JPS60177834A - 圧電手段によつて駆動される変形可能なチヤツク - Google Patents
圧電手段によつて駆動される変形可能なチヤツクInfo
- Publication number
- JPS60177834A JPS60177834A JP59275065A JP27506584A JPS60177834A JP S60177834 A JPS60177834 A JP S60177834A JP 59275065 A JP59275065 A JP 59275065A JP 27506584 A JP27506584 A JP 27506584A JP S60177834 A JPS60177834 A JP S60177834A
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- chuck
- deformable
- wafer
- deformable chuck
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- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 210000003323 beak Anatomy 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景及び重要〕
マイクロリトグラフィー装置(microlitho
−grapbic system)が、半導体装置の処
理中に半導体ウェーハ上のミクロン単位及び1ミクロン
より小さい幅のパターンを創成可能にするために使用さ
れる。そのような装置、特にX線及び光学的リトグラフ
ィー装置で、ウェーハの平坦度を制御することが、所望
の幅を達成するために重要である。1ミクロン又はそれ
より優れたウェーハの平坦度が、1ミクロンより小さい
リトグラフィーのために所望される。
−grapbic system)が、半導体装置の処
理中に半導体ウェーハ上のミクロン単位及び1ミクロン
より小さい幅のパターンを創成可能にするために使用さ
れる。そのような装置、特にX線及び光学的リトグラフ
ィー装置で、ウェーハの平坦度を制御することが、所望
の幅を達成するために重要である。1ミクロン又はそれ
より優れたウェーハの平坦度が、1ミクロンより小さい
リトグラフィーのために所望される。
在米の半導体ウェーハが、直径対厚さの大きな比(およ
そ150:1)のため比較的可撓性を示す傾向がある。
そ150:1)のため比較的可撓性を示す傾向がある。
従って、10ミクロン又はそれより優れたウェーハの平
坦度を達成するためには、非常に特殊な研摩技術を使用
することが必要となる。しかし、そのような技術を使用
しても、高温処理中での平坦度の偏差がよく起こる。
坦度を達成するためには、非常に特殊な研摩技術を使用
することが必要となる。しかし、そのような技術を使用
しても、高温処理中での平坦度の偏差がよく起こる。
従来技術で非常に平坦で剛体の真空チャックを使用して
、ウェーハのリトグラフィー露光中にウェーハを押えて
平坦にする技術が周知である。しかしながら、チャック
を必要な平坦度まで研摩して必要な一様な厚さのウェー
ハを創成し、所望のウェーハの平坦度を達成することは
、困難である。
、ウェーハのリトグラフィー露光中にウェーハを押えて
平坦にする技術が周知である。しかしながら、チャック
を必要な平坦度まで研摩して必要な一様な厚さのウェー
ハを創成し、所望のウェーハの平坦度を達成することは
、困難である。
本発明の図示した好適実施例に従って、変形可能な真空
チャックが、多数の圧電スタック(P Z T )によ
って剛体基板に取り付けられる。
チャックが、多数の圧電スタック(P Z T )によ
って剛体基板に取り付けられる。
電位がチャックを変形させるために選択されたPZTに
亘って印加されで、ウェーハでの平坦度偏差を補償し得
る。
亘って印加されで、ウェーハでの平坦度偏差を補償し得
る。
第1図は、本発明の好適実施例で使用されるチャック1
を示す。チャック1は、単一のシリコンウェーハがら製
造される。このことは、1983年11月1日出願の米
国特許出願第547.811号(本出願人による特許出
願昭和59年特許願第217448号)で説明されてい
る。ビーク3が、チャック1の上に位置づけられるウェ
ーハ17を支持する(第2図参照)。
を示す。チャック1は、単一のシリコンウェーハがら製
造される。このことは、1983年11月1日出願の米
国特許出願第547.811号(本出願人による特許出
願昭和59年特許願第217448号)で説明されてい
る。ビーク3が、チャック1の上に位置づけられるウェ
ーハ17を支持する(第2図参照)。
谷7が空気の通路を画成して、マニホルド15(第2図
参照)を通してもたらされる真空が、チャック1の上に
ウェーハ17を保持すべく使用され得る。チャック1は
、直径3インチ(7,62cm)(3インチ(7,62
cm)の直径のウェーハ17に関して)であり、厚さ2
ミリメートルである。従って、チャック1は、はぼ4o
:1の直径対厚さの比を有し、チャック1の表面に垂直
に加えられる力によって変形され得る。
参照)を通してもたらされる真空が、チャック1の上に
ウェーハ17を保持すべく使用され得る。チャック1は
、直径3インチ(7,62cm)(3インチ(7,62
cm)の直径のウェーハ17に関して)であり、厚さ2
ミリメートルである。従って、チャック1は、はぼ4o
:1の直径対厚さの比を有し、チャック1の表面に垂直
に加えられる力によって変形され得る。
第2図は、本発明の好適実施例に従って構成される装置
の断面図を示す。チャック1は、19個の一様に分布し
たPZT9の上に取り付けられている。PZT9は、剛
体基板11の上に取り付けられている。選択されたPZ
T9に亘って電位を印加することによってその選択され
たPZT9の変位を生じる。代表的にPZT9は、10
00ボルトの印加電位について10ミクロンの変位を生
じる 使用する場合、ウェーハ17は、マニホルド15を通し
て真空をもたらすことによってチャック1と緊密な真空
接触で保持される。ウェーハ17あ平坦な外形を得るた
めに、光学干渉を用いて基準平坦部13に対して比較測
定がなされ、或いは変形的に、分離容量性ゲージ(di
screte capacitive gau[?e)
又は他の変位ゲージを用いて平坦度が測定され得る。適
切な電圧が、選択されたPZT9に印加されて、ウェー
ハ17の表面の平坦度を最良にする。更に、ウェーハ1
7の表面は、マスク(例えばX#itリトグラフィー中
のX線マスク)の表面に比較されて、マスクが十分、に
平坦でない場合に正確なギャップ間隔を達成してもよい
。ストレンゲージ又は変位変換器のような適切なセンサ
ーがチャック1に組み込まれて、チャック1の変形が測
定され、後に繰り返され得る。この装置は、周期的にウ
ェー/)17の平坦度を閉ループ制御することを可能に
する。
の断面図を示す。チャック1は、19個の一様に分布し
たPZT9の上に取り付けられている。PZT9は、剛
体基板11の上に取り付けられている。選択されたPZ
T9に亘って電位を印加することによってその選択され
たPZT9の変位を生じる。代表的にPZT9は、10
00ボルトの印加電位について10ミクロンの変位を生
じる 使用する場合、ウェーハ17は、マニホルド15を通し
て真空をもたらすことによってチャック1と緊密な真空
接触で保持される。ウェーハ17あ平坦な外形を得るた
めに、光学干渉を用いて基準平坦部13に対して比較測
定がなされ、或いは変形的に、分離容量性ゲージ(di
screte capacitive gau[?e)
又は他の変位ゲージを用いて平坦度が測定され得る。適
切な電圧が、選択されたPZT9に印加されて、ウェー
ハ17の表面の平坦度を最良にする。更に、ウェーハ1
7の表面は、マスク(例えばX#itリトグラフィー中
のX線マスク)の表面に比較されて、マスクが十分、に
平坦でない場合に正確なギャップ間隔を達成してもよい
。ストレンゲージ又は変位変換器のような適切なセンサ
ーがチャック1に組み込まれて、チャック1の変形が測
定され、後に繰り返され得る。この装置は、周期的にウ
ェー/)17の平坦度を閉ループ制御することを可能に
する。
第1図は、本発明の好適実施例で使用される真空チャッ
クを示す。 第2図は、本発明の好適実施例に従って構成される装置
を示す。 〔主要符号の説明〕 1・・・チャック 3・・・ピーク 7・・・谷 9・・・圧電スタック(P Z T )1
1・・・剛体基板 13・・・基準平坦部15・・・マ
ニホルド 17・・・ウェーハ特許出願人 パリアン・
アソシエイツ・図面の浄1r(内容に変更なし1 FIG、 1 1コ FIG、2 手 続 補 正 を: (方式・自発)昭和60年2月
lc(日 特許庁長官 志 賀 学 殿 1、 事件の表示 昭和59年特許願第275065号
2、 発明の名称 圧電手段によって駆動される変形可
能なチャック 3、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 パリアン・アソシエイッ・ インコーホレイテッド 4、代理人 住 所 東京都港区西ffft橋1丁目6番21号大和
銀行虎)門ビルディング 6、 補正の対象 図 面(企 図)
クを示す。 第2図は、本発明の好適実施例に従って構成される装置
を示す。 〔主要符号の説明〕 1・・・チャック 3・・・ピーク 7・・・谷 9・・・圧電スタック(P Z T )1
1・・・剛体基板 13・・・基準平坦部15・・・マ
ニホルド 17・・・ウェーハ特許出願人 パリアン・
アソシエイツ・図面の浄1r(内容に変更なし1 FIG、 1 1コ FIG、2 手 続 補 正 を: (方式・自発)昭和60年2月
lc(日 特許庁長官 志 賀 学 殿 1、 事件の表示 昭和59年特許願第275065号
2、 発明の名称 圧電手段によって駆動される変形可
能なチャック 3、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 パリアン・アソシエイッ・ インコーホレイテッド 4、代理人 住 所 東京都港区西ffft橋1丁目6番21号大和
銀行虎)門ビルディング 6、 補正の対象 図 面(企 図)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ウェーハを支持するための装置であって:変形可能
なチャック; 剛体基板;並びに 前記剛体基板の上に取り付けられ且つ前記変形可能なチ
ャックに付着された、前記変形可能なチャックを部分的
且つ選択的に変位させるための複数の変位手段; から成るところの装置。 2、特許請求の範囲j@1項に記載された装置であって
: 前記各変位手段が圧電変換器から成るところの装置。 3、特許請求の範囲第2項に記載された装置であって: 前記変形可能なチャックが40:1に等しい又はより大
きい直径対厚さの比を有するところの装置。 4、特許請求の範囲第3項に記載された装置であって: 前記変形可能なチャックが一体の結晶物質から成るとこ
ろの装M、。 5、特許請求の範囲II&4項に記載された装置であっ
て: 前記変形可能なチャックが更に、複数の谷を画成する、
被加工物を支持するための複数のピーク;並びに 前記各を通して真空をもたらし、前記ピーク上に前記被
加工物を保持するためのマニホルド; から成る、ところの装置。 6、特許請求の範囲第5項に記載された装置であって: 更に、前記変形可能なチャックに結合された、該チャッ
クの平坦度を測定するための平坦度手段から成るところ
の装置。 7、特許請求の範囲第5項に記載された装置であって: 前記変形可能なチャックが更に、該チャックの変形度を
測定し且つ記録するための測淀手段から成る、ところの
装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/569,632 US4506184A (en) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | Deformable chuck driven by piezoelectric means |
US569632 | 1984-01-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60177834A true JPS60177834A (ja) | 1985-09-11 |
JPH0351539B2 JPH0351539B2 (ja) | 1991-08-07 |
Family
ID=24276207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59275065A Granted JPS60177834A (ja) | 1984-01-10 | 1984-12-28 | 圧電手段によつて駆動される変形可能なチヤツク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60177834A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62107937A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-19 | Hitachi Seiko Ltd | 真空チヤツク |
US5096690A (en) * | 1986-05-22 | 1992-03-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method and apparatus for manufacturing silver halide grains |
JP2006135062A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Ulvac Japan Ltd | 分割静電チャック構造 |
JP2009158966A (ja) * | 2000-05-23 | 2009-07-16 | Asml Holding Nv | 可撓性圧電性チャック |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP59275065A patent/JPS60177834A/ja active Granted
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62107937A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-19 | Hitachi Seiko Ltd | 真空チヤツク |
US5096690A (en) * | 1986-05-22 | 1992-03-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method and apparatus for manufacturing silver halide grains |
JP2009158966A (ja) * | 2000-05-23 | 2009-07-16 | Asml Holding Nv | 可撓性圧電性チャック |
JP4734433B2 (ja) * | 2000-05-23 | 2011-07-27 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | 可撓性チャック |
JP2006135062A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Ulvac Japan Ltd | 分割静電チャック構造 |
JP4583141B2 (ja) * | 2004-11-05 | 2010-11-17 | 株式会社アルバック | 分割静電チャック構造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0351539B2 (ja) | 1991-08-07 |
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