JPH0325917A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野Ｊ この発明は真空系を有し、ウェハ支持を吸着する治具（
以下スピンチャックという）でウェハを保持し回転させ
る半導体製造装置全般に関するものである。 〔従来の技術〕 第４図は従来の半導体製造装置のスピンチャックを示す
側稍図、第５図は第４図に示すＹ−Ｙにおける断面図で
ある。図において、（１）はウェハの下面と接触する接
触部分、（２）は真空用の穴、＋３）Ｌｔウェハを吸着
する真空部位、（４Ｈよ真空が洩れないための壁（６》
はウェハを示す。 次に動作について説明する。真空系を有するスピンチャ
ックにおいてウェハ（５）が吸着された場合、ウェハ（
５）の下面は接触部分（１）と真空が洩れない壁（４）
に接する。すると、真空用の穴（２》及び、ウェハ吸着
する真空部位（３）によってウェハ（５》が完全に吸看
され、回転させてもウェハ（５）が保持できる。 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の半導体製造装置は以上のように構成されているの
で、クエ八とスピンチャックの接触面積が太き〈、接触
面が必ず平坦であることが必要で例えば接触直に異物が
あった場合、吸着不良になり、回転した際、ウエ八の保
持が困難となる。 更に、スピンチャックが長時間回転すると、モーターか
らの熱がスピンチャックに伝導しウェハ面の温度上昇を
起し、ウェハ上面に膜を形成する際の膜厚の変動が生じ
るなどの問題点があった。 この発明は上記のような問題点を解消するためｌこなさ
れたものでウェハの吸着不良がなくなるとともに、接触
面を最小限に抑えたことによるスビンテヤツクからの熱
伝導を防止し、安定な膜を形成できる半導体製造装置を
得ることを目的とする。 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係る半導体製造装置は、スピンチャックの形
状を羽根状とじウェハ下面と接触する接触部分を西端計
１２ケ所配置したものである。 （作用ノ この発明における半導体製造装置は、スピンチャックの
形状を羽根状にし、ウェハ下面との接蝕部分を最小限に
抑えることにより、吸着不良を防止し、モーターからの
熱伝導によるウェハ上簡の膜の精度の不安定を防止する
。 （実施例ノ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。 第１図は半導体製造装置のスピンチャックを示す側向図
、第２図は第１図に示すＸ−ｘにおける断面図である。 図において、（１）はウェハ下百との接触面を最小限に
抑えた接触部分、（２》は真空用の穴、（３）はウェハ
吸着する真空部位、（５）はウェハを示す。 次に動作について説明する。真空系を有するスピンチャ
ックにおいてウェハ（５）が吸着された場合、ウェハ（
５）の下面は接触部分（１）と接する。すると、真空用
の穴（２）及びウェハ吸着する真空部位

【３】によって
完全に吸着され回転させてもウェハ（５）が保持できる
。 なお、上記実施例ではウェハ（５）下面との接触部分（
１）を計１２ケ所を配置したものを示したが、ウェハ（
５）口径の違いに応じて第３図に示すごとく４ケ所、８
ケ所など４ｎ倍（ｎはｌｌｉ数）の接触部分の数を変更
してもよい。更に上記実施例では、四点型のスピンチャ
ックの場合について説明したが、三点型、五点型など多
点型のスピンチャックであってもよく、上記実施例と同
様の効果を有する。 またスピンチャックの材料を金Ｊ４、樹脂、セラミック
など各種物質であっても同様の効果を有する。 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれば、スビンテヤックを円形
状から羽根状にしたので、安価に製造でき、かつ、吸着
不良などの事故がなくウェハ上百に安定した精度の高い
膜が形成できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による半導体製造装置を示
す側百図、第２図は第１図に示すＸ−Ｘにおけるｉｉ図
、第３図はこの発明の他の実施例による半導体製造装置
の断面図、第４図は従来の半導体製造装置を示す側面図
、＠５図は第４図に示すＹ−Ｙにおける断面図である。 図において、（１）は接触部分、《２）は真空用の穴、
（３目よウェハが吸着する真空部位、（５）はウェハで
ある。 なお、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ウェハを回転させ、ウェハ上面に所望の膜を形成するプ
   ロセスにおいて、そのウェハ支持を真空系によつて吸着
   する治具でウェハ下面の接触面積を最小限にしたことを
   特徴とする半導体製造装置。