可
能になる。
以上説明したように、この発明では、エツチング電極の
上に被エツチング部月のホルダを１行き、このホルダー
に設けられた載置部に被エツチング部材を載置してドラ
イエツチングするに際して、被エツチング部材の上面と
ホルダーの上面とを実質的に同一平面としたので、被エ
ツチング面全面について、反応カスの供給、放電時の電
界分布が均一となり均一なエツチングが可能となる。
上に被エツチング部月のホルダを１行き、このホルダー
に設けられた載置部に被エツチング部材を載置してドラ
イエツチングするに際して、被エツチング部材の上面と
ホルダーの上面とを実質的に同一平面としたので、被エ
ツチング面全面について、反応カスの供給、放電時の電
界分布が均一となり均一なエツチングが可能となる。
第１図、第２図および第３図はそれぞれ従来のドライエ
ツチング方法における板状の被エツチング部材であるウ
ェーハのエツチング電極上への載置状況の例を示す断面
図、第４図および第５図はそれぞれこの発明の第１およ
び第２の実施例におけるウェーハの載置状況を示す断面
図、第６図はこの発明の第３の実施例におけるウェーハ
の載置状況を示し、第６図（ａ）はその平面図、第６図
（ｂ）は第６図（ａ）のＶＩＢ−１’ｌＢ線での断面図
である。 図において、＋１１はエツチング電極、（２ａ）、 （
２ｃ）。 （２ｄ） ハウエーハ（被エツチング部材）ホルダー、
（３）はウェーハ（被エツチング部材）、（４ａ）＋
（４ｂ）はウェーハ（被エツチング部材）載置部である
。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 第２図 第３１′刈 手続補正書（金肥） 昭和５２年４月１２日 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５８−２０７７１３号 ４へ２
・発明ノ名称 ドライエツチング方法３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の榴 ６、補正の内容
ツチング方法における板状の被エツチング部材であるウ
ェーハのエツチング電極上への載置状況の例を示す断面
図、第４図および第５図はそれぞれこの発明の第１およ
び第２の実施例におけるウェーハの載置状況を示す断面
図、第６図はこの発明の第３の実施例におけるウェーハ
の載置状況を示し、第６図（ａ）はその平面図、第６図
（ｂ）は第６図（ａ）のＶＩＢ−１’ｌＢ線での断面図
である。 図において、＋１１はエツチング電極、（２ａ）、 （
２ｃ）。 （２ｄ） ハウエーハ（被エツチング部材）ホルダー、
（３）はウェーハ（被エツチング部材）、（４ａ）＋
（４ｂ）はウェーハ（被エツチング部材）載置部である
。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 第２図 第３１′刈 手続補正書（金肥） 昭和５２年４月１２日 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５８−２０７７１３号 ４へ２
・発明ノ名称 ドライエツチング方法３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の榴 ６、補正の内容
Claims (2)
- （１） エツチング電極の上において板状の被エツチン
グ部材の上面にドライエツチングを施すに際して、上記
エツチングｉｉ、ｓｉの上に置かれた上記被エツチング
部材のホルダーに上記被エツチング部材がちょうどはま
シ込む載置部を設け、この載置部に載置された上記被エ
ツチング部材の上面と上記ホルダーの上面とが実質的に
同一平面になるようにしてドライエツチングを施すこと
を特徴とするドライエツチング方法。 - （２） ホルダーにそれぞれ被エツチング部材を載置す
る複数個の載置部を設けることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のドライエツチング方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20771383A JPS60100429A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20771383A JPS60100429A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | ドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60100429A true JPS60100429A (ja) | 1985-06-04 |
Family
ID=16544325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20771383A Pending JPS60100429A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60100429A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62108527A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Anelva Corp | ドライエツチング装置 |
| JP2004193632A (ja) * | 2004-03-22 | 2004-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 水晶板のプラズマエッチング装置 |
-
1983
- 1983-11-05 JP JP20771383A patent/JPS60100429A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62108527A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Anelva Corp | ドライエツチング装置 |
| JP2004193632A (ja) * | 2004-03-22 | 2004-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 水晶板のプラズマエッチング装置 |
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