JPS62107937A - 真空チヤツク - Google Patents

真空チヤツク

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Publication number
JPS62107937A
JPS62107937A JP24402685A JP24402685A JPS62107937A JP S62107937 A JPS62107937 A JP S62107937A JP 24402685 A JP24402685 A JP 24402685A JP 24402685 A JP24402685 A JP 24402685A JP S62107937 A JPS62107937 A JP S62107937A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
workpiece
chuck body
grinding
grooves
chuck
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24402685A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Horiuchi
堀内 毅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Via Mechanics Ltd
Original Assignee
Hitachi Seiko Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Seiko Ltd filed Critical Hitachi Seiko Ltd
Priority to JP24402685A priority Critical patent/JPS62107937A/ja
Publication of JPS62107937A publication Critical patent/JPS62107937A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、たとえばシリコンウェハ等を保持するための
真空チャックに関する。
〔発明の背景〕
たとえばIC等のノセターンは光学的にシリコンウェハ
に焼付けられている。焼付精度を確保し、製品の歩留り
を向上させるためには、焼付の前工程においてシリコン
ウェハの焼付面側を平担にするだけでなく、焼付面と、
焼付面と反対側の面との平行度を確保する必要がある。
通常、第5図に示すように、あらかじめチャック本体1
の加工物を載置する面2と砥石3との平行度を出すため
に面2を砥石3により研削するが、研削後の面2にはh
lなる形状誤差が発生し、完全な平担面は得られない。
実際の研削加工では、第6図に示すように、加工物4は
hlなる形状誤差を持つ面2に固定され豹 、加工靜の表面5は研削後面6となり、h2なる形状誤
差が発生する。研削後の加工物4を平担な面7に載置す
ると、第7図に示すように、シリコンウェハの中央部が
hsだけ高くなる中凸形状や、中央部が低くなる中口形
状になるなど、高精度な平行度を得ることがで目なかっ
た。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、前記した従来技術の欠点をなくシ、平
行度の優れたシリコンウェハを製造するための真空チャ
ックを提供するととにある。
〔発明の概要〕
本発明は、上記した形状誤差が、研削抵抗に起因するも
のであることに着目し、真空チャックの本体を加工物の
研削抵抗に近い研削抵抗を持つ材料で形成し、表面に吸
着用の溝を形成したことを特徴とする。
すなわち、第8図において面2.および面6を強調して
示しであるが、通常形状誤差り、およびh2は5〜10
μmないしはそれよりも小さく、加工物40幅は76頭
以上であり、加工物4の厚さHは1w以下である。ここ
で、加工物40幅方向の中心をチャック本体10幅方向
の中心に重ね、ii[T2および面6を中心が幅方向の
中心線(これをY軸とする)上にあり、半径および中心
角が、それぞれRt * Rzおよびθ1.θ2なる円
弧の一部で近似し9幅方向にX軸を設定するものとする
8は面2の端部A、−Aに対応する面畢上の点B、 4
4 Bを通り、中心がY軸上にある半径R1の円弧であ
る。円弧8は面2をY軸方向に平行移動したものである
から、−+−AからAの範囲において円弧8と面2との
Y方向の距離Hはすべて等しく、第8図に示した加工物
4の斜線部における形状誤差h4はh2とhlとの差で
表わされる。なお、−A〜−0問およびA〜C間の距離
2は研削過剰となるが、蕃冊前記の通り形状誤差h1.
h、は5〜10μmないしはそれよりも小さく、加工物
の@2人が76m1以上であることから、2は2XIQ
”’4+w程度となり、無視できる値である。
従って、第8図における加工物4を平担な面7に載置し
た場合の形状誤差haはh4すなわち、h2とhlとの
差に等しいと考えてよい。
〔発明の実施例〕
本発明の一実施例を図面に従って説明する。第1図およ
び第2図は本発明の一実施例を示すもの碕 で、同図において第8図と同じもの#j、同じ伸号を付
けて示しである。第1図においてチャック本体1はシリ
コンウェハと同じ材質であるシリコン結晶で作られてい
る。加工物4とチャック本体1とが同一の材料であるか
ら、研ル」抵抗も等しく、前記した形状誤差h4は理論
上ゼロとなり、加工物4を平担な面7に載置した場合の
形状誤差h3を小きくすることができる。9はチャック
本体1の表面に設けられた溝で、第2図の第1図H−I
I線断面図に示すように、穴10を介して真空源(図示
せず)に接続され、加工物4を吸着、固定する。
第3図に他の実施例を示す。11はシリコン結晶の小片
であって、チャック本体ベース12に固着されている。
加工物4は主としてシリコン結晶の細片11で支持され
るから、チャック本体ベース12は、たとえばグラファ
イトなど、加工のしやすい材料を使用することができる
。また、シリコン結晶11は、加工物4の吸着、固定を
妨げない範囲で、任意の形状とすることができると同時
に、チャック本体ベース12の任意の位置に配置するこ
とができる。本実施例ではチャック本体1および11に
シリコン結晶を用いたが、研削抵抗が近い他の材料を用
いても、同様の効果が得られることは言うまでもない。
〔発明の効果〕
本発明により、平行度の優れたシリコンウェハ・  の
研削加工が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る真空チャックの正面図、第2図は
第1図の■−■線断面図、第3図は本発明の他の実施例
を示す真空チャックの正面図、第4図は第3図の■−■
線断面図、第5図〜第8図は形状誤差を説明するための
図である。 1・・・チャック本体、 9・・・チャック本体の表面に設けられた溝10・・・
小径の穴 11・・・シリコン結晶の小片 12・・・チャック本体ベース

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 加工物の研削抵抗に近い研削抵抗を有する材料で形成さ
    れ、加工物を載置する面の加工物で覆われる領域に1も
    しくは複数の溝を形成し、この溝を真空源に接続する1
    もしくは複数の穴を形成したことを特徴とする真空チャ
    ック。
JP24402685A 1985-11-01 1985-11-01 真空チヤツク Pending JPS62107937A (ja)

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JP24402685A JPS62107937A (ja) 1985-11-01 1985-11-01 真空チヤツク

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JP24402685A JPS62107937A (ja) 1985-11-01 1985-11-01 真空チヤツク

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JPS62107937A true JPS62107937A (ja) 1987-05-19

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ID=17112603

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JP24402685A Pending JPS62107937A (ja) 1985-11-01 1985-11-01 真空チヤツク

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JP (1) JPS62107937A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001022484A1 (fr) * 1999-09-20 2001-03-29 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Procede de fabrication d'une tranche de semi-conducteur
KR100578510B1 (ko) 2004-07-16 2006-05-12 희성전자 주식회사 글래스 연마기의 상정반
US10267848B2 (en) 2008-11-21 2019-04-23 Formfactor Beaverton, Inc. Method of electrically contacting a bond pad of a device under test with a probe

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS609626A (ja) * 1983-06-30 1985-01-18 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション ピンチャック及びその製法
JPS60177834A (ja) * 1984-01-10 1985-09-11 ヒューレット・パッカード・カンパニー 圧電手段によつて駆動される変形可能なチヤツク

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Cited By (3)

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