KR19990035698U - 반도체 웨이퍼의 진공척구조 - Google Patents
반도체 웨이퍼의 진공척구조 Download PDFInfo
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Abstract
본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 진공척구조는 웨이퍼가 안착되는 스테이지와, 상기 스테이지의 중심을 기준으로 일정간격 떨어진 동심원상에 서로 이격되게 형성된 다수개의 진공홀과, 상기 진공홀의 둘레에 설치하여 흡착된 웨이퍼를 지지하는 진공홀지지부와, 상기 각 진공홀 아래에 서로 연결되도록 설치한 진공라인과, 상기 스테이지의 테두리에 일정두께로 돌출되도록 형성하여 웨이퍼를 지지하는 안착가이드로 구성되어, 진공척의 스테이지 상면에 닿는 웨이퍼의 면적을 최소화하여 웨이퍼의 뒷면에 발생되는 파티클의 발생을 줄이도록 하였다.
Description
본 고안은 반도체 웨이퍼의 진공척구조에 관한 것으로, 특히 진공척의 스테이지 상면에 닿는 웨이퍼의 면적을 최소화하여 웨이퍼의 뒷면에 발생되는 파티클의 발생을 줄이도록 한 반도체 웨이퍼의 진공척구조에 관한 것이다.
종래의 기술에 의한 반도체 웨이퍼의 진공척구조는 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼가 안착되는 스테이지(1)와, 상기 스테이지(1)의 상면에 웨이퍼를 흡착하도록 진공라인(4)과 연결된 흡착부(5)와, 상기 스테이지(1) 상면에 웨이퍼를 지지하는 접촉부(3)로 구성된다. 도면중 미설명 부호 2는 웨이퍼의 형상을 나타내는 가상선을 나타낸다.
상기 흡착부(5)는 진공라인(4)을 따라 중심부 둘레와 스테이지(1)의 테두리에 길게 연결되어 형성되어져 있다.
이와 같이 구성된 종래의 기술에 의한 반도체 웨이퍼의 진공척구조의 작용을 설명하면 다음과 같다. 진공라인(4)을 따라 공기를 흡입하게 되면, 상기 진공라인(4)과 연결된 스테이지 상면의 흡착부(5)를 통해 웨이퍼를 흡착하게 되고, 상기 흡착된 웨이퍼는 스테이지 상면의 접촉부(3)에 접촉되며 안착되게 된다.
그러나, 이러한 종래의 기술에서는 웨이퍼의 뒷면이 스테이지(1)와 닿는 면적이 너무 많아 파티클이 발생할 소지가 많은 문제점이 있는 바, 본 고안은 상기와 같은 문제점을 고려하여 안출한 것으로, 진공척의 스테이지 상면에 닿는 웨이퍼의 면적을 최소화하여 웨이퍼의 뒷면에 발생되는 파티클의 발생을 줄이도록 한 반도체 웨이퍼의 진공척구조를 제공함에 있다.
도 1은 종래의 기술에 의한 반도체 웨이퍼의 진공척구조를 나타내는 평면도.
도 2는 도 1의 A-A선 단면도.
도 3은 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 진공척구조를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3의 B-B선 단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 ; 스테이지 11 ; 안착가이드
12 ; 진공홀 13 ; 진공홀지지부
14 ; 진공라인
이러한, 본 고안의 목적은 웨이퍼가 안착되는 스테이지와, 상기 스테이지의 중심을 기준으로 일정간격 떨어진 동심원상에 서로 이격되게 형성된 다수개의 진공홀과, 상기 진공홀의 둘레에 설치하여 흡착된 웨이퍼를 지지하는 진공홀지지부와, 상기 각 진공홀 아래에 서로 연결되도록 설치한 진공라인과, 상기 스테이지의 테두리에 일정두께로 돌출되도록 형성하여 웨이퍼를 지지하는 안착가이드에 의해 달성된다.
이하, 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 진공척구조를 첨부도면에 도시한 실시예에 따라서 설명한다.
도 3은 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 진공척구조를 나타내는 평면도이고, 도 4는 도 3의 B-B선 단면도를 각각 보인 것으로, 이에 도시한 바와 같이 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 진공척구조는 웨이퍼가 안착되는 스테이지(1)와, 상기 스테이지(1)의 중심을 기준으로 일정간격 떨어진 두 개의 동심원상에 서로 일정간격으로 이격되게 형성된 여섯개의 진공홀(12)과, 상기 각 진공홀(12)의 둘레에 설치하여 흡착된 웨이퍼를 지지하는 진공홀지지부(13)와, 상기 진공홀(12) 아래에 서로 연결되도록 설치한 진공라인(14)과, 상기 스테이지(1)의 테두리에 일정두께로 돌출되도록 형성하여 웨이퍼를 지지하는 안착가이드(11)로 구성된다.
이와 같이 구성된 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 진공척구조의 작용효과를 설명한다.
종래와 진공흡착방법은 동일하나 본 고안은 스테이지(1)에서 진공라인(14)을 개선하므로, 면흡착을 점흡착 방식으로 개조하도록 한 것이다. 즉 스테이지(1)의 중심을 기준으로 안쪽의 작은 동심원상에 일정간격을 두고 세 개의 진공홀을 형성하고, 바깥쪽의 큰 동심원상에 일정간격을 두고 세 개의 진공홀을 형성하여 도합 여섯 개의 진공포인트로 웨이퍼를 흡착시키고, 흡착된 웨이퍼는 진공홀(12) 둘레의 진공홀지지부(13)에 놓여지게 되며, 스테이지(1)의 테두리 부분에 2mm의 안착가이드(11)를 남겨두어 웨이퍼를 지지하도록 하므로 웨이퍼의 떨림을 방지시켰다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 진공척구조는 웨이퍼가 안착되는 스테이지와, 상기 스테이지의 중심을 기준으로 일정간격 떨어진 동심원상에 서로 이격되게 형성된 다수개의 진공홀과, 상기 진공홀의 둘레에 설치하여 흡착된 웨이퍼를 지지하는 진공홀지지부와, 상기 각 진공홀 아래에 서로 연결되도록 설치한 진공라인과, 상기 스테이지의 테두리에 일정두께로 돌출되도록 형성하여 웨이퍼를 지지하는 안착가이드로 구성되어, 진공척의 스테이지 상면에 닿는 웨이퍼의 면적을 최소화하여 웨이퍼의 뒷면에 발생되는 파티클의 발생을 줄이도록 한 효과가 있다.
Claims (1)
- 웨이퍼가 안착되는 스테이지와, 상기 스테이지의 중심을 기준으로 일정간격 떨어진 동심원상에 서로 이격되게 형성된 다수개의 진공홀과, 상기 진공홀의 둘레에 설치하여 흡착된 웨이퍼를 지지하는 진공홀지지부와, 상기 각 진공홀 아래에 서로 연결되도록 설치한 진공라인과, 상기 스테이지의 테두리에 일정두께로 돌출되도록 형성하여 웨이퍼를 지지하는 안착가이드로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 진공척구조.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019980001334U KR19990035698U (ko) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 반도체 웨이퍼의 진공척구조 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019980001334U KR19990035698U (ko) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 반도체 웨이퍼의 진공척구조 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990035698U true KR19990035698U (ko) | 1999-09-15 |
Family
ID=69712243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019980001334U KR19990035698U (ko) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 반도체 웨이퍼의 진공척구조 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19990035698U (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100373548B1 (ko) * | 2000-11-03 | 2003-02-26 | (주)케이.씨.텍 | 회전식 웨이퍼 처리 장치 |
| KR100452738B1 (ko) * | 2002-04-08 | 2004-10-14 | (주) 디에스테크노 | 쿼츠 디스크 가공용 진공 척장치 |
| KR20210011500A (ko) * | 2018-06-19 | 2021-02-01 | 케이엘에이 코포레이션 | 슬롯형 정전 척 |
-
1998
- 1998-02-06 KR KR2019980001334U patent/KR19990035698U/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100373548B1 (ko) * | 2000-11-03 | 2003-02-26 | (주)케이.씨.텍 | 회전식 웨이퍼 처리 장치 |
| KR100452738B1 (ko) * | 2002-04-08 | 2004-10-14 | (주) 디에스테크노 | 쿼츠 디스크 가공용 진공 척장치 |
| KR20210011500A (ko) * | 2018-06-19 | 2021-02-01 | 케이엘에이 코포레이션 | 슬롯형 정전 척 |
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